JPS59145519A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS59145519A JPS59145519A JP24197883A JP24197883A JPS59145519A JP S59145519 A JPS59145519 A JP S59145519A JP 24197883 A JP24197883 A JP 24197883A JP 24197883 A JP24197883 A JP 24197883A JP S59145519 A JPS59145519 A JP S59145519A
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- JP
- Japan
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- wafer
- bell
- bell jar
- motor
- fixed
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）などの気相化学処理装置
に関するものである。
ｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）などの気相化学処理装置
に関するものである。
半導体装置、集積回路装置等の製造工程の一つとして半
導体薄板（ウェハ）表面に半導体膜や窒化膜、酸化膜等
の薄膜を形成する工程があり、これらの薄膜形成の形成
方法の一つとしてプラズマＣＶＤ方法が知られている。
導体薄板（ウェハ）表面に半導体膜や窒化膜、酸化膜等
の薄膜を形成する工程があり、これらの薄膜形成の形成
方法の一つとしてプラズマＣＶＤ方法が知られている。
このプラズマＣＶＤ方法にあっては、プラズマＣＶＤ装
置が使用されている。このプラズマＣＶＤ装置はベルジ
ャ内のテーブル上にウェハを載置し、２００〜３５０ｃ
に加熱しつるように構成され、またベルジャ内の真空度
を０．２〜Ｉ Ｔｏｒｒとなしうるように構成されてい
る。さらにまたベルジャ内にたとえばモノシラン（Ｓ
ｉＨ＋ ）、アンモニア（ＮＨ４）、窒素（Ｎ２）等の
ガスを供給するとともに、テーブルの上方に平行に配設
される平板な電極とテーブルとの間に電圧を印加させて
ベルジャ内にプラズマを発生させることによって各ガス
を反応させ、ウエノ・面にシリコン膜を形成しうるよう
になっている。
置が使用されている。このプラズマＣＶＤ装置はベルジ
ャ内のテーブル上にウェハを載置し、２００〜３５０ｃ
に加熱しつるように構成され、またベルジャ内の真空度
を０．２〜Ｉ Ｔｏｒｒとなしうるように構成されてい
る。さらにまたベルジャ内にたとえばモノシラン（Ｓ
ｉＨ＋ ）、アンモニア（ＮＨ４）、窒素（Ｎ２）等の
ガスを供給するとともに、テーブルの上方に平行に配設
される平板な電極とテーブルとの間に電圧を印加させて
ベルジャ内にプラズマを発生させることによって各ガス
を反応させ、ウエノ・面にシリコン膜を形成しうるよう
になっている。
しかし、このようなプラズマＣＶＤ装置ではウェハ表面
の薄膜に欠陥が生じ易いことが判明した。
の薄膜に欠陥が生じ易いことが判明した。
すなわち、ベルジャ内で反応して生成されたシリコンは
加熱状態のウェノ・表面に付着して一体化するが、ベル
ジャ周壁に付着するシリコンは冷却されることから粉末
状（フレーク）となる。これは、ベルジャ周壁が冷却水
で冷却されても・たりするととから急激に冷却されるこ
とによってフレーク状となる。そして、これらフレーク
はベルジャ周壁から脱落してウェハに付着して異常突起
（膜欠陥）を起こす。このフレークの脱落はベルジャ内
の真空度を保つための排気や、ベルジャの蓋を開ける際
の空気の供給時に激しく起きる。このようなつエバ表面
の異常突起は、半導体装置の不良原因となるばかりでな
く、次工程以降のたとえばマスク合せ作業などのときに
マスクに傷を付けることになり、歩留の低下、マスクの
短寿命を引き起こす。
加熱状態のウェノ・表面に付着して一体化するが、ベル
ジャ周壁に付着するシリコンは冷却されることから粉末
状（フレーク）となる。これは、ベルジャ周壁が冷却水
で冷却されても・たりするととから急激に冷却されるこ
とによってフレーク状となる。そして、これらフレーク
はベルジャ周壁から脱落してウェハに付着して異常突起
（膜欠陥）を起こす。このフレークの脱落はベルジャ内
の真空度を保つための排気や、ベルジャの蓋を開ける際
の空気の供給時に激しく起きる。このようなつエバ表面
の異常突起は、半導体装置の不良原因となるばかりでな
く、次工程以降のたとえばマスク合せ作業などのときに
マスクに傷を付けることになり、歩留の低下、マスクの
短寿命を引き起こす。
したがって、本発明の目的は、フレークの付着を防止で
きるプラズマＣＶＤ装置などの気相化学処理装置を提供
することにある。
きるプラズマＣＶＤ装置などの気相化学処理装置を提供
することにある。
このような目的を達成するために本発明の一実施例は、
ウェハ等のワークを載置固定するテーブルを１８０度反
転可能とするとともに、前記テーブルのワーク固定面を
下向きにした状態でプラズマＣＶＤを行なえるようにし
たものであって、以下実施例により本発明の詳細な説明
する。
ウェハ等のワークを載置固定するテーブルを１８０度反
転可能とするとともに、前記テーブルのワーク固定面を
下向きにした状態でプラズマＣＶＤを行なえるようにし
たものであって、以下実施例により本発明の詳細な説明
する。
第１図は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置の一実
施例を示す。同図にお℃・て、ベルジャの下部を構成す
るベルジャ本体１が示されて℃・る。
施例を示す。同図にお℃・て、ベルジャの下部を構成す
るベルジャ本体１が示されて℃・る。
このベルジャ本体１は上方を開口した同筒体であって、
その中央には円板状の電極２が配設されている。この電
極２はその中央部を貫通する管体３に固定され、この管
体３は下部を上下に移動可能な上昇体４に貫通状態で固
定されている。また、この上昇体４の両端部にはガイド
孔を有するガイド部５が設けられ、このガイド部５には
鉛直方向に延びる支柱６が嵌合されて℃・る。前記支柱
６の一方には雄ねじが設けられるとともに、ガイド部５
のガイド孔には雌ねじが設けられている。また。
その中央には円板状の電極２が配設されている。この電
極２はその中央部を貫通する管体３に固定され、この管
体３は下部を上下に移動可能な上昇体４に貫通状態で固
定されている。また、この上昇体４の両端部にはガイド
孔を有するガイド部５が設けられ、このガイド部５には
鉛直方向に延びる支柱６が嵌合されて℃・る。前記支柱
６の一方には雄ねじが設けられるとともに、ガイド部５
のガイド孔には雌ねじが設けられている。また。
２本の支柱６はその上端でベルジャ本体１に固定されて
いる。また、前記管体３の外側には円筒状にガイド管７
および蛇腹８が配設されている。前記ガイド管７は下端
が上昇体４に固定され、蛇腹８の上端はベルジャ本体１
の下面に、下端は上昇体４に固定されている。また、雄
ねじを有する前記支柱は、正逆転可能なモータ９によっ
てベルト１０を介して回転制御されるようになっている
。
いる。また、前記管体３の外側には円筒状にガイド管７
および蛇腹８が配設されている。前記ガイド管７は下端
が上昇体４に固定され、蛇腹８の上端はベルジャ本体１
の下面に、下端は上昇体４に固定されている。また、雄
ねじを有する前記支柱は、正逆転可能なモータ９によっ
てベルト１０を介して回転制御されるようになっている
。
したがって、前記モータ９が正転すると、上昇体４が上
昇して電極２が上昇し、モータ９が逆転すると上昇体４
が下降するようになっている。また、この上昇体４の上
下動によっても蛇腹８によってベルジャ内の気密性が保
たれるようになって℃・る。
昇して電極２が上昇し、モータ９が逆転すると上昇体４
が下降するようになっている。また、この上昇体４の上
下動によっても蛇腹８によってベルジャ内の気密性が保
たれるようになって℃・る。
また、前記管体３の上端にはノズル１１が固定されると
ともに下端には接手１２が固定され、この接手１２には
図示しな℃・ガス管が接続され、このガス管からベルジ
ャ内にはたとえば、モノシラン、アンモニア、窒素等が
供給される。また、ベルジャ本体１の底部には排気管１
３が設けられ、この排気管１３からベルジャ内の空気を
抜き真空度を一定に保つようになっている。さらに、こ
のペルージャ本体１の側方にはアーム１４が固定され、
このアーム１４の先端には天井を有する筒状の受具１５
が取り付けられている。そして、との受具１５には雄ね
じを有するガイド柱１６が鉛直方向に貫通して延び、こ
のガイド柱１６の下端は図示しな℃・機台に回転可能に
固定されている。また、ガイド柱１６には雌ねじを有し
た移動体１７が螺合され、この移動体１７は回転防止用
ボルト１８、ナツト１９を介して前記アーム１４に固定
されて（・る。また、移動体１７と受具１５との間にば
ばね２０が取り付けられている。したがって、ガイド柱
１６の正転でベルジャ本体１が上昇し、逆転によって下
降するようになっている。
ともに下端には接手１２が固定され、この接手１２には
図示しな℃・ガス管が接続され、このガス管からベルジ
ャ内にはたとえば、モノシラン、アンモニア、窒素等が
供給される。また、ベルジャ本体１の底部には排気管１
３が設けられ、この排気管１３からベルジャ内の空気を
抜き真空度を一定に保つようになっている。さらに、こ
のペルージャ本体１の側方にはアーム１４が固定され、
このアーム１４の先端には天井を有する筒状の受具１５
が取り付けられている。そして、との受具１５には雄ね
じを有するガイド柱１６が鉛直方向に貫通して延び、こ
のガイド柱１６の下端は図示しな℃・機台に回転可能に
固定されている。また、ガイド柱１６には雌ねじを有し
た移動体１７が螺合され、この移動体１７は回転防止用
ボルト１８、ナツト１９を介して前記アーム１４に固定
されて（・る。また、移動体１７と受具１５との間にば
ばね２０が取り付けられている。したがって、ガイド柱
１６の正転でベルジャ本体１が上昇し、逆転によって下
降するようになっている。
一方、ベルジャ本体１の上部にはベルジャ蓋体２１が配
設されている。このベルジャ蓋体２１は二重蓋構造とな
り、内部を冷却水が流れるようになっている。また、ベ
ルジャ蓋体２１の中央には取付孔が設けられ、この取付
孔には回転軸２２がベアリング２３、二重構造のガイド
筒２４Ｙ介して取り付けられている。また、この回転軸
２２の上端はカップリング２５、主軸２６゛、プーリ２
７、ベルト２８．プーリ２９を介してモータ３０の回転
軸３１に連結されている。また、回転軸２２の下端は支
枠３２を介してウエノ・３３を載置固定するテーブル３
４が固定されている。また、テーブル３４とベルジャ蓋
体２１内壁との間にはヒータ３５が配設されている。ま
た、このベルジャ蓋体２１はその一側部に水平方向に延
びる回転軸３６が固定されている。この回転軸３６は図
示しない機台から延びる支持台３７上のジャーナル受け
３８に回転可能に支持されて℃・る。また、この回転軸
３６の先端はカップリング３９を介して正逆転する反転
用モータ４０の駆動軸４１に連結されている。また、第
２図に示すように、ウエノ・３３はテーブル３４に設け
た２本のピン４２と一本のレバー４３とによって周縁部
を固定される。すなわち、ピン４２は先端に向かうにし
たカーって直径が太きくなるテーバピンとなっている。
設されている。このベルジャ蓋体２１は二重蓋構造とな
り、内部を冷却水が流れるようになっている。また、ベ
ルジャ蓋体２１の中央には取付孔が設けられ、この取付
孔には回転軸２２がベアリング２３、二重構造のガイド
筒２４Ｙ介して取り付けられている。また、この回転軸
２２の上端はカップリング２５、主軸２６゛、プーリ２
７、ベルト２８．プーリ２９を介してモータ３０の回転
軸３１に連結されている。また、回転軸２２の下端は支
枠３２を介してウエノ・３３を載置固定するテーブル３
４が固定されている。また、テーブル３４とベルジャ蓋
体２１内壁との間にはヒータ３５が配設されている。ま
た、このベルジャ蓋体２１はその一側部に水平方向に延
びる回転軸３６が固定されている。この回転軸３６は図
示しない機台から延びる支持台３７上のジャーナル受け
３８に回転可能に支持されて℃・る。また、この回転軸
３６の先端はカップリング３９を介して正逆転する反転
用モータ４０の駆動軸４１に連結されている。また、第
２図に示すように、ウエノ・３３はテーブル３４に設け
た２本のピン４２と一本のレバー４３とによって周縁部
を固定される。すなわち、ピン４２は先端に向かうにし
たカーって直径が太きくなるテーバピンとなっている。
また、レバー４３は取付ねじ４４を中心に回動可能であ
るとともに。
るとともに。
ばね板で形成され、弾力的にウニ・・３３を固定するよ
うになっている。また、この場合、ウエノ・をテーブル
に密着させることによって均一に加熱されるようになっ
ている。
うになっている。また、この場合、ウエノ・をテーブル
に密着させることによって均一に加熱されるようになっ
ている。
つぎに、このようなプラズマＣＶＤ装置の使用方法につ
いて説明する。まず、ガイド柱１６乞逆転させることに
よってベルジャ本体１を所定位置まで下降させる。その
後、反転用モータ４０を正転させることによってベルジ
ャ蓋体２１’Ｙ １８０度反転させ、テーブル３４のウ
ェハ取付面を上面にする。この状態でウェハ３３をピン
４２、レバー４３を利用して固定する。
いて説明する。まず、ガイド柱１６乞逆転させることに
よってベルジャ本体１を所定位置まで下降させる。その
後、反転用モータ４０を正転させることによってベルジ
ャ蓋体２１’Ｙ １８０度反転させ、テーブル３４のウ
ェハ取付面を上面にする。この状態でウェハ３３をピン
４２、レバー４３を利用して固定する。
つぎに、反転用モータ４０を逆転させることによってベ
ルジャ蓋体２１を１８０度反転させ、テーブル３４のウ
エノ・取付面を下面にする。その後。
ルジャ蓋体２１を１８０度反転させ、テーブル３４のウ
エノ・取付面を下面にする。その後。
ガイド柱１６ｖ逆転させることによってベルジャ本体１
を上昇させ、上方のベルジャ蓋体２１と密着サセ、反応
チャンバを形成する。
を上昇させ、上方のベルジャ蓋体２１と密着サセ、反応
チャンバを形成する。
つぎに、ヒータ３５によってテーブル３４およびウェハ
３３を加熱するとともに、排気管１３から反応チャンバ
内の空気を抜き、反応チャンノく内の真空度を所望値に
設定する。また、ノズル１１から反応チャンバ（ベルジ
ャ）内にＳ ｉ Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２等の反応ガスを供
給する。
３３を加熱するとともに、排気管１３から反応チャンバ
内の空気を抜き、反応チャンノく内の真空度を所望値に
設定する。また、ノズル１１から反応チャンバ（ベルジ
ャ）内にＳ ｉ Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２等の反応ガスを供
給する。
その後、モータ３０を回転させることによってテーブル
３４を低速で回転させるとともに、テーブル３４と電極
２との間に電圧を印加させ、フリズマを発生させながら
ウエノ・３３面にシリコン膜を形成させる。
３４を低速で回転させるとともに、テーブル３４と電極
２との間に電圧を印加させ、フリズマを発生させながら
ウエノ・３３面にシリコン膜を形成させる。
所定時間シリコン膜を形成した後、反応ガスの供給、電
圧の印加、チー・プルの回転をそれぞれ停止し、その後
ベルジャ本体１を下降させる。つぎに、ベルジャ蓋体２
１を再び１８０度反転させ、ウェハ３３をテーブル３４
かも取り外す。そして、新なウェハ３３をテーブル３４
に取り付け、つぎの薄膜形成を行なう。
圧の印加、チー・プルの回転をそれぞれ停止し、その後
ベルジャ本体１を下降させる。つぎに、ベルジャ蓋体２
１を再び１８０度反転させ、ウェハ３３をテーブル３４
かも取り外す。そして、新なウェハ３３をテーブル３４
に取り付け、つぎの薄膜形成を行なう。
このよう、な実施例によれば、ウエノ・３３のローディ
ング、アンローディング以外レマウエノ１３３の薄膜形
成面は下面となっている。このため、ベルジャ内壁にフ
レークが形成され、かつ脱落しても、ウェハ面には付着
することはほとんどない。したがって、ウェハ面に異常
突起が生じないことから、その後の工程、特にマスクを
用℃・た露光工程で、マスクを傷付けることもなく、ま
た歩留の低下も来たすこともなくなる。
ング、アンローディング以外レマウエノ１３３の薄膜形
成面は下面となっている。このため、ベルジャ内壁にフ
レークが形成され、かつ脱落しても、ウェハ面には付着
することはほとんどない。したがって、ウェハ面に異常
突起が生じないことから、その後の工程、特にマスクを
用℃・た露光工程で、マスクを傷付けることもなく、ま
た歩留の低下も来たすこともなくなる。
なお、本発明は前記実施例に限定されることはない。す
なわち、ベルジャ蓋体の反転は蝶番構造としてもよい。
なわち、ベルジャ蓋体の反転は蝶番構造としてもよい。
また、テーブルへのウェハの取り付けは他の機構でもよ
い。この場合、ウェハなテーブル面に密着させることに
よって各ウェハが均一に加熱されるようにする必要があ
る。
い。この場合、ウェハなテーブル面に密着させることに
よって各ウェハが均一に加熱されるようにする必要があ
る。
さらに、本発明の気相化学処理装置は反応ガスを変える
ことによって、他の薄膜形成に使用できることは勿論で
ある。
ことによって、他の薄膜形成に使用できることは勿論で
ある。
以上のように１本発明の気相化学処理装置によれば、フ
レークはウエノ・のようなワークに付着することはほと
んどない。このため、歩留が向上する。
レークはウエノ・のようなワークに付着することはほと
んどない。このため、歩留が向上する。
また、ワーク面に異常突起が生じないことから、ワーク
がウェハである場合、次工程以降の露光工程でマスクを
傷付けたりすることもな〜・ので、マスクの寿命が長く
なる。また、マスクを傷付けることも少ないので、傷付
いたマスクで露光をすることも少なくなり、露光の歩留
も向上するなど多くの効果を奏する。
がウェハである場合、次工程以降の露光工程でマスクを
傷付けたりすることもな〜・ので、マスクの寿命が長く
なる。また、マスクを傷付けることも少ないので、傷付
いたマスクで露光をすることも少なくなり、露光の歩留
も向上するなど多くの効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例であるプラズマＣＶＤ装置の
断面図、第２図は本発明の一実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置のウエノ・を載置固定するテーブルの一部斜視図
である。 １・・・ベルジャ本体、２・・・電極、３・管体、４・
・、上昇体、５・・・噛合部、６・・・支柱、７・・ガ
イド管、８・・・蛇腹、９・・モータ、１０・・・ベル
ト、１１・・・ノズル、１２・・・接手、１３・・・排
気管、１４・・・アーム、１５・−受具、１６・・・ガ
イド柱、１７・・・移動体、１８・・・ボルト、１９・
・・ナツト、２０・・・ばね、２１・・・ベルジャ蓋体
、２２・・回転軸、２３・・−ベアリング、２４・・・
ガイド筒、２５・・・カップリング、２６・・・主軸、
２７・・・プーリ、２８・・・ベルト、２９・・・プー
リ、３０・・モータ、３１・・・回転軸、３２・・・支
枠、３３・・・ウェハ、３４・・・テーブル、３５・・
・ヒータ、３６・・回転軸、３７・・・支持台、３８・
・ジャーナル受け、３９・・・カンプリング、４０・反
転用モータ、４１・・駆動軸、４２・ ピン、４３・・
・レバー、４４・・・取付ネジ。 第 １ 図 ｊ〜 第 ２ 図 バ １ ２
断面図、第２図は本発明の一実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置のウエノ・を載置固定するテーブルの一部斜視図
である。 １・・・ベルジャ本体、２・・・電極、３・管体、４・
・、上昇体、５・・・噛合部、６・・・支柱、７・・ガ
イド管、８・・・蛇腹、９・・モータ、１０・・・ベル
ト、１１・・・ノズル、１２・・・接手、１３・・・排
気管、１４・・・アーム、１５・−受具、１６・・・ガ
イド柱、１７・・・移動体、１８・・・ボルト、１９・
・・ナツト、２０・・・ばね、２１・・・ベルジャ蓋体
、２２・・回転軸、２３・・−ベアリング、２４・・・
ガイド筒、２５・・・カップリング、２６・・・主軸、
２７・・・プーリ、２８・・・ベルト、２９・・・プー
リ、３０・・モータ、３１・・・回転軸、３２・・・支
枠、３３・・・ウェハ、３４・・・テーブル、３５・・
・ヒータ、３６・・回転軸、３７・・・支持台、３８・
・ジャーナル受け、３９・・・カンプリング、４０・反
転用モータ、４１・・駆動軸、４２・ ピン、４３・・
・レバー、４４・・・取付ネジ。 第 １ 図 ｊ〜 第 ２ 図 バ １ ２
Claims (1)
- １、 ウェハの処理すべき主面を水平よりも下向きに保
持するウェハ保持部材を有する気相化学処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24197883A JPS59145519A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24197883A JPS59145519A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11336277A Division JPS5447576A (en) | 1977-09-22 | 1977-09-22 | Plasma cvd apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145519A true JPS59145519A (ja) | 1984-08-21 |
| JPS6156609B2 JPS6156609B2 (ja) | 1986-12-03 |
Family
ID=17082417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24197883A Granted JPS59145519A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145519A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384937U (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | ||
| US4886570A (en) * | 1987-07-16 | 1989-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
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1983
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