JPS59123766A - 金属膜形成方法 - Google Patents
金属膜形成方法Info
- Publication number
- JPS59123766A JPS59123766A JP22066482A JP22066482A JPS59123766A JP S59123766 A JPS59123766 A JP S59123766A JP 22066482 A JP22066482 A JP 22066482A JP 22066482 A JP22066482 A JP 22066482A JP S59123766 A JPS59123766 A JP S59123766A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- film
- wafer
- forming
- added
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
- C23C16/0281—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating of metallic sub-layers
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分封
本発明は果１′ｊ（回路基恢等の試料土、ごプラズマＣ
ν１つ装置を用いて金鳩膜全破着形成させる金Ｘ膜形成
方法に関するものであるっ （ｂ） 技術の背景 集積回路の回路構成に用いらｎる一般的な配線材料（句
アルミニウム（Ａｔ）またはノリコン（Ｓｉ）とアルミ
ニウムの合釜でアリ、アルミニウム膜は抵抗値か少さく
シリコン酸化Ｉ］５！等に対して接着性及び加工性に優
れている。
ν１つ装置を用いて金鳩膜全破着形成させる金Ｘ膜形成
方法に関するものであるっ （ｂ） 技術の背景 集積回路の回路構成に用いらｎる一般的な配線材料（句
アルミニウム（Ａｔ）またはノリコン（Ｓｉ）とアルミ
ニウムの合釜でアリ、アルミニウム膜は抵抗値か少さく
シリコン酸化Ｉ］５！等に対して接着性及び加工性に優
れている。
従来アルミニウム膜形成にはスパッタ法もしくは蒸着法
等による形成法が一般的でｅＶＬ）法による被膜形成は
装置内に介在する水（Ｈ２Ｏ）及び酸素（０２）等の取
り込みが多くこのため上記のスパッタ法、蒸着法に比し
て抵抗値が大となり問題がある。
等による形成法が一般的でｅＶＬ）法による被膜形成は
装置内に介在する水（Ｈ２Ｏ）及び酸素（０２）等の取
り込みが多くこのため上記のスパッタ法、蒸着法に比し
て抵抗値が大となり問題がある。
プラズマＣＶＤ法は膜厚の成長速度が犬きく良質の結晶
膜を低温で形成するオリ点があるが、気相での化学反応
を利用するため形成した薄膜の性質は、どのような反応
を用いたかということ＼と共に基板温度、ガス成分や流
量、反応装置の形状、反応系の清浄度などに大きく依存
する。
膜を低温で形成するオリ点があるが、気相での化学反応
を利用するため形成した薄膜の性質は、どのような反応
を用いたかということ＼と共に基板温度、ガス成分や流
量、反応装置の形状、反応系の清浄度などに大きく依存
する。
（Ｃ） 従来技術と問題点
ンリコン基板上に形成するアルミニウム膜はシリコンと
共融点を持つため熱処理等によりシリコン層とアルミ層
との接触面に共晶合金を作り、シリコン層に深いピット
を生ずる。またマイグレーション（ｅｊｅｃｔｒｏ−ｍ
ｉｇｒａｔｉｏｎ）を起し易い欠点がある。
共融点を持つため熱処理等によりシリコン層とアルミ層
との接触面に共晶合金を作り、シリコン層に深いピット
を生ずる。またマイグレーション（ｅｊｅｃｔｒｏ−ｍ
ｉｇｒａｔｉｏｎ）を起し易い欠点がある。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の点に鑑みプラズマＣＶＤ法Ｏ′こより果
遺回路の回路宿成に廟効な低抵抗でしかも良質の配線（
しを形成する金属膜形成方法の提供を目的とする。
遺回路の回路宿成に廟効な低抵抗でしかも良質の配線（
しを形成する金属膜形成方法の提供を目的とする。
（ｅ） 発明の構成
」二吉ピ目的；・１不兄明によれば気相中の化学反応に
より試料」−（ｃ金屑ｊ模を形成する際、−１反応至内
に予じめ水素カスを添加した塩化チタンに４人し、該反
応室すに任在す◇改化吻をゲッターした俊（こ所望の金
属膜を形成きせること（・−より達くらγＬる。
より試料」−（ｃ金屑ｊ模を形成する際、−１反応至内
に予じめ水素カスを添加した塩化チタンに４人し、該反
応室すに任在す◇改化吻をゲッターした俊（こ所望の金
属膜を形成きせること（・−より達くらγＬる。
（ｆ） 発明の実施１＋１」
以下人兄明り実厖例全凶■によジ陣運する７凶は、プラ
ズマＣＶＩ）装置を用いて不発明の金属膜形成方法を祝
明するための該装置構成図である、。
ズマＣＶＩ）装置を用いて不発明の金属膜形成方法を祝
明するための該装置構成図である、。
図においてチーソバ１化合物ζ化合吻ガスを供給するガ
ス誘導負２及び７ヤワ一式のチ出−３を有する上郡五物
１こウェハ５をＴｅ、へする下部′１悦６に高周波部用
（１Ｂ、５６ＩＩＴｌ）ｉＺ ）を印肌して この上部
及び下部電極間にプラズマ誘起させるっガス訪専看２及
びガス噴川口３を介して導入する化合物カスはプラズマ
によってイオン化か促進し、ガス反応によりウェハ５上
に所定の絶縁膜又は金属膜を生成させる。捷た成膜速度
を加速σぜ良質の膜質を得るため加熱用ヒータ８を備え
更（Ｃチャンバ１円を一５ｒｌ圧に減圧するため排気ロ
アを介して減圧排気する。下部電極６は１１熱注杷〆物
９により支持される５、このように樋底されるゾラズマ
ＣνＤ装りを用いて行々う不芙側例はまっ下部電僕６に
ウェハ５を載宣し、チャンバ１内全＾を排気する○下部
′酸極６に高′Ａ波部用を印加してプラズマを誘起させ
ると共にカス誘導管２及び噴出口３より塩化チタン（Ｔ
ｉｃ４．）に水紫カス（１（２）を添加した化合物カス
をチャンバ１内（ｆ（１４人する。導入するチタン化合
物は受型でよく、プラズマによってイオン化が促進され
チャンバ１円の敢累及び酸素化合物をゲッターし、更に
ウェハ５上に薄膜（叡百穴うのチタン膜を生膜させる。
ス誘導負２及び７ヤワ一式のチ出−３を有する上郡五物
１こウェハ５をＴｅ、へする下部′１悦６に高周波部用
（１Ｂ、５６ＩＩＴｌ）ｉＺ ）を印肌して この上部
及び下部電極間にプラズマ誘起させるっガス訪専看２及
びガス噴川口３を介して導入する化合物カスはプラズマ
によってイオン化か促進し、ガス反応によりウェハ５上
に所定の絶縁膜又は金属膜を生成させる。捷た成膜速度
を加速σぜ良質の膜質を得るため加熱用ヒータ８を備え
更（Ｃチャンバ１円を一５ｒｌ圧に減圧するため排気ロ
アを介して減圧排気する。下部電極６は１１熱注杷〆物
９により支持される５、このように樋底されるゾラズマ
ＣνＤ装りを用いて行々う不芙側例はまっ下部電僕６に
ウェハ５を載宣し、チャンバ１内全＾を排気する○下部
′酸極６に高′Ａ波部用を印加してプラズマを誘起させ
ると共にカス誘導管２及び噴出口３より塩化チタン（Ｔ
ｉｃ４．）に水紫カス（１（２）を添加した化合物カス
をチャンバ１内（ｆ（１４人する。導入するチタン化合
物は受型でよく、プラズマによってイオン化が促進され
チャンバ１円の敢累及び酸素化合物をゲッターし、更に
ウェハ５上に薄膜（叡百穴うのチタン膜を生膜させる。
塩化チタン（、」ゲ。
り化（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）に優ｎ酸化物を除去すると
共にウェハ５上に形成されるチタン族は子息で結晶性の
よい膜負が侍られる。次いでｒリメチルアルミニウム（
ｋｔ（ＣＦ１３１３）又はイソブチルアルミニラＡ （
Ａｔ（ｉ ：Ｃ４Ｈ＝）３）の化合物ガスＱこ水素ガス
（Ｈ２）又はアルゴンガス（Ａｒ ）金糸カロしてチャ
ンバ１内に導入する。これによりプラズマ放亀甲の電気
エイ、ルギーによジ上５ピ反尾・カスを活１生化しウェ
ハ上で反応させること（・てよりアルミニウムＭＧ−を
ろ；石彫ｊ）又婆せる。これ（・こよりチタン族を下地
刊としたウェハ上（て酸素の取り込み〃）ない拡抵抗＋
ｉａアルミニウム膜を形成させることかでさな。Ｉ
Ｑ（ＩＩぺ圧下で加熱温度３（Ｊ’Ｃの条件下で１
００〜３Ｕυ、・（の気相成長速度の下で鉱仇′亘３〜
０／、１（ど６Ω口と従来のスバ、タカ＝ｔｉこＪ：、
：、シを色Ｏないアルミニウム膜の形成か侍らＩ”ＬＬ
かもステ、フカバレ、ンを良好であり、下地伺科のチタ
ン薄膜により７９３７層との共晶合金を赳すいわゆるア
ラトチ・フェージョ／（ｏｕｔ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）
を防〈バリアとなる。
共にウェハ５上に形成されるチタン族は子息で結晶性の
よい膜負が侍られる。次いでｒリメチルアルミニウム（
ｋｔ（ＣＦ１３１３）又はイソブチルアルミニラＡ （
Ａｔ（ｉ ：Ｃ４Ｈ＝）３）の化合物ガスＱこ水素ガス
（Ｈ２）又はアルゴンガス（Ａｒ ）金糸カロしてチャ
ンバ１内に導入する。これによりプラズマ放亀甲の電気
エイ、ルギーによジ上５ピ反尾・カスを活１生化しウェ
ハ上で反応させること（・てよりアルミニウムＭＧ−を
ろ；石彫ｊ）又婆せる。これ（・こよりチタン族を下地
刊としたウェハ上（て酸素の取り込み〃）ない拡抵抗＋
ｉａアルミニウム膜を形成させることかでさな。Ｉ
Ｑ（ＩＩぺ圧下で加熱温度３（Ｊ’Ｃの条件下で１
００〜３Ｕυ、・（の気相成長速度の下で鉱仇′亘３〜
０／、１（ど６Ω口と従来のスバ、タカ＝ｔｉこＪ：、
：、シを色Ｏないアルミニウム膜の形成か侍らＩ”ＬＬ
かもステ、フカバレ、ンを良好であり、下地伺科のチタ
ン薄膜により７９３７層との共晶合金を赳すいわゆるア
ラトチ・フェージョ／（ｏｕｔ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）
を防〈バリアとなる。
ｆｇ） 発明の効果
以上詳細に祝明したようにプラズマＣＶＤ装置全用いて
行１つ本発明の金属膜形成方法は酸素の取り込みが少な
い低抵抗のアルミニウム膜が形成できしかも下地材のテ
クノ、Ｉ漠によりバリア効果となる優れ／ＣＣ未来ある
。
行１つ本発明の金属膜形成方法は酸素の取り込みが少な
い低抵抗のアルミニウム膜が形成できしかも下地材のテ
クノ、Ｉ漠によりバリア効果となる優れ／ＣＣ未来ある
。
図（ゴプラズマＣｖｖ装置を用いて不発例の金属膜形、
安万、去を説明するための該装置・、４成凶でりる。 図＝１ｓ ｊ ・・チャンバ、２ ガス誘２？Ｆも、
３ ・カス嬢出口、■ ・上’Ｊ 岨Ｓ、５ ウェハ、
ｏ−Ｔｈｔ−惟、７ 拶［減口、８ ・ヒータ、９「Ｊ
］黙在忙心物。 代理人 升埋士 松 岡 太四旨：に 亙コ 二
安万、去を説明するための該装置・、４成凶でりる。 図＝１ｓ ｊ ・・チャンバ、２ ガス誘２？Ｆも、
３ ・カス嬢出口、■ ・上’Ｊ 岨Ｓ、５ ウェハ、
ｏ−Ｔｈｔ−惟、７ 拶［減口、８ ・ヒータ、９「Ｊ
］黙在忙心物。 代理人 升埋士 松 岡 太四旨：に 亙コ 二
Claims (1)
- 気相中の化学反応により試料上Ｖこ金属膜を形成する際
に、反応室内に予じめ水累カスを添刈−した塩化チタン
全導入し、該反応Ｙ内に存在する欧化物音ゲ、ターした
汝に所望の金属膜を形成させるようにしたことを特徴と
する金属膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22066482A JPS59123766A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22066482A JPS59123766A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 金属膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123766A true JPS59123766A (ja) | 1984-07-17 |
| JPS6123870B2 JPS6123870B2 (ja) | 1986-06-07 |
Family
ID=16754512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22066482A Granted JPS59123766A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 金属膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123766A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243260A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Nok Corp | 窒素酸化物検出素子の製造法 |
| JP2010529290A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | 高光触媒活性を有する酸化チタン層の製造方法およびこの方法により製造された酸化チタン層 |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP22066482A patent/JPS59123766A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243260A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Nok Corp | 窒素酸化物検出素子の製造法 |
| JP2010529290A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | 高光触媒活性を有する酸化チタン層の製造方法およびこの方法により製造された酸化チタン層 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6123870B2 (ja) | 1986-06-07 |
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