JPS59121987A - 硼酸リチウム結晶を用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
硼酸リチウム結晶を用いたデバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPS59121987A JPS59121987A JP57227748A JP22774882A JPS59121987A JP S59121987 A JPS59121987 A JP S59121987A JP 57227748 A JP57227748 A JP 57227748A JP 22774882 A JP22774882 A JP 22774882A JP S59121987 A JPS59121987 A JP S59121987A
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- Japan
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- electrode
- lithium borate
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は硼酸リチウム（Ｌ１２Ｂ４Ｏ７）結晶を用いた
デバイスの製造方法に関する。
デバイスの製造方法に関する。
圧電結晶基板管用いた弾性表面波素子は、テレビｌＥ’
ｌＦフィルタや搬送波用共振子等に広く応用されている
。
ｌＦフィルタや搬送波用共振子等に広く応用されている
。
従来の弾性表面波素子の一般的な製造方法を説明すると
、次のとおシである。まず、鏡面研磨した圧電結晶基板
表面の全面にＡｔ膜を蒸着等によシ形成する。この上に
ボッ型レゾスト（例えばコダ、り社製のＡＺ−１３５０
）をスピンコートシ、露光、現像して所定のレノストＡ
Ｚターンを形成する。そしてＡｔ膜をリン酸：酢酸：硝
酸二本＝７６：１５：４：５のエツチング液で選択エツ
チングして電極ノ（ターンを形成し、その後アセトン中
に浸してレノストを除去する。
、次のとおシである。まず、鏡面研磨した圧電結晶基板
表面の全面にＡｔ膜を蒸着等によシ形成する。この上に
ボッ型レゾスト（例えばコダ、り社製のＡＺ−１３５０
）をスピンコートシ、露光、現像して所定のレノストＡ
Ｚターンを形成する。そしてＡｔ膜をリン酸：酢酸：硝
酸二本＝７６：１５：４：５のエツチング液で選択エツ
チングして電極ノ（ターンを形成し、その後アセトン中
に浸してレノストを除去する。
最後に基板を所定の大きさに切断して個々のデバイスに
分割し、これを容器に収容して表面波素子が完成する。
分割し、これを容器に収容して表面波素子が完成する。
ところで、このような弾性表面波素子基板として、従来
ニオブ酸リチウム（Ｌ＋Ｎｂ０３）結晶やタンタル酸リ
チウム（ＬｉＴａＯ２）単結晶が多く用いられてきた。
ニオブ酸リチウム（Ｌ＋Ｎｂ０３）結晶やタンタル酸リ
チウム（ＬｉＴａＯ２）単結晶が多く用いられてきた。
しかしこれらは遅延時間温度係数が大きく、更に高周波
特性を改善し高機能化を図る上で限界があった。また温
度係数の小さいものとして水晶があるが、これは電気機
械結晶係数が小さいという難点があった。
特性を改善し高機能化を図る上で限界があった。また温
度係数の小さいものとして水晶があるが、これは電気機
械結晶係数が小さいという難点があった。
これらの難点を解決するものとして、最近、Ｌ ！２Ｂ
４０７結晶が有望視されている。しかしながら、Ｌ１
２Ｂ４Ｏ７結晶はリン酸等の酸に溶けるため、上述した
従来の電極形成法をそのまま適用することができない。
４０７結晶が有望視されている。しかしながら、Ｌ１
２Ｂ４Ｏ７結晶はリン酸等の酸に溶けるため、上述した
従来の電極形成法をそのまま適用することができない。
又、リフトオフ法による電極パターンの形成法が知られ
ているが、これは工程が複雑で歩留シも悪いという欠点
がある。
ているが、これは工程が複雑で歩留シも悪いという欠点
がある。
〔発明の目的〕
本発明は上記の点に鑑み、電極形成工程を改良’Ｌ：”
２ Ｌｉ ２Ｂ４０．結晶を用いたデ・々イスの製造方
法を提供することを目的とする。
２ Ｌｉ ２Ｂ４０．結晶を用いたデ・々イスの製造方
法を提供することを目的とする。
本発明においては、Ｌ１２Ｂ４Ｏ７結晶基板に形成した
電極金属膜の選択エツチングをアルカリ水溶液によシ行
う。この場合、ボッ型レゾストは一般に使えないから、
ネガ型レジストを耐エツチングマスクとして用いる。ま
たネガ型レジストは一般に有機溶剤では除去できず、フ
ェノール系はくシ剤が用いられるが、このはく９剤はＬ
１□Ｂ４Ｏ７結晶を侵す。そこで本発明では、電極パタ
ーン形成後のネガ型レゾストの除去を酸素プラズマ処理
によって行う。
電極金属膜の選択エツチングをアルカリ水溶液によシ行
う。この場合、ボッ型レゾストは一般に使えないから、
ネガ型レジストを耐エツチングマスクとして用いる。ま
たネガ型レジストは一般に有機溶剤では除去できず、フ
ェノール系はくシ剤が用いられるが、このはく９剤はＬ
１□Ｂ４Ｏ７結晶を侵す。そこで本発明では、電極パタ
ーン形成後のネガ型レゾストの除去を酸素プラズマ処理
によって行う。
本発明によれば、Ｌ１２Ｂ４Ｏ，結晶基板上の電極形成
全ホトエツチング法によって基板を傷メルことなく行う
ことができ、弾性表面波素子の高周波化、高性能化を図
ることが可能となった。
全ホトエツチング法によって基板を傷メルことなく行う
ことができ、弾性表面波素子の高周波化、高性能化を図
ることが可能となった。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１図（
、）〜（ｆ）は本発明を弾性表面波素子の製造に適用し
た実施例の製造工程を示している。
、）〜（ｆ）は本発明を弾性表面波素子の製造に適用し
た実施例の製造工程を示している。
まず鏡面研磨したＬ１２Ｂ４Ｏ７結晶基板１を用意しく
＆）、その表面に蒸着またはスバ、りによシＡ、ａ膜２
を１μｍ被着する（ｂ）。次にネガ型レゾスト３として
例えばＯＭＲ４５ＣＰを回転塗布し、１５０℃。
＆）、その表面に蒸着またはスバ、りによシＡ、ａ膜２
を１μｍ被着する（ｂ）。次にネガ型レゾスト３として
例えばＯＭＲ４５ＣＰを回転塗布し、１５０℃。
３０分のプリベークを行う（Ｃ）。そして電極・七ター
ンの反転像を書込んだホトマスク４を基板上゛に密着さ
せ、紫外線５を３〜５秒照射して露光する（ｄ）。露光
した基板をリンスし、現像してレゾストパターンを形成
しくｅ）、次にこれをＫＯＨ５重量％水溶液中で５〜８
分攪拌し不要なＵ膜を除去してインターアイソタル電極
を形成する（ｆ）。最後に、レジスト３を、酸素プラズ
マ中（ｆＩｔえば周波数１３ ＭＥ（ｚ、 電力２０
０Ｗ、真空度１０ Ｔｏｒｒ ）に１０〜２０分基板を
保持することによシ除去する。
ンの反転像を書込んだホトマスク４を基板上゛に密着さ
せ、紫外線５を３〜５秒照射して露光する（ｄ）。露光
した基板をリンスし、現像してレゾストパターンを形成
しくｅ）、次にこれをＫＯＨ５重量％水溶液中で５〜８
分攪拌し不要なＵ膜を除去してインターアイソタル電極
を形成する（ｆ）。最後に、レジスト３を、酸素プラズ
マ中（ｆＩｔえば周波数１３ ＭＥ（ｚ、 電力２０
０Ｗ、真空度１０ Ｔｏｒｒ ）に１０〜２０分基板を
保持することによシ除去する。
このようにして電極が形成された基板を個々のデバイス
に分割し、それを容器ＶＣ収容して完成する。第２図は
形成された弾性狭面波素子６を容器７に収容した状態を
示している。
に分割し、それを容器ＶＣ収容して完成する。第２図は
形成された弾性狭面波素子６を容器７に収容した状態を
示している。
こうして本実施例によれば、ネガ型レジストとアルカリ
水溶液の組合せで電極形成を行い、かつレゾスト除去を
酸素プラズマで行うため、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７結晶基板を傷
めることがなく、優れた特性の弾性光面波素子を得るこ
とができる。
水溶液の組合せで電極形成を行い、かつレゾスト除去を
酸素プラズマで行うため、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７結晶基板を傷
めることがなく、優れた特性の弾性光面波素子を得るこ
とができる。
なお、アルカリ水溶液としてはＫＯＨの他、ＬｉＯＨ，
ＮａＯＨなどを用いることができ、これらの１〜１０重
量％水溶液を温度２０〜４０℃程度の範囲で使用すれば
同様の効果が得られる。また本発明は弾性表面波素子の
他、バルク振動子やセンサ等の製造にも有用である。
ＮａＯＨなどを用いることができ、これらの１〜１０重
量％水溶液を温度２０〜４０℃程度の範囲で使用すれば
同様の効果が得られる。また本発明は弾性表面波素子の
他、バルク振動子やセンサ等の製造にも有用である。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例による弾性表
面波素子の製造工程を示す図、第２図はその弾性表面波
素子を容器に収容した状態を示す図である。 ６・・・弾性表面波素子、７・・・容器。 第１５＠ 第２因 ３８５−
面波素子の製造工程を示す図、第２図はその弾性表面波
素子を容器に収容した状態を示す図である。 ６・・・弾性表面波素子、７・・・容器。 第１５＠ 第２因 ３８５−
Claims (3)
- （１）硼酸リチウム結晶基板に金属膜を被着し、この金
属膜上にネガ型レジストパターンを形成し、このレソス
トパターンをマスクとして前記金属膜を選択工、チング
して電極を形成するデバイスの製造方法において、前記
選択工、チングをアルカリ水溶液により行い、その後の
レソスト除去を酸素プラズマによシ行うことを特徴とす
る硼酸リチウム結晶を用いたデバイスの製造方法。 - （２） 前記金属膜はｋｌまたはａ合金である特許請
求の範囲第１項記載の硼酸リチウム結晶を用いたデバイ
スの製造方法。 - （３）前記アルカリ水溶液は、ＬｉＯＨ，ＮａＯＨもし
くはＫＯＨまたはこれとの混合物を水に１〜１０重量％
溶解したものであシ、これを２０〜４０℃の範囲で用い
る特許請求の範囲第１項記載の硼酸リチウム結晶を用い
たデノ々イスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227748A JPS59121987A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 硼酸リチウム結晶を用いたデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227748A JPS59121987A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 硼酸リチウム結晶を用いたデバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121987A true JPS59121987A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16865748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57227748A Pending JPS59121987A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 硼酸リチウム結晶を用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121987A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2637428A1 (fr) * | 1988-09-30 | 1990-04-06 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Electrode interdigitee pour dispositif a ondes de surface et procede pour sa production |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772414A (en) * | 1980-06-11 | 1982-05-06 | Plessey Overseas | Application of lithium tetraborate to electronic device |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57227748A patent/JPS59121987A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772414A (en) * | 1980-06-11 | 1982-05-06 | Plessey Overseas | Application of lithium tetraborate to electronic device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2637428A1 (fr) * | 1988-09-30 | 1990-04-06 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Electrode interdigitee pour dispositif a ondes de surface et procede pour sa production |
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