JPS5943315B2 - 液滴噴射記録ヘツド - Google Patents
液滴噴射記録ヘツドInfo
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- JPS5943315B2 JPS5943315B2 JP17133579A JP17133579A JPS5943315B2 JP S5943315 B2 JPS5943315 B2 JP S5943315B2 JP 17133579 A JP17133579 A JP 17133579A JP 17133579 A JP17133579 A JP 17133579A JP S5943315 B2 JPS5943315 B2 JP S5943315B2
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 62
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 229910003862 HfB2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 T:B2 Chemical compound 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019918 CrB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017767 Cu—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001347 Stellite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007948 ZrB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N boron;zirconium Chemical compound B#[Zr]#B VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHICWQREWHDHHF-UHFFFAOYSA-N chromium;cobalt;iron;manganese;methane;molybdenum;nickel;silicon;tungsten Chemical compound C.[Si].[Cr].[Mn].[Fe].[Co].[Ni].[Mo].[W] AHICWQREWHDHHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N oxidoboron Chemical class O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
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- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
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- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
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- B41J2/16—Production of nozzles
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- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液体を噴射し、飛翔液滴を形成して記録を行
なう装置に適用される液体噴射記録ヘッドに関する。
なう装置に適用される液体噴射記録ヘッドに関する。
ノンインパクト記録方法は、記録時に於ける騒音の発声
が無視し得る程度に済めて小さいという点に於いて、最
近関心を集めている。
が無視し得る程度に済めて小さいという点に於いて、最
近関心を集めている。
その中で、高速記録か可能であり、而も所謂普通紙に定
着という特別な処理を必要とせずに記録の行える所謂イ
ンクジェット記録法(液体噴射記録法)は、極めて有力
な記録法であつて、これ迄にも様々な方式の提案とそれ
を具備化する装置が考案され、改良が加えられて商品化
されたものもあれば、現在も尚実用化への努力が続けら
れているものもある。その中で、例えば特開昭54−5
1837号公報、ドイツ公開(DOLS)第28430
64号公法に記載されてある液体噴射記録法は、液滴形
成エネルギーである熱エネルギーを液体に作用させて、
液滴吐出の為の原動力を得るという点に於いて、他の液
体噴射記録法とは、異なる特徴を有している。即ち、上
記の公報に開示されてある記録法は、熱エネルギーの作
用を受けた液体ば急峻な体積の増大を伴う状態変化を起
し、該状態変化に基く作用力によつて、記録ヘッド部先
端のオリフィスより液滴が吐出、飛翔して被記録部材に
付着し記録か行われるという特徴である。
着という特別な処理を必要とせずに記録の行える所謂イ
ンクジェット記録法(液体噴射記録法)は、極めて有力
な記録法であつて、これ迄にも様々な方式の提案とそれ
を具備化する装置が考案され、改良が加えられて商品化
されたものもあれば、現在も尚実用化への努力が続けら
れているものもある。その中で、例えば特開昭54−5
1837号公報、ドイツ公開(DOLS)第28430
64号公法に記載されてある液体噴射記録法は、液滴形
成エネルギーである熱エネルギーを液体に作用させて、
液滴吐出の為の原動力を得るという点に於いて、他の液
体噴射記録法とは、異なる特徴を有している。即ち、上
記の公報に開示されてある記録法は、熱エネルギーの作
用を受けた液体ば急峻な体積の増大を伴う状態変化を起
し、該状態変化に基く作用力によつて、記録ヘッド部先
端のオリフィスより液滴が吐出、飛翔して被記録部材に
付着し記録か行われるという特徴である。
將に、DOLS2843064に開示されている液体噴
射記録法は、所謂drop−ondemand記録法に
極めて有効に適用されるばかりではなく、記録ヘッド部
をfulllineタイプで高密度マルチオリフィス化
として容易に具現化出来るので、高解像度、高品質の画
像を高速で得られるという特徴を有している。
射記録法は、所謂drop−ondemand記録法に
極めて有効に適用されるばかりではなく、記録ヘッド部
をfulllineタイプで高密度マルチオリフィス化
として容易に具現化出来るので、高解像度、高品質の画
像を高速で得られるという特徴を有している。
この様に、上記の液体噴射記録法は、優れた特徴を有す
るものであるが、高解像度、高品質の画像を更に高速で
長時間記録する場合、或いは装置の使用寿命を飛躍的に
向上させるには、記録ヘツドの繰返し使用寿命(耐久寿
命)を向上させる必要がある。
るものであるが、高解像度、高品質の画像を更に高速で
長時間記録する場合、或いは装置の使用寿命を飛躍的に
向上させるには、記録ヘツドの繰返し使用寿命(耐久寿
命)を向上させる必要がある。
上記の如き記録法に適用される記録ヘツドの使用寿命を
決定している主たる要因は、具備される電気・熱変換体
の寿命である。
決定している主たる要因は、具備される電気・熱変換体
の寿命である。
即ち、上記の記録法に適用される記録ヘツドは、例え(
f、゛第1図A,bに示す様な構造を有しているもので
あり電気・熱変換体102は、液滴形成エネルギー作用
部である熱作用部107に於いて、エネルギー作用面と
しての熱作用面109を介して矢印Aより導入される液
体と接触している構成とするのが、発生される液滴形成
エネルギーとしての熱エネルギーを熱作用部107にあ
る液体に有効且つ効率良く作用させ得るという点で一般
的である。その為に、使用される記録液にもよるが、通
常の水を液媒体とする様な記録液を使用する場合には、
該記録液を通じての電極113,114間の電気的リー
クを防止する事、及び発熱抵抗層111を前記記録液か
ら、或いは熱的酸化から保護する為に上層部112が少
なくとも熱発生部108に於ける部分には、発熱抵抗層
111上に設けられる。
f、゛第1図A,bに示す様な構造を有しているもので
あり電気・熱変換体102は、液滴形成エネルギー作用
部である熱作用部107に於いて、エネルギー作用面と
しての熱作用面109を介して矢印Aより導入される液
体と接触している構成とするのが、発生される液滴形成
エネルギーとしての熱エネルギーを熱作用部107にあ
る液体に有効且つ効率良く作用させ得るという点で一般
的である。その為に、使用される記録液にもよるが、通
常の水を液媒体とする様な記録液を使用する場合には、
該記録液を通じての電極113,114間の電気的リー
クを防止する事、及び発熱抵抗層111を前記記録液か
ら、或いは熱的酸化から保護する為に上層部112が少
なくとも熱発生部108に於ける部分には、発熱抵抗層
111上に設けられる。
斯かる記録ヘツドを使用する様に
DOLS2843O64に開示された記録法に於ける液
滴形成原理は前記使用した様に電気・熱変換体への通電
が0Nされると液滴形成エネルギーである熱エネルギー
の作用を受けた、熱作用部107にある記録液が急激な
体積の増大を伴う状態変化、即ち、熱作用部107にあ
る記録液かμSec程度以下という非常に瞬時間の中に
気化状態に達し、熱作用部107に於いて、瞬時の中に
気泡の発生とその成長が起り、次いで、前記通電が0F
Fされるとそれに付随して、前記気泡は瞬時的にその体
積を収縮し、消滅する。
滴形成原理は前記使用した様に電気・熱変換体への通電
が0Nされると液滴形成エネルギーである熱エネルギー
の作用を受けた、熱作用部107にある記録液が急激な
体積の増大を伴う状態変化、即ち、熱作用部107にあ
る記録液かμSec程度以下という非常に瞬時間の中に
気化状態に達し、熱作用部107に於いて、瞬時の中に
気泡の発生とその成長が起り、次いで、前記通電が0F
Fされるとそれに付随して、前記気泡は瞬時的にその体
積を収縮し、消滅する。
この収縮消滅のスピードは、前記気泡の発生と成長のス
ピードに略々等しいか或いは、多少遅い程度の極めて速
いものである。この気泡の発生・成長・収縮・消滅の繰
返しに於いて、殊に、この過程の後半である気泡の戊縮
・消滅が、電気・熱変換体の使用寿命を決める大きな要
因である事を、本発明者等は多大な実験の繰返しと注意
深い検討の結果見出した。
ピードに略々等しいか或いは、多少遅い程度の極めて速
いものである。この気泡の発生・成長・収縮・消滅の繰
返しに於いて、殊に、この過程の後半である気泡の戊縮
・消滅が、電気・熱変換体の使用寿命を決める大きな要
因である事を、本発明者等は多大な実験の繰返しと注意
深い検討の結果見出した。
即ち、上記の気泡の収縮・消滅の過程が著しく高速度で
ある為に、それによるシヨツク波が熱作用面109を直
撃する。
ある為に、それによるシヨツク波が熱作用面109を直
撃する。
従つて、液滴吐出を繰返す毎にこのシヨツク波で熱作用
面109が打撃を受け、やがては、そのシヨツク波が原
因で、浸蝕或いは破壊される様になる。殊に、電気・熱
変換体108を駆動する印加パルス信号の印加周波数(
駆動周波数)が高くなればなる程、即ち、高速記録を行
う為に液滴形成頻度を高めれば高める程、又、印加パル
ス信号のレベル値を高めれば高める程、前記シヨツク波
による熱作用面109の打撃は大きくなり、電気・熱交
換体102の使用寿命を短かくする根本的要因となつて
いる。更に、電気・熱交換体102の通電の0N・0F
F時の熱作用面109の温度差は著しく大きく、且つ、
単時間の中にその温度差が形成される為に熱的要因によ
る応力が熱発生部108に掛かるので、上部層112に
歪が生じて、クラツクが生じ易くなり、これも又、電気
・熱交換体の繰返し使用寿命を左右する要因の1つにな
つている。
面109が打撃を受け、やがては、そのシヨツク波が原
因で、浸蝕或いは破壊される様になる。殊に、電気・熱
変換体108を駆動する印加パルス信号の印加周波数(
駆動周波数)が高くなればなる程、即ち、高速記録を行
う為に液滴形成頻度を高めれば高める程、又、印加パル
ス信号のレベル値を高めれば高める程、前記シヨツク波
による熱作用面109の打撃は大きくなり、電気・熱交
換体102の使用寿命を短かくする根本的要因となつて
いる。更に、電気・熱交換体102の通電の0N・0F
F時の熱作用面109の温度差は著しく大きく、且つ、
単時間の中にその温度差が形成される為に熱的要因によ
る応力が熱発生部108に掛かるので、上部層112に
歪が生じて、クラツクが生じ易くなり、これも又、電気
・熱交換体の繰返し使用寿命を左右する要因の1つにな
つている。
この様に、上記の記録ヘツドに於いては、生産性腐量産
性及び歩留りも加昧して使用寿命を更に延ばす必要があ
るという要因を内在している点で未だ解決される可き点
が存在していた。本発明は、上記に鑑み成されたもので
あつて、前記した公報、殊にDOLS2843O64に
記載された記録法に適用される記録ヘツドに於いて、使
用寿命が格段に長く、然も液滴安定吐出の信頼性が著し
く高く、故障率が従来に較べ遥かに低い液体噴射記録ヘ
ツドを提供する事を目的とする。
性及び歩留りも加昧して使用寿命を更に延ばす必要があ
るという要因を内在している点で未だ解決される可き点
が存在していた。本発明は、上記に鑑み成されたもので
あつて、前記した公報、殊にDOLS2843O64に
記載された記録法に適用される記録ヘツドに於いて、使
用寿命が格段に長く、然も液滴安定吐出の信頼性が著し
く高く、故障率が従来に較べ遥かに低い液体噴射記録ヘ
ツドを提供する事を目的とする。
本発明の液体噴射記録ヘツドは、液体を吐出する為に設
けられたオリフイスと、該オリフイスに連通し、液滴を
吐出する為の熱エネルギーが液体に作用する部分である
熱作用部とを有する液吐出部と、前記熱エネルギーを発
生する手段としての電気・熱交換体とを具備する液体噴
射記録ヘツドに於いて、前記熱作用部の液体と接触する
部分が、純度99.9%のアルミニウム板の、重量減少
試験に於ける試験面の単位面積当りの重量減少量△W(
Al)がl〜/CTIiになる時の時間tに於ける単位
面積当りの重量減少量△Wが△W(Al)の1/10以
下である物質で構成されている事を特徴とする。この様
な構成として設計される本発明の液体噴射記録ヘツドは
、高速記録を行う為に液滴形成頻度を著しく高めても、
又電気熱変換体に入力されるパルス信号のレベル値が高
くなつても長時間連続して安定な液滴吐出を行う事が出
来る。
けられたオリフイスと、該オリフイスに連通し、液滴を
吐出する為の熱エネルギーが液体に作用する部分である
熱作用部とを有する液吐出部と、前記熱エネルギーを発
生する手段としての電気・熱交換体とを具備する液体噴
射記録ヘツドに於いて、前記熱作用部の液体と接触する
部分が、純度99.9%のアルミニウム板の、重量減少
試験に於ける試験面の単位面積当りの重量減少量△W(
Al)がl〜/CTIiになる時の時間tに於ける単位
面積当りの重量減少量△Wが△W(Al)の1/10以
下である物質で構成されている事を特徴とする。この様
な構成として設計される本発明の液体噴射記録ヘツドは
、高速記録を行う為に液滴形成頻度を著しく高めても、
又電気熱変換体に入力されるパルス信号のレベル値が高
くなつても長時間連続して安定な液滴吐出を行う事が出
来る。
更に、本発明の液体噴射記録ヘツドは上記の様な優れた
特性を有する他に、生産性、量産性及び歩留りが良く製
造することが出来るのでコスト面に於いても充分優れて
いるものである。以下、本発明を図面に従つて具体的に
説明する。
特性を有する他に、生産性、量産性及び歩留りが良く製
造することが出来るのでコスト面に於いても充分優れて
いるものである。以下、本発明を図面に従つて具体的に
説明する。
第2図aは、本発明の好適な例の1つとしての液体噴射
記録ヘツドのオリフイス側から見た正面部分図、第2図
bは、第2図aに一点鎖線XYで示す部分で切断した場
合の切断面部分図である。図に示される記録ヘツド20
1は、その表面に電気熱変換体202が設けられている
基板203の表面に、所定の線密度で所定の巾と深さの
溝が所定数設けられている溝付板204で覆う様に接合
することによつて、オリフイス205と液吐出部206
が形成された構造を有している。図に示す記録ヘツド2
01の場合、オリフイス205を複数有するものとして
示されてあるが、勿論本発明は、これに限定されるもの
ではなく単一オリフイスの場合の記録ヘツドへの適用の
場合も本発明の範囲に這入るものである。液吐出部20
6は、その終端に液滴を吐出させる為のオリフイス20
5と、電気熱変換体202より発生される熱エネルギー
が液体に作用して気泡を発生し、その体積の膨張と収縮
に依る急激な状態変化を引起す処である熱作用部207
とを有する。
記録ヘツドのオリフイス側から見た正面部分図、第2図
bは、第2図aに一点鎖線XYで示す部分で切断した場
合の切断面部分図である。図に示される記録ヘツド20
1は、その表面に電気熱変換体202が設けられている
基板203の表面に、所定の線密度で所定の巾と深さの
溝が所定数設けられている溝付板204で覆う様に接合
することによつて、オリフイス205と液吐出部206
が形成された構造を有している。図に示す記録ヘツド2
01の場合、オリフイス205を複数有するものとして
示されてあるが、勿論本発明は、これに限定されるもの
ではなく単一オリフイスの場合の記録ヘツドへの適用の
場合も本発明の範囲に這入るものである。液吐出部20
6は、その終端に液滴を吐出させる為のオリフイス20
5と、電気熱変換体202より発生される熱エネルギー
が液体に作用して気泡を発生し、その体積の膨張と収縮
に依る急激な状態変化を引起す処である熱作用部207
とを有する。
熱作用部207は、電気熱変換体202の熱発生部20
8の上部に位置し、熱発生部208の液体と接触する部
分である熱作用面209をその底面としている。
8の上部に位置し、熱発生部208の液体と接触する部
分である熱作用面209をその底面としている。
熱発生部208は、基板203上に設けられた下部層2
10、該下部層210上に設けられた発熱抵抗層211
、該発熱抵抗層211上に設けられた上部層212とで
構成されている。
10、該下部層210上に設けられた発熱抵抗層211
、該発熱抵抗層211上に設けられた上部層212とで
構成されている。
発熱抵抗層211には、熱を発生させる為に該層211
に通電する為の電極213,214がその表面に設けら
れてある。電極213は、各液吐出部の熱発生部に共通
の電極であり、電極214は、谷液吐出部の熱発生部を
選択して発熱させる為の選択電極であつて、液吐出部の
流路に沿つて設けられてある。上部層212は、発熱抵
抗層211を、使用する液体から化学的・物理的に保護
する為に発熱抵抗層211と液吐出部206にある液体
とを隔絶すると共に、液体を通じて電極213,214
間が短絡するのを防止する、発熱抵抗層211の保護的
機能を有している。
に通電する為の電極213,214がその表面に設けら
れてある。電極213は、各液吐出部の熱発生部に共通
の電極であり、電極214は、谷液吐出部の熱発生部を
選択して発熱させる為の選択電極であつて、液吐出部の
流路に沿つて設けられてある。上部層212は、発熱抵
抗層211を、使用する液体から化学的・物理的に保護
する為に発熱抵抗層211と液吐出部206にある液体
とを隔絶すると共に、液体を通じて電極213,214
間が短絡するのを防止する、発熱抵抗層211の保護的
機能を有している。
下部層210は、主に熱流量制御機能を有する。
即ち、液滴吐出の際には、発熱抵抗層211で発生する
熱か基板203側の方に伝導するよりも、熱作用部20
7側の方に伝導する割合が出来る限り多くなり、液滴吐
出後、詰り発熱抵抗層211への通電が0FFされた後
には、熱作用部207及び熱発生部208にある熱が速
かに基板203側に放出されて、熱作用部207にある
液体及び発生した気泡が急冷される為に設けられる。本
発明の液体噴射記録ヘツド201に於いては、その特徴
として、熱作用部207の液体と接触す−る壁面の部分
である熱作用面209が、純度99.9%のアルミニウ
ム板をテストスタンダードとして、その重量減少試験に
於ける試験面の単位面積当りの重量減少量△W(Al)
が1Tnf/Cdになる時の、テスト開始からの経過時
間tに於ける単位面積当りの重量減少量△Wが△W(A
l)のl/10以下である物質で構成されるものである
。第2図に於いては、上部層212を二層構成とし、液
吐出部206の構成要素である液体流路の壁面を形成す
る表面層212−1を、上記の物性質を有する物質で構
成している。
熱か基板203側の方に伝導するよりも、熱作用部20
7側の方に伝導する割合が出来る限り多くなり、液滴吐
出後、詰り発熱抵抗層211への通電が0FFされた後
には、熱作用部207及び熱発生部208にある熱が速
かに基板203側に放出されて、熱作用部207にある
液体及び発生した気泡が急冷される為に設けられる。本
発明の液体噴射記録ヘツド201に於いては、その特徴
として、熱作用部207の液体と接触す−る壁面の部分
である熱作用面209が、純度99.9%のアルミニウ
ム板をテストスタンダードとして、その重量減少試験に
於ける試験面の単位面積当りの重量減少量△W(Al)
が1Tnf/Cdになる時の、テスト開始からの経過時
間tに於ける単位面積当りの重量減少量△Wが△W(A
l)のl/10以下である物質で構成されるものである
。第2図に於いては、上部層212を二層構成とし、液
吐出部206の構成要素である液体流路の壁面を形成す
る表面層212−1を、上記の物性質を有する物質で構
成している。
図に於いては、電極213,214表面及び熱発生部2
08に於いては発熱抵抗層211表面を被覆する様に設
けられた中間層212−2の表面を被覆する様に上記物
性値を有する表面層212一1が設けられている。
08に於いては発熱抵抗層211表面を被覆する様に設
けられた中間層212−2の表面を被覆する様に上記物
性値を有する表面層212一1が設けられている。
表面層212−1を構成する材判として、本発明に於い
て有効に使用されるのは、上記の物性値を示すものが挙
げられるが、その他配列粒子が細かい、且つ粒子の配列
構造が綴密であること、粘り強いこと、硬度が高いこと
、抗張力が大きいこと、疲労限が高いこと、等々の物性
要件を満足するものから選択されるのが一層好ましいも
のである。その様な材利としては、例えば周期律表第a
族、Va族、同a族、同第a族、同第族に層するところ
の金層或いは、これ等の合金又は、これ等の中のものの
少なくとも1つと、Au,Ag,Cu,Alの中の少な
くとも1つとの合金、周期律表第a族、同Va族、同第
a族に層するところの元素の炭化物、窒化物、硼化物或
いは硅化物等の化合物、又はこれ等の化合物と上記した
金属又は合金との混合物か好適なものとして挙げること
か出来る。
て有効に使用されるのは、上記の物性値を示すものが挙
げられるが、その他配列粒子が細かい、且つ粒子の配列
構造が綴密であること、粘り強いこと、硬度が高いこと
、抗張力が大きいこと、疲労限が高いこと、等々の物性
要件を満足するものから選択されるのが一層好ましいも
のである。その様な材利としては、例えば周期律表第a
族、Va族、同a族、同第a族、同第族に層するところ
の金層或いは、これ等の合金又は、これ等の中のものの
少なくとも1つと、Au,Ag,Cu,Alの中の少な
くとも1つとの合金、周期律表第a族、同Va族、同第
a族に層するところの元素の炭化物、窒化物、硼化物或
いは硅化物等の化合物、又はこれ等の化合物と上記した
金属又は合金との混合物か好適なものとして挙げること
か出来る。
具体的には、周期律表第a族の金属としては、Tl,Z
r,Hf,かVa族の金属としては、Nb,Taがa族
の金属としてはCr,MO,Wがa族の金属としてはM
nが族の金属としては、CO,Nl,Feか各々好まし
い材相として挙げることが出来る。
r,Hf,かVa族の金属としては、Nb,Taがa族
の金属としてはCr,MO,Wがa族の金属としてはM
nが族の金属としては、CO,Nl,Feか各々好まし
い材相として挙げることが出来る。
上記に挙げた金属の合金としては、例えばTl−Mn(
Mn5〜30%)、ステライト(CO,Cr,Fe,W
)、コルモノイ(Ni,Cr,B,Fe)NiCr(C
rlO〜30%)、Ta−Ti等が、本発明に於いては
、好ましいものとして適用することが出来る。
Mn5〜30%)、ステライト(CO,Cr,Fe,W
)、コルモノイ(Ni,Cr,B,Fe)NiCr(C
rlO〜30%)、Ta−Ti等が、本発明に於いては
、好ましいものとして適用することが出来る。
Au,Ag,Cu,Al,の中の少なくとも1つと、上
記した金属との中の少なくとも1つとの合金の中で殊に
好ましい材料として挙げることの出来るのは、具体的に
は例えば、アルミニウム青銅(Cu−Al)、Ti−A
u.Ta−Au等がある。
記した金属との中の少なくとも1つとの合金の中で殊に
好ましい材料として挙げることの出来るのは、具体的に
は例えば、アルミニウム青銅(Cu−Al)、Ti−A
u.Ta−Au等がある。
本発明に於いて、炭化物、窒化物、硼化物或いは硅化物
として、殊に好ましい材料として挙げられるのは、具体
的には、例えばWc,HfB2,ZrB2,T:B2,
TaC,CrB2,Si3C4,MOSl2,Cr3C
2,WC−CO,Cr3C2−Ni等である。本発明に
於いては、表面層212−1は、上記した材相を使用し
て、デイツピング、スピンナー等の途布法によつて、塗
布し焼付するか、或いは、スパツターリング、イオンプ
レーテイング、真空蒸着等の真空堆積法によつて層形成
され、殊に好ましい結果が得られる薄膜層が形成し得る
真空堆積法の採用は、本発明に於いて望ましいものであ
る。
として、殊に好ましい材料として挙げられるのは、具体
的には、例えばWc,HfB2,ZrB2,T:B2,
TaC,CrB2,Si3C4,MOSl2,Cr3C
2,WC−CO,Cr3C2−Ni等である。本発明に
於いては、表面層212−1は、上記した材相を使用し
て、デイツピング、スピンナー等の途布法によつて、塗
布し焼付するか、或いは、スパツターリング、イオンプ
レーテイング、真空蒸着等の真空堆積法によつて層形成
され、殊に好ましい結果が得られる薄膜層が形成し得る
真空堆積法の採用は、本発明に於いて望ましいものであ
る。
表面層212−1は、電気熱変換体202の繰返し使用
に際しての使用液体に対する、発熱抵抗層211の物理
的、化学的及び機械的保護機能を有するものであるが、
その他、電極213と電極214に於いて、使用液体を
通じて電流が流れない様に、発熱抵抗層211及び電極
213、電極214の表面を覆つて、電気的に絶縁する
電気的絶縁機能も休与される場合がある。
に際しての使用液体に対する、発熱抵抗層211の物理
的、化学的及び機械的保護機能を有するものであるが、
その他、電極213と電極214に於いて、使用液体を
通じて電流が流れない様に、発熱抵抗層211及び電極
213、電極214の表面を覆つて、電気的に絶縁する
電気的絶縁機能も休与される場合がある。
然し、この様な表面層212−1電気的絶縁機能は、第
2図に示す如く中間層212−2を有する構造の場合に
は、この中間層212−2に、電機的絶縁機能を休与す
ることによつて、除外することも出来るので、本発明に
於いては電気的絶縁機能は表面層212−1の必須要件
ではない。
2図に示す如く中間層212−2を有する構造の場合に
は、この中間層212−2に、電機的絶縁機能を休与す
ることによつて、除外することも出来るので、本発明に
於いては電気的絶縁機能は表面層212−1の必須要件
ではない。
本発明に於いては上記の様に液体流路の一部である熱作
用部207の液体と接触する壁面の一部を構成する熱作
用面209を少なくとも上記した機能を有する表面層2
12−1で被覆することによつて、製造された液体噴射
記録へツドの使用寿命を飛翔時に延ばし得るものである
。第2図に示した液体噴射記録ヘツド201に於いては
上部層212は表面層212−1と中間層212−2の
二層構成とされているが電極213と電極間214との
間を流れる電流が発熱抵抗層211を通じて流れる(有
効電流)以外は流れない様に詰り表面層212−1を通
じて流れないか又は殆んど無視し得る程度にしか流れ(
無効電流)ない様に、表面層212−1の電気抵抗値が
、熱発生部208に於ける発熱抵抗層211の電気抵抗
値に較べて充分大きい場合には、上部層212は表面層
212−1の単一層とすることも出来る。
用部207の液体と接触する壁面の一部を構成する熱作
用面209を少なくとも上記した機能を有する表面層2
12−1で被覆することによつて、製造された液体噴射
記録へツドの使用寿命を飛翔時に延ばし得るものである
。第2図に示した液体噴射記録ヘツド201に於いては
上部層212は表面層212−1と中間層212−2の
二層構成とされているが電極213と電極間214との
間を流れる電流が発熱抵抗層211を通じて流れる(有
効電流)以外は流れない様に詰り表面層212−1を通
じて流れないか又は殆んど無視し得る程度にしか流れ(
無効電流)ない様に、表面層212−1の電気抵抗値が
、熱発生部208に於ける発熱抵抗層211の電気抵抗
値に較べて充分大きい場合には、上部層212は表面層
212−1の単一層とすることも出来る。
而乍ら、本発明に於ける好ましい実施態様に於いては、
表面層212−1の大多数は、その電気抵抗値が、発熱
抵抗層211の電気抵抗値に較べて小さい為、発熱抵抗
値211の電気抵抗層よりも大きく、無効電流が流れな
い程度以上の電気抵抗値を有する中間層212−2を設
ける2層構成とするのが望ましいものである。
表面層212−1の大多数は、その電気抵抗値が、発熱
抵抗層211の電気抵抗値に較べて小さい為、発熱抵抗
値211の電気抵抗層よりも大きく、無効電流が流れな
い程度以上の電気抵抗値を有する中間層212−2を設
ける2層構成とするのが望ましいものである。
この様に、中間層212−2に電極213と電極214
との間に無効電流が流れないか又は殆んど無視し得る程
度にしか流れない様な機能を荷わせるには、上記した様
に、熱発生部208に於ける発熱抵抗層211の実際の
電気抵抗値に較べて中間層212−2の熱発生部208
の部分に於ける実際の電気抵抗値が充分大きい様に中間
層212−2は、設計製造される。
との間に無効電流が流れないか又は殆んど無視し得る程
度にしか流れない様な機能を荷わせるには、上記した様
に、熱発生部208に於ける発熱抵抗層211の実際の
電気抵抗値に較べて中間層212−2の熱発生部208
の部分に於ける実際の電気抵抗値が充分大きい様に中間
層212−2は、設計製造される。
この様に中間層212−2を設計製造するには、その電
気抵抗値ρ1が発熱抵抗値211の電気抵抗値ρ2に較
べて通常は104倍以上、好適には106倍以上とされ
るのが望ましいものである。
気抵抗値ρ1が発熱抵抗値211の電気抵抗値ρ2に較
べて通常は104倍以上、好適には106倍以上とされ
るのが望ましいものである。
中間層212−2の電気抵抗値ρ1は、上記した関係と
なる様に設定されるが、ρ1としては通常は102Ω?
以上、好適には104Ω?以上とされるものが望ましい
ものである。
なる様に設定されるが、ρ1としては通常は102Ω?
以上、好適には104Ω?以上とされるものが望ましい
ものである。
又、中間層212−2は、上記した様な電気抵抗値ρ1
を有するが、電極213、電極204及び発熱抵抗層2
11及び表面層212−1との密着性の良好さも要求さ
れる。
を有するが、電極213、電極204及び発熱抵抗層2
11及び表面層212−1との密着性の良好さも要求さ
れる。
その様な中間層212−2を形成する材刺としては、例
えばSlO2,Ta2O5,TrO2,zrO2等の酸
化物、Si3N4、窒化アルミニウム等の窒化物、Zr
−B−0,HfB−0等の硼・酸化物等が好適なものと
して具体的に挙げることが出来る。中間層212−2の
層厚としては、上機の機能が充分果せるならば、可能な
限り薄く設計製造される方が望ましいものであるが、通
常の場合、0.1〜5!E1、好ましくは0.5〜2!
Tfnとされるのが望ましいものである。
えばSlO2,Ta2O5,TrO2,zrO2等の酸
化物、Si3N4、窒化アルミニウム等の窒化物、Zr
−B−0,HfB−0等の硼・酸化物等が好適なものと
して具体的に挙げることが出来る。中間層212−2の
層厚としては、上機の機能が充分果せるならば、可能な
限り薄く設計製造される方が望ましいものであるが、通
常の場合、0.1〜5!E1、好ましくは0.5〜2!
Tfnとされるのが望ましいものである。
本発明に於ける表面層212−1は、前記した如く発熱
抵抗層211の物理的、化学的及び機械的保護の役目を
荷う目的の為に設けられるものであつて、その様な目的
が達成されるものであれば、その層厚は経済性、生産性
等の点から可能な限り薄くされるのが望ましいものであ
る。
抵抗層211の物理的、化学的及び機械的保護の役目を
荷う目的の為に設けられるものであつて、その様な目的
が達成されるものであれば、その層厚は経済性、生産性
等の点から可能な限り薄くされるのが望ましいものであ
る。
本発明に於ける表面層212−1の層厚としては下限は
、通常10μm1好適には0.5μm、土限は、通常1
0μm1好適には2μmとされるのが望ましいものであ
る。
、通常10μm1好適には0.5μm、土限は、通常1
0μm1好適には2μmとされるのが望ましいものであ
る。
本発明に於いて、使されている重量減少量△W(Al)
、△Wは以下の試験方法によつて算出される。
、△Wは以下の試験方法によつて算出される。
Ni磁歪振動子に高周波交流磁場を印加し、末端に接続
した試料を、試験液中にて高周波振動させ、その際の試
相の重量減少を測定する。
した試料を、試験液中にて高周波振動させ、その際の試
相の重量減少を測定する。
周波数・・・・・・7KHz
振 幅・・・・・・50μm
試験液・・・・・・脱気蒸留水(25±l℃)試験面を
2.5m1液中に浸漬試験時間(連続)t・・・・・・
△W(Al)がlη/〜になるまでの時間〔ΔW(Al
)、△Wの算出法〕 重量減少量は、感量0.001〜の自動天秤により試験
開始よりl時間後の試料の重量を測定し以下の式に従つ
て△W(Al)、△Wを算出した。
2.5m1液中に浸漬試験時間(連続)t・・・・・・
△W(Al)がlη/〜になるまでの時間〔ΔW(Al
)、△Wの算出法〕 重量減少量は、感量0.001〜の自動天秤により試験
開始よりl時間後の試料の重量を測定し以下の式に従つ
て△W(Al)、△Wを算出した。
次に、以降に於いて説明される本発明の実施例或いは比
較例に於いて製造された液体噴射記録ヘツドの製造法及
び形態の概要に就て第3図a乃至第3図cを以つて説明
する。先ず、以下の実施例及び比較例に相当する発熱抵
抗体設置基板を以下の要領で作成した。
較例に於いて製造された液体噴射記録ヘツドの製造法及
び形態の概要に就て第3図a乃至第3図cを以つて説明
する。先ず、以下の実施例及び比較例に相当する発熱抵
抗体設置基板を以下の要領で作成した。
第3図aには該基板の拡大斜視図が示されている。アル
ミナ基板301上に蓄熱層(下部層)302発熱抵抗層
303及びアルミニウム電極層304を形成した後、選
択エツチングにより例えば幅40μm1長さ200μm
の発熱抵抗体301一1〜303−4を形成した。又、
エツチングにより選択電極304a及び共通電極304
b−1〜304b−4を形成した。更に第3図bに示す
様に、電極304a1304b−1〜304b−4及び
発熱抵抗体303−1〜303−4の表面に、保護層上
部層を積層した。又、これ等とは別に、ガラス板305
に第3図bに示すような複数本の溝306(例えば巾4
0μm深さ40μm)と共通インク室307となる溝と
をマイクロカツタ一を用いて切削形成してなる溝付きプ
レート308も作成した。
ミナ基板301上に蓄熱層(下部層)302発熱抵抗層
303及びアルミニウム電極層304を形成した後、選
択エツチングにより例えば幅40μm1長さ200μm
の発熱抵抗体301一1〜303−4を形成した。又、
エツチングにより選択電極304a及び共通電極304
b−1〜304b−4を形成した。更に第3図bに示す
様に、電極304a1304b−1〜304b−4及び
発熱抵抗体303−1〜303−4の表面に、保護層上
部層を積層した。又、これ等とは別に、ガラス板305
に第3図bに示すような複数本の溝306(例えば巾4
0μm深さ40μm)と共通インク室307となる溝と
をマイクロカツタ一を用いて切削形成してなる溝付きプ
レート308も作成した。
このようにして作成した、発熱抵抗体設置基板と溝付き
プレートとを、発熱抵抗体と溝との位置合せをした上で
接合し、更に不図示のインク共給部から共給インク室3
07にインクを導入するためのインク導入管309も接
続して第5図に示すような記録ヘツド300を一体的に
完成した。
プレートとを、発熱抵抗体と溝との位置合せをした上で
接合し、更に不図示のインク共給部から共給インク室3
07にインクを導入するためのインク導入管309も接
続して第5図に示すような記録ヘツド300を一体的に
完成した。
更に、この記録ヘツド300には前述の選択電極及び共
通電極に接続されているリード電極(共通リード電極、
及び選択リード電極)を有するリード基が付設された。
実施例 1 シリコン基板上にSiO2をスパツタリングにより5μ
m形成した後、発熱抵抗体としてHfB2を1500λ
スパツタリングにより形成した。
通電極に接続されているリード電極(共通リード電極、
及び選択リード電極)を有するリード基が付設された。
実施例 1 シリコン基板上にSiO2をスパツタリングにより5μ
m形成した後、発熱抵抗体としてHfB2を1500λ
スパツタリングにより形成した。
次に電極:としてAlを5000λ電子ビーム蒸着で積
層した後、選択エツチングにより第3図に示すようなパ
ターンを形成した。発熱抵抗体14″は幅50μm長さ
200μmであり80オームの抵抗値であつた。続いて
TaをターゲツトとしてAl7O%、0230%の混合
雰囲気中で活性スパツタをおこなうことにより酸化タン
タル層を1.0μm積層した。次に徐々に雰囲気から0
2を減じてA′のみに置換しながらスパツタをおこない
酸化タンタルとタンタルの混合層を形成し連続して保護
第2層Ta膜を1.2μm形成した。Ta膜と端部とA
l電極との接点は絶縁の為SiO2を1.0μmあらか
じめ形成しておいた。
層した後、選択エツチングにより第3図に示すようなパ
ターンを形成した。発熱抵抗体14″は幅50μm長さ
200μmであり80オームの抵抗値であつた。続いて
TaをターゲツトとしてAl7O%、0230%の混合
雰囲気中で活性スパツタをおこなうことにより酸化タン
タル層を1.0μm積層した。次に徐々に雰囲気から0
2を減じてA′のみに置換しながらスパツタをおこない
酸化タンタルとタンタルの混合層を形成し連続して保護
第2層Ta膜を1.2μm形成した。Ta膜と端部とA
l電極との接点は絶縁の為SiO2を1.0μmあらか
じめ形成しておいた。
以上の基板に第3図bに示すような溝を刻んだガラス板
を接着し、第3図cに示すようなヘツドを作成した。こ
のヘツドにインク導人管301−1,309−2からH
2Oを主体とするインクを導入しながら10ttsのパ
ルス幅で25Vの電圧を印加したところ入力信号に応じ
て液滴か吐出した。周期は200μsで安定した吐出が
得られ、連続液吐出100時間行つても正常に駆動され
た。比較例 1実施例1と同じ試料で同じパターニスグ
をした後、SiO2をスパツタで1.5μm層厚に形成
して保護膜としたものについて実施例1と同様の形態の
第3図cに示すようなヘツドを形成した。
を接着し、第3図cに示すようなヘツドを作成した。こ
のヘツドにインク導人管301−1,309−2からH
2Oを主体とするインクを導入しながら10ttsのパ
ルス幅で25Vの電圧を印加したところ入力信号に応じ
て液滴か吐出した。周期は200μsで安定した吐出が
得られ、連続液吐出100時間行つても正常に駆動され
た。比較例 1実施例1と同じ試料で同じパターニスグ
をした後、SiO2をスパツタで1.5μm層厚に形成
して保護膜としたものについて実施例1と同様の形態の
第3図cに示すようなヘツドを形成した。
この記録ヘツドに対して10usのパルス幅で23の電
圧を200us周期で印加したところ、入力信号に応じ
て安定した吐出が得られたが50分程度で5個中3個の
電気熱変換体が壊れて吐出不能となつた。比較例 2 実施例1に於いて酸化タンタル膜を形成した段階で止め
て形成した第3図cに示すようなヘツドで10μSaパ
ルス幅で200μs周期で電圧を印加したところ21V
で安定吐出が得られたが30分で5個中3個の電気熱変
換体か壊れて吐出不能となつた。
圧を200us周期で印加したところ、入力信号に応じ
て安定した吐出が得られたが50分程度で5個中3個の
電気熱変換体が壊れて吐出不能となつた。比較例 2 実施例1に於いて酸化タンタル膜を形成した段階で止め
て形成した第3図cに示すようなヘツドで10μSaパ
ルス幅で200μs周期で電圧を印加したところ21V
で安定吐出が得られたが30分で5個中3個の電気熱変
換体か壊れて吐出不能となつた。
実施例 2
実施例1と同じパターンにSiO2を1.1μmスパツ
タした後、SiO2のスパツタを続けながら基板を徐々
にTiターゲツト側に移動し、SiO2とTiの混合層
を介在した後連続してTi膜を1.5μm積層した。
タした後、SiO2のスパツタを続けながら基板を徐々
にTiターゲツト側に移動し、SiO2とTiの混合層
を介在した後連続してTi膜を1.5μm積層した。
実施例1と同じテストで27でインクを安定吐出し、2
00時間の寿命が得られた。実施例 3 Ta205をターゲツトとして1.01Dn厚の酸化タ
ンタル膜をスパツタで形成した後、スパツタ装置をかえ
逆スパツタによつてTa2O5層の表面をけずつた後、
Ta膜を1.2μm形成した。
00時間の寿命が得られた。実施例 3 Ta205をターゲツトとして1.01Dn厚の酸化タ
ンタル膜をスパツタで形成した後、スパツタ装置をかえ
逆スパツタによつてTa2O5層の表面をけずつた後、
Ta膜を1.2μm形成した。
以外は実施例1と同様の手順と条件で第3図cに示す様
な記録ヘツドを作成した。24で安定吐出し寿命は60
時間であつた。
な記録ヘツドを作成した。24で安定吐出し寿命は60
時間であつた。
以下実施例においてQりは第1層と第2層を連続的に形
成し境界に両者の混合層を含む事を示す。(3巾は第1
層と第2層の密着性を増す為、第2層をスパツタする前
に逆スパツタにより第1層表面をクリーンにした事を示
す。以下の表に示す実施例に於いて2は上部層を構成す
る中間層と表面層とを連続的に作成し、中間層と表面層
との境界に両者の組成の混合された混合層(境界層)を
含むことを示し、3は中間層と表面層との間の密着性を
増す為に、表面層をスパツターリングで形成する前に逆
スパツターリングを中間層表面に施して中間層表面をク
リーンにする処理を施した事を示し(一)は単に積層し
た事を示す。
成し境界に両者の混合層を含む事を示す。(3巾は第1
層と第2層の密着性を増す為、第2層をスパツタする前
に逆スパツタにより第1層表面をクリーンにした事を示
す。以下の表に示す実施例に於いて2は上部層を構成す
る中間層と表面層とを連続的に作成し、中間層と表面層
との境界に両者の組成の混合された混合層(境界層)を
含むことを示し、3は中間層と表面層との間の密着性を
増す為に、表面層をスパツターリングで形成する前に逆
スパツターリングを中間層表面に施して中間層表面をク
リーンにする処理を施した事を示し(一)は単に積層し
た事を示す。
実施例 41
実施例2において第1層のSiO2膜を0.3μmとし
他は同じ膜厚構成で耐久テストをおこなつたところ21
Vで安定吐出するものであつたが、Al電極と第2層(
T!層)間で絶縁破壊が多く生じた。
他は同じ膜厚構成で耐久テストをおこなつたところ21
Vで安定吐出するものであつたが、Al電極と第2層(
T!層)間で絶縁破壊が多く生じた。
この問題点はAl電極を薄くする、エツチングにおける
凹凸を極力少なくするなどの方法により改善される事が
わかつたかSlO2膜厚が1000λ〜2000λ前後
から更に範くなると絶縁破壊が非常におこり易くなつた
。実施例 42 実施例2においてSlO2膜厚を3.0μmにしたとこ
ろ10μsのパルス幅で安定吐出させるのに50Vを要
し寿命も10時間程度と少なくなつた。
凹凸を極力少なくするなどの方法により改善される事が
わかつたかSlO2膜厚が1000λ〜2000λ前後
から更に範くなると絶縁破壊が非常におこり易くなつた
。実施例 42 実施例2においてSlO2膜厚を3.0μmにしたとこ
ろ10μsのパルス幅で安定吐出させるのに50Vを要
し寿命も10時間程度と少なくなつた。
この傾向はSlO2膜厚を4〜5μm以上にすると更に
著しくパルス幅を30μs以上にしないと安定吐出が得
られなかつた。実施例 43 実施例2においてTi膜厚を1000λ〜5μm程度連
続して変化させて寿命を測定したところ1000λ〜3
000λでは寿命がl時間〜10時間と短く、バラツキ
も大きかつた。
著しくパルス幅を30μs以上にしないと安定吐出が得
られなかつた。実施例 43 実施例2においてTi膜厚を1000λ〜5μm程度連
続して変化させて寿命を測定したところ1000λ〜3
000λでは寿命がl時間〜10時間と短く、バラツキ
も大きかつた。
一方5μmでは10μsのパルス幅では安定吐出せず2
0μsで38を要した。
0μsで38を要した。
この事から第2層の厚みも5mμ〜2000人程度か好
ましい事かわかつた。
ましい事かわかつた。
実施例 44
実施例1に第3層としてSiO2を1.0μmスパツタ
して積層したところ安定吐出に35を要し7時間の耐久
性があつた。
して積層したところ安定吐出に35を要し7時間の耐久
性があつた。
第3層の積層によりインクへの熱伝導が悪くなつた分だ
け安定吐出の為の電力が上昇し、発熱体温度も上昇して
いるので耐久性は実施例1より劣つている。しかし、第
2層の効果により比較例1,2に比して耐久性が大きく
向上している事は明らかである。
け安定吐出の為の電力が上昇し、発熱体温度も上昇して
いるので耐久性は実施例1より劣つている。しかし、第
2層の効果により比較例1,2に比して耐久性が大きく
向上している事は明らかである。
実施例 45
シリコン基板上にSiO2をスパツタリングにより4μ
m形成した後、抵抗体としてHfB2を1500λスパ
ツタリングにより形成した。
m形成した後、抵抗体としてHfB2を1500λスパ
ツタリングにより形成した。
次に電極としてAlを5000人電子ビームで蒸着積層
した後、選択エツチングにより第3図aのようなパター
ンを形成した。発熱抵抗体303は幅50μm1長さ2
00t0nであり80オームの抵抗値であつた。続いて
保護膜(上部層)としてSiO2を1.2μmスパツタ
リングにより形成した後WCをスパツタリングで2.0
μm積層した。以上の基板に第3b図のような溝を刻ん
だガラス板を接着し、第3図Cのようなヘツドを作成し
た。このヘツドにインク導入管309−1,309−2
からH2Oを主体とするインクを導入しながら10μs
のパルス幅で30Vの電圧を印加したところ、入力信号
に応じて液滴が吐出した。周期は200μsで安定した
吐出が得られ130時間連続滴吐出しても安定して動作
した。実施例 46〜58 実施例45でSiO2を1.2μm積層した後、表面層
の構成要素を変化させた場合の安定吐出電圧及び寿命を
第2表に示す。
した後、選択エツチングにより第3図aのようなパター
ンを形成した。発熱抵抗体303は幅50μm1長さ2
00t0nであり80オームの抵抗値であつた。続いて
保護膜(上部層)としてSiO2を1.2μmスパツタ
リングにより形成した後WCをスパツタリングで2.0
μm積層した。以上の基板に第3b図のような溝を刻ん
だガラス板を接着し、第3図Cのようなヘツドを作成し
た。このヘツドにインク導入管309−1,309−2
からH2Oを主体とするインクを導入しながら10μs
のパルス幅で30Vの電圧を印加したところ、入力信号
に応じて液滴が吐出した。周期は200μsで安定した
吐出が得られ130時間連続滴吐出しても安定して動作
した。実施例 46〜58 実施例45でSiO2を1.2μm積層した後、表面層
の構成要素を変化させた場合の安定吐出電圧及び寿命を
第2表に示す。
実施例 59〜67
中間層の構成物質として種々の酸化物を、表面層の構成
物質として、炭化物、硼化物或いはこれ等と金属との混
合物を適用させた以外は、実施例45と略々同様にして
第3図cに示す如くの記録ヘツドを作成して滴吐出テス
トをした結果を第3表に示す。
物質として、炭化物、硼化物或いはこれ等と金属との混
合物を適用させた以外は、実施例45と略々同様にして
第3図cに示す如くの記録ヘツドを作成して滴吐出テス
トをした結果を第3表に示す。
第3表より、本発明の記録ヘツドが極めて優れているこ
とが判かる。実施例 68 実施例45に於いて第1層(中間層)のSlO2膜を0
.3μmとし他は同じ膜厚構成で耐久テストを行なつた
ところ24で安定吐出するものがあつたが、Al電極と
第2層(表面層)WC層間で絶縁破壊が多く生じた。
とが判かる。実施例 68 実施例45に於いて第1層(中間層)のSlO2膜を0
.3μmとし他は同じ膜厚構成で耐久テストを行なつた
ところ24で安定吐出するものがあつたが、Al電極と
第2層(表面層)WC層間で絶縁破壊が多く生じた。
この問題点はAl電極を薄くする、エツチングにおける
凹凸を極力少なくするなどの方法により改善されること
がわかつたがSiO2膜厚か1000八〜2000λ前
後から更に薄くなると絶縁破壊が非常におこり易くなつ
た。実施例 69実施例45に於いてSiO2膜厚を3
.0μmにしたところ10μsのパルス幅で安定吐出さ
せるのに50Vを要し寿命も10時間程度少なくなつた
。
凹凸を極力少なくするなどの方法により改善されること
がわかつたがSiO2膜厚か1000八〜2000λ前
後から更に薄くなると絶縁破壊が非常におこり易くなつ
た。実施例 69実施例45に於いてSiO2膜厚を3
.0μmにしたところ10μsのパルス幅で安定吐出さ
せるのに50Vを要し寿命も10時間程度少なくなつた
。
この傾向はSiO2膜厚を4〜5μm以上にすると更に
著しくパルス幅を30μs以上にしないと安定吐出が得
られなかつた。実施例 70 実施例45においてWC膜厚を1000人〜5μm程度
連続して変化させて寿命を測定したところ1000λ〜
3000八では寿命がl時間〜10時間C短く、バラツ
キも大き力)つた。
著しくパルス幅を30μs以上にしないと安定吐出が得
られなかつた。実施例 70 実施例45においてWC膜厚を1000人〜5μm程度
連続して変化させて寿命を測定したところ1000λ〜
3000八では寿命がl時間〜10時間C短く、バラツ
キも大き力)つた。
一方5μmでは10μsのパルス幅では安定吐出せず2
0μsで41を要した。
0μsで41を要した。
この事から第2層の厚みも5μn〜2000人程度が好
ましい事がわかつた。
ましい事がわかつた。
実施例 71
実施例45と同じパタ・−ンを形成した後Alをターゲ
ツトとしてAr−N2の混合雰囲気中でスパツタをおこ
ない窒化アルミニウムを1.5μm厚に形成した寿命は
50時間であり良好な結果が得られた。
ツトとしてAr−N2の混合雰囲気中でスパツタをおこ
ない窒化アルミニウムを1.5μm厚に形成した寿命は
50時間であり良好な結果が得られた。
第1図aは従来の液体噴射記録ヘツドのオリフイス側か
らの正面部分図、第1図bは、第1図aの一点鎖線XY
で示す部分で切断した場合の切断面部分図、第2図aは
、本発明の好適な液体噴射記録ヘドのオリフイス側から
の正面部分図、第2図bは第2図aの一点鎖線X′Y″
で示す部分で切断した場合の切断面部分図、第3図a乃
至第3図cは、各々本発明のに於ける実施例及び比較例
に相当する記録ヘツドの模式的説明図である。 101,201・・・・・・液体噴射記録ヘツド、10
2,202・・・・・・電気・熱変換体、103,20
3・・・・・・基板、104,204・・・・・・溝付
板、105,205・・・・・・オリフイス、106,
206・・・・・・液吐出部、107,207・・・・
・・熱作用部、108,208・・・・・・熱発生部、
109,209・・・・・・熱作用面、110,210
・・・・・・下部層、111,211・・・・・・発熱
抵抗層、112,212・・・・・・上部層、 113,213・・・・・・電極、114,214・・
・・・・電極。
らの正面部分図、第1図bは、第1図aの一点鎖線XY
で示す部分で切断した場合の切断面部分図、第2図aは
、本発明の好適な液体噴射記録ヘドのオリフイス側から
の正面部分図、第2図bは第2図aの一点鎖線X′Y″
で示す部分で切断した場合の切断面部分図、第3図a乃
至第3図cは、各々本発明のに於ける実施例及び比較例
に相当する記録ヘツドの模式的説明図である。 101,201・・・・・・液体噴射記録ヘツド、10
2,202・・・・・・電気・熱変換体、103,20
3・・・・・・基板、104,204・・・・・・溝付
板、105,205・・・・・・オリフイス、106,
206・・・・・・液吐出部、107,207・・・・
・・熱作用部、108,208・・・・・・熱発生部、
109,209・・・・・・熱作用面、110,210
・・・・・・下部層、111,211・・・・・・発熱
抵抗層、112,212・・・・・・上部層、 113,213・・・・・・電極、114,214・・
・・・・電極。
Claims (1)
- 1 液滴を吐出する為に設けられたオリフィスと、該オ
リフィスに連通し、液滴を吐出する為の熱エネルギーが
液体に作用する部分である熱作用部とを有する液吐出部
と、前記熱エネルギーを発生する手段としての電気熱変
換体とを具備する液体噴射記録ヘッドに於いて、前記熱
作用部の液体と接触する部分が、純度99.9%のアル
ミニウム板の、重量減少試験に於ける試験面の単位面積
当りの重量減少量△W(Al)が1mg/cm^2にな
る時の時間tに於ける単位面積当りの重量減少量△Wが
△W(Al)の1/10以下である物質で構成されてい
る事を特徴とする液滴噴射記録ヘッド。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17133579A JPS5943315B2 (ja) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | 液滴噴射記録ヘツド |
AU56761/80A AU527059B2 (en) | 1979-03-27 | 1980-03-24 | Liquid droplet ejecting recording head |
US06/133,140 US4335389A (en) | 1979-03-27 | 1980-03-24 | Liquid droplet ejecting recording head |
FR8006800A FR2452378A1 (fr) | 1979-03-27 | 1980-03-27 | Tete d'enregistrement a ejection de gouttelettes de liquide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17133579A JPS5943315B2 (ja) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | 液滴噴射記録ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5693563A JPS5693563A (en) | 1981-07-29 |
JPS5943315B2 true JPS5943315B2 (ja) | 1984-10-20 |
Family
ID=15921311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17133579A Expired JPS5943315B2 (ja) | 1979-03-27 | 1979-12-28 | 液滴噴射記録ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5943315B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613219B2 (ja) * | 1983-04-30 | 1994-02-23 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド |
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JPS6054857A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | プリント用インクジエツトノズル |
JPS60259457A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジエツト記録ヘツド |
JP2505900B2 (ja) * | 1990-01-16 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | インク噴射記録ヘッド |
-
1979
- 1979-12-28 JP JP17133579A patent/JPS5943315B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5693563A (en) | 1981-07-29 |
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