JPS59143650A - 液体噴射記録ヘツド - Google Patents
液体噴射記録ヘツドInfo
- Publication number
- JPS59143650A JPS59143650A JP58016900A JP1690083A JPS59143650A JP S59143650 A JPS59143650 A JP S59143650A JP 58016900 A JP58016900 A JP 58016900A JP 1690083 A JP1690083 A JP 1690083A JP S59143650 A JPS59143650 A JP S59143650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- liquid
- electrode
- recording head
- jet recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 abstract 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Hf] Chemical compound [B].[B].[Hf] LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYKXQRYFGBQACI-UHFFFAOYSA-N [Na+].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B(O)(O)O.[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+] Chemical compound [Na+].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B([O-])([O-])[O-].B(O)(O)O.[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+] SYKXQRYFGBQACI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N boron;vanadium Chemical compound [V]#B AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- -1 mental Chemical compound 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1604—Production of bubble jet print heads of the edge shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1645—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by spincoating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
記録を行なう液体噴射記録ヘッドに関する。
インクジェット記録法(液体噴射記録法)は、配録時に
おける騒音の発生が無視し得る程度に極めて小さいとい
う点高速記録が可能であり、而も所謂普通紙に定着とい
う特別な処理を必要とせずに記録の行なえる点において
最近関心を集めている。
おける騒音の発生が無視し得る程度に極めて小さいとい
う点高速記録が可能であり、而も所謂普通紙に定着とい
う特別な処理を必要とせずに記録の行なえる点において
最近関心を集めている。
その中で、例えば特開昭3−ダー3’ / g 3 7
号公報、ドイツ公開(DOLS)第.2gグ3θ乙グ号
公報に記載されである液体噴射記録法は、熱エネルギー
を液体に作用させて、液滴吐出の為の原動力を得るとい
う点において、他の液体噴射記録法とは、異なる特徴を
有している。
号公報、ドイツ公開(DOLS)第.2gグ3θ乙グ号
公報に記載されである液体噴射記録法は、熱エネルギー
を液体に作用させて、液滴吐出の為の原動力を得るとい
う点において、他の液体噴射記録法とは、異なる特徴を
有している。
即ち、上記の公報に開示されである記録法は、熱エネル
ギーの作用を受けた液体が急峻な体積の増大を伴う状態
変化を起こし、該状態変化に基づく作用力によって、記
録ヘッド部先端のオリフィスより液体が吐出されて、飛
翔的液滴が形成され、該液滴が被記録部材に付着し記録
が行なわれるという特徴である。
ギーの作用を受けた液体が急峻な体積の増大を伴う状態
変化を起こし、該状態変化に基づく作用力によって、記
録ヘッド部先端のオリフィスより液体が吐出されて、飛
翔的液滴が形成され、該液滴が被記録部材に付着し記録
が行なわれるという特徴である。
殊に、DC,LS 、2gグ306グ号公報に開示さ
れている液体噴射記録法は、所謂drop−an de
mand記録法に極めて有効に適用されるばかりではな
く、記録ヘッド部をfull 1ine タイプで高
密度マルチオリフィス化された記録ヘッドが容易に具現
化出来るので、高解像度、高品質の画像を高速で得られ
るという特徴を有している。
れている液体噴射記録法は、所謂drop−an de
mand記録法に極めて有効に適用されるばかりではな
く、記録ヘッド部をfull 1ine タイプで高
密度マルチオリフィス化された記録ヘッドが容易に具現
化出来るので、高解像度、高品質の画像を高速で得られ
るという特徴を有している。
」二記の記録法に適用される装置の記録ヘッド部は、液
体を吐出する為に設けられたオリフィスと、該オリフィ
スに連通し、液滴を吐出する為の熱エネルギーが液体に
作用する部分である熱作用部を構成の一部とする液流路
とを有する液吐出部と、熱エネルギーを発生する手段と
しての電気熱変換体とを具備している。
体を吐出する為に設けられたオリフィスと、該オリフィ
スに連通し、液滴を吐出する為の熱エネルギーが液体に
作用する部分である熱作用部を構成の一部とする液流路
とを有する液吐出部と、熱エネルギーを発生する手段と
しての電気熱変換体とを具備している。
そして、この電気熱変換体は、一対の電極と、これ等の
電極に接続し、これ等の電極の間に発熱する領域(熱発
生部)を有する発熱抵抗層とを具備している。
電極に接続し、これ等の電極の間に発熱する領域(熱発
生部)を有する発熱抵抗層とを具備している。
この様な液体噴射記録ヘッドの構造を示す典型的な例が
第1図(a)、及び第1図(b) K示される。
第1図(a)、及び第1図(b) K示される。
第1図(a)は、本発明に係わる液体噴射記録ヘッドの
オリフィス測から見た正面部分図、第1図(b)は、第
1図(a) K一点鎖線XYで示す部分で切断した場合
の切断面部分図である。
オリフィス測から見た正面部分図、第1図(b)は、第
1図(a) K一点鎖線XYで示す部分で切断した場合
の切断面部分図である。
図に示される記録ヘッド/θ/は、その表面に電気熱変
換体/θ3が設けられている基板/θ3の表面に、所定
の線密度で所定の巾と深さの溝が所定敷設けられ、てい
る溝付板/θグで覆う様に接合することによって、オリ
フィス/θjと液吐出部/θ乙が形成された構造を有し
ている。図(で示す記録ヘッドの場合、オリフィス/θ
jを複数有するものとして示されであるが、勿論本発明
においては、これて限定されるものではなく単一オリフ
ィスの場合の記録ヘッドも本発明の範噴に這入るもので
ある。
換体/θ3が設けられている基板/θ3の表面に、所定
の線密度で所定の巾と深さの溝が所定敷設けられ、てい
る溝付板/θグで覆う様に接合することによって、オリ
フィス/θjと液吐出部/θ乙が形成された構造を有し
ている。図(で示す記録ヘッドの場合、オリフィス/θ
jを複数有するものとして示されであるが、勿論本発明
においては、これて限定されるものではなく単一オリフ
ィスの場合の記録ヘッドも本発明の範噴に這入るもので
ある。
液吐出部/θ6は、その終端に液体を吐出させる為のオ
リフィス/θjと、電気熱変換体/θ2より発生される
熱エネルギーが液体に作用して気泡を発生し、その体積
の膨張上収縮に依る急激な状態変化を引起こす処である
熱作用部/θ7とを有する。
リフィス/θjと、電気熱変換体/θ2より発生される
熱エネルギーが液体に作用して気泡を発生し、その体積
の膨張上収縮に依る急激な状態変化を引起こす処である
熱作用部/θ7とを有する。
熱作用部/θ7は、電気熱変換体/θ2の熱発生部、7
9gの上部に位置し、熱発生部/θにの液体と接触する
面としての熱作用面/θ2をその底面としている。
9gの上部に位置し、熱発生部/θにの液体と接触する
面としての熱作用面/θ2をその底面としている。
熱発生部/θには、基板/θ3上に設けられた下部層/
/θ、該下部層//θ上に設けられた発熱抵抗層///
、’該発熱抵抗層///上に設けられた上部層//2と
で構成される。発熱抵抗層///には、熱を発生させる
為に該層///に通電する為の電極//3、//’lが
その表面に設けられである。電極//3は、各液吐出部
の熱発生部に共通の電極であり、電極//りは、各液吐
出部の熱発生部を選択して発熱させる為の選択電極であ
って、液吐出部の液流路に沿って設けられである。
/θ、該下部層//θ上に設けられた発熱抵抗層///
、’該発熱抵抗層///上に設けられた上部層//2と
で構成される。発熱抵抗層///には、熱を発生させる
為に該層///に通電する為の電極//3、//’lが
その表面に設けられである。電極//3は、各液吐出部
の熱発生部に共通の電極であり、電極//りは、各液吐
出部の熱発生部を選択して発熱させる為の選択電極であ
って、液吐出部の液流路に沿って設けられである。
上部層//、2は、熱発生部70とに於いては発熱抵抗
層///を、使用する液体から化学的・物理的に保護す
る為に発熱抵抗層///と液吐出部/θ乙の液流路を満
たしている液体とを隔絶すると共K、液体を通じて電極
//3.717間が短絡するのを防止する、発熱抵抗層
///の保護的機能を有している。
層///を、使用する液体から化学的・物理的に保護す
る為に発熱抵抗層///と液吐出部/θ乙の液流路を満
たしている液体とを隔絶すると共K、液体を通じて電極
//3.717間が短絡するのを防止する、発熱抵抗層
///の保護的機能を有している。
又、上部層//2は、隣接する電極間に於ける電気的リ
ークを防止する役目も荷っている。
ークを防止する役目も荷っている。
殊に、各選択電極間に於ける電気的リークの防止、或は
各液流路下にある電極が伺等かの理由で電極と液体とが
接触し、これに通電することによって起る電蝕の防止は
、重要であって、この為にこの様な保護層的機能を有す
る上部層//、2が少なくとも液流路下に於ける電極−
ヒに設けられている。
各液流路下にある電極が伺等かの理由で電極と液体とが
接触し、これに通電することによって起る電蝕の防止は
、重要であって、この為にこの様な保護層的機能を有す
る上部層//、2が少なくとも液流路下に於ける電極−
ヒに設けられている。
更に、各液吐出部に設けられである液流路は、各液吐出
部の上流に於いて、液流路の一部を構成する共通液室を
介して連通されているが、各液吐出部に設けられた電気
熱変換体に接続されている電極は、その設計上の都合に
より、熱作用部の上流側に於いて前記共通液室下を通る
様に設けられている。
部の上流に於いて、液流路の一部を構成する共通液室を
介して連通されているが、各液吐出部に設けられた電気
熱変換体に接続されている電極は、その設計上の都合に
より、熱作用部の上流側に於いて前記共通液室下を通る
様に設けられている。
従って、この部分に於いても電極が液体と接触するのを
防止すべく前記した上部層が設けられているのが一般的
である。
防止すべく前記した上部層が設けられているのが一般的
である。
ところで上記の上部層//、2は、設けられる場所に依
って要求される特性が各々異なる。
って要求される特性が各々異なる。
即ち、例えば熱発生部/θgK於いては、■耐熱性、■
耐液性、■液浸透防止性、■熱伝導性、■酸化防止性及
び■耐破傷性に優れていることが要求され、熱発生部/
θに以外の領域に於いては熱的条件で緩和されるが液浸
透防止性、耐液性及び耐破傷性には充分優れていること
が要求される。
耐液性、■液浸透防止性、■熱伝導性、■酸化防止性及
び■耐破傷性に優れていることが要求され、熱発生部/
θに以外の領域に於いては熱的条件で緩和されるが液浸
透防止性、耐液性及び耐破傷性には充分優れていること
が要求される。
ところが、上記の■〜■の特性の総てを所望通りに充分
満足する上部層を構成する材料は、今のところなく■〜
■の特性の幾つかを緩和して使用しているのが現状であ
る。
満足する上部層を構成する材料は、今のところなく■〜
■の特性の幾つかを緩和して使用しているのが現状であ
る。
即ち、熱発生部/θgに於いては、■、■及び■に優先
が置かれて材料の選択が成され、他方熱発生部/θと以
外の例えば電極部に於いては、■、■及び■に優先が置
かれて材料の選択が成されて、夫々の該当する領域面上
に各相当する材料を以って上部層が形成されている。
が置かれて材料の選択が成され、他方熱発生部/θと以
外の例えば電極部に於いては、■、■及び■に優先が置
かれて材料の選択が成されて、夫々の該当する領域面上
に各相当する材料を以って上部層が形成されている。
他方、これ等とは別に、マルチオリフィス化タイプの液
体噴射記録ヘッドの場合には、基板上に多数の微細な電
気熱変換体を同時に形成する為に、製造過程に於いて、
基板上では各層の形成と、形成された層の一部除去の繰
返しが成され、上部層が形成される段階では、上部層の
形成されるその表面はスラツプウエツヂ部(段差部)の
ある微細な凹凸状となっているので、この段差部に於け
る上部層の被覆性C5tep coverage性)が
重要となっている0 詰り、この段差部の被覆性が悪いと、その部分での液体
の浸透が起り、電蝕或は電気的絶縁破壊を起す誘引とな
る。
体噴射記録ヘッドの場合には、基板上に多数の微細な電
気熱変換体を同時に形成する為に、製造過程に於いて、
基板上では各層の形成と、形成された層の一部除去の繰
返しが成され、上部層が形成される段階では、上部層の
形成されるその表面はスラツプウエツヂ部(段差部)の
ある微細な凹凸状となっているので、この段差部に於け
る上部層の被覆性C5tep coverage性)が
重要となっている0 詰り、この段差部の被覆性が悪いと、その部分での液体
の浸透が起り、電蝕或は電気的絶縁破壊を起す誘引とな
る。
又、形成される上部層がその製造法上て於いて欠陥部の
生ずる確率が少なくない場合には、その欠陥部を通じて
、液体の浸透が起り、電気熱変換体の寿命を著しく低下
させる要因となっている。
生ずる確率が少なくない場合には、その欠陥部を通じて
、液体の浸透が起り、電気熱変換体の寿命を著しく低下
させる要因となっている。
これ等の為に、」二部層は、段差部に於ける被覆性が良
好であること、形成される層にピンホール等の欠陥の発
生する確率が低く、発生しても実用上無視し得る程度或
はそれ以上に少ないことが要求される0 面乍ら、従来に於いては、これ等の要求の総てを満足し
、総合的な使用耐久性に優れた液体噴射記録ヘッドは提
案されてない。
好であること、形成される層にピンホール等の欠陥の発
生する確率が低く、発生しても実用上無視し得る程度或
はそれ以上に少ないことが要求される0 面乍ら、従来に於いては、これ等の要求の総てを満足し
、総合的な使用耐久性に優れた液体噴射記録ヘッドは提
案されてない。
本発明は上記の諸点に鑑み成されたものであって、頻繁
なる繰返し使用や長時間の連続使用に於いて総合的な耐
久性に優れ、初期の良好な液滴形成特性を長期に亘って
安定的に維持し得る液体噴射記録ヘッドを提供すること
を主たる目的とする。
なる繰返し使用や長時間の連続使用に於いて総合的な耐
久性に優れ、初期の良好な液滴形成特性を長期に亘って
安定的に維持し得る液体噴射記録ヘッドを提供すること
を主たる目的とする。
又、本発明の別の目的は、製造加工上に於ける信頼性の
高い液体噴射記録ヘッドを提供することでもある。
高い液体噴射記録ヘッドを提供することでもある。
更には、マルチオリフィス化した場合ても製造歩留りの
高い液体噴射記録ヘッドを提供することでもある。
高い液体噴射記録ヘッドを提供することでもある。
本発明の液体噴射記録ヘッドは、液体を吐出して飛翔的
液滴を形成する為に設けられた第1ノフイスと、該オリ
フィスに連通し、前記液滴を形成する為の熱エネルギー
が液体に作用する部分である熱作用部を構成の一部とす
る液流路とを有する液吐出部と、基板上に設けられた発
熱抵抗層に電気的に接続して、少なくとも一対の対置す
る電極が設けられ、これ等電極の間に熱発生部が形成さ
れている電気熱変換体とを具備する液体噴射記録ヘッド
において、該電極表面を変質させることによって形成さ
れ、且無機絶縁材料化された保護層を有することを特徴
とする液体噴射記録ヘッドである。
液滴を形成する為に設けられた第1ノフイスと、該オリ
フィスに連通し、前記液滴を形成する為の熱エネルギー
が液体に作用する部分である熱作用部を構成の一部とす
る液流路とを有する液吐出部と、基板上に設けられた発
熱抵抗層に電気的に接続して、少なくとも一対の対置す
る電極が設けられ、これ等電極の間に熱発生部が形成さ
れている電気熱変換体とを具備する液体噴射記録ヘッド
において、該電極表面を変質させることによって形成さ
れ、且無機絶縁材料化された保護層を有することを特徴
とする液体噴射記録ヘッドである。
以下、図面に従って本発明を具体的に説明する。
第2図(a) VCは、本発明の液体噴射記録ヘッドの
好適々実施態様例!θθの構造の主要部を説明する為の
オリフィス側から見た正面部分図が、第2図(b)には
、第2図(a) K一点鎖線AA’で示した部分で切断
した場合の切断面部分図が示されており、第3図(a)
は、第1図(a)て相当し、第2図(b)は第1図(b
)に相当するものである。
好適々実施態様例!θθの構造の主要部を説明する為の
オリフィス側から見た正面部分図が、第2図(b)には
、第2図(a) K一点鎖線AA’で示した部分で切断
した場合の切断面部分図が示されており、第3図(a)
は、第1図(a)て相当し、第2図(b)は第1図(b
)に相当するものである。
図に示される液体噴射記録ヘッド3θθは、所望数の電
気熱変換体2θ/が設けられた熱を液吐出に利用する液
体噴射記録(サーマルインクジェット:T / Jと略
記する)用の基板2θ2と、前記電気熱変換体2θ/π
対応して設けられた溝を所望敷布する溝付板ノθ、3と
でその主要部が構成されている。
気熱変換体2θ/が設けられた熱を液吐出に利用する液
体噴射記録(サーマルインクジェット:T / Jと略
記する)用の基板2θ2と、前記電気熱変換体2θ/π
対応して設けられた溝を所望敷布する溝付板ノθ、3と
でその主要部が構成されている。
T / J 基板3θ3と溝付板ノθ3とは、所定個
所で接着剤等で接合されることでT/J基板3θ3の電
気熱変換体3θ/の設けられている部分と、溝付板2θ
3の溝の部分とによって液流路!θグを形成しており、
該液流路2θグは、その構成の一部((熱作用部βθS
を有する。
所で接着剤等で接合されることでT/J基板3θ3の電
気熱変換体3θ/の設けられている部分と、溝付板2θ
3の溝の部分とによって液流路!θグを形成しており、
該液流路2θグは、その構成の一部((熱作用部βθS
を有する。
T、/J基板2θ3ば、/リコン、ガラス、セラミック
ス等で構成されている支持体2θ乙、該支持体βθ乙上
(て5i02等で構成される下部層!θ7、発熱抵抗層
3θと、発熱抵抗層!θにの表面の両側には、液流路β
θグに沿って電極!θ?、、2/θ、及び発熱抵抗層2
θにの電極で被覆されてない部分と、電極2θ?、、2
/θの部分とを覆う様に無機質材料で構成された保護層
(上部層)3//とを具備している。
ス等で構成されている支持体2θ乙、該支持体βθ乙上
(て5i02等で構成される下部層!θ7、発熱抵抗層
3θと、発熱抵抗層!θにの表面の両側には、液流路β
θグに沿って電極!θ?、、2/θ、及び発熱抵抗層2
θにの電極で被覆されてない部分と、電極2θ?、、2
/θの部分とを覆う様に無機質材料で構成された保護層
(上部層)3//とを具備している。
電気熱変換体2θ/は、その主要部として熱発生部、2
/、2を有し、熱発生部、、2/、、2は支持体!θ乙
上に支持体ρθ乙側より順次下部層2θ7、発熱抵抗層
3θg、上層部、2//とが積層されて構成されており
、上部層!//の表面(熱作用面)フ/3は、液流路β
θダグ中満たす液体と直に接触している。
/、2を有し、熱発生部、、2/、、2は支持体!θ乙
上に支持体ρθ乙側より順次下部層2θ7、発熱抵抗層
3θg、上層部、2//とが積層されて構成されており
、上部層!//の表面(熱作用面)フ/3は、液流路β
θダグ中満たす液体と直に接触している。
第3図に示す液体嘴体記録ヘッド2θθの場合には、上
部層、2//は、該層、2//の機械的な強度を一層高
める為て、層2/乙1層、2/7を設けた二重層構造と
されていて、層、、2/乙は、例えばS i 02等の
無機酸化物やSi3N4等の無機窒化物等の比較的電気
絶縁性、熱伝導性、及び耐熱性1(優れた無機質材料で
構成され、層、、2/7は粘りがあって、比較的機械的
強度に優れ層、2/乙に対して密着性のある、例えば層
β/乙が5i02で形成されている場合にばTa等の金
属材料で構成される。
部層、2//は、該層、2//の機械的な強度を一層高
める為て、層2/乙1層、2/7を設けた二重層構造と
されていて、層、、2/乙は、例えばS i 02等の
無機酸化物やSi3N4等の無機窒化物等の比較的電気
絶縁性、熱伝導性、及び耐熱性1(優れた無機質材料で
構成され、層、、2/7は粘りがあって、比較的機械的
強度に優れ層、2/乙に対して密着性のある、例えば層
β/乙が5i02で形成されている場合にばTa等の金
属材料で構成される。
この様に土部層、2//の表面層を金属等の比較的粘り
があって機械的強度のある無機質材料で構成することに
よって、熱作用面2八3て於いて、液体吐出の際に生ず
るキャビデーンヨン作用からのショックを充分吸収する
ことが出来、電気熱変換体ρθ/の寿命を格段に延ばす
効果がある。
があって機械的強度のある無機質材料で構成することに
よって、熱作用面2八3て於いて、液体吐出の際に生ず
るキャビデーンヨン作用からのショックを充分吸収する
ことが出来、電気熱変換体ρθ/の寿命を格段に延ばす
効果がある。
百年ら、上部層、?//の表面層として設けられる層、
、2/7は、本発明π於いては、必ずしも要するもので
はない1) 本発明は電極3θ2および、210の表面に無機絶縁材
料化された保護層、27グを、電極表面を変質させるこ
とによって設けることを特徴とするものである。該保護
層27グは不図示ではあるが電極、2./θの延長上の
、液流路βθグの上流に設けられる共通液室の底面部分
にも少なくとも設けられる。
、2/7は、本発明π於いては、必ずしも要するもので
はない1) 本発明は電極3θ2および、210の表面に無機絶縁材
料化された保護層、27グを、電極表面を変質させるこ
とによって設けることを特徴とするものである。該保護
層27グは不図示ではあるが電極、2./θの延長上の
、液流路βθグの上流に設けられる共通液室の底面部分
にも少なくとも設けられる。
保護層、2/41は電極部表面に設けられ、その主なる
役目は、液浸透防止と耐液作用にある。そしてさらには
、共通液室より後方の電極配線部をも被覆する様に設け
るととKよって、電極配線部を製造工程中(・て起こる
電極配線部のキズの発生、断線の発生等を防止すること
が出来る。
役目は、液浸透防止と耐液作用にある。そしてさらには
、共通液室より後方の電極配線部をも被覆する様に設け
るととKよって、電極配線部を製造工程中(・て起こる
電極配線部のキズの発生、断線の発生等を防止すること
が出来る。
保護層、、2//ltは上記の役目を果すことが出来る
ような無機絶縁利料で構成されるが、更匠該保護層は (1) 成膜囲が良いこと。
ような無機絶縁利料で構成されるが、更匠該保護層は (1) 成膜囲が良いこと。
(2)緻密な構造でかつピンホールやクラックがないこ
と。
と。
(3)使用インクに対して変質、溶解しないこと。
(4)成膜したときの絶縁性がよいこと。
(5)耐熱性が高いこと。
等の物性を具備していることが望ましい。その様・な無
機絶縁材料として例えば、A4 T a + T l+
Z r + Hf +V、 Nb、 Mg、 Si、
Mo、 W、 Y、 La 等の金属およびそれら
合金の酸fヒ物、炭化物、窒化物、硼化物等が挙げられ
、電極部表面て緻密でクラックやピンホール等を生じな
いような無機絶縁材別層が形成されるものであれば良い
。
機絶縁材料として例えば、A4 T a + T l+
Z r + Hf +V、 Nb、 Mg、 Si、
Mo、 W、 Y、 La 等の金属およびそれら
合金の酸fヒ物、炭化物、窒化物、硼化物等が挙げられ
、電極部表面て緻密でクラックやピンホール等を生じな
いような無機絶縁材別層が形成されるものであれば良い
。
保護層、27ダを電極部表面に設ける方法として好まし
い方法は後述の実施例に示すように、電極部を陽極酸化
すること(でよって電極表面に酸化物の被膜層を形成さ
せることである0、この方法で形成された金属の酸化物
層は保護層として要求される上述の物性を満足する理想
的な被膜層を与える。
い方法は後述の実施例に示すように、電極部を陽極酸化
すること(でよって電極表面に酸化物の被膜層を形成さ
せることである0、この方法で形成された金属の酸化物
層は保護層として要求される上述の物性を満足する理想
的な被膜層を与える。
酸化物層の形成は、電極表面の空気又は酸素中での加熱
酸化や酸化剤による化学的酸化によって行なってもよい
。又表面の変質は酸fヒによる酸化物上部層β//を構
成する材料としては、上記した無機質材料の他て酸化チ
タン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、
酸化タンタル、酸化タングステン、酸化クロム、酸化ジ
ルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸[ヒイ
ットリウノ・、酸fヒマンガン等の遷移金属酸化物、更
に酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチ
ウム、酸fヒバリウム、酸化シリコン、等の金属酸化物
及びそftらの複合体、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、窒化ボロン、窒化タンタル等高抵抗窒化物及びこれ
ら酸化物、窒化物の複合体、更にアモルファスノリコン
、アモルファスセレン等の半導体などバルクでは低抵抗
であってもスパッタリング法、CVD法、蒸着法、気相
反応法、液体コーティング法等の製造過程で高抵抗化し
得る薄膜飼料を挙げることが出来、その層厚としては一
般にθ/ ltm〜−9μm、好ましくはθ2μm〜3
、(7mとさ〕上るのが望ましい。
酸化や酸化剤による化学的酸化によって行なってもよい
。又表面の変質は酸fヒによる酸化物上部層β//を構
成する材料としては、上記した無機質材料の他て酸化チ
タン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、
酸化タンタル、酸化タングステン、酸化クロム、酸化ジ
ルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸[ヒイ
ットリウノ・、酸fヒマンガン等の遷移金属酸化物、更
に酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチ
ウム、酸fヒバリウム、酸化シリコン、等の金属酸化物
及びそftらの複合体、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、窒化ボロン、窒化タンタル等高抵抗窒化物及びこれ
ら酸化物、窒化物の複合体、更にアモルファスノリコン
、アモルファスセレン等の半導体などバルクでは低抵抗
であってもスパッタリング法、CVD法、蒸着法、気相
反応法、液体コーティング法等の製造過程で高抵抗化し
得る薄膜飼料を挙げることが出来、その層厚としては一
般にθ/ ltm〜−9μm、好ましくはθ2μm〜3
、(7mとさ〕上るのが望ましい。
第2図(a)及び(b) K示した実施態様の場合は、
保護層、:2./llと上層部、2//とが共((設け
られているが、本発明においては上部層、2//は必ず
しも積層されている必要はなく、電極の表面に形成され
た保護層2/4tによって電極が液体から保護されてい
れば前述した本発明の目的・効果を達成することが出来
る。
保護層、:2./llと上層部、2//とが共((設け
られているが、本発明においては上部層、2//は必ず
しも積層されている必要はなく、電極の表面に形成され
た保護層2/4tによって電極が液体から保護されてい
れば前述した本発明の目的・効果を達成することが出来
る。
第3図(a)及び(b)に示した実施態様は本発明の好
ましい実施態様であって、上部層と保護層との組合わせ
で構成される被覆層は、後記する他の部分の諸構成と相
俟って、総合的な使用耐久性にすぐれ、製造加“1丁上
に於ける信頼性の高い、且マルチオリフィス化した場合
にも製造歩留りの高い液体噴射記録ヘッドを提供するこ
とが出来る。
ましい実施態様であって、上部層と保護層との組合わせ
で構成される被覆層は、後記する他の部分の諸構成と相
俟って、総合的な使用耐久性にすぐれ、製造加“1丁上
に於ける信頼性の高い、且マルチオリフィス化した場合
にも製造歩留りの高い液体噴射記録ヘッドを提供するこ
とが出来る。
下部層207は、主((熱発生部、2/、、2より発生
する熱の支持体3θ6側への流れを制御する層として設
けられるもので、熱作用部、203に於いて液体て熱エ
ネルギーを作用させる場合には、熱発生部、2/、2よ
り廃生ずる熱が熱作用部、2θj側1(よシ多く流れる
ようにし、電気熱変換体、20/への通電がOFFされ
だ際((は、熱発生部、2/、、2に残存している熱が
、支持体−〇4側に速やか(で流れる様(て構成材料の
選択と、その層厚の設シ]が成される。下部層3θ7を
構成する材料としては、先に挙げたSiO2の他に酸化
ジルコニウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸f
ヒアルミニラム等の金属酸化物に代表される無機質材料
が挙げられる。
する熱の支持体3θ6側への流れを制御する層として設
けられるもので、熱作用部、203に於いて液体て熱エ
ネルギーを作用させる場合には、熱発生部、2/、2よ
り廃生ずる熱が熱作用部、2θj側1(よシ多く流れる
ようにし、電気熱変換体、20/への通電がOFFされ
だ際((は、熱発生部、2/、、2に残存している熱が
、支持体−〇4側に速やか(で流れる様(て構成材料の
選択と、その層厚の設シ]が成される。下部層3θ7を
構成する材料としては、先に挙げたSiO2の他に酸化
ジルコニウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸f
ヒアルミニラム等の金属酸化物に代表される無機質材料
が挙げられる。
発熱抵抗層2θとを構成する材料は、通電されることに
よって、所望通りの熱が発生するものであれば大概のも
のが採用され得る。
よって、所望通りの熱が発生するものであれば大概のも
のが採用され得る。
その様な材料としては、具体的jでは例えば窒化タンタ
ル、ニクロム、銀−パラジウム合金、シリ’37半4体
、或は、ハフニウム、ランタン、ジルコニウム、チタン
、メンタル、タングステン、モリブデン、ニオブ、クロ
ム、バナジウム等の金属の硼化物等が好゛ましいものと
して挙げられる。
ル、ニクロム、銀−パラジウム合金、シリ’37半4体
、或は、ハフニウム、ランタン、ジルコニウム、チタン
、メンタル、タングステン、モリブデン、ニオブ、クロ
ム、バナジウム等の金属の硼化物等が好゛ましいものと
して挙げられる。
これ等の発熱抵抗層3θにを構成する材料の中、殊に金
属硼化物が優れたものとして挙げることが出来、その中
でも最も特性の優れているのが硼化ハフニウムであり、
次いで硼化ジルコニウム、硼化ランタン、硼化メンタル
、硼化バナジウム、硼fヒニオブの順となっている。
属硼化物が優れたものとして挙げることが出来、その中
でも最も特性の優れているのが硼化ハフニウムであり、
次いで硼化ジルコニウム、硼化ランタン、硼化メンタル
、硼化バナジウム、硼fヒニオブの順となっている。
発熱抵抗層3θとは、上記した材料を使用して、電子ビ
ーム蒸着やスパッターリング等の手法を用いて形成する
ことが出来る。
ーム蒸着やスパッターリング等の手法を用いて形成する
ことが出来る。
電極!θ2及び、2/θを構成する材料としては、その
表面に稠密でピンホールの々い無機絶縁材料層を形成す
ることが可能な導電材料、例えば、A4Ta、 Ti、
Mg、 1H,Zr、 V、 W、 Mo、 Nb、
Si、等及びそれらの合金が挙げられ、これらを使用
して、蒸着等の手法で所定位置に、所定の大きさ、形状
厚さで設けられる。
表面に稠密でピンホールの々い無機絶縁材料層を形成す
ることが可能な導電材料、例えば、A4Ta、 Ti、
Mg、 1H,Zr、 V、 W、 Mo、 Nb、
Si、等及びそれらの合金が挙げられ、これらを使用
して、蒸着等の手法で所定位置に、所定の大きさ、形状
厚さで設けられる。
溝付板βθ3及び熱作用部2θ5の上流側に設けられる
共通液室構成部材を構成する材料としては、記録ヘッド
の工作時の、或は使用時の環境下に於いて形状に熱的影
響を受けないか或は殆ど受けないものであって微細精密
加工が容易に適用され得ると共に面精度が所望通りに容
易に出、更には、それ等によって形成される流路中を液
体がスムーズに流れ得る様に加工し得るものであれば、
大概のものが有効である。
共通液室構成部材を構成する材料としては、記録ヘッド
の工作時の、或は使用時の環境下に於いて形状に熱的影
響を受けないか或は殆ど受けないものであって微細精密
加工が容易に適用され得ると共に面精度が所望通りに容
易に出、更には、それ等によって形成される流路中を液
体がスムーズに流れ得る様に加工し得るものであれば、
大概のものが有効である。
第3図(c)は、第2図(b) K示す一点鎖線BB’
で切断した場合の切断面部分図である。
で切断した場合の切断面部分図である。
第2図に示した液体噴射記録ヘッド!θθは、第2図(
d)K示す様に保護層27グは、液流路2θグの熱作用
面、2/3VC接して設けられているが、変形例として
熱作用面、273から離して保護層、27グを設けても
左程差し支えないものである。
d)K示す様に保護層27グは、液流路2θグの熱作用
面、2/3VC接して設けられているが、変形例として
熱作用面、273から離して保護層、27グを設けても
左程差し支えないものである。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
〈実施例〉
Siウェハを熱酸化によりSμm厚の5IO2膜を形成
し基板とした。基板にスパッタによシ発熱抵抗層として
Hf B2 f / 3θθA0の厚みに形成し、続い
て電子ビーム蒸着によりTi層3;OAo、A、を層/
θθθθA0を連続的に堆積した。
し基板とした。基板にスパッタによシ発熱抵抗層として
Hf B2 f / 3θθA0の厚みに形成し、続い
て電子ビーム蒸着によりTi層3;OAo、A、を層/
θθθθA0を連続的に堆積した。
フォトリソ工程により第3図(d)の如きパターンを形
成、熱作用面のサイズは3θμm幅、/jθμm長でA
t電極の抵抗を含めて/jθオームであった。
成、熱作用面のサイズは3θμm幅、/jθμm長でA
t電極の抵抗を含めて/jθオームであった。
次K At電極部のみをボンディング取出し部を除いて
SθθθA°陽極酸化した。
SθθθA°陽極酸化した。
以下にAt電極部の陽極酸化工程を示す。
発熱抵抗層及び電極が所定のパターンに形成された支持
体を洗浄、乾燥後、ホトレジス) OMR−g3(東京
応化製)をスピンナーで塗布し、乾燥後マスクアライナ
−を用いて露光し、現像処理を行ない所望の陽極酸化用
パターンを得た。
体を洗浄、乾燥後、ホトレジス) OMR−g3(東京
応化製)をスピンナーで塗布し、乾燥後マスクアライナ
−を用いて露光し、現像処理を行ない所望の陽極酸化用
パターンを得た。
次K、76% H3PO4溶液を用い、浴温/θ℃で、
電流密度3 mA/cm” 、対電極をptとして、5
分間陽極酸化した。(陽極酸化中は試料は固定し、電解
浴は充分スターラーにより攪拌を行った。)水洗、乾燥
後OMR用剥離剥離液トレジストを剥離した後、充分洗
浄、乾燥し、酸化層の形成工程を終えた。
電流密度3 mA/cm” 、対電極をptとして、5
分間陽極酸化した。(陽極酸化中は試料は固定し、電解
浴は充分スターラーにより攪拌を行った。)水洗、乾燥
後OMR用剥離剥離液トレジストを剥離した後、充分洗
浄、乾燥し、酸化層の形成工程を終えた。
陽極酸化層の形成に続いて5i02スパッタ層を、ハイ
レートスパッタにより!1.?μm堆積させ、更にTa
の65μmスパッタによりTa層を積層した。
レートスパッタにより!1.?μm堆積させ、更にTa
の65μmスパッタによりTa層を積層した。
このl基板上に溝付ガラス板を所定通シに接着した。即
ち、第3図(b)に示しであるのと同様にT/J基板に
インク導入流路と熱作用部を形成する為の溝付ガラス板
(5θμmXjθμm長さ2 arm )が接着されて
いる。
ち、第3図(b)に示しであるのと同様にT/J基板に
インク導入流路と熱作用部を形成する為の溝付ガラス板
(5θμmXjθμm長さ2 arm )が接着されて
いる。
このようにして、液体噴射記録ヘッドを作成した。
この様にして作成した記録ヘッドの電気熱変換体に/゛
θμsの3θ■の矩形電圧をにθθHzで印加すると印
加信号に応じて液体がオリフィスから吐出されて、飛翔
的液滴が安定的に形成された。
θμsの3θ■の矩形電圧をにθθHzで印加すると印
加信号に応じて液体がオリフィスから吐出されて、飛翔
的液滴が安定的に形成された。
この様な液滴の形成を繰り返すと製造不良のヘッドに於
いてはAt電極の電蝕やTa保護層とA7電極間の絶縁
破壊などにより断線が生じインクを吐出しなくなる。こ
の時点での繰返し数を耐久回数という。
いてはAt電極の電蝕やTa保護層とA7電極間の絶縁
破壊などにより断線が生じインクを吐出しなくなる。こ
の時点での繰返し数を耐久回数という。
この耐久回数と、製品歩留りを
(a) 本実施例の構成による記録ヘッド(b)
本実施例πおいて、陽極酸化層を形成させることなく作
製した記録ヘッド(比較例)(c)4:発明の実施例の
一つであるが、本実施例において、陽極酸化層を熱作用
面から離して形成した記録ヘッド の3例について求めた結果(各々サンプル数/θθθに
ついて評価した)を第1表に示す。但し、歩留りはTa
層と配線部とのショートチェックの結果である。
本実施例πおいて、陽極酸化層を形成させることなく作
製した記録ヘッド(比較例)(c)4:発明の実施例の
一つであるが、本実施例において、陽極酸化層を熱作用
面から離して形成した記録ヘッド の3例について求めた結果(各々サンプル数/θθθに
ついて評価した)を第1表に示す。但し、歩留りはTa
層と配線部とのショートチェックの結果である。
第 / 表
第1表の結果から明らかなように本発明のヘッドでは耐
久回数789回を安定して達成出来る。
久回数789回を安定して達成出来る。
従ってマルチヘッドとしての使用に適している。
(b)の構成ではSiO□、Taのスノくツタ層のピン
ホールを通しての記録液の浸透によるAt電極の電蝕及
びAt電極とTa層との絶縁破壊による耐久性及び歩留
り劣化が顕著であった。
ホールを通しての記録液の浸透によるAt電極の電蝕及
びAt電極とTa層との絶縁破壊による耐久性及び歩留
り劣化が顕著であった。
(c)の構成のヘッドでは(a)の場合よりも歩留り、
耐久回数ともや\劣った。その内容は発熱抵抗体と配線
部境界部での断線が多く、この部分でのS iozのス
テップカッ(−レージが悪いことによる。
耐久回数ともや\劣った。その内容は発熱抵抗体と配線
部境界部での断線が多く、この部分でのS iozのス
テップカッ(−レージが悪いことによる。
これは、配線部の膜質を減少させることにより、(a)
構成ヘッドの耐久信頼度へ近づけることが可能である。
構成ヘッドの耐久信頼度へ近づけることが可能である。
即ち、本発明の様に電極部表面を無機絶縁材料に変える
ことによシ保護層を形成することで信頼性、歩留り等が
極端に向上する。この傾向は無機質層としてTa等の良
好な導電度を有する保護層を上部に用いたヘッドの信頼
性向」−ニおいては更に顕著であり、At’)−ド電極
とTa導電性保護層間の絶縁破壊による耐久性の低下は
皆無となる。
ことによシ保護層を形成することで信頼性、歩留り等が
極端に向上する。この傾向は無機質層としてTa等の良
好な導電度を有する保護層を上部に用いたヘッドの信頼
性向」−ニおいては更に顕著であり、At’)−ド電極
とTa導電性保護層間の絶縁破壊による耐久性の低下は
皆無となる。
本実施例においては、電気化学的な陽極酸化を用いて酸
化層を形成を行々つだが、他の部分への悪影響がなけれ
ば、加熱酸化によって酸化層を形成しても良く、また膜
質に問題がなければ、酸化剤てよる表面処理等による化
学的な酸化てよって酸化層を形成してもかまわない。
化層を形成を行々つだが、他の部分への悪影響がなけれ
ば、加熱酸化によって酸化層を形成しても良く、また膜
質に問題がなければ、酸化剤てよる表面処理等による化
学的な酸化てよって酸化層を形成してもかまわない。
さらに、無機絶縁材料、2/りは、酸化物に限らず窒化
、硼化、炭化等によって、窒化物、硼化物、炭化物等を
形成しても良い。
、硼化、炭化等によって、窒化物、硼化物、炭化物等を
形成しても良い。
また、本実施例においては、陽極酸化する際熱作用面2
73の酸化を防ぐためその部分をパターニングしたが、
発熱抵抗体βθにの酸化が無視しうる場合、捷たは発熱
抵抗体3θにの膜厚を厚くする等の基板設計上無視しう
るよってした場合は、パターニングの必要性はない。第
3図は熱作用面373部をパターニングせずに陽極酸化
した場合の切断面部分図であり、第3図(b) K相当
するものである。
73の酸化を防ぐためその部分をパターニングしたが、
発熱抵抗体βθにの酸化が無視しうる場合、捷たは発熱
抵抗体3θにの膜厚を厚くする等の基板設計上無視しう
るよってした場合は、パターニングの必要性はない。第
3図は熱作用面373部をパターニングせずに陽極酸化
した場合の切断面部分図であり、第3図(b) K相当
するものである。
さらに、本実施例における陽極酸化法においてはりん酸
浴による、陽極酸化法であるが、これは陽極化成が可能
で、前記の特性をもつ保護膜を形成できる電解浴なら何
でも良く、例えば硫酸、しゆう酸、クエン酸、酒石酸、
クロム酸、ホウ酸等があげられ、それらの混浴でもかま
わない。また電解条件は成膜された2/グ層が先述の特
性を得る条件であれば良く、さらに、ピンホールを減少
させるために、封孔処理、もしくは、ホウ酸十ホウ酸ナ
トリウム等の中性浴で二次電解することによるPore
filling した場合はさらに良い膜厚となる。
浴による、陽極酸化法であるが、これは陽極化成が可能
で、前記の特性をもつ保護膜を形成できる電解浴なら何
でも良く、例えば硫酸、しゆう酸、クエン酸、酒石酸、
クロム酸、ホウ酸等があげられ、それらの混浴でもかま
わない。また電解条件は成膜された2/グ層が先述の特
性を得る条件であれば良く、さらに、ピンホールを減少
させるために、封孔処理、もしくは、ホウ酸十ホウ酸ナ
トリウム等の中性浴で二次電解することによるPore
filling した場合はさらに良い膜厚となる。
また、本発明における該保護層の形成方法は、Au、
Pt、、 Ag等の酸化物を形成しにくい配線材料の上
部に酸化膜を容易て形成する材料を蒸着、スパッタリン
グ、CVD等によって層を形成し、その後その層だけを
酸化することによって保護層を形成することをも含む。
Pt、、 Ag等の酸化物を形成しにくい配線材料の上
部に酸化膜を容易て形成する材料を蒸着、スパッタリン
グ、CVD等によって層を形成し、その後その層だけを
酸化することによって保護層を形成することをも含む。
第1図(aL (b)は夫々、従来の記録ヘッドを説明
する為のもので、第1図(a)は模式的正面部分図、第
1図(b)は第1図(a)のxx’一点鎖線での切断面
部分図、第2図(a)、 (b)、 (c)、 (d)
は夫々本発明の記録ヘッドの実施態様の7つを説明する
為のもので、第3図(a)は模式的正面部分図、第2図
(b)は第2図(a)に示すAA’一点鎖線での切断面
部分図、第2図(C)は第2図(b)に示すBB’一点
鎖線での切断面部分図、第2図(d)はT/J基板の模
式的平面部分図、第3図は本発明の他の実施例を示す模
式的断面図である0/θ/2,2θθ記録ヘツド /θ3,2θ/ 電気熱変換体 /θ32.2θ2基板 /θグ5.2θ3溝付板 /θs、 2/g オリフィス /θ乙1.2θグ 液流路 /θ71.2θ5熱作用部 /θに2.2/コ熱発生部 /θ’i’、:2/3 熱作用面 !θ乙支持体 //θ5.2θ7下部層 ///、、2θに発熱抵抗層 //、、2..2// 上部層 、2/乙 〃 2/7 〃 一?/ll保護層 //3..2θ2 電極(共通) //’l、 2/θ 〃 (選択) 、2/j発熱抵抗層の酸化物層 I!!1 図 (a) 第 1 図 (b)
する為のもので、第1図(a)は模式的正面部分図、第
1図(b)は第1図(a)のxx’一点鎖線での切断面
部分図、第2図(a)、 (b)、 (c)、 (d)
は夫々本発明の記録ヘッドの実施態様の7つを説明する
為のもので、第3図(a)は模式的正面部分図、第2図
(b)は第2図(a)に示すAA’一点鎖線での切断面
部分図、第2図(C)は第2図(b)に示すBB’一点
鎖線での切断面部分図、第2図(d)はT/J基板の模
式的平面部分図、第3図は本発明の他の実施例を示す模
式的断面図である0/θ/2,2θθ記録ヘツド /θ3,2θ/ 電気熱変換体 /θ32.2θ2基板 /θグ5.2θ3溝付板 /θs、 2/g オリフィス /θ乙1.2θグ 液流路 /θ71.2θ5熱作用部 /θに2.2/コ熱発生部 /θ’i’、:2/3 熱作用面 !θ乙支持体 //θ5.2θ7下部層 ///、、2θに発熱抵抗層 //、、2..2// 上部層 、2/乙 〃 2/7 〃 一?/ll保護層 //3..2θ2 電極(共通) //’l、 2/θ 〃 (選択) 、2/j発熱抵抗層の酸化物層 I!!1 図 (a) 第 1 図 (b)
Claims (3)
- (1) 液体を吐出して飛41的液滴を形成する為に
設けら11だオリフィスと、該オリフィスに連通し、A
il記液滴を形成する為の熱エネルギーが液体に作用す
る部分である熱作用部を構成の一部とする液流路とを有
する液吐出部と、基板上に設けらi’した発熱抵抗層に
電気的に接続して、少なくとも一対の対置する電極が設
けられ、これ等電極の間に熱発生部が形成されている電
気熱変換体とを具備する液体噴射記録ヘッドにおいで、
該電極表面を変質させることによって形成され、且無機
絶縁材料化された保護層を一部することを特徴とする液
体噴射記録ヘッド。 - (2)該保護層が酸化物、窒化物、硼化物又は炭化物層
である特許請求の範囲第1項記載の液体噴射記録ヘット
。 - (3)該保護層が酸化物層である特許請求の範囲第3項
記載の液体噴射記録ヘッド。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58016900A JPH0643128B2 (ja) | 1983-02-05 | 1983-02-05 | インクジェットヘッド |
DE19843403643 DE3403643A1 (de) | 1983-02-05 | 1984-02-02 | Fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungskopf |
FR8401676A FR2540435B1 (fr) | 1983-02-05 | 1984-02-03 | Tete d'enregistrement a jet de liquide |
US06/867,890 US4694306A (en) | 1983-02-05 | 1986-05-20 | Liquid jet recording head with a protective layer formed by converting the surface of a transducer into an insulating material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58016900A JPH0643128B2 (ja) | 1983-02-05 | 1983-02-05 | インクジェットヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59143650A true JPS59143650A (ja) | 1984-08-17 |
JPH0643128B2 JPH0643128B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=11929015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58016900A Expired - Lifetime JPH0643128B2 (ja) | 1983-02-05 | 1983-02-05 | インクジェットヘッド |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4694306A (ja) |
JP (1) | JPH0643128B2 (ja) |
DE (1) | DE3403643A1 (ja) |
FR (1) | FR2540435B1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60109850A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-06-15 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 熱インジクジエツト・プリントヘツド |
JPS60120067A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
JPS60157872A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-19 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
WO1998042513A1 (fr) * | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Tete d'impression et enregistreur a stylet utilisant la tete d'impression |
US6238041B1 (en) | 1996-06-26 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat-generator supporting member for ink-jet head and ink-jet head employing the same |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2151555B (en) * | 1983-11-30 | 1988-05-05 | Canon Kk | Liquid jet recording head |
JPS62152864A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツドの製造方法 |
US4860033A (en) * | 1987-02-04 | 1989-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Base plate having an oxidation film and an insulating film for ink jet recording head and ink jet recording head using said base plate |
EP0345724B1 (en) * | 1988-06-07 | 1995-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording head and recording device having the same head |
US5068674A (en) * | 1988-06-07 | 1991-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording head stabilization |
JP2744472B2 (ja) * | 1988-06-17 | 1998-04-28 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 |
US5210549A (en) * | 1988-06-17 | 1993-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head having resistor formed by oxidization |
US5858197A (en) * | 1988-06-17 | 1999-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for manufacturing substrate for ink jet recording head using anodic oxidation |
JP2840271B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-12-24 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド |
EP0393976B1 (en) * | 1989-04-18 | 1994-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for ink jet head, ink jet head formed by use of said substrate, and ink jet apparatus equipped with said head |
DE69122726T2 (de) * | 1990-12-12 | 1997-03-13 | Canon Kk | Tintenstrahlaufzeichnung |
US5946013A (en) * | 1992-12-22 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head having a protective layer with a controlled argon content |
US5660739A (en) * | 1994-08-26 | 1997-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing substrate for ink jet recording head, ink jet recording head and ink jet recording apparatus |
JP3397473B2 (ja) * | 1994-10-21 | 2003-04-14 | キヤノン株式会社 | 液体噴射ヘッド用素子基板を用いた液体噴射ヘッド、該ヘッドを用いた液体噴射装置 |
US5901425A (en) | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
JP3586119B2 (ja) | 1998-10-27 | 2004-11-10 | キヤノン株式会社 | ヘッド基体、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ |
JP2000334956A (ja) | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Casio Comput Co Ltd | インクジェットプリンタヘッド及びその製造方法 |
US20020158945A1 (en) | 2001-04-30 | 2002-10-31 | Miller Richard Todd | Heating element of a printhead having resistive layer over conductive layer |
US7195343B2 (en) * | 2004-08-27 | 2007-03-27 | Lexmark International, Inc. | Low ejection energy micro-fluid ejection heads |
US7862156B2 (en) * | 2007-07-26 | 2011-01-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Heating element |
US7837886B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-11-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Heating element |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4899080A (ja) * | 1972-03-30 | 1973-12-15 | ||
JPS5811169A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Canon Inc | 液体噴射記録法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2455048A1 (de) * | 1973-11-23 | 1975-11-13 | Anvar | Verfahren zur herstellung von oberflaechenueberzuegen, sowie mittels desselben erhaltene ueberzuege und ueberzogene werkstuecke |
US3973106A (en) * | 1974-11-15 | 1976-08-03 | Hewlett-Packard Company | Thin film thermal print head |
DE3011919A1 (de) * | 1979-03-27 | 1980-10-09 | Canon Kk | Verfahren zur herstellung eines aufzeichnungskopfes |
AU527059B2 (en) * | 1979-03-27 | 1983-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid droplet ejecting recording head |
US4361842A (en) * | 1979-09-14 | 1982-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording method using film forming liquid composition |
JPS5833472A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-26 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
US4535343A (en) * | 1983-10-31 | 1985-08-13 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead with self-passivating elements |
-
1983
- 1983-02-05 JP JP58016900A patent/JPH0643128B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-02-02 DE DE19843403643 patent/DE3403643A1/de active Granted
- 1984-02-03 FR FR8401676A patent/FR2540435B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-05-20 US US06/867,890 patent/US4694306A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4899080A (ja) * | 1972-03-30 | 1973-12-15 | ||
JPS5811169A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Canon Inc | 液体噴射記録法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60109850A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-06-15 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 熱インジクジエツト・プリントヘツド |
JPS60120067A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
JPS60157872A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-19 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
US6238041B1 (en) | 1996-06-26 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat-generator supporting member for ink-jet head and ink-jet head employing the same |
WO1998042513A1 (fr) * | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Tete d'impression et enregistreur a stylet utilisant la tete d'impression |
US6447107B1 (en) | 1997-03-26 | 2002-09-10 | Seiko Epson Corporation | Printing head and ink jet recording apparatus using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4694306A (en) | 1987-09-15 |
DE3403643C2 (ja) | 1993-01-07 |
DE3403643A1 (de) | 1984-08-09 |
FR2540435B1 (fr) | 1988-02-12 |
FR2540435A1 (fr) | 1984-08-10 |
JPH0643128B2 (ja) | 1994-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59143650A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
US4596994A (en) | Liquid jet recording head | |
US4663640A (en) | Recording head | |
US4450457A (en) | Liquid-jet recording head | |
JPS60157872A (ja) | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 | |
JPH0729431B2 (ja) | 液体噴射記録ヘツドの作成方法 | |
JPS59106974A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
JPH0729433B2 (ja) | 液体噴射記録ヘツドの作成方法 | |
JP2612580B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド及び該ヘッド用基板 | |
JPS59194860A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
JPH01145158A (ja) | 液体噴射記録ヘッド及び該ヘッド用基板 | |
JP2815146B2 (ja) | インクジェット記録ヘッド用基体及びインクジェット記録ヘッド並びに該記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置 | |
JPS5943315B2 (ja) | 液滴噴射記録ヘツド | |
JPH0567426B2 (ja) | ||
JPH064326B2 (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
JPH064323B2 (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
JPS62220345A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
JPH0584910A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
JPH08118646A (ja) | インクジェットヘッド及び該ヘッドの製造法 | |
JPS60120067A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
JPH02192950A (ja) | 液体噴射記録装置 | |
JPH0471711B2 (ja) | ||
JPS59124871A (ja) | 液体噴射記録装置 | |
JPS6198549A (ja) | 液体噴射記録ヘツドの製造方法 | |
JPH08244228A (ja) | インクジェット記録ヘッドの発熱体基板及びその発熱体基板の形成方法 |