JPS59136471A - 無電解メツキ法 - Google Patents
無電解メツキ法Info
- Publication number
- JPS59136471A JPS59136471A JP692483A JP692483A JPS59136471A JP S59136471 A JPS59136471 A JP S59136471A JP 692483 A JP692483 A JP 692483A JP 692483 A JP692483 A JP 692483A JP S59136471 A JPS59136471 A JP S59136471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- electroless plating
- solvent
- bath
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0565—Resist used only for applying catalyst, not for plating itself
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は無電解メッキ法に関するものでるり、エツチン
グ工程なしに、無電解メッキ法金用いて基板上に金属パ
ターンを形成しよりとするものでるる。
グ工程なしに、無電解メッキ法金用いて基板上に金属パ
ターンを形成しよりとするものでるる。
従来、基板の上に金属パターンを形成しよりとする場合
、必らずレジストでバターニング後エツチング法により
所望の金属パターンを得ていた。
、必らずレジストでバターニング後エツチング法により
所望の金属パターンを得ていた。
エツチング法による金^パターン形成法會プリント基板
全例にとシ、欠点を含めて説明する。グυント基板の製
造工程は、接着剤塗布→銅箔貼付→穴明→洗浄→センシ
タイザ浸漬→アクチベータ浸漬→スルホールメッキ→レ
ジストパターン形成→エツチング→レジスト剥離→仕上
メッキと概略記載、しても11工程と非常に多くの工程
を通さなければならない。工程全長く要することは、工
数の増加、納期遅延9歩留の低下。合理化(自動化)へ
のネックとなジコストアップの大きな安置となる。
全例にとシ、欠点を含めて説明する。グυント基板の製
造工程は、接着剤塗布→銅箔貼付→穴明→洗浄→センシ
タイザ浸漬→アクチベータ浸漬→スルホールメッキ→レ
ジストパターン形成→エツチング→レジスト剥離→仕上
メッキと概略記載、しても11工程と非常に多くの工程
を通さなければならない。工程全長く要することは、工
数の増加、納期遅延9歩留の低下。合理化(自動化)へ
のネックとなジコストアップの大きな安置となる。
不方法はこれらの火点を取り除く為に発明したもので、
エッチングエ8なしで無電解メッキ法によって、基板上
に金属パターンを形成しようとするものである。プリン
ト基板を例にとるならは銅箔の不使用及び接着剤塗布工
程9銅箔貼付工程。
エッチングエ8なしで無電解メッキ法によって、基板上
に金属パターンを形成しようとするものである。プリン
ト基板を例にとるならは銅箔の不使用及び接着剤塗布工
程9銅箔貼付工程。
エッチングエ橿ヲ屏止し、スルホールメツキト同時(・
ζ必要な部分に金属パターンメッキ全無電解メッキで形
成し、コストダウンを図ろうとするものである。以下不
発明の無電解メッキ法ヶ図面に従って詳述する。
゛ 図1〜図5は1本発明の;憾電解メッキ法により基板上
FK金全屈ターン全形成する製造工程図である。
ζ必要な部分に金属パターンメッキ全無電解メッキで形
成し、コストダウンを図ろうとするものである。以下不
発明の無電解メッキ法ヶ図面に従って詳述する。
゛ 図1〜図5は1本発明の;憾電解メッキ法により基板上
FK金全屈ターン全形成する製造工程図である。
図1の基板1は絶嫌准を有するもので良く、ガラスエポ
キシ系、ボリイξド系、ABS系、ガラス系、セラミッ
ク系等の使用が可能でるる。基板1に金!Aを用いる場
合には、表面に前述の絶縁質を被核丁れば不発明の製造
工程が適用出来る。
キシ系、ボリイξド系、ABS系、ガラス系、セラミッ
ク系等の使用が可能でるる。基板1に金!Aを用いる場
合には、表面に前述の絶縁質を被核丁れば不発明の製造
工程が適用出来る。
図2は基板1の上に溶剤に可溶のレジスト2全形成した
ljr面図である。本製造方法による効果を得るには溶
剤によりレジスト2が溶解することが必須の条件であり
、溶剤はM機溶媒、無機溶媒ケ主成分とするものならば
どれでもよく、使用するレジストによジ選択する。レジ
スト2は溶剤に溶けるインキ、フォトレジスト寺を用い
れば良い。
ljr面図である。本製造方法による効果を得るには溶
剤によりレジスト2が溶解することが必須の条件であり
、溶剤はM機溶媒、無機溶媒ケ主成分とするものならば
どれでもよく、使用するレジストによジ選択する。レジ
スト2は溶剤に溶けるインキ、フォトレジスト寺を用い
れば良い。
パターンの形成はスクリーン印刷、写真製版f:等従米
の印刷法がその−fl適用出来、パターンの集積度によ
り適宜使い分けをすることが必要でめる。
の印刷法がその−fl適用出来、パターンの集積度によ
り適宜使い分けをすることが必要でめる。
レジストパターン全形成する際Vこ気?つけなければな
らないことは金属パターンケ形成しよりとする部分の基
板全露出すること(/i:ある。もし逆にした場合は所
望のパターンと逆の部分に金属被膜が形成される結果ど
なる。
らないことは金属パターンケ形成しよりとする部分の基
板全露出すること(/i:ある。もし逆にした場合は所
望のパターンと逆の部分に金属被膜が形成される結果ど
なる。
図6はセンシタイザ浴、アクチベータ浴の二浴に浸漬す
ることにより、基板1の露出面及びレジスト2の表面に
無電解メッキ被膜?析出させる為の触媒核3を形成した
貼面を示1−。センシタイザ浴の働きは1人情の触媒核
奮吸看、還元する為の前処理浴でイク、感性化膜を形成
する。使用条件は5nO12−0,01〜20グ/2.
HOI−0〜20c c/lの混合浴を常温で10秒〜
10分間の浸漬で基板1及びレジスト2へ感性化J良が
出来、目的上達する。
ることにより、基板1の露出面及びレジスト2の表面に
無電解メッキ被膜?析出させる為の触媒核3を形成した
貼面を示1−。センシタイザ浴の働きは1人情の触媒核
奮吸看、還元する為の前処理浴でイク、感性化膜を形成
する。使用条件は5nO12−0,01〜20グ/2.
HOI−0〜20c c/lの混合浴を常温で10秒〜
10分間の浸漬で基板1及びレジスト2へ感性化J良が
出来、目的上達する。
アクチベータ浴の(9)きはセンシタイズ化されfcF
が桧才浸漬することにより、基板1及びレジスト2上に
無電解メッキ?析出てせる為に必要な触媒核3全形成°
することにるる。触媒核6ケ形成するのに必快な処理条
件はPdc12 0.1.〜Ir/l、HOI−O〜1
0cc/lの混合浴全常温で10秒〜10分間の浸漬で
基板1及びレジスト2の表面全坏に触媒核5の形成が出
来、目的を達することが邑米る。
が桧才浸漬することにより、基板1及びレジスト2上に
無電解メッキ?析出てせる為に必要な触媒核3全形成°
することにるる。触媒核6ケ形成するのに必快な処理条
件はPdc12 0.1.〜Ir/l、HOI−O〜1
0cc/lの混合浴全常温で10秒〜10分間の浸漬で
基板1及びレジスト2の表面全坏に触媒核5の形成が出
来、目的を達することが邑米る。
図4は溶剤Cてより第6図に示したレジスト2上の触媒
核6及びレジスト2ki8%除去し、基板2の路用L7
た部分に形成された触媒核6のみを残した状態を示した
図で冴ンる。触媒核5は非常に薄い′Aに溶剤Vこ入れ
ると溶剤は触媒核3全浸漬し、レジスト2に到達し溶解
が始する。レジスト2の溶解と共にレジスト2上の触媒
核6は溶剤中に脱落し、レジスト2の溶解が終了すれば
レジスト部分の触媒核も存任しなくなり、基板1上の触
1嵐核6のみ残留する。レジスト2の溶解に使用する溶
剤は無機溶剤、有機溶剤のいずれも使用可能でbす、レ
ジスト2に合わせ、しかも基板1會溶解しないこと全条
件に選択すれは艮い。もし基板1を/8wlする溶剤を
用いれば、基板1の溶解と共に触媒核6も脱落し、次工
程の無°亀解ニッケルの析出が起らず、不発明の目的全
達成することが不可能となる。な卦本工程はセンシタイ
ザ浴とアクチベータ浴の間に入れても同様の効果金得る
ことが出来る。
核6及びレジスト2ki8%除去し、基板2の路用L7
た部分に形成された触媒核6のみを残した状態を示した
図で冴ンる。触媒核5は非常に薄い′Aに溶剤Vこ入れ
ると溶剤は触媒核3全浸漬し、レジスト2に到達し溶解
が始する。レジスト2の溶解と共にレジスト2上の触媒
核6は溶剤中に脱落し、レジスト2の溶解が終了すれば
レジスト部分の触媒核も存任しなくなり、基板1上の触
1嵐核6のみ残留する。レジスト2の溶解に使用する溶
剤は無機溶剤、有機溶剤のいずれも使用可能でbす、レ
ジスト2に合わせ、しかも基板1會溶解しないこと全条
件に選択すれは艮い。もし基板1を/8wlする溶剤を
用いれば、基板1の溶解と共に触媒核6も脱落し、次工
程の無°亀解ニッケルの析出が起らず、不発明の目的全
達成することが不可能となる。な卦本工程はセンシタイ
ザ浴とアクチベータ浴の間に入れても同様の効果金得る
ことが出来る。
レジストと溶剤の組み合わせの−?’H:示すと、レジ
ストは東京応化fiOFPR,溶剤はNaOH−5〜6
0%で良好な結果を得る。
ストは東京応化fiOFPR,溶剤はNaOH−5〜6
0%で良好な結果を得る。
図5は触媒核5を核として無電解メッキで金属被膜4を
形成し選択パターンメッキを施した図である。図4に示
した基板全無電解メッキ浴に浸漬することにより、触媒
核6?核として無電解メッキの金属被覆膜4が形fj又
され、以後析出する金属被膜4が自己触媒として1@き
、金属板膜4は成長を絖ける。触媒核6の除去された基
板1露出部は当然のことながら触媒作用がない為に無=
Sメツキ処理により79i望のパターン通りに金属被膜
4全形5zするパターンメッキが可能となる。使用する
メッキ浴は自己触媒タイプの無′屯屏メッキ浴ならばど
の金属浴でも使用することが可能である。
形成し選択パターンメッキを施した図である。図4に示
した基板全無電解メッキ浴に浸漬することにより、触媒
核6?核として無電解メッキの金属被覆膜4が形fj又
され、以後析出する金属被膜4が自己触媒として1@き
、金属板膜4は成長を絖ける。触媒核6の除去された基
板1露出部は当然のことながら触媒作用がない為に無=
Sメツキ処理により79i望のパターン通りに金属被膜
4全形5zするパターンメッキが可能となる。使用する
メッキ浴は自己触媒タイプの無′屯屏メッキ浴ならばど
の金属浴でも使用することが可能である。
次に兵庫的実施例を運べる。プリント基板製造には不発
明の工程をその丑で適用することが可能である。不発明
VcLる応用工程全記載すると、穴明→洗浄→レジスト
バター;ング→センシタイザ処理→アクチベータ処理→
レジスト溶解処理→無電解メッキ処理→仕上メッキ処理
となる。
明の工程をその丑で適用することが可能である。不発明
VcLる応用工程全記載すると、穴明→洗浄→レジスト
バター;ング→センシタイザ処理→アクチベータ処理→
レジスト溶解処理→無電解メッキ処理→仕上メッキ処理
となる。
本発明による無電解メッキ法による金属被膜パターニン
グの効果全プリント基板に応用した例により述べると、
工程数の短縮が挙げられ従来法の11工程に対して不発
明を用いれば8工程とエツチング工程なしで、スルホー
ルメッキと同時に金属パターンの形成が出来、工程の短
縮が図られた。
グの効果全プリント基板に応用した例により述べると、
工程数の短縮が挙げられ従来法の11工程に対して不発
明を用いれば8工程とエツチング工程なしで、スルホー
ルメッキと同時に金属パターンの形成が出来、工程の短
縮が図られた。
第2点とし1、本発明を用いれば銅箔なしで済む為に、
工程短縮と会わせればコストダウンへの寄与W:非常に
大きい。別の効果としてレジストにフォトファブリケー
ション用のフォトレジスト全周いれば#像力の訂す範囲
迄の細線のパターンメッキか可能となシ、将来のマイク
ロエレクトロニクスの発展に久かせない技術となる。
工程短縮と会わせればコストダウンへの寄与W:非常に
大きい。別の効果としてレジストにフォトファブリケー
ション用のフォトレジスト全周いれば#像力の訂す範囲
迄の細線のパターンメッキか可能となシ、将来のマイク
ロエレクトロニクスの発展に久かせない技術となる。
応用?lIを見ると、基板上に金属パターン全形成する
ものには認で適用することが可能であり、プリント基1
akt冶め、フォトファブリケーション用ハードマスク
、ガラス器具への模様付、9液晶パネル機能改善用メッ
キ、遮蔽マスクを用いた蒸溜製品への本究明の通用等l
l胛広く使用することができろ。
ものには認で適用することが可能であり、プリント基1
akt冶め、フォトファブリケーション用ハードマスク
、ガラス器具への模様付、9液晶パネル機能改善用メッ
キ、遮蔽マスクを用いた蒸溜製品への本究明の通用等l
l胛広く使用することができろ。
以上評運した様に不発明(は全く新規な方法でる、!S
l優1Lfc効果を有するものである。
l優1Lfc効果を有するものである。
図面の図1〜図5は不96明?示′r製造工程の断面図
でめる。図1は絶縁1住七Mする基板を示す図、図2は
レジストパターン形成図、図、5は触媒核形成図、図4
はレジスト及びレジスト上触妹核除去図、図5は触媒核
上無電メtメッキ祈出図。 1・・・・・・基板 2・・・・・・レジスト6・
・・・・・触媒核 4・・・・・・金属被膜以上 出願Δ (床式会社 諏訪槓工舎 代理人弁理士最上 務 2乙り2乙りZ乙t1 配置 品2 配さ ia4 記5
でめる。図1は絶縁1住七Mする基板を示す図、図2は
レジストパターン形成図、図、5は触媒核形成図、図4
はレジスト及びレジスト上触妹核除去図、図5は触媒核
上無電メtメッキ祈出図。 1・・・・・・基板 2・・・・・・レジスト6・
・・・・・触媒核 4・・・・・・金属被膜以上 出願Δ (床式会社 諏訪槓工舎 代理人弁理士最上 務 2乙り2乙りZ乙t1 配置 品2 配さ ia4 記5
Claims (2)
- (1)絶縁性金屑する基板上に、無電解メッキを析出さ
せたい部分の基鈑全露出させた所望のパターンを可溶性
レジストで形成し、センシタイザ−浴及びアクチベータ
ー浴により全面に触媒核全形成し、次に溶剤により可溶
性レジストと可溶性レジスト上の触媒核全同時に除去し
、触媒核の残っている部分のみに無電解メッキ金属を析
出させること全特徴とする無電解メッキ法。 - (2)絶縁性を有する基板上に、無電解メッキ全析出す
る部分の基板を露出させた所望のパターン全可溶性レジ
ストで形成し、センシタイザ浴によ!ll感性化膜を全
面に形成する。次に溶剤により可溶性レジスト及び可溶
性レジスト上の感性化膜のり5を同時除去し、アクチベ
ーター浴に浸漬し感性化膜の残っている部分のみに触媒
核全形成し、金属を析出させることを特徴とする無電解
メッキ法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP692483A JPS59136471A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 無電解メツキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP692483A JPS59136471A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 無電解メツキ法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59136471A true JPS59136471A (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=11651789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP692483A Pending JPS59136471A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 無電解メツキ法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59136471A (ja) |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP692483A patent/JPS59136471A/ja active Pending
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