JPS59125627A - ウエハ外周座標測定装置 - Google Patents
ウエハ外周座標測定装置Info
- Publication number
- JPS59125627A JPS59125627A JP58000834A JP83483A JPS59125627A JP S59125627 A JPS59125627 A JP S59125627A JP 58000834 A JP58000834 A JP 58000834A JP 83483 A JP83483 A JP 83483A JP S59125627 A JPS59125627 A JP S59125627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- angle
- spindle
- light
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ウェハ外周座標測定装置に関する。
一般に、半導体ウェハ（以下、単にウェハと記す。）の
粗い位置決めである所謂シリアライメント操作は、プロ
ジェクションアライナ−装置やコンタクトアライナ−装
置、或は、縮小投影露光装置で行われている。第１図は
、プロジェクションアライナ−装置の一例を示している
。
粗い位置決めである所謂シリアライメント操作は、プロ
ジェクションアライナ−装置やコンタクトアライナ−装
置、或は、縮小投影露光装置で行われている。第１図は
、プロジェクションアライナ−装置の一例を示している
。
図中１はウェノ・２を固着するスピナーである。
スピナー１の近傍には、ウエノ・２を所定量回転させる
θモータ３が設けられている。スピナー１に固着された
ウェハ２の下方には、ウニ／％ ２の下面に対向してフ
ラットファインダーディテクター４、エツジディテクタ
ー５、フラットアライナ−ディテクター６が所定の配置
で設けられている。スピナー１はＸモークツ（横方向モ
ータ）、Ｙモータ８（縦方向モータ）に接続されており
、ウエノ・２の設定位置を縦横自在に調節できるように
なっている。而して、スピナー１上のウェハ２をθモー
タ３の駆動により回転させる。このとき、フラットファ
インダーディテクター４によって、オリエンテニション
フラ・ソト面２ａが検出される。θモータ３ｉｌ−１１
，、オリエンテーシせンフラソト面２ａを２個のフラノ
トアライナ−ディテクター６で検出するまでウェハ２を
回転させる。次いで、フラットアライナ−ディテクター
６とエツジディテクター５の出力値が平衡状態になるよ
うに、Ｘモータ７、Ｙモータ８及びθモータ３を駆動し
てウェハ２のプリアライメントを完了する。なお、フラ
ットファインダーディチククー４、エツジディテクター
５、フラットアライナ−ディテクター６は、発光素子と
ホトダイオードの対で構成されている。
θモータ３が設けられている。スピナー１に固着された
ウェハ２の下方には、ウニ／％ ２の下面に対向してフ
ラットファインダーディテクター４、エツジディテクタ
ー５、フラットアライナ−ディテクター６が所定の配置
で設けられている。スピナー１はＸモークツ（横方向モ
ータ）、Ｙモータ８（縦方向モータ）に接続されており
、ウエノ・２の設定位置を縦横自在に調節できるように
なっている。而して、スピナー１上のウェハ２をθモー
タ３の駆動により回転させる。このとき、フラットファ
インダーディテクター４によって、オリエンテニション
フラ・ソト面２ａが検出される。θモータ３ｉｌ−１１
，、オリエンテーシせンフラソト面２ａを２個のフラノ
トアライナ−ディテクター６で検出するまでウェハ２を
回転させる。次いで、フラットアライナ−ディテクター
６とエツジディテクター５の出力値が平衡状態になるよ
うに、Ｘモータ７、Ｙモータ８及びθモータ３を駆動し
てウェハ２のプリアライメントを完了する。なお、フラ
ットファインダーディチククー４、エツジディテクター
５、フラットアライナ−ディテクター６は、発光素子と
ホトダイオードの対で構成されている。
このようにしてウェハ２のプリアライメントを行い、そ
の外周座標を測定するものでは、次のような欠点がある
。
の外周座標を測定するものでは、次のような欠点がある
。
■ 機構が複雑であるため、その調整が煩雑でちゃ、故
障が起き易い。
障が起き易い。
■ 特殊な制御機構を必要とする。
■ 最終的な位置、決めを行うのは、ウェハ周辺の数点
のエツジ部であり、ウェハ２の寸法のばらつき、ウェハ
２の変形の影響を受は易く、測定精度が悪い。
のエツジ部であり、ウェハ２の寸法のばらつき、ウェハ
２の変形の影響を受は易く、測定精度が悪い。
■ 可動部が多いため、ごみが出やすい。
■ 測定速度を十分に高めることができない。
■ ウエノ・２の直径が異なると装置の構造を大幅に改
造する必要がある。
造する必要がある。
■ 装置の占有空間が太きい。
第２図は、縮小投影露光装置の一例を示している。図中
１１は、その中心部１２を支点にして揺動自在に設けら
れた略弓形の揺動アームである。揺動アーム１１０両端
部には、ロッド１３が突出している。ロッド１３間には
、略半円形の］対の心出しアーム１４が、相対向して対
向面側で円を描くようにした状態で、摺動自在に架設さ
れている。心出しアーム１４上には、心出しビン１５が
所定間隔で立設されている。
１１は、その中心部１２を支点にして揺動自在に設けら
れた略弓形の揺動アームである。揺動アーム１１０両端
部には、ロッド１３が突出している。ロッド１３間には
、略半円形の］対の心出しアーム１４が、相対向して対
向面側で円を描くようにした状態で、摺動自在に架設さ
れている。心出しアーム１４上には、心出しビン１５が
所定間隔で立設されている。
心出しアーム１４で囲まれた中心部の下方には、ウェハ
１６を固着するスピナー１７が回転自在に設けられてい
る。心出しアーム１４間には、３個の位置検出器ｊ８が
、ロッド１３と平行に配置されている。一方のロッド１
３の先端部には、ロッドＩ３をその長手方向に沿って伸
縮させるエアシリンダー１９が取付けられている。
１６を固着するスピナー１７が回転自在に設けられてい
る。心出しアーム１４間には、３個の位置検出器ｊ８が
、ロッド１３と平行に配置されている。一方のロッド１
３の先端部には、ロッドＩ３をその長手方向に沿って伸
縮させるエアシリンダー１９が取付けられている。
他方のロッド１３には、ロッド１３を揺動アーム１ノ方
向に押圧するばね２０が取付けられている。なお、図中
２１は、ロッド１３が貫挿された軸受２１である。而し
て、このように構成された縮小投影露光装置は、ウェハ
１６を心出しアーム１４上に載置し、エアシリンダー１
９によってロッド１３を伸縮動さぜることにより、ウェ
ハ１６の周面を心出しピン１５で叩いてその中心の位置
出しを行う。次いで、ウェハ１６をスピナー１７上に固
着する。スピナー１７上のウェハ１６は、スピナー１７
の回転によって所定景だけ回転させられる。このとき、
位置検出器１８の中央のものが、ウェハ１６のオリエン
テーションフラット面を検出する。次いで、オリエンテ
ーションフラット面が所定位置に来るようにウェハ１６
を回転する。然る後、再度、心出しアーム１４を動かし
てウェハ１６の心出しを行った後、両端側の位置検出器
１６の出力値が平衡状態になるまで、ウェハ１４をスピ
ナー１７で微動回転し、第３図中（１）で示す配置状態
からΦ）で示す所定配置状態にまでウェハ１４を移動せ
しめる。
向に押圧するばね２０が取付けられている。なお、図中
２１は、ロッド１３が貫挿された軸受２１である。而し
て、このように構成された縮小投影露光装置は、ウェハ
１６を心出しアーム１４上に載置し、エアシリンダー１
９によってロッド１３を伸縮動さぜることにより、ウェ
ハ１６の周面を心出しピン１５で叩いてその中心の位置
出しを行う。次いで、ウェハ１６をスピナー１７上に固
着する。スピナー１７上のウェハ１６は、スピナー１７
の回転によって所定景だけ回転させられる。このとき、
位置検出器１８の中央のものが、ウェハ１６のオリエン
テーションフラット面を検出する。次いで、オリエンテ
ーションフラット面が所定位置に来るようにウェハ１６
を回転する。然る後、再度、心出しアーム１４を動かし
てウェハ１６の心出しを行った後、両端側の位置検出器
１６の出力値が平衡状態になるまで、ウェハ１４をスピ
ナー１７で微動回転し、第３図中（１）で示す配置状態
からΦ）で示す所定配置状態にまでウェハ１４を移動せ
しめる。
このようにしてウェハ１４のプリアライメントを行う縮
小投影露光装置は、前述のプロ・ゾエグションアライナ
ー装置の場合に示した■、■■■■■の欠点を同様に有
すると共に、ウニ・・１４のエノ・ゾを叩いて位置決め
するため、特にレジストのごみが出やすい欠点がある。
小投影露光装置は、前述のプロ・ゾエグションアライナ
ー装置の場合に示した■、■■■■■の欠点を同様に有
すると共に、ウニ・・１４のエノ・ゾを叩いて位置決め
するため、特にレジストのごみが出やすい欠点がある。
なお、第３図中（Ｉｌは、１００ｍ１φのウェノ・１４
が原点に対してＸ座標で＋５ ｍｒｎ、Ｙ座標で」−３
ｍｘ偏心している場合で、オリエンテーションフラット
面の向きが４５°の角度にある場合のものを、７２個の
測定点データから描いたものである。（ＩＩ）は、この
７２個の測定点の座標値を用いて、逆ニウェハ１４の中
心点とオリエンテーションフラット面の角度を計算で求
め、更に、オリエンテーションフラット面がＸ軸に向く
ように原点を中心に回転させて描いたものである。
が原点に対してＸ座標で＋５ ｍｒｎ、Ｙ座標で」−３
ｍｘ偏心している場合で、オリエンテーションフラット
面の向きが４５°の角度にある場合のものを、７２個の
測定点データから描いたものである。（ＩＩ）は、この
７２個の測定点の座標値を用いて、逆ニウェハ１４の中
心点とオリエンテーションフラット面の角度を計算で求
め、更に、オリエンテーションフラット面がＸ軸に向く
ように原点を中心に回転させて描いたものである。
ここで、原点に対するウェハ中心の偏心はＸ＝＋ ５．
６５６９ｍｍ 、 Ｙ＝ −１，４１，４２ｍｒｎと計
算されている。また、ウェハ周辺座標値からウェハ１４
の偏心量及びオリエンチーシコンフラット面の角度を求
める計算は、最小二乗法にて行っている。
６５６９ｍｍ 、 Ｙ＝ −１，４１，４２ｍｒｎと計
算されている。また、ウェハ周辺座標値からウェハ１４
の偏心量及びオリエンチーシコンフラット面の角度を求
める計算は、最小二乗法にて行っている。
本発明は、ウェハの中心座標やオリエンテーションフラ
ット面の方向を、ウェハの大きさに左右されずにウェハ
に非接触の簡単な機構で容易にしかも高精度に測定でき
るウェハ外周座標測定装置を提供することをその目的と
するものである。
ット面の方向を、ウェハの大きさに左右されずにウェハ
に非接触の簡単な機構で容易にしかも高精度に測定でき
るウェハ外周座標測定装置を提供することをその目的と
するものである。
本発明は、ウェハの回転角を検出する角度検出器と、ウ
ェハの周縁部で遮られた光源の光量の変化を測定するセ
ンサーを設けて、これらの出力信号からウェハの中心座
標やオリエンテーションフラット面の１向を、ウェハの
大キサニ左右されずにウェハに非接触の簡単な機構で容
易に、しかも高精度に測定することができるウェハ外周
座標測定装置である。
ェハの周縁部で遮られた光源の光量の変化を測定するセ
ンサーを設けて、これらの出力信号からウェハの中心座
標やオリエンテーションフラット面の１向を、ウェハの
大キサニ左右されずにウェハに非接触の簡単な機構で容
易に、しかも高精度に測定することができるウェハ外周
座標測定装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照し７て説明す
る。
る。
第４図は、一実施例の概略構成を示す説明図である。図
中３０は、先端部にウニ／・３ノを固着するウェハチャ
ック３２を有するスピンドルである。スピンドル３０は
、モータ３３の回転軸に接続されている。モータ３３に
は、スピンドル３０の回転角度を測定する角度検出器３
４が設けられている。モータ３３の土方には、ウエパチ
ャノク３２に固着されたウエノ・３１の１８縁部に所定
幅り、の光線３４を照射する光源３５がレンズ３６を介
して設けられている。レンズ３６の下方には、ウエノ・
３１の周縁部で遮られずにウェノ・３１よりも下方に通
過して来た光線３４′を受光するフォトセンサー３７が
設けられている。而して、ウエノ・チャック３２上にウ
ェハ３１を固着して、スピンドル３θによってウェノ・
３１を所定の速度で回転させながら角度検出器３４にて
ウニ／・３Ｉの回転角度を検出する。これに同期してウ
ニ）’３１０周縁ｇで遁られずに通過して来た光量を測
定する。この光量の変化と前述の回転角度からウエノ・
３Ｉの周端からスピンドル３０の中心までの距離を、ウ
ェハ３１の全周に亘って測定することカニできる。
中３０は、先端部にウニ／・３ノを固着するウェハチャ
ック３２を有するスピンドルである。スピンドル３０は
、モータ３３の回転軸に接続されている。モータ３３に
は、スピンドル３０の回転角度を測定する角度検出器３
４が設けられている。モータ３３の土方には、ウエパチ
ャノク３２に固着されたウエノ・３１の１８縁部に所定
幅り、の光線３４を照射する光源３５がレンズ３６を介
して設けられている。レンズ３６の下方には、ウエノ・
３１の周縁部で遮られずにウェノ・３１よりも下方に通
過して来た光線３４′を受光するフォトセンサー３７が
設けられている。而して、ウエノ・チャック３２上にウ
ェハ３１を固着して、スピンドル３θによってウェノ・
３１を所定の速度で回転させながら角度検出器３４にて
ウニ／・３Ｉの回転角度を検出する。これに同期してウ
ニ）’３１０周縁ｇで遁られずに通過して来た光量を測
定する。この光量の変化と前述の回転角度からウエノ・
３Ｉの周端からスピンドル３０の中心までの距離を、ウ
ェハ３１の全周に亘って測定することカニできる。
このウェハ３Ｉの周面の座標値からウエノ・３１の中心
座標、及びオリエンテーションフラット面の向きを容易
に演算することができる。
座標、及びオリエンテーションフラット面の向きを容易
に演算することができる。
このようにこのウエノ・外周座標測定装置４０によれば
、次のよう力効果を有する。
、次のよう力効果を有する。
■ ウェノ・３１の裏面以外は、無接触の状態でプリア
ライメントが可能である。その結果、ごみの発生を防止
できる。
ライメントが可能である。その結果、ごみの発生を防止
できる。
■ 装置の機構が極めて簡単なものであるため、故障が
起きにくいと共に、調整が容易である。
起きにくいと共に、調整が容易である。
■ 座標測定のために必要なデータ処理は、容易である
ため、計算機を他の用途に有効に利用できる。
ため、計算機を他の用途に有効に利用できる。
■ 座標測定の処理速度は、計算機の演算速度にだけ依
存するため、十分に高めることができる。
存するため、十分に高めることができる。
■ ウエノ・３１の直径が変化しても容、鴎に文ｊ処す
ることができる。
ることができる。
■ 装置の機構が簡単なものであるため、！： ｊＰ、
ｉを小型にすることができる。
ｉを小型にすることができる。
■ 座標測定をするための測定点を３＋’ａ−Ｊ−こと
によりプリアライメント精度を著しく向−Ｉ゛させるこ
とができる。
によりプリアライメント精度を著しく向−Ｉ゛させるこ
とができる。
￥５図（Ａ）乃至同図（Ｃ）は、実施例のウエノ・りを
周座標測定装置−４０を縮小投影露光Ｑ： Ｗ’ｒ、の
ゾ１ノアライナー５０に組込んで、つ℃ノー３１のフ０
１ノアライメントを行っている状態を示ｉ−Ｎ見明図で
ある。図中５１は、ウニ／・、ヲＪ７５＝載置さハ、る
ｘ −Ｙステージである。Ｘ−Ｙステー・ゾ５１にに１
、Ｘ−Ｙステージ５１をＸ方向（横力１句）に秒車）ｊ
させるＸモータ５２と、Ｙ方向（縦ブ５ｎ」）に矛笠動
させるＹモー４５３が取付けら′ｉ″１２ている。
周座標測定装置−４０を縮小投影露光Ｑ： Ｗ’ｒ、の
ゾ１ノアライナー５０に組込んで、つ℃ノー３１のフ０
１ノアライメントを行っている状態を示ｉ−Ｎ見明図で
ある。図中５１は、ウニ／・、ヲＪ７５＝載置さハ、る
ｘ −Ｙステージである。Ｘ−Ｙステー・ゾ５１にに１
、Ｘ−Ｙステージ５１をＸ方向（横力１句）に秒車）ｊ
させるＸモータ５２と、Ｙ方向（縦ブ５ｎ」）に矛笠動
させるＹモー４５３が取付けら′ｉ″１２ている。
５４は、Ｘ−Ｙステージ５１をウヱノ・３Ｉをウェノ・
外周座標測定装置只からＸ−Ｙステージ５１に移送する
移送アームである。ウエノ・り（、Ｒ］座標測定装置４
０は、移送アーム５４の後端部に設けられている。
外周座標測定装置只からＸ−Ｙステージ５１に移送する
移送アームである。ウエノ・り（、Ｒ］座標測定装置４
０は、移送アーム５４の後端部に設けられている。
面し、て、第５図（Ａ）に示す如く、ウェハ３１をスピ
ンドル３０上に固着する。次いで、スピンドル３θが］
回転する間に、フォトセンサー３７及び角度検出器３４
によってスピンドル３０の軸心を原点とする座標系にお
けるウェノ・周辺の測定点の座標値を測定する。これら
の座標値からスピンドル３θの軸心、？ Ｏａがらのウ
ェハ３１の偏心量と、オリエンテーションフラット面の
方向を計算する。
ンドル３０上に固着する。次いで、スピンドル３θが］
回転する間に、フォトセンサー３７及び角度検出器３４
によってスピンドル３０の軸心を原点とする座標系にお
けるウェノ・周辺の測定点の座標値を測定する。これら
の座標値からスピンドル３θの軸心、？ Ｏａがらのウ
ェハ３１の偏心量と、オリエンテーションフラット面の
方向を計算する。
次いで、同図（Ｂ）に示す如く、ウェハ３１のオリエン
テーションフラット面を所定の基準方向（この場合はＸ
またはＹ方向）に向くように、スピンドル３０を回転さ
せる。次に、ｘ−ｙステージ５ＩをＸモータ５２、Ｙモ
ータ５３で移動させて、ウェハ龜３１の中心３１ｈに、
ｘ−ｙステージ５１のウェハ載置位置の中心５１ａをＹ
座標について一致させる。
テーションフラット面を所定の基準方向（この場合はＸ
またはＹ方向）に向くように、スピンドル３０を回転さ
せる。次に、ｘ−ｙステージ５ＩをＸモータ５２、Ｙモ
ータ５３で移動させて、ウェハ龜３１の中心３１ｈに、
ｘ−ｙステージ５１のウェハ載置位置の中心５１ａをＹ
座標について一致させる。
次に、同図（Ｃ）に示す如く、移送アーム５４によりウ
ェノ・３１をウエノ・外周座標測定装置ワから、Ｘ−Ｙ
ステージ５１上に移し、プ１ノアライメント操作を完了
する。
ェノ・３１をウエノ・外周座標測定装置ワから、Ｘ−Ｙ
ステージ５１上に移し、プ１ノアライメント操作を完了
する。
以上説明した如く、本発明に係るウエノ・外周座標測定
装置によれば、ウエノ・の中心座標やオリエンテーショ
ンフラット面の方向を、ウエノ・の大きさに左右されず
にウエノ・に非接触の負ｈηｒガ機構で容易にしかも高
精度に測定できる等顕著な効果を有するものである。
装置によれば、ウエノ・の中心座標やオリエンテーショ
ンフラット面の方向を、ウエノ・の大きさに左右されず
にウエノ・に非接触の負ｈηｒガ機構で容易にしかも高
精度に測定できる等顕著な効果を有するものである。
第１図は、グロジエクションアライナーの概略構成を示
す説明図、第２図は、縮小投影露光装置の概略構成を示
す説明図、第３図は、プ１）アライメント操作の前後に
おける位置の変イヒを示す説明図、第４図は、本発明の
一実施ｆｌＪの概略構成を示す説明図、第５図囚乃至同
図（Ｃ）は、実施例のウエノ・外周座標測定装置を縮／
ＪＳ投影露光装置のダリアライナーに組込んで、ゾ１ノ
アライメント操作を行っている説明図である。 ３０・・・スピンドル、３１ ・ウェハ、３２・・・ウ
ェハチャック、３３・・・モータ、３４・・・角度検出
器、３５・・・光源、３６・・・レンズ、３７・・・フ
ォトセンサー、４０・・・ウェハ外周座標測定装置。
す説明図、第２図は、縮小投影露光装置の概略構成を示
す説明図、第３図は、プ１）アライメント操作の前後に
おける位置の変イヒを示す説明図、第４図は、本発明の
一実施ｆｌＪの概略構成を示す説明図、第５図囚乃至同
図（Ｃ）は、実施例のウエノ・外周座標測定装置を縮／
ＪＳ投影露光装置のダリアライナーに組込んで、ゾ１ノ
アライメント操作を行っている説明図である。 ３０・・・スピンドル、３１ ・ウェハ、３２・・・ウ
ェハチャック、３３・・・モータ、３４・・・角度検出
器、３５・・・光源、３６・・・レンズ、３７・・・フ
ォトセンサー、４０・・・ウェハ外周座標測定装置。
Claims (1)
- 先端部にウェハを固着するウェハチャックを有して回転
自在に立設されたスピンドルと、該スピンドルを回転す
る駆動モータと、前記スピンドルの回転角度を検出する
角度検出器と、前記ウェハチャックに固着されたウェノ
・の周縁部によって光線の一部分が遮られるように該光
線を前記ウェハに向けて照射する光源と、該光源とで前
記ウェハの周縁部を挾むようにして該光源に対向して設
けられたセンサーとを具備することを特徴とするウェハ
外周座標測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58000834A JPS59125627A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | ウエハ外周座標測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58000834A JPS59125627A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | ウエハ外周座標測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125627A true JPS59125627A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=11484645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58000834A Pending JPS59125627A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | ウエハ外周座標測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125627A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323332A (ja) * | 1986-04-28 | 1988-01-30 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | ウエーハ移送方法及び装置 |
| JPH01132132A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの光学的プリアライメント装置 |
| DE102008041135A1 (de) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Nanophotonics Ag | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
| US10186438B2 (en) | 2015-11-05 | 2019-01-22 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for use in wafer processing |
-
1983
- 1983-01-07 JP JP58000834A patent/JPS59125627A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323332A (ja) * | 1986-04-28 | 1988-01-30 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | ウエーハ移送方法及び装置 |
| JPH0458184B2 (ja) * | 1986-04-28 | 1992-09-16 | Varian Associates | |
| JPH01132132A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの光学的プリアライメント装置 |
| DE102008041135A1 (de) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Nanophotonics Ag | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
| DE102008041135B4 (de) * | 2008-08-08 | 2011-08-25 | NanoPhotonics AG, 55129 | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
| US10186438B2 (en) | 2015-11-05 | 2019-01-22 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for use in wafer processing |
| US10985041B2 (en) | 2015-11-05 | 2021-04-20 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for use in wafer processing |
| US11637028B2 (en) | 2015-11-05 | 2023-04-25 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for use in wafer processing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2949528B2 (ja) | ウエハの中心位置検出方法及びその装置 | |
| JPH03136264A (ja) | 半導体物品の予備位置決め方法及び装置 | |
| TW201916238A (zh) | 基板搬送裝置及求出基板搬送機器人與基板載置部之位置關係之方法 | |
| JPS59125627A (ja) | ウエハ外周座標測定装置 | |
| JP2000205854A (ja) | 機械部品の寸法計測方法 | |
| JP2001522985A (ja) | 複雑な三次元形状を有する部品の寸法および／または形状をチェックするための光電装置 | |
| JPH01164047A (ja) | ウエハの位置決め装置 | |
| JPH09252043A (ja) | 位置決め方法 | |
| CN106091903B (zh) | 基于双平面定基准的大型旋臂弯沉量检测方法及装置 | |
| JPH07229811A (ja) | 非球面レンズの偏心測定装置 | |
| JPH0685038A (ja) | ウエハの位置合わせ方法及びその装置並びに透明ウエハの位置合わせ装置 | |
| JPH03142853A (ja) | ウエハ整合装置およびその整合方法 | |
| JPS6130681B2 (ja) | ||
| JP3058289B2 (ja) | ウエハのプリアライメント方式 | |
| JPH06258182A (ja) | 非球面レンズの偏芯測定方法及び装置 | |
| JPS63155722A (ja) | 露光装置 | |
| JP2754128B2 (ja) | 円筒度測定装置及び測定方法 | |
| JP3254274B2 (ja) | Ｘ線単結晶方位測定装置 | |
| JP2000208590A (ja) | ウエハの位置検出方法および位置検出装置 | |
| JPS6110739A (ja) | 光学レンズの光軸位置検出方法および装置 | |
| JPS60192345A (ja) | ウエハ位置決め装置 | |
| JPH02308546A (ja) | オリフラ検出装置 | |
| JPH04150012A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPH02183107A (ja) | 円筒状物体の真円度測定方法 | |
| JPS59107512A (ja) | 荷電ビ−ムによるパタン描画方法および荷電ビ−ム露光装置 |