JPS6057936A - 回転磁場を利用した多面柱状エツチング電極 - Google Patents
回転磁場を利用した多面柱状エツチング電極Info
- Publication number
- JPS6057936A JPS6057936A JP16508683A JP16508683A JPS6057936A JP S6057936 A JPS6057936 A JP S6057936A JP 16508683 A JP16508683 A JP 16508683A JP 16508683 A JP16508683 A JP 16508683A JP S6057936 A JPS6057936 A JP S6057936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- magnetic field
- electrode body
- electrode
- outer cylinder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、回転磁場を利用した多面柱状エツチング電
極に関するものである。
極に関するものである。
一般にイオンエツチング技術において社エツチング速度
はイオン化効率に左右されることが知られている。従来
の平行平板型を用いたグロー放電ではそのイオン化率は
／ ０−４以下である。そこでイオン化率を向上させる
ため投入されるＲＦ電力を大きくすると、その熱損失の
ためエツチング基板の損傷の影響が生じ得るので実用的
でない、このように、従来の装置ではイオン化率が低く
、従ってエツチング速度が遅いため処理するのに長い時
間を要し、量産性（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｐｕｔ）が極めて
低い欠点があった。このよう々低量産性を補償するため
従来の平行平板型のエツチング電極ではそれを大型化し
て多数のウェハをパッチ式に処理する方 ′法が提案さ
れているが、ウェハを並べて処理するための占有面積が
大きくなシ、そのため装置自体を大規模にせざるを得な
い欠点が生じた。
はイオン化効率に左右されることが知られている。従来
の平行平板型を用いたグロー放電ではそのイオン化率は
／ ０−４以下である。そこでイオン化率を向上させる
ため投入されるＲＦ電力を大きくすると、その熱損失の
ためエツチング基板の損傷の影響が生じ得るので実用的
でない、このように、従来の装置ではイオン化率が低く
、従ってエツチング速度が遅いため処理するのに長い時
間を要し、量産性（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｐｕｔ）が極めて
低い欠点があった。このよう々低量産性を補償するため
従来の平行平板型のエツチング電極ではそれを大型化し
て多数のウェハをパッチ式に処理する方 ′法が提案さ
れているが、ウェハを並べて処理するための占有面積が
大きくなシ、そのため装置自体を大規模にせざるを得な
い欠点が生じた。
この発明の目的は、エツチング電極本体を多面筒状構造
とすると共にイオン化率の高いマグネトロン放電を利用
して上述の欠点を解決することにある。
とすると共にイオン化率の高いマグネトロン放電を利用
して上述の欠点を解決することにある。
この目的を達成するため、この発Ｑｌｌによるエツチン
グ電極は、外周表面に多数の基板を取付けできるように
された多面筒状電極本体と、この電極本体内に相互に回
転できるように設けられた筒状磁石組立体とを有し、上
記電極本体の外周囲のエツチング空間内にガスを導入す
ると共にこの電極本体に印加される高電圧による電場と
上記筒状磁石組立体で形成される磁場との交叉によって
上記電極本体の外周表面上にマグネトロン放電を生じさ
せるように構成したことを特徴としている。
グ電極は、外周表面に多数の基板を取付けできるように
された多面筒状電極本体と、この電極本体内に相互に回
転できるように設けられた筒状磁石組立体とを有し、上
記電極本体の外周囲のエツチング空間内にガスを導入す
ると共にこの電極本体に印加される高電圧による電場と
上記筒状磁石組立体で形成される磁場との交叉によって
上記電極本体の外周表面上にマグネトロン放電を生じさ
せるように構成したことを特徴としている。
以下この発明を添附図面を参照してさらに説明する。
第１図にはこの発明によるエツチング電極を備えたエツ
チング室を形成している真空槽の構造を概略的に示し、
ｌは真空槽であシ、その内部にエツチング電極−が回転
軸３によシ回転自在に挿置されている。エツチング電極
コは図示実施例ではその外周面を中面体として構成され
ているが、要は多面体であればよく、例えば処理すべき
ウェハ（基板）の寸法等に応じて四、六、八面体とする
こともできる。また第１図においてｌは装着された基板
を示している。
チング室を形成している真空槽の構造を概略的に示し、
ｌは真空槽であシ、その内部にエツチング電極−が回転
軸３によシ回転自在に挿置されている。エツチング電極
コは図示実施例ではその外周面を中面体として構成され
ているが、要は多面体であればよく、例えば処理すべき
ウェハ（基板）の寸法等に応じて四、六、八面体とする
こともできる。また第１図においてｌは装着された基板
を示している。
第２図にはとの発明のエツチング電極の一実例を部分横
断面図で示し、！社回転軸で、この回転軸ｊには半径方
向にのびる支持アームｔを介１．てヨーク材を形成して
いる回転内筒７が取付けられておシ、この回転内筒７の
外周面には磁石ｔがモールド材７をはさんで円筒状に配
列されている。
断面図で示し、！社回転軸で、この回転軸ｊには半径方
向にのびる支持アームｔを介１．てヨーク材を形成して
いる回転内筒７が取付けられておシ、この回転内筒７の
外周面には磁石ｔがモールド材７をはさんで円筒状に配
列されている。
１０は要素７．ｒ、りから成る筒状磁石組立体から間隙
ｉｔをあけて同心的に設けられた多面外筒であシ、この
多面外筒１０の各外面上にはペデスタル１２が取付けら
れ、各ペデスタル／、２Ｊ二に基板当て板１３を介して
処理すべき基板ｌグが置かれ、基板ホルダｉｓによって
保持されている。
ｉｔをあけて同心的に設けられた多面外筒であシ、この
多面外筒１０の各外面上にはペデスタル１２が取付けら
れ、各ペデスタル／、２Ｊ二に基板当て板１３を介して
処理すべき基板ｌグが置かれ、基板ホルダｉｓによって
保持されている。
基板当て板１３は例えばゴムから成り、ペデスタル１２
と基板ｌ≠との良熱伝導を保証している。
と基板ｌ≠との良熱伝導を保証している。
また内筒７内の空所７ａおよび内筒７と外筒１０との間
の間隙ｔｉには冷却水が通されている。内筒７の外周面
上の磁石ｒ間に挿置されたモールド材りは例えばプラス
チックから成シ、回転する磁極が冷却水をかき乱すのを
防止して冷却水の抵抗を少なくするように作用する。
の間隙ｔｉには冷却水が通されている。内筒７の外周面
上の磁石ｒ間に挿置されたモールド材りは例えばプラス
チックから成シ、回転する磁極が冷却水をかき乱すのを
防止して冷却水の抵抗を少なくするように作用する。
このように構成した装置の動作において、回転する筒状
磁石組立体（７ｖ ’ ＋２）の磁石（例えば希工類磁
石）ｌから拡散していく磁場は多面筒状電極本体を成す
外筒／θの表面上にドーナツ状の水平磁場を形成する。
磁石組立体（７ｖ ’ ＋２）の磁石（例えば希工類磁
石）ｌから拡散していく磁場は多面筒状電極本体を成す
外筒／θの表面上にドーナツ状の水平磁場を形成する。
そして外筒１０に高電圧が印加され、外筒１０の外表面
の周囲のエツチング領域にガスが導入され、その結果印
加された電圧による電場（紛と」二記磁石ｒＫよって形
成された磁場（Ｂ）との交叉（すなわちＥＸＢ）Ｋよっ
てマグネトロン放電領域が上記エツチング領域の全周に
わたって形成される。これによシ外筒１０の外周面に装
着された多数の基板ｌグを同時に高速でエツチング処理
することができる。
の周囲のエツチング領域にガスが導入され、その結果印
加された電圧による電場（紛と」二記磁石ｒＫよって形
成された磁場（Ｂ）との交叉（すなわちＥＸＢ）Ｋよっ
てマグネトロン放電領域が上記エツチング領域の全周に
わたって形成される。これによシ外筒１０の外周面に装
着された多数の基板ｌグを同時に高速でエツチング処理
することができる。
なお図示実施例では、筒状磁石組立体を回転するように
構成しているが、この筒状磁石組立体と多面筒状電極本
体との両方を逆方向に回転するように構成してもよく或
いは多面筒状電極本体だけを回転するように構成するこ
ともできる。
構成しているが、この筒状磁石組立体と多面筒状電極本
体との両方を逆方向に回転するように構成してもよく或
いは多面筒状電極本体だけを回転するように構成するこ
ともできる。
以上説明してきたように、この発明においては電極を多
面筒状構造としているので基板の取付枚数を大きくとれ
しかも占有面積が小さいため、コンノセクトな装置とす
ることができる。またマグネトロン放電を利用している
ので、高速エツチング処理が可能である。従って、この
発明によるエツチング電極を用いることによって、高速
、高処理量のエツチング装置が得られる。
面筒状構造としているので基板の取付枚数を大きくとれ
しかも占有面積が小さいため、コンノセクトな装置とす
ることができる。またマグネトロン放電を利用している
ので、高速エツチング処理が可能である。従って、この
発明によるエツチング電極を用いることによって、高速
、高処理量のエツチング装置が得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるエツチング電極の構
成を概略的に示す斜視図、第一図は第１図のエツチング
電極の一部を示す拡大横断面図である。 図中％ ７ｓ ’ ｍり：筒状磁石組立体％ ｌＯ；多
面筒状電極本体、／４４：基板。
成を概略的に示す斜視図、第一図は第１図のエツチング
電極の一部を示す拡大横断面図である。 図中％ ７ｓ ’ ｍり：筒状磁石組立体％ ｌＯ；多
面筒状電極本体、／４４：基板。
Claims (1)
- 外周表面に多数の基板を取付けできるようにされた多面
筒状電極本体と、この電極本体内に相互に回転できるよ
うに設けられた筒状磁石組立体とを有し、上記電極本体
の外周囲のエツチング空間内にガスを導入すると共にこ
の電極本体に印加される高電圧による電場と上記筒状磁
石組立体で形成される磁場との交叉によって上記電極本
体の外周表面上にマグネトロン放電を生じさせるように
構成したことを特徴とする回転磁場を利用した多面柱状
エツチング電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16508683A JPS6057936A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 回転磁場を利用した多面柱状エツチング電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16508683A JPS6057936A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 回転磁場を利用した多面柱状エツチング電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057936A true JPS6057936A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15805609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16508683A Pending JPS6057936A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 回転磁場を利用した多面柱状エツチング電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057936A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0845899A (ja) * | 1993-11-03 | 1996-02-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ・エッチング・ツール |
| GB2461094A (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Mantis Deposition Ltd | Magnetron with cylindrical hollow target |
| WO2022054855A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537586A (en) * | 1976-02-19 | 1978-01-24 | Sloan Technology Corp | Cathodic spattering apparatus |
| JPS58151028A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-09-08 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16508683A patent/JPS6057936A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537586A (en) * | 1976-02-19 | 1978-01-24 | Sloan Technology Corp | Cathodic spattering apparatus |
| JPS58151028A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-09-08 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0845899A (ja) * | 1993-11-03 | 1996-02-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ・エッチング・ツール |
| GB2461094A (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Mantis Deposition Ltd | Magnetron with cylindrical hollow target |
| GB2461094B (en) * | 2008-06-20 | 2012-08-22 | Mantis Deposition Ltd | Deposition of materials |
| WO2022054855A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900005347B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| US6143149A (en) | Magnetron with plurality of targets in correspondence to shield members | |
| JP4306958B2 (ja) | 真空スパッタ装置 | |
| TW200402105A (en) | Magnetic field generator for magnetron plasma | |
| KR20020027604A (ko) | 마그네트론 플라즈마 처리 장치 | |
| JPS6272121A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPS6057936A (ja) | 回転磁場を利用した多面柱状エツチング電極 | |
| JP2549291B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP2555004B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0618182B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS5918638A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS6247131A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPH11140639A (ja) | マグネトロン装置及びスパッタリング装置 | |
| JPS5867870A (ja) | 磁界圧着マグネトロン形高速プラズマエッチングおよび反応性イオンエッチング装置 | |
| JP3343819B2 (ja) | イオンエッチング方法および装置 | |
| KR100456287B1 (ko) | 스퍼터링 증착장치의 스퍼터 건 | |
| JP3343820B2 (ja) | マグネトロン放電用カソード | |
| JPS6353261A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2990970B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH1041284A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH02101158A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS63162865A (ja) | スパツタリングカソ−ド | |
| JP3273980B2 (ja) | 両面同時エッチング装置 | |
| JPH111772A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPS61124133A (ja) | プラズマ処理装置 |