JP2010177382A - 成膜方法及びプラズマ成膜装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 207
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 97
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 82
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 60
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 42
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 69
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 120
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
【課題】全体としてのコンタクト抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜の成膜方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】凹部6を有する絶縁層4が表面に形成された被処理体Wに対して薄膜を形成する成膜方法において、前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面にプラズマCVD法を用いて窒化チタン膜10の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより前記薄膜を窒化する窒化工程と、を有することを特徴とする成膜方法である。これにより、抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜を形成する。
【選択図】図2
【解決手段】凹部6を有する絶縁層4が表面に形成された被処理体Wに対して薄膜を形成する成膜方法において、前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面にプラズマCVD法を用いて窒化チタン膜10の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより前記薄膜を窒化する窒化工程と、を有することを特徴とする成膜方法である。これにより、抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜を形成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、成膜方法及びプラズマ成膜装置に係り、特に半導体ウエハ等の被処理体の表面にバリヤ層等の薄膜を形成する成膜方法及びプラズマ成膜装置に関する。
一般に、半導体デバイスを製造するには、半導体ウエハに成膜処理、エッチング処理、アニール処理、酸化拡散処理等の各種の処理を繰り返し行って所望のデバイスを製造するようになっている。そして、半導体デバイスの製造工程の途中における配線材料や埋め込み材料としては、従来は主としてアルミニウム合金が用いられていたが、最近は線幅やホール径が益々微細化されて、且つ動作速度の高速化が望まれていることからタングステン(W)や銅(Cu)等も用いられる傾向にある。
そして、上記Al、W、Cu等の金属材料を配線材料やコンタクトのためのホールの埋め込み材料として用いる場合には、例えばシリコン酸化膜(SiO2 )等の絶縁材料と上記金属材料との間で例えばシリコンの拡散が生ずることを防止したり、膜の密着性を向上させる目的で、或いはホールの底部でコンタクトされる下層の電極や配線層等の導電層との間の密着性等を向上する目的で、上記絶縁層や下層の導電層との間の境界部分にバリヤ層を介在させることが行われている。そして、上記バリヤ層としてはTa膜、TaN膜、Ti膜、TiN膜等が広く知られている(特許文献1〜5)。この点について図8を参照して説明する。
図8は半導体ウエハの表面の凹部の埋め込み時の成膜方法を示す工程図である。図8(A)に示すように、被処理体として例えばシリコン基板等よりなる半導体ウエハWの表面には例えば配線層等となる導電層2が形成されており、この導電層2を覆うようにして半導体ウエハWの表面全体に例えばSiO2 膜等よりなる絶縁層4が所定の厚さで形成されている。上記導電層2は例えば不純物がドープされたシリコン層よりなり、具体的には、トランジスタやコンデンサ等の電極等に対応する場合もあり、特にトランジスタに対するコンタクトの場合にはNiSi(ニッケルシリサイド)等により形成される。
そして、上記絶縁層4には、上記導電層2に対して電気的コンタクトを図るためのスルーホールやビアホール等のコンタクト用の凹部6が形成されている。尚、上記凹部6として細長いトレンチ(溝)を形成する場合もある。この凹部6の底部に上記導電層2の表面が露出した状態となっている。そして、この凹部6内の底面及び側面を含めた半導体ウエハWの表面全体に、すなわち絶縁層4の上面全体に上述したような機能を有するバリヤ層を形成するために、図8(B)に示すように、凹部6内の表面(内面)全体も含めてウエハ表面全体(上面全体)に例えばTi膜8を成膜し、更にこのTi膜8上に、図8(C)に示すようにTiN膜10を成形し、上記Ti膜8とTiN膜10の2層構造よりなるバリヤ層12を形成する。そして、次に上記TiN膜10を安定化するためにNH3 雰囲気中でこれを加熱することにより窒化処理を加える。
尚、TiN膜10を形成しないでTi膜8だけでバリヤ層12を構成する場合もある。上記Ti膜8は、例えばスパッタ成膜処理やTiCl4 を用いたプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成され、上記TiN膜10は例えばTiCl4 ガス等を用いた熱CVD法や原料ガスと窒化ガスとを交互に流すSFD(Sequential Flow Deposition)法により形成されていた。このようにしてバリヤ層12が形成されたならば凹部6内をタングステン等の導電材料で埋め込み、その後、余分な導電材料をエッチング等により削り取るようになっている。
そして、最近にあっては、上記したバリヤ層12の材質の中で、図8で説明したように特にTiN膜を含むバリヤ層12が注目されている。その理由は、TiN膜を含むバリヤ層は金属等の拡散を特に抑制でき、電気抵抗も非常に小さく、更には体積膨張率も小さく、配線材料との密着性も良好である等の利点を有するからである。
ところで、上述したようなバリヤ層12の形成方法は、線幅やホール径がそれ程厳しくなく設計基準が緩かった従来の場合には、それ程問題は生じなかった。しかしながら、微細化傾向がより進んで線幅やホール径がより小さくなって設計基準が厳しくなると、次のような問題が生じてきた。すなわち、上述したようにTiN膜を熱CVD法やSFD法で形成する場合には、これらの成膜方法はステップカバレジが良好なことから凹部6の底部のみならず、凹部6内の側壁の部分にも十分な厚さのTiN膜が堆積することになる。
この結果、凹部6内に占めるTiN膜の比率が上がって埋め込み金属材料、例えばタングステンの比率が少なくなり、全体としてのコンタクト抵抗が増大してしまう、といった問題があった。特に、凹部6の穴径が50nm以下になると、成膜時のステップカバレジの良さに起因してコンタクト抵抗が急激に増大してしまう、といった問題があった。
そこで、熱CVD法よりも指向性が高くて凹部の側壁に薄膜が堆積し難いプラズマを用いたCVD法によりTiN膜の薄膜を堆積することも行われている。これによれば、凹部内の底部にはある程度の厚さの薄膜が堆積するのに対して、凹部内の側壁部分には上記底部に対して僅かな厚さでしか薄膜が堆積しないので、好都合なことに凹部6内における埋め込み金属材料の比率(体積比)を高めることが可能となる。
しかしながら、この場合には、バリヤ層の膜質がそれほど良好ではないことからバリヤ性が低下してしまう、といった問題があった。特に、微細化傾向によりバリヤ層自体も薄膜化することが要請されており、バリヤ性の維持がより困難になってくる、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、全体としてのコンタクト抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜の成膜方法及びプラズマ処理装置を提供することにある。
請求項1に係る発明は、凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体に対して薄膜を形成する成膜方法において、前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面にプラズマCVD法を用いて窒化チタン膜の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより前記薄膜を窒化する窒化工程と、を有することを特徴とする成膜方法である。
このように、凹部を有する被処理体の表面に薄膜を形成するに際して、凹部内の表面を含む被処理体の表面にプラズマCVD法を用いて窒化チタン膜の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより薄膜を窒化する窒化工程とを有するようにしたので、全体としてのコンタクト抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜を形成することができる。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記薄膜形成工程では、原料ガスとしてTiCl4 ガスを用いることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1又は2の発明において、前記薄膜形成工程において前期凹部内の底部に形成する前記薄膜の厚さは、2〜10nmの範囲内であることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発明において、前記窒化工程におけるプロセス時間は、5〜60secの範囲内であることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1又は2の発明において、前記薄膜形成工程において前期凹部内の底部に形成する前記薄膜の厚さは、2〜10nmの範囲内であることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発明において、前記窒化工程におけるプロセス時間は、5〜60secの範囲内であることを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発明において、前記薄膜形成工程におけるプロセス圧力は、400〜667Paの範囲内であることを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発明において、前記窒化工程で用いる前記窒化ガスは、NH3 ガスであることを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発明において、前記薄膜形成工程の前工程では、前記凹部内の表面を含めて前記被処理体にプラズマCVD法を用いてチタン膜よりなる薄膜を形成するチタン膜形成工程を行うことを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発明において、前記窒化工程で用いる前記窒化ガスは、NH3 ガスであることを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発明において、前記薄膜形成工程の前工程では、前記凹部内の表面を含めて前記被処理体にプラズマCVD法を用いてチタン膜よりなる薄膜を形成するチタン膜形成工程を行うことを特徴とする。
請求項8の発明は、請求項7の発明において、前記チタン膜形成工程と前記薄膜形成工程と前記窒化工程とは、同一の処理容器内で連続的に行われることを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項7の発明において、前記チタン膜形成工程の後、前記薄膜形成工程の前に、前記チタン膜よりなる薄膜を窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うチタン膜窒化工程を有することを特徴とする。
請求項10の発明は、請求項9の発明において、前記チタン膜形成工程と前記チタン膜窒化工程と前記薄膜形成工程と前記窒化工程とは、同一の処理容器内で連続的に行われることを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項7の発明において、前記チタン膜形成工程の後、前記薄膜形成工程の前に、前記チタン膜よりなる薄膜を窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うチタン膜窒化工程を有することを特徴とする。
請求項10の発明は、請求項9の発明において、前記チタン膜形成工程と前記チタン膜窒化工程と前記薄膜形成工程と前記窒化工程とは、同一の処理容器内で連続的に行われることを特徴とする。
請求項11の発明は、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の発明において、前記窒化工程の後には、前記凹部内を導電性材料で埋め込む埋め込み工程を行なうことを特徴とする。
請求項12の発明は、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の発明において、前記凹部の内径又は幅は50nm以下に設定されていることを特徴とする。
請求項12の発明は、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の発明において、前記凹部の内径又は幅は50nm以下に設定されていることを特徴とする。
請求項13の発明は、凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体に対して薄膜を形成するプラズマ処理装置において、真空排気が可能になされた処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を載置すると共に下部電極として機能する載置台と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内へガスを導入すると共に上部電極として機能するガス導入手段と、前記ガス導入手段へ前記ガスを供給するガス供給手段と、前記載置台と前記ガス導入手段との間にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、請求項1乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するように制御する制御部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項14の発明は、真空排気が可能になされた処理容器と、凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体を前記処理容器内で載置すると共に下部電極として機能する載置台と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内へガスを導入すると共に上部電極として機能するガス導入手段と、前記ガス導入手段へ前記ガスを供給するガス供給手段と、前記載置台と前記ガス導入手段との間にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、装置全体を制御する制御部と、を備えたプラズマ処理装置を用いて前記被処理体に薄膜を形成するに際して、請求項1乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するように前記プラズマ処理装置を制御するコンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶する記憶媒体である。
本発明に係る成膜方法及びプラズマ成膜装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
凹部を有する被処理体の表面に薄膜を形成するに際して、凹部内の表面を含む被処理体の表面にプラズマCVD法を用いて窒化チタン膜の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより薄膜を窒化する窒化工程とを有するようにしたので、全体としてのコンタクト抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜を形成することができる。
凹部を有する被処理体の表面に薄膜を形成するに際して、凹部内の表面を含む被処理体の表面にプラズマCVD法を用いて窒化チタン膜の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより薄膜を窒化する窒化工程とを有するようにしたので、全体としてのコンタクト抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜を形成することができる。
以下に、本発明に係る成膜方法及びプラズマ処理装置の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明方法を実施するプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図、図2は本発明の成膜方法を含む成膜工程の各工程を示す工程図、図3は本発明の成膜方法を含む成膜工程を示すフローチャートである。図示するように、本発明のプラズマ処理装置20は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレススチール等により円筒体状に成形された処理容器22を有しており、この処理容器22は接地されている。
この処理容器22の底部24には、容器内の雰囲気を排出するための排気口26が設けられており、この排気口26には真空排気系28が接続されている。この真空排気系28は、上記排気口26に接続された排気通路29を有しており、この排気通路29には、その上流側から下流側に向けて圧力調整を行うために弁開度が調整可能になされた圧力調整弁30及び真空ポンプ32が順次介設されている。これにより、処理容器22内を底部周辺部から均一に真空引きできるようになっている。
この処理容器22内には、導電性材料よりなる支柱34を介して円板状の載置台36が設けられており、この上に被処理体として例えばシリコン基板等の半導体ウエハWを載置し得るようになっている。具体的には、この載置台36は、AlN等のセラミックからなり、その表面が導電性材料によりコーティングされており、プラズマ用電極の一方である下部電極を兼用するものであって、この下部電極は接地されている。この載置台36には、例えば直径が300mmの半導体ウエハWを載置するようになっている。尚、上記下部電極として載置台36内に例えばメッシュ状の導電性部材を埋め込む場合もある。
この載置台36内には、例えば抵抗加熱ヒータ等よりなる加熱手段38が埋め込まれており、半導体ウエハWを加熱すると共に、これを所望する温度に維持できるようになっている。また、この載置台36には、半導体ウエハWの周辺部を押圧してこれを載置台36上に固定する図示しないクランプリングや半導体ウエハWの搬入・搬出時に半導体ウエハWを突き上げて昇降させる図示しないリフタピンが設けられている。
上記処理容器22の天井部には、プラズマ用電極の他方である上部電極と兼用されるガス導入手段としてのシャワーヘッド40が設けられており、このシャワーヘッド40は、天井板42と一体的になされている。そして、この天井板42の周辺部は、容器側壁の上端部に対して絶縁材44を介して気密に取り付けられている。このシャワーヘッド40は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金等の導電材料により形成されている。
このシャワーヘッド40は、円形になされ上記載置台36の上面の略全面を覆うように対向させて設けられており、載置台36との間に処理空間Sを形成している。このシャワーヘッド40は、処理空間Sに各種のガスをシャワー状に導入するものであり、シャワーヘッド40の下面の噴射面にはガスを噴射するための多数の噴射孔46が形成される。
そして、このシャワーヘッド40の上部には、ヘッド内にガスを導入するガス導入ポート48が設けられており、このガス導入ポート48には各種のガスを供給するガス供給手段50が取り付けられている。このガス供給手段50は、上記ガス導入ポート48に接続されている供給通路52を有している。
この供給通路52には、複数の分岐管54が接続され、各分岐管54には、成膜用の原料ガスとして、例えばTiCl4 ガスを貯留するTiCl4 ガス源56、H2 ガスを貯留するH2 ガス源58、プラズマガスとして例えばArガスを貯留するArガス源60、窒化ガスとして例えばアンモニアを貯留するNH3 ガス源62及びパージガス等として例えばN2 ガスを貯留するN2 ガス源64がそれぞれ接続されている。そして、各ガスの流量は、それぞれの分岐管54に介設した例えばマスフローコントローラのような流量制御器66により制御される。また、各分岐管54の流量制御器66の上流側と下流側とには、必要に応じて上記各ガスの供給及び供給停止を行なう開閉弁68が介設されている。
尚、ここでは、各ガスを1つの供給通路52内にて混合状態で供給する場合を示しているが、これに限定されず、一部のガス或いは全てのガスを個別に異なる供給通路内に供給し、シャワーヘッド40内で混合させるようにしてもよい。また供給するガス種によっては、供給通路52内やシャワーヘッド40内で混合させずに、各ガスを処理空間Sにて混合させる(いわゆるポストミックス)ガス搬送形態が用いられる。
また、処理容器22内における上記シャワーヘッド40の外周と処理容器22の内壁との間には、例えば石英等よりなるリング状の絶縁部材69が設けられると共に、その下面はシャワーヘッド40の噴射面と同一水平レベルに設定されており、プラズマが偏在しないようになっている。また、上記シャワーヘッド40の上面側にはヘッド加熱ヒータ72が設けられており、シャワーヘッド40を所望の温度に調整できるようになっている。
また、この処理容器22には、上記載置台36とシャワーヘッド40との間の処理空間Sにプラズマを形成するプラズマ形成手段74を有している。具体的には、このプラズマ形成手段74は、上記シャワーヘッド40の上部に接続されたリード線76を有しており、このリード線76には、途中にマッチング回路78を介して例えば450kHzのプラズマ発生用電源である高周波電源70が接続されている。ここで、この高周波電源70にあっては、任意の大きさの電力を出力できるように出力電力が可変になされている。また、処理容器22の側壁には、半導体ウエハWの搬入・搬出時に気密に開閉可能になされたゲートバルブ80が設けられる。
そして、このプラズマ処理装置20の全体の動作を制御するために例えばコンピュータ等よりなる制御部82を有しており、例えばプロセス圧力、プロセス温度、各ガスの供給量の制御のための指示、高周波電力のオン・オフを含めた供給電力の指示等を行うようになっている。そして、上記制御部82は上記制御に必要なコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体84を有している。この記憶媒体84は、例えばフレキシブルディスク、CD(Compact Disc)、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはDVD等よりなる。
[成膜方法の説明]
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置を用いて行なわれる本発明の成膜方法について図1乃至図3も参照して説明する。ここではプラズマ処理方法の一例としてTi膜及びTiN膜を成膜してその後に窒化処理する場合を例にとって説明する。まず、処理容器22内へ、開放されたゲートバルブ80を介して例えば直径が300mmの半導体ウエハWを搬入し、これを載置台36上に載置して処理容器22内を密閉する。この半導体ウエハWの表面は、図2(A)に示すようになされている。この図2(A)に示す構造は図8(A)の構造と同じである。
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置を用いて行なわれる本発明の成膜方法について図1乃至図3も参照して説明する。ここではプラズマ処理方法の一例としてTi膜及びTiN膜を成膜してその後に窒化処理する場合を例にとって説明する。まず、処理容器22内へ、開放されたゲートバルブ80を介して例えば直径が300mmの半導体ウエハWを搬入し、これを載置台36上に載置して処理容器22内を密閉する。この半導体ウエハWの表面は、図2(A)に示すようになされている。この図2(A)に示す構造は図8(A)の構造と同じである。
すなわち、半導体ウエハWの表面には例えば配線層等となる導電層2が形成されており、この導電層2を覆うようにして半導体ウエハWの表面全体に例えばSiO2 膜等よりなる絶縁層4が所定の厚さで形成されている。上記導電層2は例えば不純物がドープされたシリコン層よりなり、具体的には、トランジスタやコンデンサ等の電極等に対応する場合もあり、特にトランジスタに対するコンタクトの場合にはNiSi(ニッケルシリサイド)等により形成される。
そして、上記絶縁層4には、上記導電層2に対して電気的コンタクトを図るためのスルーホールやビアホール等のコンタクト用の凹部6が形成されている。この凹部6の内径(凹部6が溝の場合は幅)は、例えば50nm以下である。尚、上記凹部6として細長いトレンチ(溝)を形成する場合もある。この凹部6の底部に上記導電層2の表面が露出した状態となっている。そして、この凹部6内の底面及び側面を含めた半導体ウエハWの表面全体に、すなわち絶縁層4の上面全体に前述したような機能を有するバリヤ層を形成することになる。
<Ti膜の成膜>
上述のように、半導体ウエハWを搬入して処理容器22内を密閉したならば、Ti膜の成膜を行う(図3のS1)。まず、ガス供給手段50から原料ガスのTiCl4 ガスと、還元ガスのH2 ガスと、プラズマ用ガスのArガスを、それぞれガス導入手段であるシャワーヘッド40に所定の流量で流すと共に、これらの各ガスをシャワーヘッド40から処理容器22内に導入し、且つ真空排気系28の真空ポンプ32により処理容器22内を真空引きし、所定の圧力に維持する。
上述のように、半導体ウエハWを搬入して処理容器22内を密閉したならば、Ti膜の成膜を行う(図3のS1)。まず、ガス供給手段50から原料ガスのTiCl4 ガスと、還元ガスのH2 ガスと、プラズマ用ガスのArガスを、それぞれガス導入手段であるシャワーヘッド40に所定の流量で流すと共に、これらの各ガスをシャワーヘッド40から処理容器22内に導入し、且つ真空排気系28の真空ポンプ32により処理容器22内を真空引きし、所定の圧力に維持する。
これと同時に、プラズマ形成手段74の高周波電源70より、450kHzの高周波を上部電極であるシャワーヘッド40に印加して、シャワーヘッド40と下部電極としての載置台36との間に高周波電界を加えて電力を投入する。これにより、Arガスがプラズマ化されて、TiCl4 ガスとH2 ガスとの還元反応を推進し、半導体ウエハWの表面に図2(B)に示すように薄膜としてTi膜8がプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により成膜されることになる。半導体ウエハWの温度は、載置台36に埋め込んだ抵抗加熱ヒータよりなる加熱手段38により所定の温度により加熱維持される。これにより、半導体ウエハWの上面のみならず、凹部6内の底面や側面にもTi膜8が堆積されることになる。
ここでのプロセスの条件は、例えば半導体ウエハWの温度が、例えば400〜700℃程度、プロセス圧力は667Pa(≒5Torr)程度である。また、ガス流量に関しては、TiCl4 ガスは6.7〜12sccm程度、H2 ガスは1600sccm程度、Arガスは800〜4000sccm程度である。また、プロセス時間は、30〜50sec程度で、Ti膜の膜厚は10nm程度である。またプラズマ発生用電源70より供給する電力は、例えば800ワットであ。尚、必要ならばこの同一の処理容器22内で上記Ti膜8に対して窒化ガスであるNH3 ガスとN2 ガスとの存在下でArガスを加えてプラズマを立て、プラズマ窒化処理(チタン膜窒化処理)を施すようにしてもよい。
<プラズマTiN成膜(薄膜成膜工程)>
以上のようにしてTi膜8の成膜処理を行ったならば、次にプラズマを用いてTiN膜(窒化チタン膜)よりなる薄膜を形成する薄膜成膜工程へ移行する(S2)。このTiN成膜は、同じ処理容器22内で上記工程に続いて連続的に行う。
以上のようにしてTi膜8の成膜処理を行ったならば、次にプラズマを用いてTiN膜(窒化チタン膜)よりなる薄膜を形成する薄膜成膜工程へ移行する(S2)。このTiN成膜は、同じ処理容器22内で上記工程に続いて連続的に行う。
まず、原料ガスのTiCl4 ガスと、N2ガスと、還元ガスのH2 ガスと、プ ラズマ用ガスのArガスとを、それぞれシャワーヘッド40より処理容器22内へ所定の流量で導入し、且つ真空ポンプ32で真空引きして処理容器22内を所定の圧力に維持する。
これと同時に、シャワーヘッド40と載置台36との間に高周波電力を印加してArガスのプラズマを生成してTiCl4 ガスとN2 ガスとを反応させて、図2(C)に示すように、TiN膜10よりなる薄膜をプラズマCVD法により形成する。この時、半導体ウエハWは、抵抗加熱ヒータよりなる加熱手段38により所定の温度に加熱維持されている。
これにより、半導体ウエハWの上面のみならず、凹部6内の底面や側面にもTiN膜10が堆積することになる。この場合、通常の熱CVD法よりも成膜の指向性の高いプラズマCVD法によってTiN膜10を成膜しているので、従来において一般的に行われている熱CVD法による成膜の場合と比較して、凹部6内の底部には十分な厚さで薄膜が堆積するが、凹部6内の側面には薄膜が堆積し難くなって非常に薄いTiN膜10が形成されることになる。
この時のプロセス条件は、プロセス圧力が例えば300〜800Paの範囲内、プロセス温度が例えば400〜700℃の範囲内である。また各ガスの流量は、TiCl4 ガスが例えば4〜20sccmの範囲内、Arが例えば500〜2000sccmの範囲内、H2 が例えば500〜5000sccmの範囲内、N2 が例えば10〜1000sccmの範囲内である。またTiCl4ガスとN2 ガスの分圧は、TiCl4ガス分圧が例えば0.3〜6.0Paの範囲内、N2 ガス分圧が例えば1〜150Paの範囲内である。そして、印加される高周波電力は例えば400〜1000W(ワット)の範囲内である。ここでは、例えば凹部6の底部に堆積するTiN膜10の薄膜の厚さが、例えば2〜10nmの範囲内になるようにプロセス時間が設定されている。
<窒化工程>
以上のようにしてTiN膜10の成膜処理を行ったならば、次に本発明の特徴とするプラズマを用いた窒化工程へ移行する(S3)。この窒化工程は、同じ処理容器22内で上記前工程に続いて連続的に行う。
以上のようにしてTiN膜10の成膜処理を行ったならば、次に本発明の特徴とするプラズマを用いた窒化工程へ移行する(S3)。この窒化工程は、同じ処理容器22内で上記前工程に続いて連続的に行う。
まず、還元ガスのH2 ガスと、プラズマ用ガスのArガスと、窒化ガスのNH3 ガスとを、シャワーヘッド40より処理容器22内へそれぞれ所定の流量で導入し、且つ真空ポンプ32で真空引きして所定の圧力に維持する。これと同時に、シャワーヘッド40と載置台36との間に高周波電力を印加してArガスのプラズマを生成してNH3 ガスの活性種を作り、この活性種(NH3 *)により上記TiN膜10に対して図2(D)に示すように窒化処理を施す。
これにより、TiN膜10の窒化が適度になされて、膜質が改善されると共に安定化することになり、後述するようにバリヤ性が向上すると共に比抵抗も減少することになる。この時のプロセス条件は、プロセス圧力が、後述するように400〜667Paの範囲内、プロセス温度が例えば400〜700℃の範囲内である。また各ガスの流量は、Arが例えば500〜2000sccmの範囲内、H2 が例えば500〜5000sccmの範囲内、NH3 が例えば100〜2000sccmの範囲内である。またNH3ガスの分圧は、例えば44〜308P aの範囲内である。そして、印加される高周波電力は例えば400〜1000W(ワット)の範囲内である。
更に、この窒化処理のプロセス時間は、後述するように5〜60secの範囲内、好ましくは10〜40secの範囲内、より好ましくは15〜30secの範囲内である。このプロセス時間が5secよりも短い場合には、窒化処理の効果が不十分であってバリヤ性が不十分になるばかりか、比抵抗も高くなって好ましくない。これに対して、プロセス時間が60secよりも長い場合には、窒化が過度に行われてしまい、この結果、上述と同様にバリヤ性が不十分になるばかりか、比抵抗も高くなって好ましくない。上述のようにして、Ti膜8とプラズマ窒化処理されたTiN膜10とよりなる膜質特性が良好なバリヤ層12が形成されることになる。
<埋め込み工程>
以上のようにしてTiN膜の窒化工程を行ったならば、次に上記半導体ウエハWを処理容器22内から搬出して埋め込み工程を行う(S4)。この埋め込み工程では、例えば他の成膜装置により上記凹部6内を含む半導体ウエハWの表面に導電性材料の成膜を行うことにより、図2(E)に示すように上記凹部6内に上記導電性材料を埋め込む埋め込み工程を行う。
以上のようにしてTiN膜の窒化工程を行ったならば、次に上記半導体ウエハWを処理容器22内から搬出して埋め込み工程を行う(S4)。この埋め込み工程では、例えば他の成膜装置により上記凹部6内を含む半導体ウエハWの表面に導電性材料の成膜を行うことにより、図2(E)に示すように上記凹部6内に上記導電性材料を埋め込む埋め込み工程を行う。
これにより、上記凹部6内は導電性膜9により埋め込まれることになる。この埋め込み工程では、例えば熱CVD処理により上記導電性材料としてタングステン膜を埋め込んだり、或いはメッキ処理により上記導電性材料として銅を埋め込んだりする。また、この導電性材料は、上記タングステンや銅に特に限定されるものではない。
このようにして埋め込み工程が完了したならば、半導体ウエハWの上面の不要な導電性膜9を削り取って除去することになる。この除去の方法としては、例えばエッチング処理やCMP(Chemical Mechanical Polishing)等が用いられることになる。
尚、上記実施形態では、TiN膜10の下層にTi膜8を形成したが、このTi膜8を形成することなくTiN膜10のみを形成するようにしてもよく、この場合にはバリヤ層12は、TiN膜10だけの一層構造となる。
このように、本発明方法では、凹部6を有する被処理体、例えば半導体ウエハWの表面に薄膜、例えばTiN膜10を形成するに際して、凹部6内の表面を含む被処理体の表面にプラズマCVD法を用いて窒化チタン膜(TiN膜)10の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガス、例えばNH3 の存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより薄膜を窒化する窒化工程とを有するようにしたので、全体としてのコンタクト抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜を形成することができる。
<プラズマ窒化処理されたTiN膜の評価>
次に、先の実施形態のようにプラズマ窒化処理されたTiN膜の評価を行ったので、その評価結果について説明する。
次に、先の実施形態のようにプラズマ窒化処理されたTiN膜の評価を行ったので、その評価結果について説明する。
図4はプラズマ窒化処理を行わないTiN膜とプラズマ窒化処理を行ったTiN膜のバリヤ性の評価について説明する図、図5は従来の成膜方法である熱CVD法やSFD法で成膜したTiN膜に対してプラズマレスのアニール処理を施した時のバリヤ性の評価について説明する図、図6はプラズマ窒化時間とプラズマ窒化処理の前後においてシート抵抗(Rs)が上昇したポイントの比率との関係を示すグラフである。
ここではバリヤ層として、Ti膜を形成していないTiN膜の単層構造の評価を行っている。そして、Ti膜は特に下地との密着性を改善するものであることから、上記評価におけるバリヤ性はTi膜とTiN膜とよりなる2層構造のバリヤ層のバリヤ性と略同じ程度のものとなる。
評価のための具体的な実験は、シリコン基板の上に評価の対象となるTiN膜をプラズマCVD法により形成してバリヤ層とし、このTiN膜をプラズマ窒化処理し、或いはプラズマ窒化処理しないで、TiN膜上にスパッタによりCu膜を形成してサンプルを作成した。上記バリヤ層の作成に際しては、プラズマ窒化時間を変えたり、プロセス圧力を変えたり、膜厚を変えたりして実施例1〜4のサンプルを作った。そして、このサンプルの作成直後と、このサンプルにCuの拡散を促進するアニール処理(400℃、10TorrのAr雰囲気中で30min)を施した直後に薄膜のシート抵抗をそれぞれ121ポイントの箇所で測定してRs(シート抵抗)の値の変化を求めた。
バリヤ性の評価としては、上記アニール処理の前後でRs値が変化していない場合はバリヤ性が高くて良好であり、アニール処理の前後でRs値が上昇して高くなっている場合はTiN膜よりなるバリヤ層を介してSiとCuが反応してしまっていることを意味するからバリヤ性が低くて不良である、と判断している。尚、銅(Cu)はタングステン(W)と比較して熱拡散性が大きいので、銅を用いた評価でバリヤ性が良好ならば、タングステンに対してはバリヤ性が更に良好である、と認識することができる。
また比較例として、シリコン基板の上にプラズマCVD法によりTiN膜を形成してバリヤ層とし、これにプラズマ窒化処理を施すことなくCu膜を形成してサンプルを作成した。バリヤ層の作成に際しては、原料ガスであるTiCl4 ガスの流量を変えたり、プロセス圧力を変えたりして比較例1〜3を作った。そしてこのサンプルに400℃、10Torr(1333Pa)のAr雰囲気中で30minのアニール処理を施した。評価の仕方は実施例1〜4の場合と同じで、このアニール処理の前後のシート抵抗を測定してバリヤ性の評価を行った。またTiN膜の膜厚は、実施例4を除いて全て10nmに設定した。上記実施例1〜4の各プロセス条件、すなわちプロセス温度、プロセス圧力、各ガス流量、印加する高周波電力、膜厚は以下の通りである(図4参照)。
[実施例1]
成膜時:550℃、667Pa、TiCl4 /Ar/H2 /N2 =12/1600/4000/200sccm、800W、10nm(標準)
プラズマ窒化時:550℃、667Pa、Ar/H2 /NH3 =1600/2000/1500sccm、800W、30sec
[実施例2]
成膜時:実施例1と同じ
プラズマ窒化時:プロセス時間を15secに短くした以外は実施例1と同じ。
成膜時:550℃、667Pa、TiCl4 /Ar/H2 /N2 =12/1600/4000/200sccm、800W、10nm(標準)
プラズマ窒化時:550℃、667Pa、Ar/H2 /NH3 =1600/2000/1500sccm、800W、30sec
[実施例2]
成膜時:実施例1と同じ
プラズマ窒化時:プロセス時間を15secに短くした以外は実施例1と同じ。
[実施例3]
成膜時:プロセス圧力を400Paに低くした以外は実施例1と同じ。
プラズマ窒化時:実施例1と同じ。
[実施例4]
成膜時:膜厚を2nmに薄く設定した以外は実施例1と同じ。
プラズマ窒化時:実施例1と同じ。
上記比較例1〜3(プラズマ窒化処理は無し)の各プロセス条件、すなわちプロセス温度、プロセス圧力、各ガス流量、印加する高周波電力、膜厚は以下の通りである(図4参照)。
成膜時:プロセス圧力を400Paに低くした以外は実施例1と同じ。
プラズマ窒化時:実施例1と同じ。
[実施例4]
成膜時:膜厚を2nmに薄く設定した以外は実施例1と同じ。
プラズマ窒化時:実施例1と同じ。
上記比較例1〜3(プラズマ窒化処理は無し)の各プロセス条件、すなわちプロセス温度、プロセス圧力、各ガス流量、印加する高周波電力、膜厚は以下の通りである(図4参照)。
[比較例1]
成膜時:550℃、667Pa、TiCl4 /Ar/H2 /N2 =12/1600/4000/200sccm、800W、10nm(標準)
[比較例2]
成膜時:TiCl4 を20sccmに増加した以外は比較例1と同じ。
[比較例3]
成膜時:プロセス圧力を400Paに低くした以外は比較例1と同じ。
成膜時:550℃、667Pa、TiCl4 /Ar/H2 /N2 =12/1600/4000/200sccm、800W、10nm(標準)
[比較例2]
成膜時:TiCl4 を20sccmに増加した以外は比較例1と同じ。
[比較例3]
成膜時:プロセス圧力を400Paに低くした以外は比較例1と同じ。
上記比較例1〜3及び実施例1〜4における30minアニール後のRs増加ポイント率及びその評価は図4に示されており、図4中の”×”はNG(不良)を示し、”○”は良好を示す。
これによれば、比較例1〜3のRs増加ポイント率は、それぞれ15.7%、94.2%、32.2%であり、TiN膜のバリヤ性がそれ程良好ではなかった。これに対して、実施例1〜4では、3.3%、8.3%、4.1%、0.0%であり、基準値である10%よりもいずれも低く、バリヤ性を大幅に向上できることが判った。
これによれば、比較例1〜3のRs増加ポイント率は、それぞれ15.7%、94.2%、32.2%であり、TiN膜のバリヤ性がそれ程良好ではなかった。これに対して、実施例1〜4では、3.3%、8.3%、4.1%、0.0%であり、基準値である10%よりもいずれも低く、バリヤ性を大幅に向上できることが判った。
上記した各Rs増加ポイント率(比較例2を除く)は、図6中にグラフとしても表されており、TiN膜のバリヤ性を高めるためにはプラズマによるTiN膜の成膜後にプラズマ窒化処理を施すことが必要であることが判る。また、図中によれば、プラズマ窒化処理を長くする程、Rs増加ポイント率が低下してバリヤ性を高めることができるようになっているが、後述するように、このRs増加ポイント率は、プラズマ窒化時間が30sec程度近傍をボトムとして、その後は上昇に転じるものと考えられる。
いずれにしても、TiN膜にプラズマ窒化処理を施すことにより、バリヤ性を向上させことができることは明らかである。特に、注目すべき点は、薄膜化の要請によりTiN膜の厚さも薄くする必要がある状況下で、実施例4のようにTiN膜の膜厚が2nmの場合でも高いバリヤ性を発揮できることが確認できた。すなわち、本発明方法によるバリヤ性を発揮するためには、TiN膜の膜厚が2〜10nmの範囲においても有効であることが判った。換言すれば、バリヤ層を2nmまで薄くしても十分なバリヤ性が得られることが判った。
また同様に、本発明方法によるバリヤ性を発揮するためには、プラズマTiN膜を形成する薄膜形成工程におけるプロセス圧力が400〜667Paの範囲内においても有効であることが判った。また、上記比較例1〜3では、プラズマを用いてTiN膜を成膜しているが、プラズマを用いないで熱エネルギーのみによってTiN膜を成膜する従来一般的に行われている成膜方法で形成したTiN膜についても評価を行ったので、その評価結果について説明する。
ここではシリコン基板上に、TiN膜を形成するためにプラズマを用いておらず、熱CVD法により或いはSFD法によりTiN膜を形成してバリヤ層とし、これにプラズマを用いない、いわゆるプラズマレスの熱によるNH3 窒化処理を施すようにし、更にTiN膜上にスパッタによりCu膜を形成してサンプルを作成した。ここでは、プロセス温度や膜厚を変えて比較例4〜7のサンプルを作成した。このサンプルに400℃、10Torr(1333Pa)のAr雰囲気中で30minのアニール処理を施すようにした。そして、このアニール処理の前後のシート抵抗を先の評価実験のように測定してバリヤ性の評価を行った。この時の結果を図5に示す。この比較例4〜7の各プロセス条件、すなわち、プロセス温度、プロセス圧力、各ガスの流量、高周波電力、膜厚等は以下の通りである。
[比較例4]
成膜時:650℃、667Pa、TiCl4 /NH3 /N2 =60/60/100sccm、膜厚は10nm
(成膜後の窒化:650℃、667Pa、NH3 /N2 =2000/500sccm、25sec)
成膜時:650℃、667Pa、TiCl4 /NH3 /N2 =60/60/100sccm、膜厚は10nm
(成膜後の窒化:650℃、667Pa、NH3 /N2 =2000/500sccm、25sec)
[比較例5]
成膜時:プロセス温度を550℃に低下させた以外は比較例4と同じ。
(成膜後の窒化:プロセス温度を550℃に低下させた以外は比較例4と同じ)
[比較例6](SFD成膜)
550℃、260Pa、成膜時:TiCl4 /NH3 /N2 =60/60/340sccm、窒化時:NH3 /N2 =4500/400sccm、10サイクル、膜厚は10nm)
[比較例7](SFD成膜)
550℃、260Pa、成膜時:比較例6と同じ、窒化時:比較例6と同じ、2サイクル、2nm
成膜時:プロセス温度を550℃に低下させた以外は比較例4と同じ。
(成膜後の窒化:プロセス温度を550℃に低下させた以外は比較例4と同じ)
[比較例6](SFD成膜)
550℃、260Pa、成膜時:TiCl4 /NH3 /N2 =60/60/340sccm、窒化時:NH3 /N2 =4500/400sccm、10サイクル、膜厚は10nm)
[比較例7](SFD成膜)
550℃、260Pa、成膜時:比較例6と同じ、窒化時:比較例6と同じ、2サイクル、2nm
尚、SFD成膜では、上記した各ガス流量を流しつつデポジション(堆積)と窒化とを交互に繰り返し行って薄膜を複数層に亘って積層する成膜方法であり、デポジションと窒化とで1サイクルとなる。
図5に示すように、比較例4〜7のRsポイント増加率は、それぞれ4.1%、3.3%、5.0%、28.9%である。ここで比較例4〜6は、従来に一般的に用いられていた方法であり、且つ従来方法で採用されていたTiN膜の膜厚と同様の膜厚である10nmの膜厚に設定されており、この場合には、基準値である10%よりもいずれも低くて良好であるが、比較例7のように膜厚を2nmに薄く設定すると、Rs増加ポイント率は28.9%まで大幅に増加してバリヤ性が低下してしまって好ましくない。この点、前述したように、図4中の実施例4のように本発明方法の場合には、膜厚を2nmまで薄くしても、バリヤ性は十分に高く維持されており、本発明方法の有効性を理解することができた。
<膜の抵抗(Rs)の評価>
ところで、上述したように、バリヤ性が良好でもプラズマ窒化処理の結果、比抵抗が過度に増加するとバリヤ層として採用することができない。そこで、プラズマ窒化時間に対するRs値の依存性について実験を行ったので、その評価結果について説明する。
ところで、上述したように、バリヤ性が良好でもプラズマ窒化処理の結果、比抵抗が過度に増加するとバリヤ層として採用することができない。そこで、プラズマ窒化時間に対するRs値の依存性について実験を行ったので、その評価結果について説明する。
図7はプラズマ窒化時間と膜のシート抵抗(Rs)との関係を示すグラフである。ここでは前述した本発明方法の実施例1で記載したプロセス条件下でプラズマCVD法によりTiN膜を形成してバリヤ層とし、このTiN膜に実施例1で記載したプロセス条件下で時間を変えつつプラズマ窒化処理を行った時のバリヤ層のRs値を測定している。このようにTiN膜に窒化処理を施す理由は、膜中に残留しているCl原子を除去し、TiN膜の膜質を向上させるためである。ここでは膜厚を10nmで統一しているため、シート抵抗Rsを比較することは膜の比抵抗を比較していることと同義となる。
図7に示すように、TiN膜にプラズマ窒化処理を施すと、Rs値は当初は減少してゆくが、15sec程度でボトムになり、そのままボトム状態が30sec程度まで続き、その後はRs値は上昇に転じて窒化時間の経過と共に更に上昇して行く傾向になっている。すなわち、下に凸の特性曲線を描くことになる。従って、窒化工程におけるプラズマ窒化処理の時間は、5〜60secの範囲が望ましく、この時間が5secより短いと、Rs値が大きいのみならず、バリヤ性も十分に発揮することができない。また、この時間が60secよりも長いと、Rs値が過度に大きくなって好ましくない。また、この場合、以下のように、図6に示すグラフも下に凸の特性曲線を描くと予想され、バリヤ性も劣化するものと推論される。
すなわち、周知のように比抵抗はTiNよりもTiの方が大きいので、プラズマ窒化処理を行うと、TiN化が促進されるので、処理時間が長くなるにつれて次第にシート抵抗(比抵抗)も小さくなり(図7の左半分を参照)、また、それに伴ってバリヤ性も向上していく(図6参照)。そして、更にプラズマ窒化処理が行われて処理時間が長くなり過ぎると、シート抵抗(比抵抗)が増加に転じてしまう(図7の右半分を参照)。この増加の理由は、TiN膜の表面ラフネスの増加や膜中における不純物の増加により膜質が劣化するからであると考えられる。そして、膜質が悪化して劣化すると、バリヤ性も劣化するものと予想される。従って、図6中において、プラズマ窒化時間を更に長くすると、前述したように、Rs増加ポイント率が上昇に転じることになる。
以上の結果より、上記プラズマ窒化処理の時間は、より好ましい範囲は10〜40secの範囲内であり、更に好ましい範囲は、曲線のボトム部分である15〜30secの範囲内であることが理解できる。
尚、上記実施形態では、プラズマ用ガスとしてArガスを用いたが、これに限定されず、He、Ne等の他の希ガスを用いてもよい。またプラズマ窒化工程における窒化ガスとしてNH3 ガスを用いたが、これに限定されず、N2 ガス、ヒドラジン(H2 N−NH2 )ガスやモノメチルヒドラジン(CH3 −NH−NH2 )ガス等を用いてもよい。
更に、ここでは原料ガスとしてTiCl4 ガスを用いたが、これに限定されず、TDMAT(Ti[N(CH3 )2 ]4 :テトラキスジメチルアミノチタン)ガスやTDEAT(Ti[N(C2 H5 )2 ]4 :テトラキスジエチルアミノチタン)ガス等を用いてもよい。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。
2 導電層
4 絶縁層
6 凹部
8 Ti膜(チタン膜)
10 TiN膜(窒化チタン膜)
12 バリヤ層
20 プラズマ処理装置
22 処理容器
28 真空排気系
36 載置台
38 加熱手段
40 シャワーヘッド(ガス導入手段)
50 ガス供給手段
74 プラズマ形成手段
82 制御部
84 記憶媒体
W 半導体ウエハ(被処理体)
4 絶縁層
6 凹部
8 Ti膜(チタン膜)
10 TiN膜(窒化チタン膜)
12 バリヤ層
20 プラズマ処理装置
22 処理容器
28 真空排気系
36 載置台
38 加熱手段
40 シャワーヘッド(ガス導入手段)
50 ガス供給手段
74 プラズマ形成手段
82 制御部
84 記憶媒体
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (14)
- 凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体に対して薄膜を形成する成膜方法において、
前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面にプラズマCVD法を用いて窒化チタン膜の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより前記薄膜を窒化する窒化工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記薄膜形成工程では、原料ガスとしてTiCl4 ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記薄膜形成工程において前期凹部内の底部に形成する前記薄膜の厚さは、2〜10nmの範囲内であることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜方法。
- 前記窒化工程におけるプロセス時間は、5〜60secの範囲内であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記薄膜形成工程におけるプロセス圧力は、400〜667Paの範囲内であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記窒化工程で用いる前記窒化ガスは、NH3 ガスであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記薄膜形成工程の前工程では、前記凹部内の表面を含めて前記被処理体にプラズマCVD法を用いてチタン膜よりなる薄膜を形成するチタン膜形成工程を行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記チタン膜形成工程と前記薄膜形成工程と前記窒化工程とは、同一の処理容器内で連続的に行われることを特徴とする請求項7記載の成膜方法。
- 前記チタン膜形成工程の後、前記薄膜形成工程の前に、前記チタン膜よりなる薄膜を窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うチタン膜窒化工程を有することを特徴とする請求項7記載の成膜方法。
- 前記チタン膜形成工程と前記チタン膜窒化工程と前記薄膜形成工程と前記窒化工程とは、同一の処理容器内で連続的に行われることを特徴とする請求項9記載の成膜方法。
- 前記窒化工程の後には、前記凹部内を導電性材料で埋め込む埋め込み工程を行なうことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記凹部の内径又は幅は50nm以下に設定されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体に対して薄膜を形成するプラズマ処理装置において、
真空排気が可能になされた処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理体を載置すると共に下部電極として機能する載置台と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内へガスを導入すると共に上部電極として機能するガス導入手段と、
前記ガス導入手段へ前記ガスを供給するガス供給手段と、
前記載置台と前記ガス導入手段との間にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、
請求項1乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空排気が可能になされた処理容器と、
凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体を前記処理容器内で載置すると共に下部電極として機能する載置台と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内へガスを導入すると共に上部電極として機能するガス導入手段と、
前記ガス導入手段へ前記ガスを供給するガス供給手段と、
前記載置台と前記ガス導入手段との間にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、
装置全体を制御する制御部と、
を備えたプラズマ処理装置を用いて前記被処理体に薄膜を形成するに際して、
請求項1乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するように前記プラズマ処理装置を制御するコンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶する記憶媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009017320A JP2010177382A (ja) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | 成膜方法及びプラズマ成膜装置 |
CN2010800059397A CN102301454A (zh) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | 成膜方法和等离子体成膜装置 |
KR1020117017698A KR20110110261A (ko) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | 성막 방법 및 플라즈마 성막 장치 |
PCT/JP2010/051025 WO2010087362A1 (ja) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | 成膜方法及びプラズマ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009017320A JP2010177382A (ja) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | 成膜方法及びプラズマ成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177382A true JP2010177382A (ja) | 2010-08-12 |
Family
ID=42395621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009017320A Pending JP2010177382A (ja) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | 成膜方法及びプラズマ成膜装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010177382A (ja) |
KR (1) | KR20110110261A (ja) |
CN (1) | CN102301454A (ja) |
WO (1) | WO2010087362A1 (ja) |
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CN107644813B (zh) * | 2017-09-14 | 2020-11-24 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氮化镓外延片的钝化方法 |
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-
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- 2009-01-28 JP JP2009017320A patent/JP2010177382A/ja active Pending
-
2010
- 2010-01-27 KR KR1020117017698A patent/KR20110110261A/ko active IP Right Grant
- 2010-01-27 CN CN2010800059397A patent/CN102301454A/zh active Pending
- 2010-01-27 WO PCT/JP2010/051025 patent/WO2010087362A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010087362A1 (ja) | 2010-08-05 |
CN102301454A (zh) | 2011-12-28 |
KR20110110261A (ko) | 2011-10-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131008 |