JPS59152844A - Ａｌ薄膜 - Google Patents
Ａｌ薄膜Info
- Publication number
- JPS59152844A JPS59152844A JP2832283A JP2832283A JPS59152844A JP S59152844 A JPS59152844 A JP S59152844A JP 2832283 A JP2832283 A JP 2832283A JP 2832283 A JP2832283 A JP 2832283A JP S59152844 A JPS59152844 A JP S59152844A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- thin
- aluminum thin
- base material
- Prior art date
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- Granted
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- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＡｌ薄膜に関し、Ａｌ薄膜が酸、アルカリ、
水などにより腐食され変質して透明化することを防止し
た、極めて耐腐食性の良好なＡｇ薄膜に係るものである
０そしてそのために、Ａｇ薄膜の表面にＣｒ薄膜を適用
し、Ａ４薄膜の表面をＣｒ薄膜によシ処理したところの
Ａｇ薄膜に係るものである。
水などにより腐食され変質して透明化することを防止し
た、極めて耐腐食性の良好なＡｇ薄膜に係るものである
０そしてそのために、Ａｇ薄膜の表面にＣｒ薄膜を適用
し、Ａ４薄膜の表面をＣｒ薄膜によシ処理したところの
Ａｇ薄膜に係るものである。
従来から、Ａｇ薄膜の処理々法として、クロム酸処理が
知られている。しかしこれはいわば浸漬法であシ公害が
発生し現実には実施が不可能又は極めて困難である。ま
た、池の方法として、陽極酸化処理もあるがＡＪＪ薄膜
は極めて薄いので実際上は容易でない。さらにまた他の
方法として、Ａｌ薄膜上にシリコンメタル蒸着層を設け
る方法も知られているが、これは水には強いが、耐酸性
、耐アルカリ性に劣るという欠点がある〇 この発明は、上記の諸々の欠点を解消し、従来とは全く
異なった極めて容易な方法でＡ／薄膜の表面を処理する
ことにより、非常に安定した耐腐食性の極めて良好なＡ
ｌ薄膜を提供するものであるＯ すなわちこの発明は、Ａｇ薄膜の表面にＣ，ｒ薄膜を形
成したことを特徴とするへ４薄膜である。
知られている。しかしこれはいわば浸漬法であシ公害が
発生し現実には実施が不可能又は極めて困難である。ま
た、池の方法として、陽極酸化処理もあるがＡＪＪ薄膜
は極めて薄いので実際上は容易でない。さらにまた他の
方法として、Ａｌ薄膜上にシリコンメタル蒸着層を設け
る方法も知られているが、これは水には強いが、耐酸性
、耐アルカリ性に劣るという欠点がある〇 この発明は、上記の諸々の欠点を解消し、従来とは全く
異なった極めて容易な方法でＡ／薄膜の表面を処理する
ことにより、非常に安定した耐腐食性の極めて良好なＡ
ｌ薄膜を提供するものであるＯ すなわちこの発明は、Ａｇ薄膜の表面にＣ，ｒ薄膜を形
成したことを特徴とするへ４薄膜である。
Ｃｒ薄膜の厚さは目的に応じて任意に選択できるが、Ａ
６本来の光沢を充分発揮させるには５〜６０Ａの厚さに
形成するのが好ましい０また、ｋｌ及びＣｒの薄膜は、
真空蒸着法、ヌパソタリング法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法など、従来公知の方法によシ形成
すればよい０この発明は、担体の有無及びＡｌ薄膜の厚
さに関係なく、Ａｊ／薄膜が透視可能な程度の厚さであ
ってもよい０また、Ａｌ薄膜の片面、両面を問わず、全
面、部分を問わず、所望の箇所にＣｒ薄膜を適用できる
。
６本来の光沢を充分発揮させるには５〜６０Ａの厚さに
形成するのが好ましい０また、ｋｌ及びＣｒの薄膜は、
真空蒸着法、ヌパソタリング法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法など、従来公知の方法によシ形成
すればよい０この発明は、担体の有無及びＡｌ薄膜の厚
さに関係なく、Ａｊ／薄膜が透視可能な程度の厚さであ
ってもよい０また、Ａｌ薄膜の片面、両面を問わず、全
面、部分を問わず、所望の箇所にＣｒ薄膜を適用できる
。
この発明は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ
塩化ビニル、ポリエチレン、ポリイミドなどで代表され
る合成樹脂フィルム、セロハン、紙、布帛、又はこれら
の加工品、積層品などからなる基材上に形成されたＡ４
薄膜の保護に特に適している。なお、この種の基材を伴
う場合、基材上に形成されたＡｌ薄膜の基材と反対側の
面のみにＣｒ薄膜を形成してもよいが、基材の種類によ
っては、該基材を透過した酸、アルカリ、水などがＡｌ
薄膜を侵さないように、Ａｌ薄膜の両面にＣｒ薄膜を形
成するのが好ましい。すなわち、基材に予めＣｒ薄膜を
形成しその上にＡｅ薄膜を形成し更に該Ａｌ薄膜上にＣ
ｒ薄膜４、を形成するのがよい。
リプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ
塩化ビニル、ポリエチレン、ポリイミドなどで代表され
る合成樹脂フィルム、セロハン、紙、布帛、又はこれら
の加工品、積層品などからなる基材上に形成されたＡ４
薄膜の保護に特に適している。なお、この種の基材を伴
う場合、基材上に形成されたＡｌ薄膜の基材と反対側の
面のみにＣｒ薄膜を形成してもよいが、基材の種類によ
っては、該基材を透過した酸、アルカリ、水などがＡｌ
薄膜を侵さないように、Ａｌ薄膜の両面にＣｒ薄膜を形
成するのが好ましい。すなわち、基材に予めＣｒ薄膜を
形成しその上にＡｅ薄膜を形成し更に該Ａｌ薄膜上にＣ
ｒ薄膜４、を形成するのがよい。
この発明では、Ｃｒ薄膜が数Ａから数１０又という薄い
ものであってもＡｄ薄膜を酸、アルカリ、水から充分に
保護し、Ｃｒ薄膜自体がＡ４薄膜の物性に悪影響を与え
ることもなく、何薄膜に安定して優れた特性を発揮さ−
せうるものである。しかもＣｒ薄膜がかかる極薄である
場合には、Ａｌ薄膜の色及び光沢はそのまま外にあられ
れ、純粋なＡ／薄膜と全く変らない外観を呈しているも
のである。
ものであってもＡｄ薄膜を酸、アルカリ、水から充分に
保護し、Ｃｒ薄膜自体がＡ４薄膜の物性に悪影響を与え
ることもなく、何薄膜に安定して優れた特性を発揮さ−
せうるものである。しかもＣｒ薄膜がかかる極薄である
場合には、Ａｌ薄膜の色及び光沢はそのまま外にあられ
れ、純粋なＡ／薄膜と全く変らない外観を呈しているも
のである。
この発明は、Ｃｒ薄膜上に別途保護層を設けてもよいが
これは必ずしも必要ではなく、保護層が存在しなくても
Ａ６薄膜はＣｒ薄膜により充分に保護される。しかし、
一般的には薄膜は機械的強度が弱い。そのためＣｒ薄膜
上に保護層を設ける方が物理的、機械的にも万全である
。保護層を設ける場合には、アクリル樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニμ樹脂など保護層として通常に使用される樹
脂を使用すればよい。
これは必ずしも必要ではなく、保護層が存在しなくても
Ａ６薄膜はＣｒ薄膜により充分に保護される。しかし、
一般的には薄膜は機械的強度が弱い。そのためＣｒ薄膜
上に保護層を設ける方が物理的、機械的にも万全である
。保護層を設ける場合には、アクリル樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニμ樹脂など保護層として通常に使用される樹
脂を使用すればよい。
実施例
厚さ１２μのポリエチレンテレフタレートフィルムの片
面に６００１の厚さのＡｆｉ蒸着層を形成し、次いでＡ
ｌ蒸着層上にＣｒを０〜１５０Ａの範囲に膜厚を変化さ
せて蒸着し試験用サンプμとした。また、この試験用サ
ンプルの一部にはＣｒ蒸着層上にウレタン系樹脂により
保護層を形成し、これも別の試験用サンプルとした。さ
らに、厚さ１２／ｌのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの片面ニ６０ＯＡの厚さのＡβ蒸着層を形成し、次
いでＡｅ蒸着層上にＳｉを１０λ、１００λの膜厚でそ
れぞれ蒸着したものを一部はそのまま他の一部は１３ｉ
蒸着層上にウレタン系樹脂に！呵り保護層を形成し、そ
れぞれ試験用サンプ〜とした′０ 試験は次の種類のものとし、上記の試験用サングルにつ
き試験を行った。
面に６００１の厚さのＡｆｉ蒸着層を形成し、次いでＡ
ｌ蒸着層上にＣｒを０〜１５０Ａの範囲に膜厚を変化さ
せて蒸着し試験用サンプμとした。また、この試験用サ
ンプルの一部にはＣｒ蒸着層上にウレタン系樹脂により
保護層を形成し、これも別の試験用サンプルとした。さ
らに、厚さ１２／ｌのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの片面ニ６０ＯＡの厚さのＡβ蒸着層を形成し、次
いでＡｅ蒸着層上にＳｉを１０λ、１００λの膜厚でそ
れぞれ蒸着したものを一部はそのまま他の一部は１３ｉ
蒸着層上にウレタン系樹脂に！呵り保護層を形成し、そ
れぞれ試験用サンプ〜とした′０ 試験は次の種類のものとし、上記の試験用サングルにつ
き試験を行った。
試験の結果は次の表の通りである。なお表中のブランク
は未試験である０ （注）○・・・・・殆んど腐食なし △・・・・・少し腐食あり ×・・・・・完全に腐食あり 上記の表からも明らかな通９、Ｃｒ薄膜はＡ４薄膜を非
常に効果的に保護するものであり、この結果この発明は
例えば金銀糸、転写材料、農業用フィルム、光線調整フ
ィルム、包装用袋など従来Ａ５薄膜を利用した分野に太
く応用できるものである。
は未試験である０ （注）○・・・・・殆んど腐食なし △・・・・・少し腐食あり ×・・・・・完全に腐食あり 上記の表からも明らかな通９、Ｃｒ薄膜はＡ４薄膜を非
常に効果的に保護するものであり、この結果この発明は
例えば金銀糸、転写材料、農業用フィルム、光線調整フ
ィルム、包装用袋など従来Ａ５薄膜を利用した分野に太
く応用できるものである。
なお、この発明におけるｃｒ薄膜にかえて、他の金属に
よる薄膜例えばＮ１、Ｍｎ、 Ｍ９． Ｆｅ、 Ｚｎ、
工ｎ、 Ｇａ、 Ｓｎ、 Ｃａ１Ｃｏ、 Ｔｉ、 Ｐｔ
、 Ｐｄ５Ａｕ１Ａ９、Ｃｕ、Ｎａ、 Ｍｏ１ｗ、その
他公知の各種金属による薄膜あるいは合金、金属化合物
などによる薄膜をＡ４薄膜上に形成することができ、そ
の場合にも、Ｃｒ薄膜を形成した場合と同様あるいはそ
れ以上の効果があるか又は同様の効果を得ることができ
る可能性は考えられる。
よる薄膜例えばＮ１、Ｍｎ、 Ｍ９． Ｆｅ、 Ｚｎ、
工ｎ、 Ｇａ、 Ｓｎ、 Ｃａ１Ｃｏ、 Ｔｉ、 Ｐｔ
、 Ｐｄ５Ａｕ１Ａ９、Ｃｕ、Ｎａ、 Ｍｏ１ｗ、その
他公知の各種金属による薄膜あるいは合金、金属化合物
などによる薄膜をＡ４薄膜上に形成することができ、そ
の場合にも、Ｃｒ薄膜を形成した場合と同様あるいはそ
れ以上の効果があるか又は同様の効果を得ることができ
る可能性は考えられる。
特許出願人
株式会社 量菫 光
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）Ａｇ薄膜の表面にＣｒ薄膜を形成したことを特徴と
するＡｎ薄膜。 ２）上記Ｃｒ薄膜が５〜６ＯＡの厚さであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のＡ４薄膜。 ３）上記Ｃｒ薄膜がＡｇ薄膜の片面に形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
Ａ４薄膜。 ４）上記Ｃｒ薄膜がＡＪｌｉ薄膜の両面に形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項
のいずれかに記載のＡ／薄膜。 ５）上記Ａ４薄膜が基材上に形成されたものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいず
れかに記載のＡｇ薄膜。 ６）上記基材が合成樹脂フィルムであることを特徴とす
る特許請求の範囲第５項記載のＡ４薄膜０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2832283A JPS59152844A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | Ａｌ薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2832283A JPS59152844A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | Ａｌ薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152844A true JPS59152844A (ja) | 1984-08-31 |
| JPH0323334B2 JPH0323334B2 (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=12245372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2832283A Granted JPS59152844A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | Ａｌ薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5878333A (en) * | 1995-10-13 | 1999-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tuner with coaxial resonator trimmer |
| JP2008045168A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Stanley Electric Co Ltd | 金属多層膜構造およびその成膜方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075554A (ja) * | 1973-11-08 | 1975-06-20 | ||
| JPS5225868A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-26 | Sekisui Chemical Co Ltd | Method of producing thermoplastic resin bend |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP2832283A patent/JPS59152844A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075554A (ja) * | 1973-11-08 | 1975-06-20 | ||
| JPS5225868A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-26 | Sekisui Chemical Co Ltd | Method of producing thermoplastic resin bend |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5878333A (en) * | 1995-10-13 | 1999-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tuner with coaxial resonator trimmer |
| JP2008045168A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Stanley Electric Co Ltd | 金属多層膜構造およびその成膜方法 |
| KR101429279B1 (ko) * | 2006-08-14 | 2014-08-11 | 스탄레 덴끼 가부시키가이샤 | 금속 다층 필름 구조 및 이를 이용한 반사경, 차량 램프 및 장식품 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323334B2 (ja) | 1991-03-28 |
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