JPS59117267A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPS59117267A JPS59117267A JP23042082A JP23042082A JPS59117267A JP S59117267 A JPS59117267 A JP S59117267A JP 23042082 A JP23042082 A JP 23042082A JP 23042082 A JP23042082 A JP 23042082A JP S59117267 A JPS59117267 A JP S59117267A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は薄膜トランジスタ（Ｊ−Ｌ下、ＴＰＴと略ス）
ニ関するものでろって、ソースおよびドレイン電極間で
形成されるチャネル領域に外Ｓ元が入射される直とによ
って誘起される光リーク電流の低減を計ろうとするもの
でるる。
ニ関するものでろって、ソースおよびドレイン電極間で
形成されるチャネル領域に外Ｓ元が入射される直とによ
って誘起される光リーク電流の低減を計ろうとするもの
でるる。
１ず、従来のＴＰＴについて第１図で説明する。
ＴＰＴは、絶縁性基板１の土にゲート電極２を形成しこ
れを絶縁膜３で被覆し、その上に半導体層４、ソース電
極５およびドレイン電極６を順次形成した構造をしてい
る。そして、最後に保禮膜７を形成する。ゲート電極２
の材料としてｆｉＡ／、、Ｍｏ。
れを絶縁膜３で被覆し、その上に半導体層４、ソース電
極５およびドレイン電極６を順次形成した構造をしてい
る。そして、最後に保禮膜７を形成する。ゲート電極２
の材料としてｆｉＡ／、、Ｍｏ。
多結晶８１等が用いられ、マスク蒸着、フォトエツチン
グ等の技術を用いて形成する。絶縁膜３の材料としては
５ｉ０２ 、 Ｓｉ３Ｎ４ 等が用いられ、真空蒸着
、スパッタリング、ＣＶＤ％の方法で形成される。半導
体層４としては、一般に、非晶質あるいは多結晶８１
等が用いられ、ＯＶＤ等の方法で形成てれる。ソース電
極５．ドレイン電極６としては、半導体層４とオーム性
接触をする材料が用いられるが、一般には、ｋｌ、Ａｔ
−８ｉ 合金等の金属が用いられる。従来のＴＰＴの構
造は第１図に示したものに限られるものではなく、第２
図に示すように、絶縁性基板１の上に、ソー電極５．ド
レイン電極６．および両電極間に半導体層４を形成し、
さらにその上に絶縁膜３．ゲート電極２全形成し、最後
に保護膜７を形成したもの、あるいは・第３図に示すよ
りに、半導体層４とソース電極５：１−、−よびドロイ
ン１区極６との位ｔｉ上下逆転して形成したものｔ′あ
る。
グ等の技術を用いて形成する。絶縁膜３の材料としては
５ｉ０２ 、 Ｓｉ３Ｎ４ 等が用いられ、真空蒸着
、スパッタリング、ＣＶＤ％の方法で形成される。半導
体層４としては、一般に、非晶質あるいは多結晶８１
等が用いられ、ＯＶＤ等の方法で形成てれる。ソース電
極５．ドレイン電極６としては、半導体層４とオーム性
接触をする材料が用いられるが、一般には、ｋｌ、Ａｔ
−８ｉ 合金等の金属が用いられる。従来のＴＰＴの構
造は第１図に示したものに限られるものではなく、第２
図に示すように、絶縁性基板１の上に、ソー電極５．ド
レイン電極６．および両電極間に半導体層４を形成し、
さらにその上に絶縁膜３．ゲート電極２全形成し、最後
に保護膜７を形成したもの、あるいは・第３図に示すよ
りに、半導体層４とソース電極５：１−、−よびドロイ
ン１区極６との位ｔｉ上下逆転して形成したものｔ′あ
る。
従来、薄膜トランジスタを形成する基数としては、大面
積化、低コスト化における優位性により、ガラス。溶融
石英、あるいはサファイヤ（Ａｔ２０３ ）等の透明な
基板が用いられていた。従って外部光が直接ＴＰＴ表面
あるいは裏面から入射することになり、半導体層４にお
いて光起電力効果が生じやすく、ＴＰＴによる各種信号
伝達の際に、波形の変化９電圧の変化を１ねき、正常な
素子特性を維持できなくなることがしばしば正していた
。従って、外部光がＴＦＴの半導体層４．特にソース電
極５とドレイン電極６とによって形成されるチャネル領
域に照射されでも光起電力効果が生じないような素子構
造としなければならなかった。
積化、低コスト化における優位性により、ガラス。溶融
石英、あるいはサファイヤ（Ａｔ２０３ ）等の透明な
基板が用いられていた。従って外部光が直接ＴＰＴ表面
あるいは裏面から入射することになり、半導体層４にお
いて光起電力効果が生じやすく、ＴＰＴによる各種信号
伝達の際に、波形の変化９電圧の変化を１ねき、正常な
素子特性を維持できなくなることがしばしば正していた
。従って、外部光がＴＦＴの半導体層４．特にソース電
極５とドレイン電極６とによって形成されるチャネル領
域に照射されでも光起電力効果が生じないような素子構
造としなければならなかった。
本発明は、かかる従来のＴＦ、Ｔ構造の欠点を除去する
ためＶｒ−なされたものでめシ、以下具体的な実施例を
用いて説明する。
ためＶｒ−なされたものでめシ、以下具体的な実施例を
用いて説明する。
第４図から第６図は、それぞれ不発明の第１から第３１
での実施例で６す、第１図に示すＴＰＴの構造を本発明
によシそれぞれ改良したものでめる。
での実施例で６す、第１図に示すＴＰＴの構造を本発明
によシそれぞれ改良したものでめる。
本発明において特に重装な部分は、ＴＰＴと絶縁膜９を
介して形成された光遮断膜８であシ、これがＴＰＴへの
光の進入の阻止を図っており、第４図（第１実施例）Ｖ
こ示す構造でめれば透明絶縁性基板の裏面からの光を、
第５図（第２実施例）に示す構造であればＴＰＴ表面か
らの元を、第６図（第６実施例）に示す構造であれば両
方向からの光全遮胡することができる。
介して形成された光遮断膜８であシ、これがＴＰＴへの
光の進入の阻止を図っており、第４図（第１実施例）Ｖ
こ示す構造でめれば透明絶縁性基板の裏面からの光を、
第５図（第２実施例）に示す構造であればＴＰＴ表面か
らの元を、第６図（第６実施例）に示す構造であれば両
方向からの光全遮胡することができる。
本実施例（でおいては、光遮断膜８の材料としてＡｚ−
ｓｉ 合金を使用した。形成１伝としてはスパッタリ
ングを用い、約１０００大の厚さに形成した。Ｌへ絶縁
膜９は、光遮断ｊ摸８とＴＰＴとの電気的接触を避ける
為に形成するものであるが本実施例では５ｉｎｚ を
用いた。形成方法としてグロー放電によるプラズマＯＶ
Ｄ法により、基板温度２５０℃の低温で形成した。
ｓｉ 合金を使用した。形成１伝としてはスパッタリ
ングを用い、約１０００大の厚さに形成した。Ｌへ絶縁
膜９は、光遮断ｊ摸８とＴＰＴとの電気的接触を避ける
為に形成するものであるが本実施例では５ｉｎｚ を
用いた。形成方法としてグロー放電によるプラズマＯＶ
Ｄ法により、基板温度２５０℃の低温で形成した。
この元遮す■７嗅８を形成することによシ、元の進入ケ
阻止することが可能となシ、特にＴＰＴの上下に光遮断
膜８がある第６図に示す構造のものにおいては光遮断膜
の無い同一の構造である第１図に示すものに比べ、ＡＭ
−１，１００（ｍｗ／ｃｎｌ ）の入力元に対し約１桁
以上の光リーク電流の低減が可能となった。
阻止することが可能となシ、特にＴＰＴの上下に光遮断
膜８がある第６図に示す構造のものにおいては光遮断膜
の無い同一の構造である第１図に示すものに比べ、ＡＭ
−１，１００（ｍｗ／ｃｎｌ ）の入力元に対し約１桁
以上の光リーク電流の低減が可能となった。
本実施例では、光遮断膜８としてＡ４−８ｉ 合金を用
いた場合について述べたが、双子Ｘ程度の厚さで光分遮
光できかつ他の材料との反応性が小さいものであれば他
の金属材料であっても構わない。
いた場合について述べたが、双子Ｘ程度の厚さで光分遮
光できかつ他の材料との反応性が小さいものであれば他
の金属材料であっても構わない。
あるいは、光学的吸収係数の大きい材料、例えば非晶質
８１ 等の材料であっても良い。１ンで、絶縁膜９には
５ｉ０２を用いたが、光分比抵抗が高く、ピンホールが
無く、かつＴＰＴに対して影ｖを−ｑえない程度の温度
で形成できれば、他の絶縁材料、例えばＳ ｉ３ Ｎ４
等の材料であっても構わない。
８１ 等の材料であっても良い。１ンで、絶縁膜９には
５ｉ０２を用いたが、光分比抵抗が高く、ピンホールが
無く、かつＴＰＴに対して影ｖを−ｑえない程度の温度
で形成できれば、他の絶縁材料、例えばＳ ｉ３ Ｎ４
等の材料であっても構わない。
ぼた、本実施例は、第１図に示すＴＰＴの構造のものに
ついてのみ述べたが、他の構造によるＴＦＴにもすべ゛
Ｃ使用することができる。
ついてのみ述べたが、他の構造によるＴＦＴにもすべ゛
Ｃ使用することができる。
以上の説明から分かるよりに、ＴＦＴＶｃｉ−ける光り
−ク特性を向上させる上で、本発明の利用価値は極めて
大きいものでるる。
−ク特性を向上させる上で、本発明の利用価値は極めて
大きいものでるる。
４、 図面の簡Ｊ４に、な説明
第１はｊから鄭３図にそれぞれ従来のＴＰＴの構造を示
すｊＩＪｒ面図、第４図はＴＰＴのチャネル領域Ｆ Ｆ
ＪｉＳに元遮萌膜塗形成したＴＰＴの構造金示す本発明
の第１の実施例の断面図、第５図はＴＰＴのチャネル頭
載上部に光遮断膜を形成したＴＰＴの構造？示す不発明
の２ｇ２の実施例の断面図、第６図はＴ Ｐ Ｔのチャ
ネル領域の上下に光遮断膜を形成したＴ１ｉ″Ｔの構造
を示す本発明の第３の実施例の断面図であ・ｂｏ １・・・・・・絶縁性基鈑 ２・・・・・・ゲート電
極６・・・・・・ゲート絶縁膜 ４・・・・・・半導体
層５・・・ ソース電極 ６・・・・・・ドレイン電
極７・・・・・・保護膜 ８・・・・・・光遮断
膜９・・・・・・絶縁膜 以上 出願人 床式会社 第二稍工舎 代理人弁理士最上 務 第１［２１ 第２図 第３図 １ ４ 第４［２Ｉ 第５図 第６図
すｊＩＪｒ面図、第４図はＴＰＴのチャネル領域Ｆ Ｆ
ＪｉＳに元遮萌膜塗形成したＴＰＴの構造金示す本発明
の第１の実施例の断面図、第５図はＴＰＴのチャネル頭
載上部に光遮断膜を形成したＴＰＴの構造？示す不発明
の２ｇ２の実施例の断面図、第６図はＴ Ｐ Ｔのチャ
ネル領域の上下に光遮断膜を形成したＴ１ｉ″Ｔの構造
を示す本発明の第３の実施例の断面図であ・ｂｏ １・・・・・・絶縁性基鈑 ２・・・・・・ゲート電
極６・・・・・・ゲート絶縁膜 ４・・・・・・半導体
層５・・・ ソース電極 ６・・・・・・ドレイン電
極７・・・・・・保護膜 ８・・・・・・光遮断
膜９・・・・・・絶縁膜 以上 出願人 床式会社 第二稍工舎 代理人弁理士最上 務 第１［２１ 第２図 第３図 １ ４ 第４［２Ｉ 第５図 第６図
Claims (5)
- （１） ゲート電極と、ソースおよびドレイン電極と
、前記ゲート電極に接して形成場れる絶縁膜と該絶′＃
Ｃ繰上に接して形成されかつその両端がそれぞれ前記ソ
ースおよびドレイン電極と接する半導体層とを有する絶
縁性基板上に形成され；を薄膜トランジスタに卦いて、
少なくともソース卦よびドレイン電極間で形成されるチ
ャネル領域より大なる面積の光遮断膜を有し、前記チャ
ネル領域の元金遮断することを特徴とする薄膜トランジ
スタ。 - （２） 前記元遮断膜全チャネル領域上部に設けたこ
と全特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜トラン
ジスタ。 - （３） 前記光遮断膜を、薄膜トランジスタと絶縁性
基板間のチャネル領域下部に設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。 - （４）前記光遮断膜を、チャネル領域上部と、薄膜トラ
ンジスタと絶縁性基板間のチャネル領域下１ｆＢｌ／！
：設けたこと全特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜トランジスタ。 - （５）前記光遮断膜が、ＡＡ、Ｏｒ、Ｏｕ、Ｍｏ、Ｔａ
、Ｗ。 Ｎ１゜Ｇｅ、Ｓｉ のうち少なくとも１種以上の金属材
料によ多構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項から第４項のいずれか記載の薄膜トランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23042082A JPS59117267A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23042082A JPS59117267A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117267A true JPS59117267A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16907603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23042082A Pending JPS59117267A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117267A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226858A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 遮光層を有する薄膜トランジスタ−アセンブリ− |
| JPS639977A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPH01143257A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 静電遮蔽膜 |
| US6501097B1 (en) | 1994-04-29 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492022A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Picture display device |
| JPS567480A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Film transistor |
| JPS56107287A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image display unit |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP23042082A patent/JPS59117267A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPS5492022A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Picture display device |
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| US6800873B2 (en) | 1994-04-29 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US7102164B2 (en) | 1994-04-29 | 2006-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a conductive layer with a light shielding part |
| US7423291B2 (en) | 1994-04-29 | 2008-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US8319715B2 (en) | 1994-04-29 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type liquid crystal display device |
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