JPS59129472A - Ｍｏｓ型トランジスタ - Google Patents
Ｍｏｓ型トランジスタInfo
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- JPS59129472A JPS59129472A JP435283A JP435283A JPS59129472A JP S59129472 A JPS59129472 A JP S59129472A JP 435283 A JP435283 A JP 435283A JP 435283 A JP435283 A JP 435283A JP S59129472 A JPS59129472 A JP S59129472A
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- Japan
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- type
- region
- gate
- recessed section
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- Pending
Links
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title 1
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はＭＯ８型トランジスタ（以下ＭＯ８Ｔと略す）
に関する。
に関する。
（川 従来技術
現存するＭＯ５Ｔは第１図に示す如く、−導電型、例え
ばＰ型のシリコン基板（１）に所定の間隔を設けてＮ型
のソース、ドレイン各領域＋２１（３１を形成し、該両
領域（２１（３１間のチャンネル領域（４）上に酸化膜
等の絶縁膜（５）を介してゲート電極（６）を形成した
構造が代表的なものである。従ってこのＭＯ５Ｔはゲー
ト電極（６）から基板（１）へ向う電界か印加される事
に依って動作する。
ばＰ型のシリコン基板（１）に所定の間隔を設けてＮ型
のソース、ドレイン各領域＋２１（３１を形成し、該両
領域（２１（３１間のチャンネル領域（４）上に酸化膜
等の絶縁膜（５）を介してゲート電極（６）を形成した
構造が代表的なものである。従ってこのＭＯ５Ｔはゲー
ト電極（６）から基板（１）へ向う電界か印加される事
に依って動作する。
ところが、バ・リフゲートとしては基板（１）か用いら
れている為に、基板（１）はその上に形成される多数の
ＭＯ３Ｔに共通のバ・リフゲートとなってしまい、個々
のＭ ＯＳ Ｔに異ったバ・リフゲート電界を掛ける事
は不可能で、ＭＯ８Ｔの動作制御に制約がある。また印
加電界が基板（１）に対して垂直方向であるので、基板
（１）表面に垂直方向に回路を重ねる事は困難で、高集
積化の為に脚光を浴びている所謂三次元化は不可能であ
った。
れている為に、基板（１）はその上に形成される多数の
ＭＯ３Ｔに共通のバ・リフゲートとなってしまい、個々
のＭ ＯＳ Ｔに異ったバ・リフゲート電界を掛ける事
は不可能で、ＭＯ８Ｔの動作制御に制約がある。また印
加電界が基板（１）に対して垂直方向であるので、基板
（１）表面に垂直方向に回路を重ねる事は困難で、高集
積化の為に脚光を浴びている所謂三次元化は不可能であ
った。
ヒ＼）発明の目的
本発明はこのような問題点に鑑みて為されたものであっ
て、同一の基板に形成した多数のＭＯ８Ｔの個々にバ・
リフゲート電界を印加する事が出来ると共に回路の三次
元化を可能としたＭＯ８Ｔを提供するものである。
て、同一の基板に形成した多数のＭＯ８Ｔの個々にバ・
リフゲート電界を印加する事が出来ると共に回路の三次
元化を可能としたＭＯ８Ｔを提供するものである。
に）発明の構成
本発明はソース、ドレイン両領域に跨り互に対向した四
部を穿ち、その一方に絶縁膜を介してゲート電極を形成
し、他方にバ・リフゲートを設けて基板表面に水平な方
向の電界にて動作するＭＯ８Ｔに関する。
部を穿ち、その一方に絶縁膜を介してゲート電極を形成
し、他方にバ・リフゲートを設けて基板表面に水平な方
向の電界にて動作するＭＯ８Ｔに関する。
←ホ）実施例
第２図は本発明ＭＯ８Ｔを示しており、（ａ）は上面図
、（ｂｌは（ａ）ノＩｓ −１１線断面図、（Ｃ）は（
ａ）のＣ−Ｃ線断面図であって、００）は−導電型、例
えばＰ型のシリコン基板で、所定の間隔を設けてＮ型の
不純物を導入したソース、ドレイン各領域ｆｉｌ）（１
２）を有している。（１３）（１４）はこのソース、ド
レイン両領域（１１）（１２）に跨り、且つ互に対向し
て穿たれた凹部で、その一方α■には２００Ａ’〜２０
００Ａ’ の膜厚の酸化シリコン膜等の絶縁膜（１５１
を介してアルミニウム、多結晶シリコン等の導電材料か
配されてゲート電極（１６）か形成されている。また残
る他方の凹部（１４）の周囲には基板α０）と同導電型
であるＰ型の不純物が多量に導入されてＰ＋型領域αη
か形成されており、この凹部（１４）内にもアルミニウ
ム等の導電材料を配してバ・リフゲート（１８）とする
のであるが、この凹部０滲内で絶縁脱明に穿った透孔（
１９）に依ってこのバリクゲート（１８）とＰ 型領域
潤とはオーミ噌りにコンタクトしている。尚、（ｎ （
２１）は夫々ソース、ドレイン各領域α１）０ｚに接し
たソース電極及びドレイン電極である。
、（ｂｌは（ａ）ノＩｓ −１１線断面図、（Ｃ）は（
ａ）のＣ−Ｃ線断面図であって、００）は−導電型、例
えばＰ型のシリコン基板で、所定の間隔を設けてＮ型の
不純物を導入したソース、ドレイン各領域ｆｉｌ）（１
２）を有している。（１３）（１４）はこのソース、ド
レイン両領域（１１）（１２）に跨り、且つ互に対向し
て穿たれた凹部で、その一方α■には２００Ａ’〜２０
００Ａ’ の膜厚の酸化シリコン膜等の絶縁膜（１５１
を介してアルミニウム、多結晶シリコン等の導電材料か
配されてゲート電極（１６）か形成されている。また残
る他方の凹部（１４）の周囲には基板α０）と同導電型
であるＰ型の不純物が多量に導入されてＰ＋型領域αη
か形成されており、この凹部（１４）内にもアルミニウ
ム等の導電材料を配してバ・リフゲート（１８）とする
のであるが、この凹部０滲内で絶縁脱明に穿った透孔（
１９）に依ってこのバリクゲート（１８）とＰ 型領域
潤とはオーミ噌りにコンタクトしている。尚、（ｎ （
２１）は夫々ソース、ドレイン各領域α１）０ｚに接し
たソース電極及びドレイン電極である。
斯るＭ２Ｓ丁に於て、ソース！に極■をアースし、ドレ
イン電極Ｃ２１）に一定の電圧を印加した状態で、ゲー
ト電極Ｏ印とバ・リフゲート（１８）との間に電界を印
加すると、第２図（Ｃ１の矢印で示すようにゲート電極
（１６）を有する一方の凹部（１３）からバ・リフゲー
ト０８１を有する他方の凹部（１釦こ向って電界が発生
し、その結果、一方の凹部（１３）の他方の凹部（１４
）に対向する壁面の絶縁膜（１９とＰ型の基板α０）と
の界面にソース領域０１）からドレイン領域０渇に達す
るＮ型に反転したチャンネルが発生し、このチャンネル
を介してドレイン領域（１２１からソース領域（１１）
への電流（支）が流れる事となる。この時流れる電流ば
はゲート電Ｆｉｉ（１６）とバ・リフゲート（旧との間
に印加される電界強度に依って変化するので、通常のＭ
Ｏ８Ｔと全く同じ動作をする事となる。
イン電極Ｃ２１）に一定の電圧を印加した状態で、ゲー
ト電極Ｏ印とバ・リフゲート（１８）との間に電界を印
加すると、第２図（Ｃ１の矢印で示すようにゲート電極
（１６）を有する一方の凹部（１３）からバ・リフゲー
ト０８１を有する他方の凹部（１釦こ向って電界が発生
し、その結果、一方の凹部（１３）の他方の凹部（１４
）に対向する壁面の絶縁膜（１９とＰ型の基板α０）と
の界面にソース領域０１）からドレイン領域０渇に達す
るＮ型に反転したチャンネルが発生し、このチャンネル
を介してドレイン領域（１２１からソース領域（１１）
への電流（支）が流れる事となる。この時流れる電流ば
はゲート電Ｆｉｉ（１６）とバ・リフゲート（旧との間
に印加される電界強度に依って変化するので、通常のＭ
Ｏ８Ｔと全く同じ動作をする事となる。
（へ）発明の効果
不発明は以上の説明から明らかな如く、ソースドレイン
に跨って凹部を形成して基板表面に対して水平方向に電
界を印加する事に依ってＭＯ８Ｔ動作を得る構成である
ので、各ＭＯ８Ｔ毎にバ・リフゲートを形成する事が出
来、夫々のＭＯ８Ｔを最適条件ドに於て動作させ得ると
同時に、本発明明ＭＯ８Ｔの上に更に絶縁膜を介してシ
リコン単結晶をエピタキシャル成長させ、その単結晶に
本発明に係るＭＯ５Ｔを形成する事に依って回路を多層
構成とする事か出来、三次元化を可能とする。
に跨って凹部を形成して基板表面に対して水平方向に電
界を印加する事に依ってＭＯ８Ｔ動作を得る構成である
ので、各ＭＯ８Ｔ毎にバ・リフゲートを形成する事が出
来、夫々のＭＯ８Ｔを最適条件ドに於て動作させ得ると
同時に、本発明明ＭＯ８Ｔの上に更に絶縁膜を介してシ
リコン単結晶をエピタキシャル成長させ、その単結晶に
本発明に係るＭＯ５Ｔを形成する事に依って回路を多層
構成とする事か出来、三次元化を可能とする。
第１図は現存する代表的ＭＯ５Ｔの断面図、第２図ｆＲ
１（ｂｌ（Ｃ１は夫々本発明ＭＯ８Ｔの上面図、そのＢ
Ｂ線断面図、同じ＜ＣＣ線断面図であって、（１１）（
１２）・・・ソース、ドレイン領域、（１３）１１４）
・・・凹部、αω・・・は絶縁膜、（１６）・・・ゲー
ト電極、（１η・・・戸領域・叩・・・バ・リフゲート
、ば・・・電流、を夫々示している。
１（ｂｌ（Ｃ１は夫々本発明ＭＯ８Ｔの上面図、そのＢ
Ｂ線断面図、同じ＜ＣＣ線断面図であって、（１１）（
１２）・・・ソース、ドレイン領域、（１３）１１４）
・・・凹部、αω・・・は絶縁膜、（１６）・・・ゲー
ト電極、（１η・・・戸領域・叩・・・バ・リフゲート
、ば・・・電流、を夫々示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） −導電型半導体基板と、該基板に所定の間隔を設
けて形成した逆導電型のソース、ドレイン各領域と、該
両領域に跨り互に対向した位置に穿った凹部と、から成
り、該凹部の一方に絶縁膜を介して導電材料を配置して
ゲート電極とすると共に、残る他方の凹部に導電材料を
配してバ・リフゲートとした事を特徴とするＭＯ３型ト
ランジスタ。 ２）上記バ・リフゲートを有する他方の凹部の周囲には
一導電型の不純物を多側に導入して高濃度領域を設け、
該高濃度領域にバ・リフゲートをコンタクトせしめて成
る特許請求の範囲第１項記載のＭＯ８型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP435283A JPS59129472A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | Ｍｏｓ型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP435283A JPS59129472A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | Ｍｏｓ型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129472A true JPS59129472A (ja) | 1984-07-25 |
Family
ID=11582018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP435283A Pending JPS59129472A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | Ｍｏｓ型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129472A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194437A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH0438877A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Canon Inc | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP435283A patent/JPS59129472A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194437A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH0438877A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Canon Inc | 半導体装置 |
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