JPS59144134A - フオトマスクエツチング終点判定装置 - Google Patents
フオトマスクエツチング終点判定装置Info
- Publication number
- JPS59144134A JPS59144134A JP58019207A JP1920783A JPS59144134A JP S59144134 A JPS59144134 A JP S59144134A JP 58019207 A JP58019207 A JP 58019207A JP 1920783 A JP1920783 A JP 1920783A JP S59144134 A JPS59144134 A JP S59144134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- light
- end point
- signal
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路の製造工程に使用されるフォト
マスクのエツチング終点判定装置に関する。
マスクのエツチング終点判定装置に関する。
一般に半導体集積回路用フォトマスク等の選択露光用フ
ォトマスクとしては最近ハロゲン化銀化金物の乳剤を使
用したエマルジョンマスクに代わりクロム、酸化クロム
等の金属又は金属酸化物を使用したいわゆるメタルマス
クを使用する場合が多い。このメタルマスクは耐久性分
解能、耐薬品性等の点でエマルジョンマスクより優れて
おり、超ＬＳＩの様な高集積度でしかも１〜２μｍ程度
の微細パターンを含む半導体デバイスの製造にはなくて
はならないものになっている。
ォトマスクとしては最近ハロゲン化銀化金物の乳剤を使
用したエマルジョンマスクに代わりクロム、酸化クロム
等の金属又は金属酸化物を使用したいわゆるメタルマス
クを使用する場合が多い。このメタルマスクは耐久性分
解能、耐薬品性等の点でエマルジョンマスクより優れて
おり、超ＬＳＩの様な高集積度でしかも１〜２μｍ程度
の微細パターンを含む半導体デバイスの製造にはなくて
はならないものになっている。
このメタルマスクの製造方法はガラス等の透明基板上に
蒸着、スパッタリング等の方法によυクロム、酸化クロ
ム等のメタル層を形成しこのメタル層上にフォトレジス
トあるいは電子ビームレジスト等の放射線感応レジスト
’（ｊ塗布しこれを選択的に露光、現像処理し、さらに
このレジストヲエッチングマスクとして上記メタル層を
選択的に除去する工程により行なわれる。
蒸着、スパッタリング等の方法によυクロム、酸化クロ
ム等のメタル層を形成しこのメタル層上にフォトレジス
トあるいは電子ビームレジスト等の放射線感応レジスト
’（ｊ塗布しこれを選択的に露光、現像処理し、さらに
このレジストヲエッチングマスクとして上記メタル層を
選択的に除去する工程により行なわれる。
上記工程中メタル層を選択的に除去する工程いわゆるエ
ツチング工程には化学薬品を使用する湿式エツチング法
と反応性ガスを用いるプラズマエッチや加速されたイオ
ンにより物理的にスバッタリンクスるイオンミーリング
等のいわゆるドライエツチング法等がある。
ツチング工程には化学薬品を使用する湿式エツチング法
と反応性ガスを用いるプラズマエッチや加速されたイオ
ンにより物理的にスバッタリンクスるイオンミーリング
等のいわゆるドライエツチング法等がある。
近年半導体デバイスの微細化、高密度化に伴ないフォト
マスクに要求される寸法精度も年々厳しいものとなって
おり、上記エツチング工程においても厳密な寸法コント
ロール精度が要求されるようになった。このエツチング
工程において寸法精度を大きく左右する要因にエツチン
グ終点の判定がある。
マスクに要求される寸法精度も年々厳しいものとなって
おり、上記エツチング工程においても厳密な寸法コント
ロール精度が要求されるようになった。このエツチング
工程において寸法精度を大きく左右する要因にエツチン
グ終点の判定がある。
つまり、エツチングの終了を正確に把握しなかった場合
、エツチング時間が短いと、エツチングが終了されない
部分が生じまた時間が長ずざるとオーバーエッチとなり
所望の寸法と異なるマスクができてしまうという不都合
が生じる。
、エツチング時間が短いと、エツチングが終了されない
部分が生じまた時間が長ずざるとオーバーエッチとなり
所望の寸法と異なるマスクができてしまうという不都合
が生じる。
特に湿式エツチング法によるマスク製造では現在のとこ
ろ実用的なエツチング終点判定装置がないため、エツチ
ングの終点判定は作業者の熟練度にたよるところが大き
く個人差があった。
ろ実用的なエツチング終点判定装置がないため、エツチ
ングの終点判定は作業者の熟練度にたよるところが大き
く個人差があった。
壕九人の目視による判定のため、エツチング工程の自動
化を妨げる障害にもなっていた。
化を妨げる障害にもなっていた。
本発明はかかる不都合に鑑みマスクの工、ソチング終点
を正確に検出し高精度なパターン作成を可能にし、しか
もエツチング工程の自動化を行なうための手段となるメ
タルマスク製造装置を提供するものである。
を正確に検出し高精度なパターン作成を可能にし、しか
もエツチング工程の自動化を行なうための手段となるメ
タルマスク製造装置を提供するものである。
すなわち本発明はフォトマスク製造方法においてフォト
マスク上の任意領域に光を照射し反射光又は透過光を検
出し、検出信号の時間変化をモニターすることによりエ
ツチングの終点を判定することを特徴とするフォトマス
クのエツチング終点判定装置である。
マスク上の任意領域に光を照射し反射光又は透過光を検
出し、検出信号の時間変化をモニターすることによりエ
ツチングの終点を判定することを特徴とするフォトマス
クのエツチング終点判定装置である。
以下本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は湿式エツチング法を用いた場合のエツチング時
間と光の透過率の関係を示したものである。イはパター
ン密度の小さい場合、口はパターン密度の大きい場合の
透過率特性曲線でるる。
間と光の透過率の関係を示したものである。イはパター
ン密度の小さい場合、口はパターン密度の大きい場合の
透過率特性曲線でるる。
第２図は本発明によるフォトマスクエツチング終点判定
装置の構成図を示したものである。透明基板５上に形成
された被エツチング層４上に回路パターンを形成するレ
ジスト３からなるフォトマスク上に光源１からの光をレ
ンズ２を介して照射する。該フォトマスクのエツチング
が進行すると被エツチング層４で遮光されていた前記照
射光が透過するようになる。透過光はレンズ２′によシ
フオドダイオード６に集光される。光量に応じてフォト
ダイオードに発生する電圧はアナログ・フリークエンシ
ー（Ａ／Ｆ）コンバーター７に、ｌ：すを圧に応じて粗
密となるパルス信号に変換される。この信号はＣＰＵ８
により処理される。この時ＣＰＵ ８の働きは所望の時
間ごとに例えば０．１秒ごとに上記パルスの数をカウン
トし、時間Ｔ〜Ｔ＋０．１秒間及びＴ＋０．１秒〜Ｔ
＋ ０．２秒間のパルス数を比較しその差が前もって定
められた数値以下になった時にエツチング終了と判定し
、それから一定の遅延時間後に制御系９に信号を送り自
動的にエツチングを停止させるものである。エツチング
開始直後は第１図からもわかるように、照射光はすべて
遮光されるため前述したパルス数の比較をしても差は無
いがこれはＣＰＵによりパルス数に差が発生してから次
に差がなくなる時をもって終点と判定する機構をもたせ
れば良い。
装置の構成図を示したものである。透明基板５上に形成
された被エツチング層４上に回路パターンを形成するレ
ジスト３からなるフォトマスク上に光源１からの光をレ
ンズ２を介して照射する。該フォトマスクのエツチング
が進行すると被エツチング層４で遮光されていた前記照
射光が透過するようになる。透過光はレンズ２′によシ
フオドダイオード６に集光される。光量に応じてフォト
ダイオードに発生する電圧はアナログ・フリークエンシ
ー（Ａ／Ｆ）コンバーター７に、ｌ：すを圧に応じて粗
密となるパルス信号に変換される。この信号はＣＰＵ８
により処理される。この時ＣＰＵ ８の働きは所望の時
間ごとに例えば０．１秒ごとに上記パルスの数をカウン
トし、時間Ｔ〜Ｔ＋０．１秒間及びＴ＋０．１秒〜Ｔ
＋ ０．２秒間のパルス数を比較しその差が前もって定
められた数値以下になった時にエツチング終了と判定し
、それから一定の遅延時間後に制御系９に信号を送り自
動的にエツチングを停止させるものである。エツチング
開始直後は第１図からもわかるように、照射光はすべて
遮光されるため前述したパルス数の比較をしても差は無
いがこれはＣＰＵによりパルス数に差が発生してから次
に差がなくなる時をもって終点と判定する機構をもたせ
れば良い。
以上述べた様に本発明によるフォトマスクエツチング終
点判定装置は、マスク内のパターン密度に依存すること
なく、また湿式エツチング時に用いられるエツチング液
やドライエツチング時のガスの影響等もなく高精度な終
点判定を行なうことができる。前記実施例では湿式エツ
チング法において透過光を用いた場合に関して詳細を述
べてきたが本発明はこれに限定されるものではなくドラ
イエツチング法の場合にも適用できるし、また反射光を
用いた方法も適用できることはいうまでもない。
点判定装置は、マスク内のパターン密度に依存すること
なく、また湿式エツチング時に用いられるエツチング液
やドライエツチング時のガスの影響等もなく高精度な終
点判定を行なうことができる。前記実施例では湿式エツ
チング法において透過光を用いた場合に関して詳細を述
べてきたが本発明はこれに限定されるものではなくドラ
イエツチング法の場合にも適用できるし、また反射光を
用いた方法も適用できることはいうまでもない。
また透過光または反射光の時間変化をモニターする機構
は前述したパルス数の比較法の他に前記フォトダイオー
ドに発生する波形を微分処理して工（ンチング終点を判
定する方法がある。
は前述したパルス数の比較法の他に前記フォトダイオー
ドに発生する波形を微分処理して工（ンチング終点を判
定する方法がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はフォトマスクをエツチングした時の工ッチング
時間と光の透過率を示した図である。第２図は本発明の
実施例によるフォトマスクエツチング終点判定装置の構
成図である。 尚、図において１・・・・・・光源、４２′・・・・・
・レンズ、３・・・・・・バターニングされたレジスト
膜、４・・・・・・不透明物質層（被エツチング層）、
５・・・・・・透明基板、６・・・・・・フォトダイオ
ード、７・・・・・・アナログ・フリークエンシー（Ａ
／Ｆ ）コンバーター、８・・・・・・ＣＰＵ。 ９・・・・・・制御系、である。 年１侶 讐２侶
時間と光の透過率を示した図である。第２図は本発明の
実施例によるフォトマスクエツチング終点判定装置の構
成図である。 尚、図において１・・・・・・光源、４２′・・・・・
・レンズ、３・・・・・・バターニングされたレジスト
膜、４・・・・・・不透明物質層（被エツチング層）、
５・・・・・・透明基板、６・・・・・・フォトダイオ
ード、７・・・・・・アナログ・フリークエンシー（Ａ
／Ｆ ）コンバーター、８・・・・・・ＣＰＵ。 ９・・・・・・制御系、である。 年１侶 讐２侶
Claims (1)
- 表面のレジスト膜に回路パターンが形成されたフォトマ
スク基板の不透明物質層をエツチングしてフォトマスク
ラ製造するに際して、該フォトマスク上の任意領域に光
を照射し、反射光又は透過光を検出し、検出信号の時間
変化をモニターすることによりエツチングの終点を判定
することを特徴とするフォトマスクエツチング終点判定
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019207A JPS59144134A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | フオトマスクエツチング終点判定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019207A JPS59144134A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | フオトマスクエツチング終点判定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144134A true JPS59144134A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11992918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019207A Pending JPS59144134A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | フオトマスクエツチング終点判定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0461807A2 (en) * | 1990-06-11 | 1991-12-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | MESFET and manufacturing method therefor |
| CN103811291A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备 |
| CN105575846A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种金属湿式蚀刻终点的监控方法及其装置 |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP58019207A patent/JPS59144134A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0461807A2 (en) * | 1990-06-11 | 1991-12-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | MESFET and manufacturing method therefor |
| EP0461807A3 (ja) * | 1990-06-11 | 1994-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | |
| CN103811291A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备 |
| US9646847B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-05-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for manufacturing array substrate, film-etching monitoring method and device |
| CN105575846A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种金属湿式蚀刻终点的监控方法及其装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0108794B1 (en) | End point detection method | |
| US6322935B1 (en) | Method and apparatus for repairing an alternating phase shift mask | |
| US4851311A (en) | Process for determining photoresist develop time by optical transmission | |
| JPS61281241A (ja) | 透過用マスクの補修方法 | |
| JPS59154A (ja) | プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法 | |
| US6277526B1 (en) | Method for repairing MoSi attenuated phase shift masks | |
| JPS59144134A (ja) | フオトマスクエツチング終点判定装置 | |
| JPH0682727B2 (ja) | 検査用基板とその製造方法 | |
| KR20000003722A (ko) | 포토마스크의 결함 수리 방법 | |
| JPS6043827A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JP2731914B2 (ja) | 検査用基板およびその製造方法 | |
| JPH06130651A (ja) | ホトマスクとその製造方法及び検査方法、並びに透明基板のドライエッチング方法 | |
| JP2624335B2 (ja) | レジスト露光方法 | |
| JPS58199525A (ja) | Ｘ線用マスク | |
| JPH0225500B2 (ja) | ||
| JPS6258654B2 (ja) | ||
| JP2674855B2 (ja) | レティクルの検査方法及びそれに用いる透明基板 | |
| JPH03112121A (ja) | 露光システム | |
| JPH05241350A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6188525A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JPS634700B2 (ja) | ||
| JPS60233652A (ja) | 写真蝕刻用ホトマスクの製造方法 | |
| JPS58213424A (ja) | パタ−ン検出方法 | |
| JPH04116817A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0786140A (ja) | 電子線レジストパターンの形成方法 |