JPS63296338A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、特に透明性基板上に形成された透明性導電膜
の写真食刻においてパターン合わせの自動化を容易にす
るマスク合わせマークの構造を有した半導体装置の製造
方法に関するものである。

従来の技術 第４図ａ、ｂは半導体の製造方法における自動パターン
合わせ用のマークの例である。

第４図ａにおいて１は基板上のマーク、２はフォトマス
ク上のマークを示す。第４図すは第４図ａのムーＡ′線
による断面図を示したものであり、３は、例えばシリコ
ン等の基板で、第１の薄膜マスクパターン１はその上に
形成されており、その材質は例えばポリシリコンである
。４はその上に形成された第２の薄膜層であり、例えば
二酸化珪素である。５は前記第２の薄膜層４を写真食刻
するために塗布されたフォトレジストである０６は前記
フォトレジストマーク２にパターンを転写するためのフ
ォトマスクであり、フォトレジストマーク２は金属パタ
ーン例えばクロムで形成される０７はフォトマスク６越
しにマスク６のパターン２と基板３上のパターン１とに
照射するレーザー光、例えば４３２８人の波長を持つヘ
リウム・ネオンレーザ−光である。第５図はフォトマス
ク６と基板３に照射されたレーザー光の反射光の走査時
間と出力信号の関係を示す図である。１ａ′及び１ｂ′
は基板３上のパターン合わせ用マーク１ｉＬ。

１ｂの信号出力であり通常２００〜３００ｍＶ程度アル
。２　ａ　／〜２（１’はマスクｅ上のパターン合わせ
用マーク２ａ〜２ｄの信号出力である。第４図において
レーザー光７は左から右へ直線走査されており、第５図
の各信号出力１＆′〜１ｂ′。

２ａ′〜２ｄ′は第４図の各パターン１ａ〜１ｂ。

２ａ〜２ｄに対応している。

以上の様に構成された半導体装置のパターン合わせでは
第６図の１ａ”１ｉ２ａ’　と２ｂ’のセンターに、１
ｂ’を２Ｃ′と２ｄ’のセンターに来る様自動パターン
合わせがなされる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の構成では基板が透明性の物質で透明
性のパターンに対してアライメントを行う場合、通常透
明性の膜厚が約１０ｏｏ八程度で透過率が８０％〜９５
％であるため、パターン合わせを１動的に行うための位
置検出の信号出力が６０〜１００ｍＶと小さく基板が透
明性であると・とから裏面からの不要反射によるノイズ
５０ｍＶがあるため自動パターン合わせが困難であると
いう問題点を有していた。

本発明はかかる点に鑑み、透明性基板上の透明性導電膜
のパターン合わせにおいて自動パターン合わせを容易と
する。半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る０ 問題点を解決するための手段 本発明は、透明性基板上の透明性導電膜を食刻する際に
、少くともパターン合わせ用マーク部を透明性導電膜の
食刻終了後、透明性導電膜をマスクとして透明性導電膜
の下層にある物質を食刻する製造方法である。

作用 本発明は前記した方法により、パターン合わせ用のマー
クを形成する導電膜とその下層にくる物質との食刻がな
されると、パターン合わせマーク部の凸部とその他の凹
部との段差が大きく得られ、位置検出用の信号出力が大
きくなりパターン合わせの自動化が容易となる。

実施例 第２図は本発明の一実施例における半導体装置の製造過
程における基板を示すものである。第２図において、１
１は透明性基板であり、例えばガラス基板が使用される
。１２は少くとも１組以上のパターン合わせ用マーク、
１３は半導体装置の素子部である。第１図は第２図にお
けるパターン合わせ用マーク１２の部分の断面図（第２
図のＡ−Ａ′　）を示すものであり、ａ、ｂ、ｃと順を
追って製造過程を示している。第１回器において１１は
透明性基板、１４はその上に形成された透明性導電膜、
例えばＩＴＯであり、１５は透明性導電膜１４を食刻し
よりとするフォトレジストのパターンである。第１図す
においては、透明性導電膜１４の食刻液、例えばＨｅ／
にてエツチング終了時の断面図を示す。この後、透明性
導電膜１４０食刻に用いたフォトレジスト１５は、例え
ばアセトン等の剥離液で除去し、第２図のパターン合わ
せ用マーク部以外はフォトレジスト１５で保護する。第
１図Ｃは前記パターン合わせ用マーク部以外はレジスト
にて保護された基板が透明性基板１１の食刻液（例えば
ＨＦとＮＨ４Ｆの混合液）にて処理された状態を示すも
のである○透明性導電膜１４′Ｊｔマスクとして透明性
基板１の食刻時間に依存してパターンの凸部と凹部の段
差ムが形成される。

以上の様にして形成されたパターン合わせ用のマーク部
に対して次の写真食刻工程を示すのが第３図である。

第３図において透明性基板１１と透明性導電膜１４は第
２図Ｃで形成されたパターンであり、１６はその上に形
成された透明性絶縁膜、例えば二酸化珪素である。１７
はその上に形成された第２の透明性導電膜、例えばＩＴ
Ｏである。１６は第２の透明性導電膜１了を写真食刻す
るためのフォトレジストである。以上の様に構成された
本実施例の半導体装置の製造方法について、以下その動
作を説明する。第１の透明性導電膜１４に対して、フォ
トマスクをパターン合わせし、フォトレシスト１６に対
し選択的露光を行なう時、第１の透明性導電膜１４の位
置検出をレーザー光を照射しパターンエッヂでの散乱光
を検出し位置認識する。第３図に示す実施例では段差ム
によるレーザー光の散乱を位置検出することになる。

以上の様に本実施例によれば、第１の透明性導電膜１４
をマスクに下層の物質を食刻することにより、パターン
合わせ用マーク部の位置検出信号を大きく、安定に得る
ことが可能となり、パターン合わせの自動化を容易にす
ることができる。

発明の詳細 な説明した様に、本発明によれば、透明性基板上の透明
性導電膜に対するパターン合わせの自動化を容易にする
ことができ、その実用的効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ、ｂ、ｃは本発明における一実施例の半導体装
置の製造方法の製造過程を示す断面図、は従来の自動パ
ターン合わせ方法の溝成図、第５図は同信号シに件図で
ある。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・パターン合わ
せ用マーク部、１３・・・・・・半導体素子部、１４・
・・・・・第１の透明性導電膜、１６・・・・・・フォ
トレジスト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明性基板上に設けられた透明性導電膜よりなる第１の
   パターンと、前記第１の透明性導電膜上に積層された絶
   縁膜あるいは第２の透明性導電膜あるいは金属膜あるい
   は半導体膜あるいは少くとも２つ以上の絶縁膜、導電性
   膜半導体膜から成る積層膜のパターン形成において、少
   くとも前記第１の透明性導電膜のパターン合わせ用マー
   ク部を、前記第１の透明性導電膜をマスクとして前記第
   １の透明性導電膜の下層にある物質を食刻することによ
   り形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。