JPS59152443A - フオトマスクの位置合わせマ−ク形成法 - Google Patents
フオトマスクの位置合わせマ−ク形成法Info
- Publication number
- JPS59152443A JPS59152443A JP58025650A JP2565083A JPS59152443A JP S59152443 A JPS59152443 A JP S59152443A JP 58025650 A JP58025650 A JP 58025650A JP 2565083 A JP2565083 A JP 2565083A JP S59152443 A JPS59152443 A JP S59152443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- alignment mark
- register mark
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は基板とフォトマスクとの位置合わせを同一の位
す合わせマークに工り創口でも繰り返し行うことのでき
るフォトマスクの位置合わぜマーク形成法に関する。
す合わせマークに工り創口でも繰り返し行うことのでき
るフォトマスクの位置合わぜマーク形成法に関する。
フォトエツチング法により基板上に所定パターンの導電
層、絶縁層等を形成する場合に特に重要なことはいかに
して前記導電層、絶縁層のパターンを形成した各フォト
マスクと前記基板との位置合わせ全正確に行ない結党す
るかである。一般にこのような基板と各フォトマスクと
の位置合わせは前記基板および各フォトマスク上に形成
される位置合わせマークを合わせることにより行なわれ
るがその位置合わせ精度を高めるためには前記基板上の
位置合わせマークを各フォトマスク上の位置合わせマー
クより大きい幅に形成する必要がある。、第１図は上述
した従来の基板とフォトマスクとの位置合わせマークを
合わせた状態を示した図であり基板上の位置合わせマー
ク１がフォトマスク上の位置合わせマーク２．ｃり太き
い形状に形成されることにより前記基板とフォトマスク
との位置合わせを容易にしていることがわかる。ところ
でこの状態で前記フォトマスク上から紫外光の露光を行
い、その後現像、エツチング液浸漬工程を経罰基板３上
に着膜された例えば導電層を前記フォトマスクのパター
ン通りにエツチングするわけであるが土述した従来の位
置合わせマークによれば前記露光の際に基板側位置合わ
せマークｌ上に着膜されるフォトレジストが第１図の斜
腺部分壕で露光されることになる。次にこれ金状像する
ことにより前記フォトレジストが前記斜線部分１で溶け
さり更に次のエツチング液浸漬工程では前記基板供１１
位置合わせマーク１が前記斜線部分と同等またはそれ以
上にエツチングされる。このため前記基板側位置合わせ
マーク】は前記フォトマスク側位置合わせマーク２と同
等またはそれ以下の幅に形成されこれ以後に行う各フォ
トマスクとの位置合わゼが不可能になるという欠点を有
していた。
層、絶縁層等を形成する場合に特に重要なことはいかに
して前記導電層、絶縁層のパターンを形成した各フォト
マスクと前記基板との位置合わせ全正確に行ない結党す
るかである。一般にこのような基板と各フォトマスクと
の位置合わせは前記基板および各フォトマスク上に形成
される位置合わせマークを合わせることにより行なわれ
るがその位置合わせ精度を高めるためには前記基板上の
位置合わせマークを各フォトマスク上の位置合わせマー
クより大きい幅に形成する必要がある。、第１図は上述
した従来の基板とフォトマスクとの位置合わせマークを
合わせた状態を示した図であり基板上の位置合わせマー
ク１がフォトマスク上の位置合わせマーク２．ｃり太き
い形状に形成されることにより前記基板とフォトマスク
との位置合わせを容易にしていることがわかる。ところ
でこの状態で前記フォトマスク上から紫外光の露光を行
い、その後現像、エツチング液浸漬工程を経罰基板３上
に着膜された例えば導電層を前記フォトマスクのパター
ン通りにエツチングするわけであるが土述した従来の位
置合わせマークによれば前記露光の際に基板側位置合わ
せマークｌ上に着膜されるフォトレジストが第１図の斜
腺部分壕で露光されることになる。次にこれ金状像する
ことにより前記フォトレジストが前記斜線部分１で溶け
さり更に次のエツチング液浸漬工程では前記基板供１１
位置合わせマーク１が前記斜線部分と同等またはそれ以
上にエツチングされる。このため前記基板側位置合わせ
マーク】は前記フォトマスク側位置合わせマーク２と同
等またはそれ以下の幅に形成されこれ以後に行う各フォ
トマスクとの位置合わゼが不可能になるという欠点を有
していた。
本発明は係る従来の欠点を除去するためになされたもの
であり各フォトマスクパターンによる露光工程において
、前記基板側位置合わせマークが露光されず次のエツチ
ング工程においても最初の形状に維持され同一の基板側
位置合わせマークにより各フォトマスクとの位置合わせ
を細口でも行うことのできるフォトマスクの位置合わせ
マーク形成性ヲ捉供することを目的とする。
であり各フォトマスクパターンによる露光工程において
、前記基板側位置合わせマークが露光されず次のエツチ
ング工程においても最初の形状に維持され同一の基板側
位置合わせマークにより各フォトマスクとの位置合わせ
を細口でも行うことのできるフォトマスクの位置合わせ
マーク形成性ヲ捉供することを目的とする。
本発明によれば前記フォトマスク上の位置合わせマーク
全前記基板上の位置合わせマークより充分大きくかつ前
記基板上のレジストに対する有効感光波長の光を有効に
減衰させる透明膜で覆い前記基板側とフォトマスク側の
位置合わせマークを合わせて露光した際に前記基板側位
置合わせマーク及びその近傍が露光されるのを防ぎエツ
チング液浸漬時にも前記レジスト被膜により前記基板側
位置合わせマークがエツチングされないようにし常に最
初の形状に保つことにより上記目的を達成している。
全前記基板上の位置合わせマークより充分大きくかつ前
記基板上のレジストに対する有効感光波長の光を有効に
減衰させる透明膜で覆い前記基板側とフォトマスク側の
位置合わせマークを合わせて露光した際に前記基板側位
置合わせマーク及びその近傍が露光されるのを防ぎエツ
チング液浸漬時にも前記レジスト被膜により前記基板側
位置合わせマークがエツチングされないようにし常に最
初の形状に保つことにより上記目的を達成している。
以下本発明の実施例を添付図面にもとづいて詳細に説明
する。第２図は本発明の詳細な説明するための基板ｇｌ
Ｉｌおよびフォトマスク側の断面構造を示す略図である
。まず基板側にＦｉ第２ 図（ａ）に示すようにセラミ
ックの基板４上に例えばスクリーン印刷によりＡｕペー
ストヲ印刷焼成した後フォトエンチングにより夕１示し
ない仰（えば第１導電層とともに基板側位置合わせマー
ク５を所定形状にパターンニングする。続いて前記位置
合わせマーク５およびその近傍だけを残しこの土に上記
同様のスクリーン印刷により所定パターンの絶縁層を印
刷焼成し次にこの上面一体に例えば第２導電層を印刷焼
成する。更にこの土面一体にポジ形のフォトレジスト６
を着膜し次のフォトマスクを介して行なわれる露光に備
える。−力フォトマスク側には第２図（ｂ）に示すよう
にマスク基板７上に位置合わせ精度全考慮し前記基板側
位置合わせマークよりやや幅を小さくしてマスク側位置
合わせマーク８をまず形成する。次にこの上に前記基板
側位置合わせマーク５工り大きな幅でかつ前記フォトレ
ジスト６の有効感光波長の光に対して減衰が大きい透明
な紫外光カット膜９を着膜する。以上のようにして形成
された基鈑およびフォトマスクを第２図（ｃ）に示す工
うに各々の位置合わせマ一り５と８と全基準にして位置
合わせを行った後フォトマスク基板７上からフォトレジ
スト６を感光すべく紫外光露光を行う。この時前記紫外
光カット膜９は透明であり伺かつ前記基板側位置合わせ
マーク５は前記フォトマスク側位置合わせマーク８よυ
大きい幅に形成されていることから実線で示す可祈光に
より精度のよい位置合わせ全簡単に行うことができる。
する。第２図は本発明の詳細な説明するための基板ｇｌ
Ｉｌおよびフォトマスク側の断面構造を示す略図である
。まず基板側にＦｉ第２ 図（ａ）に示すようにセラミ
ックの基板４上に例えばスクリーン印刷によりＡｕペー
ストヲ印刷焼成した後フォトエンチングにより夕１示し
ない仰（えば第１導電層とともに基板側位置合わせマー
ク５を所定形状にパターンニングする。続いて前記位置
合わせマーク５およびその近傍だけを残しこの土に上記
同様のスクリーン印刷により所定パターンの絶縁層を印
刷焼成し次にこの上面一体に例えば第２導電層を印刷焼
成する。更にこの土面一体にポジ形のフォトレジスト６
を着膜し次のフォトマスクを介して行なわれる露光に備
える。−力フォトマスク側には第２図（ｂ）に示すよう
にマスク基板７上に位置合わせ精度全考慮し前記基板側
位置合わせマークよりやや幅を小さくしてマスク側位置
合わせマーク８をまず形成する。次にこの上に前記基板
側位置合わせマーク５工り大きな幅でかつ前記フォトレ
ジスト６の有効感光波長の光に対して減衰が大きい透明
な紫外光カット膜９を着膜する。以上のようにして形成
された基鈑およびフォトマスクを第２図（ｃ）に示す工
うに各々の位置合わせマ一り５と８と全基準にして位置
合わせを行った後フォトマスク基板７上からフォトレジ
スト６を感光すべく紫外光露光を行う。この時前記紫外
光カット膜９は透明であり伺かつ前記基板側位置合わせ
マーク５は前記フォトマスク側位置合わせマーク８よυ
大きい幅に形成されていることから実線で示す可祈光に
より精度のよい位置合わせ全簡単に行うことができる。
１だ鉛線で示す紫外光は前記紫外光カント膜９によって
減衰するため該紫外光カット膜９下のフォトレジスト６
は露光されない。このためこれらを現像教で現像すると
第２シ１（ｄ）に示すように基板側位置合わせマーク８
は前記紫外線カント膜９の形状のフォトレジスト膜６で
覆われ次のエツチング液浸漬工程においても該基板側位
置合わせマーク５はエツチングされることはない。そこ
でこれと同様の紫外線カツト膜を多！ｉ板の作成に用い
るすべてのフォトマスクの位置合わせマークに着膜して
おけば各々のフートマスクによる露光に対して基板側位
置合わせマークが露光されることがなく当然エツチング
もなされないことから該基板側位置合わせマークｌ″ｉ
最初の形状に保たれ常にフォトマスクイｌＪ１位置合わ
せマークより大きい幅に維持でき細口の位置合わせ金も
行うことができる。
減衰するため該紫外光カット膜９下のフォトレジスト６
は露光されない。このためこれらを現像教で現像すると
第２シ１（ｄ）に示すように基板側位置合わせマーク８
は前記紫外線カント膜９の形状のフォトレジスト膜６で
覆われ次のエツチング液浸漬工程においても該基板側位
置合わせマーク５はエツチングされることはない。そこ
でこれと同様の紫外線カツト膜を多！ｉ板の作成に用い
るすべてのフォトマスクの位置合わせマークに着膜して
おけば各々のフートマスクによる露光に対して基板側位
置合わせマークが露光されることがなく当然エツチング
もなされないことから該基板側位置合わせマークｌ″ｉ
最初の形状に保たれ常にフォトマスクイｌＪ１位置合わ
せマークより大きい幅に維持でき細口の位置合わせ金も
行うことができる。
上例では基板とフォトマスクの位置合わゼ全行う時に該
基板のエマルジョン（フォトレジスト）側に紫外光カッ
トｌｉｅ＜が対向するように該紫外光カントＦ、々全形
成した場合について述べたが、この場合フォトマスクと
基板間に前記紫外光カント膜によるギャップができ露光
が正確に行なえなくなるとか基板の表面を損停するとか
の問題がある。このため第３図に示すように前記フォト
マスク基板７上の前記基板のエマルジョン側と反対力向
に紫外光カン）％１０ｉ形成することも可能である。但
しこの場８″は露光光が完全な平行光線ではないことや
回折があることを考慮して該紫外光カット膜１０の幅を
さらに拡げる必要がある。また前記紫外光カント膜１０
のように膜中の減衰により紫外光を遮断するような場合
どうしても該膜厚を犀〈せざるを得す実用的な不便さが
生じる。そこでこの＆”厚全うすくする１ζめに屈折率
ｎの大きな膜を視感１反の一番大きな５５ｏｏＸで反射
率が最小となるように光学的膜厚ｎｄ＝２７５０Ｘを満
足する厚さｄの膜を形成することによっても同様の効果
を得ることができる。
基板のエマルジョン（フォトレジスト）側に紫外光カッ
トｌｉｅ＜が対向するように該紫外光カントＦ、々全形
成した場合について述べたが、この場合フォトマスクと
基板間に前記紫外光カント膜によるギャップができ露光
が正確に行なえなくなるとか基板の表面を損停するとか
の問題がある。このため第３図に示すように前記フォト
マスク基板７上の前記基板のエマルジョン側と反対力向
に紫外光カン）％１０ｉ形成することも可能である。但
しこの場８″は露光光が完全な平行光線ではないことや
回折があることを考慮して該紫外光カット膜１０の幅を
さらに拡げる必要がある。また前記紫外光カント膜１０
のように膜中の減衰により紫外光を遮断するような場合
どうしても該膜厚を犀〈せざるを得す実用的な不便さが
生じる。そこでこの＆”厚全うすくする１ζめに屈折率
ｎの大きな膜を視感１反の一番大きな５５ｏｏＸで反射
率が最小となるように光学的膜厚ｎｄ＝２７５０Ｘを満
足する厚さｄの膜を形成することによっても同様の効果
を得ることができる。
以上説明したように本発明のフォトマスクの位置合わせ
マーク形成法によれは該フォトマスクの位置合わせマー
クを基板側位置合わせマークの幅より大きい透明の紫外
光カット膜で狼うようにしたため紫外光露光に際して前
記基板側位置合わせマーク上のフォトレジストが前記紫
外光カット部たけ露光されることはなくエツチング浸漬
工程においても前記レジスト被膜により前６ピ基板側位
置合わせマークがエツチングされることがない。このた
め基板（１１，１１位詐合わせマークを最初の形状に保
つことができ常にフォトマスクの位置合わせマークエり
大きい幅に維持できることから位置合わせの精度を確保
しつり細口もの位置合わせが行えるという伍れた効果を
秦する。
マーク形成法によれは該フォトマスクの位置合わせマー
クを基板側位置合わせマークの幅より大きい透明の紫外
光カット膜で狼うようにしたため紫外光露光に際して前
記基板側位置合わせマーク上のフォトレジストが前記紫
外光カット部たけ露光されることはなくエツチング浸漬
工程においても前記レジスト被膜により前６ピ基板側位
置合わせマークがエツチングされることがない。このた
め基板（１１，１１位詐合わせマークを最初の形状に保
つことができ常にフォトマスクの位置合わせマークエり
大きい幅に維持できることから位置合わせの精度を確保
しつり細口もの位置合わせが行えるという伍れた効果を
秦する。
第１圀は従来の位置合わせマークの合致形態を示す図、
第２図（ａ）〜（ｄ）および第３図は本発明の一実施例
を説明するための基板１！１１およびフォトマスク１ｐ
１１の断面摺造を示す略図１である。 １．５・・・基板１ｆｌｌｉ位含合わせマーク、２．８
・・・フォトマスク側位酋合わせマーク、３．４・・・
ａｍ、 ６・・・フォトレジスト、 ７・・・フォ
トマスク基板、 ９．１０・・紫外う゛０カット朕。
第２図（ａ）〜（ｄ）および第３図は本発明の一実施例
を説明するための基板１！１１およびフォトマスク１ｐ
１１の断面摺造を示す略図１である。 １．５・・・基板１ｆｌｌｉ位含合わせマーク、２．８
・・・フォトマスク側位酋合わせマーク、３．４・・・
ａｍ、 ６・・・フォトレジスト、 ７・・・フォ
トマスク基板、 ９．１０・・紫外う゛０カット朕。
Claims (1)
- レジストψ、光を行う際に基板とフォトマスクの位置合
わせのために用いるフォトマスクの位置合わゼマーク形
成法において、前記フォトマスクの位置合わせマークを
前記基板上の位仏゛合わせマークより光分太きくかつ前
記基板上のレジヌトに対する有効感光波長の光に対して
亦衰が大きい透明膜で憚ったことを特許とするフォトマ
スクの位置合わせマーク形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025650A JPS59152443A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | フオトマスクの位置合わせマ−ク形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025650A JPS59152443A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | フオトマスクの位置合わせマ−ク形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152443A true JPS59152443A (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=12171692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58025650A Pending JPS59152443A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | フオトマスクの位置合わせマ−ク形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152443A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258254A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-15 | Canon Inc | フオトマスク |
| JP2017215354A (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク及びその製造方法、並びにフォトマスクの欠陥修正方法 |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP58025650A patent/JPS59152443A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258254A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-15 | Canon Inc | フオトマスク |
| JP2017215354A (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク及びその製造方法、並びにフォトマスクの欠陥修正方法 |
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