JPS5914679A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPS5914679A JPS5914679A JP57122940A JP12294082A JPS5914679A JP S5914679 A JPS5914679 A JP S5914679A JP 57122940 A JP57122940 A JP 57122940A JP 12294082 A JP12294082 A JP 12294082A JP S5914679 A JPS5914679 A JP S5914679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- type
- incident light
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
- H01L31/1055—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type the devices comprising amorphous materials of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は太陽電池や光検出器等の光起電力装置に関する
。
。
最近、半導体材料にアモルファスシリコy(3−8i)
を用いて、安価かつ大量に太陽1池t−製造する方法が
提案された。
を用いて、安価かつ大量に太陽1池t−製造する方法が
提案された。
a −S iは、7ランやフロル7ラン等のグロー放1
41汁解によって形成され、禁止帯幅中の平均局在準位
密度も1017メ3以下と小さい。
41汁解によって形成され、禁止帯幅中の平均局在準位
密度も1017メ3以下と小さい。
第1図にa−8iを用いたPin型の太陽電池のバンド
図を示す。11〜13は夫々PJ偕、i層、n層を示し
、14はフェルミ準位、15〜17Fi光学的禁止帯幅
(Eg )、18はPi接合の拡故砥位である。
図を示す。11〜13は夫々PJ偕、i層、n層を示し
、14はフェルミ準位、15〜17Fi光学的禁止帯幅
(Eg )、18はPi接合の拡故砥位である。
今、P層側から光が入射するとi層側の空全層中Km子
、正孔対が発生し、拡散電位によって分離、移動して対
向電極に・捕集され起重力が生じる。
、正孔対が発生し、拡散電位によって分離、移動して対
向電極に・捕集され起重力が生じる。
P層側は、厚くするに従いPi接合の拡散電位が増し開
放電圧Voc 、短絡電流Tscが向上するが、余り厚
いとP層でのキャリアの再結合やi層に達する光量が減
少する為、Jscが低下する。従って通常200A以下
で用いられる。i層では、電子、正孔対が発生するが、
拡散載位領域幅に少数キャリアの拡散長を加えた程度の
値で設計され、約5000 A程度である。
放電圧Voc 、短絡電流Tscが向上するが、余り厚
いとP層でのキャリアの再結合やi層に達する光量が減
少する為、Jscが低下する。従って通常200A以下
で用いられる。i層では、電子、正孔対が発生するが、
拡散載位領域幅に少数キャリアの拡散長を加えた程度の
値で設計され、約5000 A程度である。
ところで、上記の様に光シ流を発生させる領域は主にi
層に存在する為、P層側での吸収を減少させることが重
要である。この目的の為にP層のEg ’((広げる事
が考えられる。
層に存在する為、P層側での吸収を減少させることが重
要である。この目的の為にP層のEg ’((広げる事
が考えられる。
実際、グロー放嶋条件を制御すれば、agをP 1mで
i、8eV以上、n層で1.9 eV以上にできる。し
かし、この様な層をそのまま用いると、その膜厚を20
0〜300八以上にしないと充分な開放電圧が得られな
い。これは、アモルファスシリコンの活性化エネルギー
が増加し、拡散電位が低下するからであると考えられる
。第2図の曲線aはB2H6/SiH,が1.0チの場
合、bは0.05%とすることによってEg(i7大き
くした場合の特性を示し、P層側の膜厚を大としなけれ
ば充分なVocが得られない事が判る。又、Egt:小
として膜厚を薄くすることも考えられるが、その結果p
i接合が不充分に形成される為、曲線因子FFが悪くな
るので好ましくない、。
i、8eV以上、n層で1.9 eV以上にできる。し
かし、この様な層をそのまま用いると、その膜厚を20
0〜300八以上にしないと充分な開放電圧が得られな
い。これは、アモルファスシリコンの活性化エネルギー
が増加し、拡散電位が低下するからであると考えられる
。第2図の曲線aはB2H6/SiH,が1.0チの場
合、bは0.05%とすることによってEg(i7大き
くした場合の特性を示し、P層側の膜厚を大としなけれ
ば充分なVocが得られない事が判る。又、Egt:小
として膜厚を薄くすることも考えられるが、その結果p
i接合が不充分に形成される為、曲線因子FFが悪くな
るので好ましくない、。
従って、本発明は、高い開放電圧Vocと、大きな生成
電流を得る事を目的とする。
電流を得る事を目的とする。
本発明は、入射光側にあるP又はn型のアモルファス7
リコン層の光学的禁止帯幅が内部に向って大となる様に
構成したものである。
リコン層の光学的禁止帯幅が内部に向って大となる様に
構成したものである。
本発明に従い、例えば入射光側層のlEgil、7eV
以下とし、20〜50AのP層を形成すれば、50〜1
00 AのEg > 1.8 eVOP層を追加するだ
けで充分な開放電圧Vocが得られる。又、全体の厚み
が減少し、平均lagも減少するので光の透過率も増大
し、短絡電流@度Jscも向上させることができる。
以下とし、20〜50AのP層を形成すれば、50〜1
00 AのEg > 1.8 eVOP層を追加するだ
けで充分な開放電圧Vocが得られる。又、全体の厚み
が減少し、平均lagも減少するので光の透過率も増大
し、短絡電流@度Jscも向上させることができる。
第3図は、本発明の実施例の断面図でおる。先ず、ガラ
ス基板21上に600〜800XのITO膜層が設けら
れ、Eg ” 1.6 eV、膜厚20AのP型a−S
i層23+ s Prg = 1.8 eV、膜厚to
oXのP型a−Si層232.5000Xの1層24.
500Xのn型のa−Si層25が被着され、更にアル
ミニウムからなるオ県捗り電極26が被着されている。
ス基板21上に600〜800XのITO膜層が設けら
れ、Eg ” 1.6 eV、膜厚20AのP型a−S
i層23+ s Prg = 1.8 eV、膜厚to
oXのP型a−Si層232.5000Xの1層24.
500Xのn型のa−Si層25が被着され、更にアル
ミニウムからなるオ県捗り電極26が被着されている。
Eg : 1 、6 eV vCするには、例えば17
醋シ/礪21、OTorr 、線流t 1008CCM
とし、基板温度′rS> 25000、B2H,/Si
H,)” −ヒンf 比1%以上、!ニーjれば良い。
醋シ/礪21、OTorr 、線流t 1008CCM
とし、基板温度′rS> 25000、B2H,/Si
H,)” −ヒンf 比1%以上、!ニーjれば良い。
同様に1.seV以上にするにはTS5220’Os
B211e / SS H4を0.5%以下とすれば良
い。ドーピング比が高い程、又Tsが高い程Egは小さ
くなる。
B211e / SS H4を0.5%以下とすれば良
い。ドーピング比が高い程、又Tsが高い程Egは小さ
くなる。
第4図は、そのバンド図を示している。この様な構成に
することによp1短絡゛電流Jscが大幅に改善され、
開放電圧Vocも減少しないので、変換効率も向上した
。
することによp1短絡゛電流Jscが大幅に改善され、
開放電圧Vocも減少しないので、変換効率も向上した
。
下表は、上記実施例(A)、P層が単層でEg =1.
6eVの場合CB)、P層が単層でEg ”−1,8e
Vの場合(0)の短絡電流密度Jsc 1変換効率ダを
゛比較したものである。3者とも、開放電圧Voc =
0.8VとなるようVCP層膜厚を調整した。
6eVの場合CB)、P層が単層でEg ”−1,8e
Vの場合(0)の短絡電流密度Jsc 1変換効率ダを
゛比較したものである。3者とも、開放電圧Voc =
0.8VとなるようVCP層膜厚を調整した。
第5図はI−V%性を示し、曲線aI2本実施例の場合
、曲線すはEg”1.8eV、膜厚180AのP層を用
いた場合を示す。
、曲線すはEg”1.8eV、膜厚180AのP層を用
いた場合を示す。
淘、上記実施例では、gg == ・1.6eV、 2
0AのP型a−8i 74231 、 ’Mg = 1
.8eV、 100AのPiJ、a−Si層232の場
合について述べたが、他の実施例としてEg = 1.
6eV、 20AのP型a−Si層23IIEg=1.
9eV、 100〜130AのP型a−8i層232ノ
場合でも同様な効果がある。
0AのP型a−8i 74231 、 ’Mg = 1
.8eV、 100AのPiJ、a−Si層232の場
合について述べたが、他の実施例としてEg = 1.
6eV、 20AのP型a−Si層23IIEg=1.
9eV、 100〜130AのP型a−8i層232ノ
場合でも同様な効果がある。
又、以上の実施例では入射光側にP層が存在する場合に
ついて述べたが、n層であっても良い。
ついて述べたが、n層であっても良い。
この場合は初段tl、8eV以下、次段以降e1.9e
V以上とすれば良い。又、ドーピング比、Tsi制御す
る場合について述べたが、ガス圧力や流量を制御しても
同等の効果が得られる。この場合、圧力が縞い程、又シ
ラン流量が多い程Egが小さくなる傾向がある。又、T
sの制御も赤外線ランプの照射によって行えば制御良く
行える。その他、この見本発明はこれら金含むものであ
る事は勿論である。
V以上とすれば良い。又、ドーピング比、Tsi制御す
る場合について述べたが、ガス圧力や流量を制御しても
同等の効果が得られる。この場合、圧力が縞い程、又シ
ラン流量が多い程Egが小さくなる傾向がある。又、T
sの制御も赤外線ランプの照射によって行えば制御良く
行える。その他、この見本発明はこれら金含むものであ
る事は勿論である。
第1図は従来例を説明するバンド図、第2図は2層膜厚
に対する開放電圧Vocの特性図、第3図は本発明の実
施例の断面図、第4図はそのバンド図、第5図はI−V
特性図である。 図において、 21・・・ガラス基板、22・・・ITO膜、23.
、23.・・・P型a−8i層、24−・i層、25−
・・n型a −S i層、26・・・アルミニウム電極
、158.152・・・光学的禁止帯幅。
に対する開放電圧Vocの特性図、第3図は本発明の実
施例の断面図、第4図はそのバンド図、第5図はI−V
特性図である。 図において、 21・・・ガラス基板、22・・・ITO膜、23.
、23.・・・P型a−8i層、24−・i層、25−
・・n型a −S i層、26・・・アルミニウム電極
、158.152・・・光学的禁止帯幅。
Claims (1)
- 基板上にPin構造の7モ少7アス7リコ/層を設け、
その表面にオーミック電極を設けた光起電力装置におい
て、入射光側のP又はn型アモルファスシリコン層の光
学的禁止帯幅が丙部“に向って大となるようにした事f
:特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57122940A JPS5914679A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光起電力装置 |
EP83304053A EP0099720B1 (en) | 1982-07-16 | 1983-07-12 | Photovoltaic device |
DE8383304053T DE3376714D1 (en) | 1982-07-16 | 1983-07-12 | Photovoltaic device |
US06/513,390 US4500744A (en) | 1982-07-16 | 1983-07-13 | Photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57122940A JPS5914679A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光起電力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5914679A true JPS5914679A (ja) | 1984-01-25 |
Family
ID=14848370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57122940A Pending JPS5914679A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光起電力装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4500744A (ja) |
EP (1) | EP0099720B1 (ja) |
JP (1) | JPS5914679A (ja) |
DE (1) | DE3376714D1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60239068A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPS61222278A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPS62115785A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
US4936107A (en) * | 1987-11-13 | 1990-06-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | External heat exchange unit with plurality of heat exchanger elements and fan devices and method for controlling fan devices |
JPH04297648A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-21 | Kyokuto Kogyo Kk | 建築設備の吊設支持構造 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1321660C (en) * | 1985-11-05 | 1993-08-24 | Hideo Yamagishi | Amorphous-containing semiconductor device with high resistivity interlayer or with highly doped interlayer |
US4718947A (en) * | 1986-04-17 | 1988-01-12 | Solarex Corporation | Superlattice doped layers for amorphous silicon photovoltaic cells |
JPS6384075A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH0752778B2 (ja) * | 1987-09-14 | 1995-06-05 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
US5117114A (en) * | 1989-12-11 | 1992-05-26 | The Regents Of The University Of California | High resolution amorphous silicon radiation detectors |
US5055141A (en) * | 1990-01-19 | 1991-10-08 | Solarex Corporation | Enhancement of short-circuit current by use of wide bandgap n-layers in p-i-n amorphous silicon photovoltaic cells |
EP0886325A1 (en) * | 1997-06-18 | 1998-12-23 | Rijksuniversiteit Utrecht | Amorphous silicon photovoltaic devices and method of making thereof |
US6383898B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
US7667133B2 (en) * | 2003-10-29 | 2010-02-23 | The University Of Toledo | Hybrid window layer for photovoltaic cells |
DE102008014260A1 (de) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Schott Solar Gmbh | Silizium-Solarzelle |
US20110155229A1 (en) * | 2009-12-30 | 2011-06-30 | Du Pont Apollo Ltd. | Solar cell and method for manufacturing the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56150876A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Photovoltaic device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5688377A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | Solar battery and manufacture thereof |
NL8104140A (nl) * | 1980-09-09 | 1982-04-01 | Energy Conversion Devices Inc | Werkwijze voor het vervaardigen van amorfe halfgeleiderinrichtingen met verbeterde fotogevoelige eigenschappen alsmede als zodanig verkregen inrichtingen. |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57122940A patent/JPS5914679A/ja active Pending
-
1983
- 1983-07-12 DE DE8383304053T patent/DE3376714D1/de not_active Expired
- 1983-07-12 EP EP83304053A patent/EP0099720B1/en not_active Expired
- 1983-07-13 US US06/513,390 patent/US4500744A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56150876A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Photovoltaic device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60239068A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPS61222278A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPS62115785A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
US4936107A (en) * | 1987-11-13 | 1990-06-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | External heat exchange unit with plurality of heat exchanger elements and fan devices and method for controlling fan devices |
JPH04297648A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-21 | Kyokuto Kogyo Kk | 建築設備の吊設支持構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0099720A3 (en) | 1985-05-15 |
EP0099720A2 (en) | 1984-02-01 |
EP0099720B1 (en) | 1988-05-18 |
DE3376714D1 (en) | 1988-06-23 |
US4500744A (en) | 1985-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4496788A (en) | Photovoltaic device | |
KR960015529B1 (ko) | 공간적으로 변조된 진성층을 포함하는 박막 솔라 셀 | |
EP0523919B1 (en) | Multijunction photovoltaic device and fabrication method | |
JP2999280B2 (ja) | 光起電力素子 | |
JPS5914679A (ja) | 光起電力装置 | |
US6743974B2 (en) | Silicon solar cell with germanium backside solar cell | |
US20050092357A1 (en) | Hybrid window layer for photovoltaic cells | |
US20100132774A1 (en) | Thin Film Silicon Solar Cell Device With Amorphous Window Layer | |
JPS6249672A (ja) | アモルフアス光起電力素子 | |
JPS6091679A (ja) | 光電装置 | |
JPH06104464A (ja) | pinアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップn層を使用した短絡電流の強化 | |
JP5283588B2 (ja) | 太陽電池 | |
US4857115A (en) | Photovoltaic device | |
US6028264A (en) | Semiconductor having low concentration of carbon | |
JP2918814B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
JP2632740B2 (ja) | 非晶質半導体太陽電池 | |
JP2918815B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
JP3414814B2 (ja) | 太陽電池とその製造方法 | |
JP2918813B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
JP2922796B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JPS62165374A (ja) | アモルフアス光起電力素子 | |
JP4253966B2 (ja) | 非晶質薄膜太陽電池 | |
JP3088252B2 (ja) | 非晶質太陽電池 | |
JP2958255B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
JP2937815B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 |