JPH0621007A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0621007A JPH0621007A JP17411792A JP17411792A JPH0621007A JP H0621007 A JPH0621007 A JP H0621007A JP 17411792 A JP17411792 A JP 17411792A JP 17411792 A JP17411792 A JP 17411792A JP H0621007 A JPH0621007 A JP H0621007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- revolution
- rotation
- wafer
- upper electrode
- shower head
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】上下両電極間隔が狭く、かつ上部電極がシャワ
−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチング装置にお
いて、エッチング処理に関わる時間中、上部電極１ある
いは下部電極４を回転させることを特徴とする枚葉式ド
ライエッチング装置。 【効果】上下両電極間隔が狭く、かつ上部電極がシャワ
−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチング装置にお
いて、高エッチングレ−トを保ったままで、ウェハ面に
ガス噴出口のパタ−ンが転写されることがなくウェハ面
内における良好なエッチング均一性を得ることができ
る。
−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチング装置にお
いて、エッチング処理に関わる時間中、上部電極１ある
いは下部電極４を回転させることを特徴とする枚葉式ド
ライエッチング装置。 【効果】上下両電極間隔が狭く、かつ上部電極がシャワ
−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチング装置にお
いて、高エッチングレ−トを保ったままで、ウェハ面に
ガス噴出口のパタ−ンが転写されることがなくウェハ面
内における良好なエッチング均一性を得ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の上下両電極間隔が狭く、かつ上部
電極がシャワ−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチ
ング装置は、エッチング処理に関わる時間中、上部電
極、下部電極共に固定されていた。
電極がシャワ−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチ
ング装置は、エッチング処理に関わる時間中、上部電
極、下部電極共に固定されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、上部電極がシャワ−ヘッド構造を有しており、
エッチング処理を行った結果として上部電極のガス噴出
口パタ−ンがエッチング処理を行ったウェハ面に転写さ
れてしまい、ウェハ面内における良好なエッチング均一
性が得られないという問題点を有していた。
術では、上部電極がシャワ−ヘッド構造を有しており、
エッチング処理を行った結果として上部電極のガス噴出
口パタ−ンがエッチング処理を行ったウェハ面に転写さ
れてしまい、ウェハ面内における良好なエッチング均一
性が得られないという問題点を有していた。
【０００４】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところは上下両電極間隔が狭
く、かつ上部電極がシャワ−ヘッド構造を有する枚葉式
ドライエッチング装置において、高エッチングレ−トを
保ったままで、ウェハ面にガス噴出口のパタ−ンが転写
されることがなくウェハ面内における良好なエッチング
均一性を得る事ができるドライエッチング装置を提供す
るところにある。
るもので、その目的とするところは上下両電極間隔が狭
く、かつ上部電極がシャワ−ヘッド構造を有する枚葉式
ドライエッチング装置において、高エッチングレ−トを
保ったままで、ウェハ面にガス噴出口のパタ−ンが転写
されることがなくウェハ面内における良好なエッチング
均一性を得る事ができるドライエッチング装置を提供す
るところにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、エッチング処理に関わる時間中、 １．上部電極を回転させることを特徴とする。
グ装置は、エッチング処理に関わる時間中、 １．上部電極を回転させることを特徴とする。
【０００６】２．下部電極を回転させることを特徴とす
る。
る。
【０００７】３．上下両電極を回転させることを特徴と
する。
する。
【０００８】
【実施例】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例にお
ける枚葉式ドライエッチング装置の概要図である。
ける枚葉式ドライエッチング装置の概要図である。
【０００９】１は上部電極、２はシャワ−ヘッド、３は
ウェハ、４は下部電極、５は高周波発振装置、６はエッ
チングガス導入管、７はエッチングチャンバ、８は上部
電極の回転動作を示す、９は下部電極の回転動作を示
す、１０は上部電極の回転動作を示す、１１は下部電極
の回転動作を示す、である。
ウェハ、４は下部電極、５は高周波発振装置、６はエッ
チングガス導入管、７はエッチングチャンバ、８は上部
電極の回転動作を示す、９は下部電極の回転動作を示
す、１０は上部電極の回転動作を示す、１１は下部電極
の回転動作を示す、である。
【００１０】本発明の実施例図１（ａ）における上部電
極１は連続自転回転機構、時間ステップ自転回転機構、
連続公転回転機構、時間ステップ公転回転機構、または
以上述べた機構の組み合わせによる自公転回転機構によ
り回転動作８を有している。また上部電極１およびシャ
ワ−ヘッド２は組み付けにより一体化構造となってお
り、エッチング処理に関わる時間中、上部電極１の自転
回転、公転回転、自公転回転８により、シャワ−ヘッド
２も自転回転、公転回転、自公転回転を行う。
極１は連続自転回転機構、時間ステップ自転回転機構、
連続公転回転機構、時間ステップ公転回転機構、または
以上述べた機構の組み合わせによる自公転回転機構によ
り回転動作８を有している。また上部電極１およびシャ
ワ−ヘッド２は組み付けにより一体化構造となってお
り、エッチング処理に関わる時間中、上部電極１の自転
回転、公転回転、自公転回転８により、シャワ−ヘッド
２も自転回転、公転回転、自公転回転を行う。
【００１１】本発明の実施例図１（ｂ）における下部電
極４は連続自転回転機構、時間ステップ自転回転機構、
連続公転回転機構、時間ステップ公転回転機構、または
以上述べた機構の組み合わせによる自公転回転機構によ
り回転動作９を有している。またウェハ３は下部電極４
に載せられており、エッチング処理に関わる時間中、下
部電極４の自転回転、公転回転、自公転回転９により、
ウェハ３も自転回転、公転回転、自公転回転を行う。
極４は連続自転回転機構、時間ステップ自転回転機構、
連続公転回転機構、時間ステップ公転回転機構、または
以上述べた機構の組み合わせによる自公転回転機構によ
り回転動作９を有している。またウェハ３は下部電極４
に載せられており、エッチング処理に関わる時間中、下
部電極４の自転回転、公転回転、自公転回転９により、
ウェハ３も自転回転、公転回転、自公転回転を行う。
【００１２】本発明の実施例図１（ｃ）における上部電
極１は連続自転回転機構、時間ステップ自転回転機構、
連続公転回転機構、時間ステップ公転回転機構、または
以上述べた機構の組み合わせによる自公転回転機構によ
り回転動作１０を有している。また上部電極１およびシ
ャワ−ヘッド２は組み付けにより一体化構造となってお
り、エッチング処理に関わる時間中、上部電極１の自転
回転、公転回転、自公転回転８により、シャワ−ヘッド
２も自転回転、公転回転、自公転回転を行う。また下部
電極４は連続自転回転機構、時間ステップ自転回転機
構、連続公転回転機構、時間ステップ公転回転機構、ま
たは以上述べた機構の組み合わせによる自公転回転機構
により回転動作１１を有している。またウェハ３は下部
電極４に載せられており、エッチング処理に関わる時間
中、下部電極４の自転回転、公転回転、自公転回転１１
により、ウェハ３も自転回転、公転回転、自公転回転を
行う。
極１は連続自転回転機構、時間ステップ自転回転機構、
連続公転回転機構、時間ステップ公転回転機構、または
以上述べた機構の組み合わせによる自公転回転機構によ
り回転動作１０を有している。また上部電極１およびシ
ャワ−ヘッド２は組み付けにより一体化構造となってお
り、エッチング処理に関わる時間中、上部電極１の自転
回転、公転回転、自公転回転８により、シャワ−ヘッド
２も自転回転、公転回転、自公転回転を行う。また下部
電極４は連続自転回転機構、時間ステップ自転回転機
構、連続公転回転機構、時間ステップ公転回転機構、ま
たは以上述べた機構の組み合わせによる自公転回転機構
により回転動作１１を有している。またウェハ３は下部
電極４に載せられており、エッチング処理に関わる時間
中、下部電極４の自転回転、公転回転、自公転回転１１
により、ウェハ３も自転回転、公転回転、自公転回転を
行う。
【００１３】図１（ａ）〜（ｃ）に於けるシャワ−ヘッ
ド２とウェハ３の上面との距離は３ミリメ−トルから１
０ミリメ−トルと狭く高エッチングレ−トを保ったまま
で、シャワ−ヘッド２は自転回転、公転回転、自公転回
転を行い、また、ウェハ３も自転回転、公転回転、自公
転回転を行うため、シャワ−ヘッド２のガス噴出口パタ
−ンがエッチング処理を行ったウェハ３に転写されるこ
とがなく、ウェハ３の面内における良好なエッチング均
一性を得る事ができる。
ド２とウェハ３の上面との距離は３ミリメ−トルから１
０ミリメ−トルと狭く高エッチングレ−トを保ったまま
で、シャワ−ヘッド２は自転回転、公転回転、自公転回
転を行い、また、ウェハ３も自転回転、公転回転、自公
転回転を行うため、シャワ−ヘッド２のガス噴出口パタ
−ンがエッチング処理を行ったウェハ３に転写されるこ
とがなく、ウェハ３の面内における良好なエッチング均
一性を得る事ができる。
【００１４】図２は従来技術における枚葉式ドライエッ
チング装置の概要図である。１２は上部電極、１３はシ
ャワ−ヘッド、１４はウェハ、１５は下部電極、１６は
高周波発振装置、１７はエッチングガス導入管、１８は
エッチングチャンバである。従来技術の枚葉式ドライエ
ッチング装置では、上部電極１２、下部電極１５共に固
定されて回転運動をせず、シャワ−ヘッド１３とウェハ
１４の上面との距離は３ミリメ−トルから１０ミリメ−
トルと狭いため高エッチングレ−トは得られるが、シャ
ワ−ヘッド１３のガス噴出口パタ−ンがエッチング処理
を行ったウェハ１４に転写されてしまい、ウェハ１４の
面内における良好なエッチング均一性が得られない。
チング装置の概要図である。１２は上部電極、１３はシ
ャワ−ヘッド、１４はウェハ、１５は下部電極、１６は
高周波発振装置、１７はエッチングガス導入管、１８は
エッチングチャンバである。従来技術の枚葉式ドライエ
ッチング装置では、上部電極１２、下部電極１５共に固
定されて回転運動をせず、シャワ−ヘッド１３とウェハ
１４の上面との距離は３ミリメ−トルから１０ミリメ−
トルと狭いため高エッチングレ−トは得られるが、シャ
ワ−ヘッド１３のガス噴出口パタ−ンがエッチング処理
を行ったウェハ１４に転写されてしまい、ウェハ１４の
面内における良好なエッチング均一性が得られない。
【００１５】図３は従来技術における枚葉式ドライエッ
チング装置によりエッチングされたウェハのエッチング
処理面の状態を示した図である。１９はウェハ、２０は
転写されたガス噴出口パタ−ンである。
チング装置によりエッチングされたウェハのエッチング
処理面の状態を示した図である。１９はウェハ、２０は
転写されたガス噴出口パタ−ンである。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、上下
両電極間隔が狭く高エッチングレ−トを保ったままで、
ウェハ面にガス噴出口のパタ−ンが転写されることがな
くウェハ面内における良好なエッチング均一性を得る事
ができる。
両電極間隔が狭く高エッチングレ−トを保ったままで、
ウェハ面にガス噴出口のパタ−ンが転写されることがな
くウェハ面内における良好なエッチング均一性を得る事
ができる。
【図１】（ａ）は、本発明の実施例における上部電極を
回転させる枚葉式ドライエッチング装置の概要図。
（ｂ）は、本発明の実施例における下部電極を回転させ
る枚葉式ドライエッチング装置の概要図。（ｃ）は、本
発明の実施例における上下両電極を回転させる枚葉式ド
ライエッチング装置の概要図。
回転させる枚葉式ドライエッチング装置の概要図。
（ｂ）は、本発明の実施例における下部電極を回転させ
る枚葉式ドライエッチング装置の概要図。（ｃ）は、本
発明の実施例における上下両電極を回転させる枚葉式ド
ライエッチング装置の概要図。
【図２】従来技術における枚葉式ドライエッチング装置
の概要図。
の概要図。
【図３】従来技術における枚葉式ドライエッチング装置
によりエッチングされたウェハのエッチング処理面の状
態を示した図。
によりエッチングされたウェハのエッチング処理面の状
態を示した図。
１ 上部電極 ２ シャワ−ヘッド ３ ウェハ ４ 下部電極 ５ 高周波発振装置 ６ エッチングガス導入管 ７ エッチングチャンバ ８ 上部電極の回転動作 ９ 下部電極の回転動作 １０ 上部電極の回転動作 １１ 下部電極の回転動作 １２ 上部電極 １３ シャワ−ヘッド １４ ウェハ １５ 下部電極 １６ 高周波発振装置 １７ エッチングガス導入管 １８ エッチングチャンバ １９ ウェハ ２０ 転写されたガス噴出口パタ−ン
Claims (3)
- 【請求項１】 上下両電極間隔が狭く、かつ上部電極が
シャワ−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチング装
置において、エッチング処理に関わる時間中、上部電極
を回転させることを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】 上下両電極間隔が狭く、かつ上部電極が
シャワ−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチング装
置において、エッチング処理に関わる時間中、下部電極
を回転させることを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項３】 上下両電極間隔が狭く、かつ上部電極が
シャワ−ヘッド構造を有する枚葉式ドライエッチング装
置において、エッチング処理に関わる時間中、上下両電
極を回転させることを特徴とするドライエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411792A JPH0621007A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411792A JPH0621007A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621007A true JPH0621007A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15972942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17411792A Pending JPH0621007A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621007A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001083852A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for distributing gas within high density plasma process chamber to ensure uniform plasma |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP17411792A patent/JPH0621007A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001083852A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for distributing gas within high density plasma process chamber to ensure uniform plasma |
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