JPS59131152U - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS59131152U
JPS59131152U JP2435783U JP2435783U JPS59131152U JP S59131152 U JPS59131152 U JP S59131152U JP 2435783 U JP2435783 U JP 2435783U JP 2435783 U JP2435783 U JP 2435783U JP S59131152 U JPS59131152 U JP S59131152U
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JP
Japan
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electrode
wafer mounting
semiconductor manufacturing
wafer
discharge space
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Pending
Application number
JP2435783U
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English (en)
Inventor
良次 福山
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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Priority to JP2435783U priority Critical patent/JPS59131152U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は従来のドライエツチング装置を説明す
るもので、第１図はドライエツチング装置の縦断面図、
第２図は反応ガスと混合ガスの流れ模式図、第３図は本
発明によるドライエツチング装置の一実施例を示す縦断
面図、第４図は、第３図の電極のＡ−Ａ視断面図、第５
図は電極の他の実施例を示す平面図、第６図は電極の更
に他の実施例を示す縦断面図である。 １０・・・排気ノズル、１１・・・反応室、２０・・・
電極、２１・・・放出孔、２２・・・反応ガス供給路、
３０・・・テーブル、３２・・・排気孔、３３・・・絶
縁カバー、４０・・・放電空間、４１・・・隙間、５０
・・・高周波電源。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １　電極とウェハ載置用電極とが放電空間を有し対向し
    て内設されると共に減圧排気される反応室内で、反応ガ
    スに高周波電圧を印加し減圧下で放電させつつ複数枚の
    ウェハに所定の処理を同時に施こす装置において、前記
    ウェハ載置用電極のウェハ載置位置に対応する前記電極
    面を突出させ、該突出した電極にのみ反応ガスの放出孔
    を前記放電空間に開放し穿設すると共に、ウェハ載置用
    電極のウェハ載置位置の内側に放電空間と排気装置とを
    連通ずる排気孔穿設したことを特徴とする半導体製造装
    置。 ２　前記放出孔を前記ウェハ載置用電極のウェハ載置位
    置に対向し複数個穿設した実用新案登録請求の範囲第１
    項記載の半導体製造装置。
JP2435783U 1983-02-23 1983-02-23 半導体製造装置 Pending JPS59131152U (ja)

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JP2435783U JPS59131152U (ja) 1983-02-23 1983-02-23 半導体製造装置

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JPS59131152U true JPS59131152U (ja) 1984-09-03

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