JPS59121842A - 平行平板型ｒｉｅ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は超高密度デバイスの微細加工技術に係り、特に
ハロゲン元素を含むイオン化ガスで被エツチング材料を
エツチングする平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｙｅ　
Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置に関する。

〔発明の技術的背景およびその問題点〕従来装置の一構
成例を第１図および第２図を参照して説明する。第１図
（ａ）は−構成例の断面図である。反応容器１内の上部
に上板電極板２を取り付け、上板電極板２の中心には第
１図（ｂｌに示す如くイオン化ガスを射出する直径８〜
２０１１程度の導入口３を設ける。導入口３の上側には
図示しないイオン化ガス供給装置からイオン化ガスを反
応容器内に導入する導入手段４を取り付ける。反応容器
１内の下部には下部電極板２に対向して下部電極板５を
配置し、図示しない駆動装置によって回転軸６を軸に回
転するようにする。こＣで、下部電極板５には高周波電
力が印加されており、上部電極板２および下部電極板５
０表面にはポリエステルプポリエチレン等の高分子膜が
貼られている。

下部電極板５上には、回転軸６の中心軸を中心とする円
周上に被エツチング材料７を載置する。このとき、被エ
ツチング材料７と下部電極板５０間には、カーデン板、
石英板などからなる台座を設けてもよい。また、被エツ
チング材料は不純物添加の多結晶シリコン、ＡＩ、ＭＯ
等の金属、ＳｉＯ□。

ＳｉＮ等の絶縁膜などにより構成される。

次に、第１図に示す一構成例の動作を説明する。

図示しないイオン化ガス供給装置から導入手段４、導入
口３を介して反応容器１内に入れられたイオン化ガスは
、中心軸のまわりを回転する被エツチング材料７と反応
し、これをエツチングする。Ｃのとき、インイオン化ガ
スは中心部（導入口３に近い部分）はど濃度が高く、周
辺部（導入口３に遠い部分）はど濃度が低い。反応容器
１内を循環したイオン化ガスは排出口より矢印７の方向
に排出される。

第２図は第１図の一構成例によって被エツチング材料７
をエツチングしたときのエツチング量を説明するグラフ
で、縦軸にエツチング量（オンダストローム７分）をと
り、横軸に位置（グラフの左端が回転の中心軸から最も
離れた位置で、グラフの右端が中心軸から最も近い位置
）をとっている。このように５回転の中心軸すなわち導
入口３から遠い位置と近い位置では、イオン化ガスの濃
度に不均一性が生じるので、エツチング量は位置によっ
て不均一となる。また、全体としてのイオン化率が低い
のでエツチング量も少ない。

上述の如〈従来装置は、上部電極板の中央に設けた１個
の導入口よりイオン化ガスを射出する構成であるため、
被エツチング材料のエツチング個が均一にならず、また
全体的にエツチング量が少なくなるという欠点がある。

〔発明の目的〕

本発明は上述の従来技術の欠点に鑑みてなされたもので
、被エツチング材料のエツチング量ヲ均一にしかつ全体
としてのエツチング量を多くすることのできる平行平板
型ＲＩＥ装置を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

上記の目的を実現するため本発明は、従来装置の上部電
極板の回転軸（中心軸）を中心とする円周上に一定の間
隔をあけて複数個の導入口を設けた平行平板型ＲＩＥ装
置を提供するものである。

〔発明の実施例〕

本発明の一実施例を第３図および第４図を参照して説明
する。第３図（ａｌは本発明の一実施例の断面図で、第
１図と同一要素は同一符号で示しである。第３図（ｂ）
は第３図（ａ）の上部電極板２の平面図である。第３図
に示す如く、イオン化ガスを射出するための榊：入口９
は上部電極板２の中心軸のまわりの円周上に６個設ける
。そして、導入手段４かも与えられたイオン化ガスは、
導入口９を介して反応容器１内に射出されるようにする
。なお、この導入口９の直径は約２朋とし、かつ導入口
９は被エツチング材料７の真上にくるようにする。

このようにしてイオン化ガスを反応容器１内に導入しつ
つ、被エツチング材料７を載置した上部電極板を回転さ
せると、被エツチング材料７はイオン化ガスによりエツ
チングされる。

第４図は第３図に示す一実施例によって被エツチング材
料をエツチングしたときのエツチング量を説明するグラ
フで、第２図と同様に縦軸にエツチング量をとり横軸に
位置をとっている。

エツチング量が均一化し、かつ全体としてエツチング量
が増加していることがわかる。

〔発明の効果〕

上述の如く本発明によれば、従来装置の上部電極板の回
転軸（中心軸）を中心とする円周上に一定の間隔をあけ
て複数個の導入口を設けたので、被エツチング材料の上
でのイオン化案の均一化を図ることができ、被エツチン
グ材料のエツチング量を均一にしかつ全体としてエツチ
ング量を増大させることのできる平行平板型ＲＩＥ装置
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来装置の一構成例の断面図およびその一部の
平面図、第２図は第１図の一構成例によるエツチング惜
を説明するグラフ、第３図は本発明の一実施例の断面図
およびその一部の平面図、第４図は第３図の一実施例に
よるエツチング量ヲ説明するグラフである。 ■・・・反応容器、２・・・上部電極板％３，９・・・
導入口、４・・・導入手段、５・・・下部電極板、６・
・・回転軸、７・・・被エツチング材料。 出願人代理人　　　猪　　股　　　　　清００１− （中心軸力ら遠い）　　　　　　　　　　　　　　　（
中）１）軸１こ近い少（０）　　　　　　　第３図 （中心軸ｉ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 イオン化ガスを外部から導入するための導入手段を有す
   る反応容器と、前記反応容器内の上部に取り付けてなり
   前記導入手段を介して導入されたイオン化ガスを前記反
   応容器内に射出する導入口を設けた円板状の上部電極板
   と、前記上部電極板と共通の中心軸を有して対向配置さ
   れ、この中心軸のまわりを円周方向に回転する円板状の
   下部′電極板とを備え、前記下部電極板上の前記中心軸
   を中心とする円周上に載置された被エツチング材料を前
   記イオン化ガスに反応させてエツチングする平行平板型
   ＲＩＥ装置において、 前記導入口は前記上部電極板の前記中心軸を中心とする
   円周上に一定の間隔をあけて複数個設けてなることを特
   徴とする平行平板型ＲＩＥ装置。