JPS59133302A - 金属粉末の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は溶融金属を噴霧することにより金属粉末を製造
する方法に係る。

当技術分野に於ては、溶融金属の液滴を急冷室内へ及び
／又は衝突板に対し半径方向外方へ振り飛ばす高速回転
するアトマイザディスクの１−面上へ溶融金属を注湯Ｊ
ることにより金属粉末や金属粒子を形成することはよく
知られている。アトマイザディスクの本体は高速回転時
に於（プる遠心荷重及びアトマイザディスクが曝される
温度に耐え得る高強度金属にて形成されている。またア
トマイザディスクの本体は、一般に、溶融及び／又は受
註が生じないよう水冷される銅又は銅合金の如き高熱伝
導性金属にて形成されている。しかしこのことによりア
トマイザディスク上へ注がれた金属より多量の熱が奪わ
れ、これにより溶融金属の過熱度合を大ぎ（する（溶融
金属の注湯温度を高くする）必要が生じ、そのためアト
マイザディスクの中央に於ける溶融という問題を含む種
々の問題が発生する。また以前にはアトマイザディスク
の構造的部分を構成するに好適な金属は注湯される溶融
金属と反応し、これにより製造される金属粉末の純度を
低下させることが認識されていた。

これらの問題は、高注濶温度に於て反応性が高くなる金
属を噴霧する場合や、噴霧される金属が広い凝固温度範
囲を有する合金であってその合金の個々の元素を噴霧す
る際に必要とされる注湯温度よりも高い注湯温度を必要
とする合金である場合に顕著である。

かかる問題を解決する従来の方法の一つとして、米国特
許第２．４３９．７７２号に開示されている如く、金属
製のアトマイザディスクの上面を耐火材料にてライニン
グすることが提案されている。

耐火材料はアトマイザディスクの下層金属を熱的に保護
することに加えて、大抵の溶融金属に対し不活性又は反
応性を有しないものと考えられていた。今日に於ても金
属粉末を＠造する現状の高速回転噴霧法に於ては、米国
特許第４．１７８，３３５号及び同第４．３１０，２９
２号に開示されている如く、金属製のアトマイザディス
クの表面に接合されたセラミック層上に溶融金属を注湯
することが行われている。

上述の米国特許第４，１７８．３３５号に開示されてい
る如（、適正な噴霧を行・うためには、たとえ必要とさ
れなくてもアトマイザディスクのセラミック製の表面上
にそれに注湯される溶融金属の安定な凝固層を形成する
ことが望ましい。広い凝固温度範囲を有する合金の場合
には、セラミック製のアトマイザディスクの表面と溶融
金属とを結合させることが困難であり、不可能であるこ
とが多い。米国特許第２，６９９，５７６号に於ては、
セラミックにて被覆されていない鋼製のディスク上にて
マグネシウムが噴霧される。この米国特許に於ては、デ
ィスクとマグネシウムとを結合させるべく、マグネシウ
ムに亜鉛及びジルコニウムが添加される。

高濃度の遷移元素及び他の元素（即ち鉄、ニッケル、モ
リブデン、クロム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニ
ウム）を含有するアルミニウム合金や他の幾つかの合金
は非常に高い融点を有し、セラミックを含む多くの月利
に対し反応性が高くなる。またこれらの合金は非常に広
い（場合によっては２７８℃（５００下）以上の凝固温
度範囲を有し、このことによりアトマイザディスクの表
面上に凝固層を形成することが阻害される。鉄、銅、ニ
ッケル、コバルトの非共晶合金を含む多数の他の合金も
広・い凝固温度範囲を有し、従って適正に噴霧すること
が困難である合金に属する。クロム、チタニウム、ジル
コニウム、マグネシウムの如き反応性金属を含む他の合
金もアトマイザディスクを構成する月利との反応性が高
いので問題があり、特にかかる問題（まそれらの金属に
融点を上昇させそれらの凝固温度範囲を増大させる合金
元素が添加される場合に顕著になる。

以上の説明より、従来のセラミックにて被覆されたアト
マイザディスクはこれまで解決されていない種々の欠点
を有していることが理解されよう。

米国特許第４．０６９．０４５号、同第３，７２１．５
１１号、同第４，１４０，４６２号、同第４，２０７．
０４０号、英国特許第７５４，１８０号は回転噴霧法の
技術分野に於ける現状の代表的な技術を開示している。

本発明の一つの目的は、噴霧により金属粉末を製造する
改善された方法を提供することである。

本発明の他の一つの目的は、反応性の高い金属より金属
粉末をＩＭ造する改善された方法を提供することである
。

本発明の更に他の一つの目的は　固液温度範囲の広い金
属の粉末を製造する改善された方法を提供することであ
る。

本発明によれば、高速回転するアトマイザディスクの表
面上に液体金属を注湯することによって金属粉末を製造
づ゛る方法であって、液体金属がその凝固温度よりもか
なり高い温度にて注湯される方法に於ては、■注湯され
る金属の安定な化合物又は注湯される金属が合金である
場合には該合金の基礎金属の安定な化合物であって、そ
れに含まれる材料の状態図で見て注湯される金属の注湯
温度に於て注湯される金属と共存し得るよう選定された
化合物であり、また金属が注湯される際の温度よりもか
なり高い融点を有する化合物にてアトマイザディスクを
被覆する過程と、■液体金属と化合物との結合が生じ注
湯される金属の安定な凝固層が被覆上に形成されるよう
被覆されたアトマイザディスク上に液体金属を注湯する
過程と、■アトマイザディスクより振り飛ばされた液体
金属の液滴を冷却してそれを凝固させる過程と、■かく
して凝固せしめられた金属又は合金を収集する過程とが
含まれている。

本発明の方法は、（１）高反応性金属（木明細書に於て
「金属」とは特に断わらない限り合金元素を添加されて
いない金属及び合金を意味する）及び（２）固液温度範
囲が大きく従って噴霧されるべぎ材料の凝固温度よりも
少なくとも２２３℃（４００下）、多くの場合３８９℃
（７００下）又はそれ以上高い温度にて注湯されること
を要する金属の噴霧に適用される。従来のセラミックよ
りなるディスクの表面はそのセラミックを構成する元素
との反応によりセラミックが受註されるので必ずしも常
に上述の如き材料を処理することがぐきる訳ではなく、
凝固温度範囲が広い金属の場合にはセラミックと溶８１
：金属との結合が阻害され、安定な凝固層が形成されず
、これにより適正な噴霧を行うことが困難である。

本発明の方法によれば、アトマイザディスクは、■本発
明の方法が行われる条件下に於て安定であり、■噴霧さ
れるべき材料の注湯温度以上の融点を有し、■噴霧され
る金属の安定な凝固層が化合物の表面上に形成されるよ
う注湯される液体金属と結合する化合物にて被覆される
。噴霧される金属が広い凝固温度範囲を有づ゛る場合に
は、その元素の一つく本明細書に於ては主要元素と呼ば
れることがある）が噴霧される金属の主要元素でもある
よう化合物を選定することににす、化合物と注湯される
金属材料との結合が確保される。化合物の他の元素（本
明細書に於ては二次元素とも呼ばれる）は噴霧される材
料の主要元素内に於ける溶解度が低い元素に選定される
ことが好ましい。被覆がそのままの状態に維持される可
能性を増大さびるためには溶解度が低いことが好ましい
が、このことは全ての合金系に於て必要とされる訳では
ない。基本的な要件は、含まれる材料の状態図で見て液
体金属の注湯温度に於て噴霧される金属の主要元素が溶
融された状態にて化合物と共存し得るということである
。注湯温度に於ては被覆化合物の二次元素が注湯される
金属の主要元素中に溶解覆るが、注湯温度に於て二次元
素及び主要元素の二元状態図で見てこれら二つの元素の
化合物（即ら被覆化合物）が噴霧される金属の主要元素
と共存し得る場合には、上述の如き溶解がかなりの程度
に生じることはほとんどあり得ないことが知られている
。噴霧される金属が狭い凝固温度範囲を有するが注湯温
度に於ける反応性が高い場合には、噴霧される金属と被
覆化合物との結合及び噴霧される金属の凝固層の形成は
一般には問題とならない。むしろ前述の場合の如く、噴
霧される液体金属は含まれる元素の二元状態図で見て金
属の注湯温度に於て被覆化合物と共存し得るものでなり
ればならない。

当技術分野に於てよく知られている如く、アトマイザデ
ィスクの下層金属を溶融より保護するためには、被覆化
合物の下方に低熱伝導性のセラミックの層が存在するこ
とが好ましい。換言すれば、アトマイザディスクはその
金属本体上にセラミックの断熱層を有し、化合物の被覆
はセラミック層上に形成され又は着装されることが好ま
しい。

以下に本発明を実施例について詳細に説明する。

本発明によれば、上述の如く、合金元素を添加された金
属又は合金元素を添加され又は合金元素を添加されてい
ない反応性の高い金属及びこれらの合金であって広い凝
固温度範囲（少なくとも１１１℃（２００下）を有する
金属や合金を噴霧する際に生じる種々の問題を回避すべ
く、アトマイザディスクは主要元素どして噴霧される金
属りの基礎金属Ｂを含む化合物Ｃにて被覆される（金属
りの基礎金属Ｂはこれ以降金属りの主要元素と呼ばれる
。合金元素を添加されていない金属りの主要元素はその
金属し自身である）。化合物Ｃの二次元素は文字Ｍによ
り示される。元素Ｍは先ず化合物Ｃが金属りがアトマイ
ザディスク上に注湯される際の温度よりも少なくとも２
８℃（５０°「）高い融点を有するよう選定される。化
合物Ｃの融点は金属りの注湯温度よりも少なくとも１６
６℃（３００下）高い温度であることが好ましい。

また元素Ｍは、元素Ｍ及びＢの二元状態図で見て本発明
の方法が実施される温度に於ける元素Ｂ内に於ける元素
Ｍの溶解度がいかなる値であろうとも、化合物Ｃ（元素
Ｍはその一部である）が金属りの注湯温度に於て溶融基
礎金属Ｂと共存し１ｑるよう選定される。化合物Ｃ及び
基礎金属Ｂが注湯温度に於て共存し得る場合には、アト
マイザディスク上の被覆の形態をなす化合物Ｃは本発明
の方法が実施される条件下に於ては安定な状態を維持す
る。

化合物Ｃの安定性を増大させるためには、元素Ｍは本発
明の方法が実施される条件下に於て基礎金属Ｂ内に於け
る溶解度が小さい元素に選定されることが好ましく、そ
の場合には化合物Ｃは基礎金属Ｂ内に於ける溶解度が更
に一層小さくなって注湯の温度に於ける金属り内に於て
安定になる。

基礎金属Ｂ内に於ける元素Ｍの溶解度は本発明の方法が
実施される条件下に於て１０ａｔ％以下、更には５ａｔ
％以下であることが好ましい。基礎金属Ｂ内に於ける化
合物Ｃ及び元素Ｍの溶解度が小ざいことにより、金属り
が被覆上に注湯される際に於（プる金属りと被覆化合物
Ｃとの間の反応の可能性が注湯温麿が高いにも拘らず排
除され、また被覆化合物Ｃ及び金属りが基礎金属Ｂを含
んでいるので、金属りと被覆化合物Ｃとが密に結合し、
その結果金属りの安定な凝固層が実質的に瞬間的に形成
される。一旦金属りの凝固層が形成されると、非常に微
細で純度の高い金属りの液滴がアトマイザディスクより
振り飛ばされる。

アトマイザディスク上に化合物Ｃを被覆することは以下
の二つの方法の何れかにて行われてよい。

本発明の一つの局面によれば、化合物Ｃに含まれる二次
元素Ｍがプラズマ溶射法又は他の適当な方法によりアト
マイザディスクの表面に着装される。

噴霧されるべき溶融金属しか通常の噴霧工程中と同様被
覆されたアトマイザディスクの表面状に注湯され、注湯
開始時にほぼ瞬間的に元素Ｍと共に化合物Ｃの被覆を形
成する。金属りの結合及びその安定な凝固層の形成はそ
の後はぼ瞬間的に発生する。アトマイザディスク上に溶
融金属りを注湯することは溶融月利を噴霧すべく間断な
く継続されてよい。或いはまたアトマイザディスクはプ
ラズマ溶射法等により噴霧運転に先立って化合物Ｃにて
被覆されてもよい。噴霧運転により形成される粉末は、
化合物Ｃが噴霧運転に先立ってアトマイザディスクの表
面に直接着装された場合にも、また化合物Ｃが上述の如
くＩａＲ運転の最初の数秒間にアトマイザディスクの表
面に着装される場合にも同一である。何れの場合にも、
本発明の方法によれば、液体金属がアトマイザディスク
の表面に結合することが確保され、噴霧運転中に金属り
の安定な凝Ｉｉ！ｌＩ層が形成される。反応性の高い金
属が高注湯温度にて注湯される場合にも、アトマイザデ
ィスクの被覆の溶解や形成される粉末の純度の低下は生
じない。

前述の如く、本発明の方法は広い（少なくとも１１１℃
（２００°Ｆ））の固液温度範囲（即ち凝固温度箱１１
Ｉ）を有する合金より金属粉末を製造することに関し有
用である。鉄、ニッケル、コバルト、クロム、マグネシ
ウム、アルミニウムを基礎金属とする多（の合金は上述
の合金に属する。かかる合金を回転噴霧法により金属粉
末に形成する場合には、それらの合金の温度が−でれら
の融点よりもかなり（好ましくは少なくとも１１１℃（
２００下））高（なるよう、それらの凝固温度又は融点
よりもかなり高い温度にて注湯される必要がある。この
ことにより、液体金属がアトマイザディスクより振り飛
ばされる前に最初に安定な凝固層が形成ぎれる場合を除
き噴霧中に液体金属が凝固し始めることがないことが確
保される。かくして下記の表１に掲げられた合金の如き
合金を噴霧する場合には、アトマイザディスクは下記の
表２に掲げられたアルミニウム化合物の如くアルミニウ
ムと非常に安定で高温特性に優れた化合物を形成する例
えばタンタル、ニオブ、モリブデン、ジルコニウムにて
先ず被覆される。或いはまたこれらのアルミニウム化合
物がアトマイザディスクの表面に直接着装（即ち接合）
されてよい。

表　　１ （アルミニウム合金） 飢組　　　　　融点　　　凝固点　凝固温度範囲ΔＴ−
−工−−ゴｑ−下　　℃　　　　　　下　　℃Ａ　ｌ−
１ｏＥ３ｅ　　　　１８３２　１０００　　１２００　
６４９　　　６３２．　３５１△１〜２Ｎ　ｂ　　　２
１９０　１２００　１２２３　６６２　　　９６７　５
３８ＡＩ−１０Ｃｏ　　　　１６’３５　　８９０　　
１２１４６５７　　　４２１　　２３３ＡＩ−１０Ｏｒ
　　１７００　９２６　１２２３６６１　　　４７７　
２６５Ａ＋−２Ｈｆ　　　　１６３０　　８！ＪＯ１２
２３６６２４０７２２８Ａｌ’−８Ｆｅ　　　１５７５
　８５０　１２１０Ｇ５５　　　３６５　１９５Ａ　Ｉ
−２Ｍｏ　　　　２０１２　１１００　　１３５５　７
３７　　　３６７　　３６３Ａ　ｌ−５Ｚ　ｒ　　　２
０１２　１１００　１２２３　６０１　　　７８９　４
９９Ａ　ｌ−２Ｖ　　　　　１８３２　１０００　　１
２２３　６６２　　　　６０９　　３３８Ａ　Ｉ−５Ｔ
　ｉ　　　２０１２　１１００　１２２４　６６５　　
　７８８　４３５Ａ　ｌ−１０Ｂ　　　　　２３１８　
１２７０　　１７８７　９７５　　　　５３１　　２９
５Ａ　Ｉ−８Ｆ　ｅ−１８３０１０００１３００７０４
５３０２９６２Ｍ。

表　　２ （元素及び化合物の融点） Ｌ」　　融点　　　　化合物　　　　融点二Ｌ−−二ｎ
−下　　　　°Ｃ Ｎｂ　　　４４７４　２４６８　　Ｎｂ　Ａｌ　ｓ　　
　２９２５　１６０７Ｎｂ　２　ＡＩ　　　３４０３　
１８７３１ｙｌｏ　　　４７３０　２６１０　　Ｍｏ　
ａ　Ａｌ　　　３９０２　２１５０Ｍ０　Ａ　Ｉ　　２
　　３６８６　２０３０Ｚｒ　　　３３８９　１８６５
　　Ｚｒ　Ａｌ　２　　２９９７　１６４７Ｚｒ　Ａｔ
　３　　、２８８０　１５８２Ｚｒ　Ｑ　　　　　ｆ３
０００　３３１６Ｚｌ’　　Ｂ　　　　　　５５００　
３０３８Ｔｉ　　　３０４２　１６７２　　Ｔｉ　Ａｌ
　　　　２６８２　１４７２Ｔｉ　　Ａｌ　　ｓ　　　
２４４８　１３４２Ｔｉ　　Ｂ２　　　５２５２　２９
００Ｔｉ　　Ｃ５６００３０９３ Ｔｉ　　Ｎ　　　　　５３４０　２９４９Ｂ　　　４１
７２　２３０ＯＡＩ　Ｂ１２　　　３７５８　２０７０
Ｔａ　　　５４３２　３０００　　ＡｌａＴａ　　　２
１０２　１５５０Ａｔ　　Ｔａ　２　　３１３３２　２
０００純アルミニウムは約６６０℃（１２２０下）に於
て液体となる。回転噴霧法によりアルミニウム粉末を形
成するためには、アルミニウムは少なくとも約８２７℃
（１５２０下）にまで過熱されなければならない。約９
８２℃（１８００下）以上に於ては、アルミニウムは従
来のアトマイザディスクの表面に被覆するために一般に
使用されるセラミックに含まれる元素との反応性が高く
なる。

多くのアルミニウム合金に於ては、凝固温度範囲が広い
がために高温の注湯温度が必要であり、従って反応性が
増大されるという更に大きな問題がある。表１は幾つか
のアルミニウム合金の融点及び凝固点及びそれらの間の
温度差ΔＴ（凝固温度範囲の大きざを表ず）を示してい
る。これらの合金はそれらの融点よりも少なくとも１１
１℃（２００下）高い温度にて注湯されなければならな
い。

これらの合金が直接アトマイザディスクのセラミックの
表面上に注湯されると、アトマイザディスクの表面上に
はそれらの合金の凝固層は形成されず、従ってアトマイ
ザディスクの表面に溶融合金が濡れたり結合したりする
ことも生じない。

下記の表３は種々の温度の液体アルミニウム中に於ける
種々の元素の溶解度を示している。この表は噴霧に使用
されるディスクのための被覆、例えば表１のアルミニウ
ム合金の何れかを選定する際に表２との関連で使用され
てよい。ニオブ、モリブデン、ジルコニウム、ボロン、
タンタル、タングステン、チタニウムはそれらの液体ア
ルミニウム中に於ける溶解度が小さいのでアトマイザデ
ィスクのための初期被覆として最も適している。

表２は表３に掲げられた元素が溶融アルミニウムと接触
した際に形成される化合物の幾つかの融点を示している
。この表２よりこれらの化合物の融点は非常に高いこと
が解る。これらの化合物をディスクの被覆として使用す
ることの利点は、それらの融点が高いことに加えて、そ
れらが液体アルミニウムとほとんど反応しないというこ
とである。

表３の他の元素、即ちコバルト及び鉄は液体アルミニウ
ム中により多聞に溶解し得る元素ではあるが、それらの
元素がアルミニウムと形成する化合物がアルミニウムの
注湯温度に於て溶融アルミニウムと共存し得る場合には
、これらの元素も好適である。表３は本発明の方法を実
施する際に有用な全ての元素を掲げている訳ではない。

表　　３ 液体アルミニウム中に於ける ８種元索の溶解度　ａｔ％（ｗｔ％） 註　　　　　　　　　温度 １０９３℃　　　　１２０４℃　　　　１３１６℃（２
０００下）　　　−０１１部とＬＬ　　　−仁ｌ±供と
旦Ω−Ｎｂ　　０．５　　＜　　１．５）　　０．８　
　（２，４＞　　２．０　　（６）ｌｙｌｏ　　１．５
　　（４）　　　３．０　　（７’）　　　４．０　　
（１０）Ｚｒ　　１．７　　（５）　　　３．３　　（
１０）　　　６．０　　（１８，５）Ｂ　　　２，５　
　（５）　　　４．０　　（８）　　　６，０°（１２
）Ｔ’ａ　　７．０　　（３０）　　　９．０　　（４
０）　　　１１．０　　（４５）Ｔｉ　　３，０　　（
５）　　　６．５　　（１０）Ｗ　　　４．０　　（２
０）　　　７．５　　（３６）Ｇｏ　　１８．０　　（
’３２）　　　２４．０　　（４１）Ｆｅ　　１６．０
　　（２７）　　　３８．０　　（５７＞合金がそれが
注湯される際の温度（その温度が非常に高い温度であろ
うとなかろうと）に於ける反応性が高く、従って従来の
セラミック被覆と反応りるような合金である場合には、
凝固温度範囲の広い合金の場合と同一の方法が使用され
てよい。

かくしてアトマイザディスクは本発明の方法が実施され
る条件下に於て合金の基礎金属と安定な化合物を形成す
る第一の金属にて先ず被覆される。

或いはまたかかる安定な化合物がアトマイザディスクの
表面に直接着装される。第一の金属は注湯温度に於て基
礎金属中に於ける溶解度が非常に小さいことが好ましい
が、形成される化合物が本発明が実施される条件下に於
て基礎金属と共存し得る場合にはこのことは必ずしも必
要ではない。例えばチタニウム合金やジルコニウム合金
はその表面に基礎金Ｂ（チタニウム又はジルコニウム）
と炭素、ボロン、窒素の如き元素とよりなる被菌化合物
を表面に有するディスク上にて噴霧されてよい。かかる
化合物は全て２７６０℃（５０００’Ｆ　）以上の融点
を有している（族２参照）。これらの化合物は全て基礎
金属の注湯温度に於て基礎金属と共存し、従って本発明
が実施される条件下に於ては安定である。

合金元素を添加されていない注湯温度に於【プる反応性
が高い金属が噴霧される場合には、同一の原理が適用さ
れる。アトマイザディスクは噴霧されるべき金属と接触
した場合に該金属と安定な化合物を形成する第一の材料
にて被覆される。或いはまたかかる安定な化合物がアト
マイザディスクの表面に直接着装されてよい。第一の材
料は形成される化合物が本発明の方法が実施される条件
下に於て江湖される金属と共存し、これにより被覆の溶
解が発生しないよう選定される。化合物は金属の注湯温
度よりも少なくとも２８℃（５０下）、好ましくは少な
くとも１６６℃（３００”Ｆ　）高い融点を有していな
ければならない。例えばチタニウムやジルコニウムの如
く合金元素を添加されていない金属を噴霧するためには
、これらの金属の炭素、ボロン、窒素との化合物が使用
されてよい。

以上に於ては、本発明を特定の実施例について詳細に説
明したが、本発明はかかる実施例に限定されるものでは
なく、本発明の範囲内にて種々の修正並びに省略が可能
であることは当業者にとって明らかであろう。

特許出願人　　ユナイデツド・チクノロシーズ・コーポ
レイション

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）液体金属をその融点よりも少なくとも１１１℃（
   ２００下）高い温度にて高速回転するアトマイザディス
   クの表面上へ注湯することにより金属粉末を製造する方
   法にして、 金属粉末製造工程の間安定であり前記金属が合金元素を
   添加されていない金属である場合には前記金属を含み前
   記金属が合金である場合には前記合金の基礎金属を含む
   化合物Ｃであって、前記液体金属の注湯温度よりも少な
   くとも２８℃（５０下）高い融点を有し、前記液体金属
   は該液体金属の注湯温度に於て前記化合物と共存し得る
   如き化合物Ｃの被覆を前記アトマイザディスク上に形成
   Ｊ−ろ過程と、 前記金属が前記化合物Ｃと結合し、前記金属の安定な凝
   固層が前記被覆上に形成され、前記金属が前記アトマイ
   ザディスクより振り飛ばされる際に前記金属の微細な液
   滴が形成されるよう、前記注湯温度に於て前記被覆され
   たアトマイザディスク上へ金属粉末に形成されるべき前
   記金属の液体の流れを注ぐ過程と、 前記液体金属の液滴が前記アトマイザディスクの表面よ
   り離れた後前記液体金属の液滴を冷却して前記液滴を凝
   固させる過程と、 前記凝固した小滴を収集する過程と、 を含む方法。
2. （２）液体金属りを高速回転するアトマイザディスクの
   表面上へ注ぐことにより金属粉末を製造づる方法であっ
   て、前記金属しは少なくとも１１１’Ｃ（２００下）の
   凝固温度範囲を有し、基礎金属Ｂを含み、その融点より
   も少なくとも１１１℃（２００下）高い温度にて注湯さ
   れる方法にして、前記基礎金属Ｂの化合物Ｃであって、
   該化合物は前記金属りが注湯される際の温度よりも少な
   くとも２８℃（５０下）高い融点を有し、前記注湯温度
   に於ては液体状態の前記基礎金属Ｂ及び前記化合物Ｃは
   共存可能である如き化合物Ｃの被覆を前記アトマイザデ
   ィスク上に形成する過程と、前記金属りが前記化合物Ｃ
   と結合し、前記金属りの安定な凝固層が前記化合物Ｃの
   被覆上に形成され、前記金属し−が前記アトマイザディ
   スクより振り飛ばされる際に前記金属りの微細な液滴が
   形成されるよう、前記注湯温度に於て前記被覆されたア
   トマイザディスク上へ前記金属［−の液体の流れを注ぐ
   過程と、 前記液滴が前記アトマイザディスクより離れた後に前記
   液滴を冷却して前記金属を凝固させる過程と、 前記凝固した金属を収集する過程と、 を含む方法。
3. （３）液体金属りを高速回転するアトマイザディスクの
   表面上へ注ぐことにより金属粉末を製造する方法であっ
   て、前記金属しは基礎金属Ｂを含み、その融点よりも少
   なくとも１１１℃（２００下）高い温度にて泊渇される
   方法にして、 前記金属りが注湯される際の温度に於て前記基礎金属Ｂ
   と化合して化合物Ｃを形成する元素Ｍにて前記アトマイ
   ザディスクを被覆する過程であって、前記化合物Ｃは前
   記元素Ｍの融点よりも高く且前記金属が注湯される際の
   温度よりも高い融点を有しており、前記基礎金属Ｂ内に
   於４フる前記元素Ｍの溶解度は前記方法が実施される条
   件下に於ては約１０ａｔ％以下であり、前記基礎金属Ｂ
   内に。 於ける前記化合物Ｃの溶解度は前記基礎金属Ｂ内に於け
   る前記元素Ｍの溶解度以下である如き過程と、 前記金属りが注湯される際に前記アトマイザディスクの
   表面上に化合物Ｃの凝固層を形成づべく、前記元素Ｍに
   て被覆された前記アトマイザディスク上へ前記金属りの
   液体の流れを注ぐ過程と、前記金属りが前記化合物Ｃの
   前記凝固層と結合し、前記金属りの安定な凝固層が前記
   化合物Ｃの前記凝固層の表面上に形成され、前記液体金
   属りが前記アトマイザディスクより振り飛ばされる際に
   前記金属りの微細な液滴が形成されるよう、前記化合物
   Ｃの前記凝固層上へ前記液体金属りを注ぎ続ける過程と
   、 前記液体金属りが前記アトマイザディスクの表面より離
   れた後前記金属りを冷却して前記金属りを凝固される過
   程ど、 前記凝固した金属りを収集する過程と、を含む方法。