JPS60187023A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS60187023A JPS60187023A JP4204984A JP4204984A JPS60187023A JP S60187023 A JPS60187023 A JP S60187023A JP 4204984 A JP4204984 A JP 4204984A JP 4204984 A JP4204984 A JP 4204984A JP S60187023 A JPS60187023 A JP S60187023A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特にプラズマエツ
チング装置等のドライエツチング装置、プラズマＣＶＤ
装置で代表されるプラズマ処理装［ｒこ関するものであ
る。
チング装置等のドライエツチング装置、プラズマＣＶＤ
装置で代表されるプラズマ処理装［ｒこ関するものであ
る。
プラズマエツチング装置等のドライエツチング装置、プ
ラズマＣＶＤ装置で代表されるプラズマ処理装置として
は、処理室に対向電極と試料載置用の電極とが対向して
内設された装置が慣用されている。
ラズマＣＶＤ装置で代表されるプラズマ処理装置として
は、処理室に対向電極と試料載置用の電極とが対向して
内設された装置が慣用されている。
第１図で、処理室１０ｒこは、対向電極２０と試料載置
用の電極３０とが上下方向ｒこ対向して内設されている
。対向電極２０には、多数のガス放出孔２１が穿設され
、ガス放出孔２１と連通してガス流路（図示省略）が形
成されている。処理ガス供給装置（図示省略）に一端が
連結されたガス供給管４０の他端がカス流路と連通して
対向電極２０に連結されている。電極３０１こは電源、
例えば、高周波電源（図示省略）が接続され、対向型＆
２０は、アースされている。処理室１０の底壁には、真
空排気装！（図示省略）の排気管４１が連結されている
。
用の電極３０とが上下方向ｒこ対向して内設されている
。対向電極２０には、多数のガス放出孔２１が穿設され
、ガス放出孔２１と連通してガス流路（図示省略）が形
成されている。処理ガス供給装置（図示省略）に一端が
連結されたガス供給管４０の他端がカス流路と連通して
対向電極２０に連結されている。電極３０１こは電源、
例えば、高周波電源（図示省略）が接続され、対向型＆
２０は、アースされている。処理室１０の底壁には、真
空排気装！（図示省略）の排気管４１が連結されている
。
電極３０には、試料５０が載置され処理室１０内は所定
圧力ｔｌＪｌ排圧される。その後、所定流駄で供給され
た処理ガスがガス放出孔２１より放出されると共１こ、
真空排気装置の作動ｔこより処理室１０内は処理圧力ｔ
こ調整されて保持される。この状態で電極３０ｔこ高周
波を印加すれば、対向電極２０と電極３０との間でグロ
ー放電が生じ処理ガスはプラズマ化される。このガスプ
ラズマｔこより試料５０）こは、エツチング、成膜等の
処理が施こされる。
圧力ｔｌＪｌ排圧される。その後、所定流駄で供給され
た処理ガスがガス放出孔２１より放出されると共１こ、
真空排気装置の作動ｔこより処理室１０内は処理圧力ｔ
こ調整されて保持される。この状態で電極３０ｔこ高周
波を印加すれば、対向電極２０と電極３０との間でグロ
ー放電が生じ処理ガスはプラズマ化される。このガスプ
ラズマｔこより試料５０）こは、エツチング、成膜等の
処理が施こされる。
このようなプラズマ処理装置では、試料の処理精度ｔこ
大ぎな影響を反ぼす試料の被処理面Ｖこ対する処理ガス
の流れ分布が不適正であっても、ガス放出孔が固定され
ているため、その適正さを改善することができないとい
った欠点があった。
大ぎな影響を反ぼす試料の被処理面Ｖこ対する処理ガス
の流れ分布が不適正であっても、ガス放出孔が固定され
ているため、その適正さを改善することができないとい
った欠点があった。
本発明の目的は、処理ガスが放出されるガス放出孔の位
置を対向電極の半径方向で任意位置に選択可能とするこ
とで、試料の被処理面に対する処理ガスの流れ分布な進
正化ができるプラズマ処理装置を提供することにある。
置を対向電極の半径方向で任意位置に選択可能とするこ
とで、試料の被処理面に対する処理ガスの流れ分布な進
正化ができるプラズマ処理装置を提供することにある。
しＪそ明の概・葭Ｊ
本発明は、試料載置用のＱ！極の試料載ｄ位置１こ対応
した位置に複数個のガス放出孔を穿設したガス放出板と
、試料載置用の電極の試料載置位置Ｖこ向って処理ガス
を放出するガス放出孔の位置をガス放出板の半径方向で
任意位置１こ選択可能なスリットを形成したシャツタ板
とを試料載置用の電極と対向して処理室に内設される対
向電極ｔこ具備したことを特徴とするもので、処理ガス
が放出されるガス放出孔の位置を対向電極の半径方向で
任意位置に選択ｃｉ）能とし試料の被処理面に対する処
理ガスの流れ分布を適正化しようとしたものである。
した位置に複数個のガス放出孔を穿設したガス放出板と
、試料載置用の電極の試料載置位置Ｖこ向って処理ガス
を放出するガス放出孔の位置をガス放出板の半径方向で
任意位置１こ選択可能なスリットを形成したシャツタ板
とを試料載置用の電極と対向して処理室に内設される対
向電極ｔこ具備したことを特徴とするもので、処理ガス
が放出されるガス放出孔の位置を対向電極の半径方向で
任意位置に選択ｃｉ）能とし試料の被処理面に対する処
理ガスの流れ分布を適正化しようとしたものである。
本発明の一実施例を第２図、第３図により説明する。
第２図、第３図で、処理室１０に試料載置用の電極（図
示省略）と、この場合、上下方向ｔこ対向して内設され
た対向電極６０は、中央部に中空軸６１を有する固定板
６２と、ガス流路６３が形成された軸６４と、形状が凹
形のシャツタ板６５と、シャツタ板６５内Ｅこ挿設可能
な形状１寸法のガス放出板６６とで構成されている。固
定板６２は、中空軸６１を、その上端部が処理室１０外
に突出した状態で処理室１００頂壁ｒこ気密に設けるこ
とで、処理室１０内１こ設けられる。固定板６２には、
シャツタ板６５がガス室６７を形成して気密に構設され
、ガス室６７内で、かつ、シャツタ板６５と接して回動
可能にガス放出板６６が挿設される。
示省略）と、この場合、上下方向ｔこ対向して内設され
た対向電極６０は、中央部に中空軸６１を有する固定板
６２と、ガス流路６３が形成された軸６４と、形状が凹
形のシャツタ板６５と、シャツタ板６５内Ｅこ挿設可能
な形状１寸法のガス放出板６６とで構成されている。固
定板６２は、中空軸６１を、その上端部が処理室１０外
に突出した状態で処理室１００頂壁ｒこ気密に設けるこ
とで、処理室１０内１こ設けられる。固定板６２には、
シャツタ板６５がガス室６７を形成して気密に構設され
、ガス室６７内で、かつ、シャツタ板６５と接して回動
可能にガス放出板６６が挿設される。
中空軸６１には、上端部を突出し気密を保持して回動可
能１こ軸６４が挿入され、軸６４の下端はガス放出板６
６ｔこ設けられている。軸６４は、処理室１０外に設け
られた駆動装置（図示省略）でロッド６８を介して回動
させられる。軸６４の上端部１こは、処理カス供給装！
（図示省略）ｔこ一端が連結されたガス供給管４０の他
端がガス流路６３と連通して連結されている。ガス放出
板６６１こは、試料載置用の電極の試料載置位置ｔこ対
応した位置ｔこ複数個、この場合は、各々３個のガス放
出孔６９ａ〜６９ｃが穿設され、シャツタ板６５１こは
、スリット７０が形成されている。ガス放出孔６９ａ〜
６９ｃ並びＶこスリット７０の位置関係は、試料載置用
の電極の試料載置位置ｔこ向って処理ガスを放出するガ
ス放出孔の位置をスリット７０でもってガス放出板６６
の半径方向で任意位置？こ選択可能な関係１こなってい
る。
能１こ軸６４が挿入され、軸６４の下端はガス放出板６
６ｔこ設けられている。軸６４は、処理室１０外に設け
られた駆動装置（図示省略）でロッド６８を介して回動
させられる。軸６４の上端部１こは、処理カス供給装！
（図示省略）ｔこ一端が連結されたガス供給管４０の他
端がガス流路６３と連通して連結されている。ガス放出
板６６１こは、試料載置用の電極の試料載置位置ｔこ対
応した位置ｔこ複数個、この場合は、各々３個のガス放
出孔６９ａ〜６９ｃが穿設され、シャツタ板６５１こは
、スリット７０が形成されている。ガス放出孔６９ａ〜
６９ｃ並びＶこスリット７０の位置関係は、試料載置用
の電極の試料載置位置ｔこ向って処理ガスを放出するガ
ス放出孔の位置をスリット７０でもってガス放出板６６
の半径方向で任意位置？こ選択可能な関係１こなってい
る。
試料載置用のｔ極の試料載置位置ｔこは、試料（図示省
略）が載置され処理室１０内は真空排気装置（図示省略
）により所定圧力に減圧排気される。その後、処理ガス
供給装置からガス供給管４０を経て処理ガスがガス流路
６３に所定流量で供給される。供給された処理ガスはガ
ス流路６３を流通した後Ｖこガス室６７ｒこ入りガス放
出板６６で分散される。今、第３図のようｔこ、ガス放
出孔６９ｂとスリット７０とが一致しているとすれば、
分散された処理ガスはガス放出孔６９ｂから試料載置用
の電極の試料載置位置、つまり、試料に向って放出され
る。この放出された処理ガスの試料の被処理面１こ対す
る流れ分布が適正である場合には、このままで良いが、
しかし、この流れ分布が、例えば、試料の被処理面Ｖこ
対して対向電極６０の中心方向１こ偏よっている場合は
、軸６４を介してガス放出板６６を反時計回り方向？こ
回転させガス放出孔６９ｃとスリット７０とを一致させ
る。これにより対向電極６０の中心方向１こ偏よってい
た処理ガスの試料の被処理面に対する流れ分布は適正化
される。又、この流れ分布が試料の被処理面ｔこ対して
対向磁極６０の外周方向に偏よっている場合は、軸６４
を介してカス放出板６６を時計回り方向に回転させガス
放出孔６９ａとスリット７０とを一致させるようｒこす
れば良い。尚、これ以降の処理操作は、従来と同様であ
り説明を省略する。
略）が載置され処理室１０内は真空排気装置（図示省略
）により所定圧力に減圧排気される。その後、処理ガス
供給装置からガス供給管４０を経て処理ガスがガス流路
６３に所定流量で供給される。供給された処理ガスはガ
ス流路６３を流通した後Ｖこガス室６７ｒこ入りガス放
出板６６で分散される。今、第３図のようｔこ、ガス放
出孔６９ｂとスリット７０とが一致しているとすれば、
分散された処理ガスはガス放出孔６９ｂから試料載置用
の電極の試料載置位置、つまり、試料に向って放出され
る。この放出された処理ガスの試料の被処理面１こ対す
る流れ分布が適正である場合には、このままで良いが、
しかし、この流れ分布が、例えば、試料の被処理面Ｖこ
対して対向電極６０の中心方向１こ偏よっている場合は
、軸６４を介してガス放出板６６を反時計回り方向？こ
回転させガス放出孔６９ｃとスリット７０とを一致させ
る。これにより対向電極６０の中心方向１こ偏よってい
た処理ガスの試料の被処理面に対する流れ分布は適正化
される。又、この流れ分布が試料の被処理面ｔこ対して
対向磁極６０の外周方向に偏よっている場合は、軸６４
を介してカス放出板６６を時計回り方向に回転させガス
放出孔６９ａとスリット７０とを一致させるようｒこす
れば良い。尚、これ以降の処理操作は、従来と同様であ
り説明を省略する。
本実施例のようなプラズマ処理装置では、処理ガスが放
出されるカス放出孔の位置を対向電極の半径方向で任意
位置ｔこ選択可能であるので、試料の被処理面１こ対す
る処理ガスの流れ分布を適正化できる。従って、試料の
処理精度を安定して向上させることができる。
出されるカス放出孔の位置を対向電極の半径方向で任意
位置ｔこ選択可能であるので、試料の被処理面１こ対す
る処理ガスの流れ分布を適正化できる。従って、試料の
処理精度を安定して向上させることができる。
尚、本実施例の他１こ、ガス放出板を固定しシャツタ板
を回動させるようｔこしても、同様の効果が得られる。
を回動させるようｔこしても、同様の効果が得られる。
本発明は、以上説明し′たように、試料載置用の電極の
試料載置位置に対応した位置ｔこ複数個のガス、放出孔
を穿設したガス放出板と、試料載置用の電極の試料載置
位置に向って処理ガスを放出するガス放出孔の位置をガ
ス放出板の半径方向で任意位置１こ選択可能なスリット
を形成したシャツタ板とを、試料載置用の電極と対向し
て処理室Ｖこ内設される対向電極ｔこ具備したことで、
処理ガスが放出されるガス放出孔の位置を対向１！Ｌ極
の半径り向で任意位置に選択できるので、試料の被処理
面１こ対する処理ガスの流れ分布を適正化できるという
効果がある。
試料載置位置に対応した位置ｔこ複数個のガス、放出孔
を穿設したガス放出板と、試料載置用の電極の試料載置
位置に向って処理ガスを放出するガス放出孔の位置をガ
ス放出板の半径方向で任意位置１こ選択可能なスリット
を形成したシャツタ板とを、試料載置用の電極と対向し
て処理室Ｖこ内設される対向電極ｔこ具備したことで、
処理ガスが放出されるガス放出孔の位置を対向１！Ｌ極
の半径り向で任意位置に選択できるので、試料の被処理
面１こ対する処理ガスの流れ分布を適正化できるという
効果がある。
第１図は、従来のプラズマ処理装置の処理室部の構成図
、第２図は、本発明？こよるプラズマ処理装置の一実施
例を示す対向電極部の縦断面図、第３図は、第２図のＡ
−Ａ視部分乎面図である。 １０・・・・・・処理室、６０・・・・・・対向電極、
６５・・・・・・シャツタ板、６６・・・・・・ガス放
出板、６９ａないし６９ｂ・・・・・・ガス放出孔、７
０・・・・・・スリット１１図 才２図 「
、第２図は、本発明？こよるプラズマ処理装置の一実施
例を示す対向電極部の縦断面図、第３図は、第２図のＡ
−Ａ視部分乎面図である。 １０・・・・・・処理室、６０・・・・・・対向電極、
６５・・・・・・シャツタ板、６６・・・・・・ガス放
出板、６９ａないし６９ｂ・・・・・・ガス放出孔、７
０・・・・・・スリット１１図 才２図 「
Claims (1)
- １、処理室に対向電極と試料載置用の電極とが対向して
内設され、減圧下でガスプラズマを利用して試料を処理
する装置において、前記電極の試料載置位置に対応した
位置に複数個のガス放出孔を穿設したガス放出板と、電
極の試料載置位１ｉｉこ向って処理ガスを放出するガス
放出孔の位置をガス放出板の半径方向で任意位置に選択
可能なスリットを形成したシャツタ板とを前記対向電極
に具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4204984A JPS60187023A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4204984A JPS60187023A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187023A true JPS60187023A (ja) | 1985-09-24 |
Family
ID=12625260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4204984A Pending JPS60187023A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60187023A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122220A (ja) * | 1986-11-03 | 1988-05-26 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | 反応性イオン・エッチング装置用電極及びこの電極を用いた反応性イオン・エッチング装置 |
| JPH02125424A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-05-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP4204984A patent/JPS60187023A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122220A (ja) * | 1986-11-03 | 1988-05-26 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | 反応性イオン・エッチング装置用電極及びこの電極を用いた反応性イオン・エッチング装置 |
| JPH02125424A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-05-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
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