JPS6226858A - 遮光層を有する薄膜トランジスタ−アセンブリ− - Google Patents
遮光層を有する薄膜トランジスタ−アセンブリ−Info
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- JPS6226858A JPS6226858A JP60165238A JP16523885A JPS6226858A JP S6226858 A JPS6226858 A JP S6226858A JP 60165238 A JP60165238 A JP 60165238A JP 16523885 A JP16523885 A JP 16523885A JP S6226858 A JPS6226858 A JP S6226858A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の利用分野〕
本発明は光導電性を有する半導体層を存する薄膜トラン
ジスターに関し、特に露光によるトランジスターの特性
の変化を防止し得るようにした薄膜トランジスターに関
する。
ジスターに関し、特に露光によるトランジスターの特性
の変化を防止し得るようにした薄膜トランジスターに関
する。
液晶表示素子などに用いられている非晶質シリコン又は
多結晶シリコン等の半導体層を有する薄膜トランジスタ
ーでは、その半導体層が光導電性を示すため、外部光に
より特性が変化してしまう。
多結晶シリコン等の半導体層を有する薄膜トランジスタ
ーでは、その半導体層が光導電性を示すため、外部光に
より特性が変化してしまう。
このため表示素子としてそのような薄膜トランジスター
を用いた場合遮光膜が必要である。従来この遮光膜とし
ては、比較的容易に成膜が可能である事からモリブデン
、タングステン、クロムなどの金属蒸着膜が使用されて
いる。
を用いた場合遮光膜が必要である。従来この遮光膜とし
ては、比較的容易に成膜が可能である事からモリブデン
、タングステン、クロムなどの金属蒸着膜が使用されて
いる。
ところで、上記金属蒸着膜は反射率が太き（、例えば可
視領域での反射率が約４５％にも達するものがあり、遮
光性は不十分である。更にこの種金属膜はシｑ−トを生
しる原因ともなり、トランジスター不良を起こし易い。
視領域での反射率が約４５％にも達するものがあり、遮
光性は不十分である。更にこの種金属膜はシｑ−トを生
しる原因ともなり、トランジスター不良を起こし易い。
本発明は、かかる従来の金属膜より遮光性がよく、且つ
導電性の低い遮光膜を与えることを目的とするものであ
る。
導電性の低い遮光膜を与えることを目的とするものであ
る。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明によれ
ば、光膜として黒色窒化チタン膜が使用され、良好な遮
光性と低導電性とを保証することができる。
ば、光膜として黒色窒化チタン膜が使用され、良好な遮
光性と低導電性とを保証することができる。
薄膜トランジスターは、図面に示す如（、通常、ガラス
セル１中、その一方の壁面上に形成されている。−例と
して示された電界効果薄膜トランジスターは、例えばモ
リブデンからなるゲート電極２と、例えば四三窒化珪素
（ｓｉ、Ｎ、）のようなものからなるゲート絶縁膜３と
、例えば無定形シリコンの如き半導体膜４と、例えばア
ルミニウムの如き金属からなるソース電極５及びドレイ
ン電極６から構成されている。ガラスセルとトランジス
ターは、一つのアセンブリーを構成する。
セル１中、その一方の壁面上に形成されている。−例と
して示された電界効果薄膜トランジスターは、例えばモ
リブデンからなるゲート電極２と、例えば四三窒化珪素
（ｓｉ、Ｎ、）のようなものからなるゲート絶縁膜３と
、例えば無定形シリコンの如き半導体膜４と、例えばア
ルミニウムの如き金属からなるソース電極５及びドレイ
ン電極６から構成されている。ガラスセルとトランジス
ターは、一つのアセンブリーを構成する。
本発明で用いられる黒色窒化チタンは、膜厚２５００人
で３５０〜８００ｎｍの可視光領域で光透過率Ｏ％１反
射率約１５％の性質を有する。
で３５０〜８００ｎｍの可視光領域で光透過率Ｏ％１反
射率約１５％の性質を有する。
本発明の一態様として、第１図に示す如く、黒色窒化チ
タン膜７を、薄膜トランジスターが固定されたガラス壁
の外側面に、そのトランジスターを遮光するのに充分な
面積に亘って形成し、更に薄膜トランジスターが固定さ
れていないガラス壁の、該トランジスターに相対する内
面上に、同しく酸トランジスターを遮光するのに充分な
広さに亘って黒色窒化チタン膜８を形成してもよい。
タン膜７を、薄膜トランジスターが固定されたガラス壁
の外側面に、そのトランジスターを遮光するのに充分な
面積に亘って形成し、更に薄膜トランジスターが固定さ
れていないガラス壁の、該トランジスターに相対する内
面上に、同しく酸トランジスターを遮光するのに充分な
広さに亘って黒色窒化チタン膜８を形成してもよい。
本発明の他の態様として、第２図に示す如く、ソース電
極５とドレイン電極６との間に露出した半導体膜部分を
少なくとも覆うように、それら電極２半導体膜部分上に
形成された絶縁膜１０（例えば無定形Ｓ ｉ ３ Ｎ
ａ ）上に、黒色窒化チタン膜９を形成してもよい。こ
の場合、トランジスターに相対するガラス壁内面上の黒
色窒化チタン膜８は付いていても、省略されていてもど
ちらでもよい。
極５とドレイン電極６との間に露出した半導体膜部分を
少なくとも覆うように、それら電極２半導体膜部分上に
形成された絶縁膜１０（例えば無定形Ｓ ｉ ３ Ｎ
ａ ）上に、黒色窒化チタン膜９を形成してもよい。こ
の場合、トランジスターに相対するガラス壁内面上の黒
色窒化チタン膜８は付いていても、省略されていてもど
ちらでもよい。
本発明で用いられる黒色チタン膜は高周波イオンプレー
ティング法によって形成することができ、−例として、
窒素圧力ｉ ｘ １０−’Ｐｉ〜ｌＸｌ０−”Ｐ、、高
周波出力約１５０Ｗ位、電子ビーム出力約０．７ ｋ
ｗ位で、黒色チタン膜が付与される基板温度は５０℃位
迄でよい。高周波イオンプレーティング法によって形成
された黒色チタン膜にはピンホールがな（，２５００人
の膜厚で光透過率Ｏ％であり、十分な遮光性を有する。
ティング法によって形成することができ、−例として、
窒素圧力ｉ ｘ １０−’Ｐｉ〜ｌＸｌ０−”Ｐ、、高
周波出力約１５０Ｗ位、電子ビーム出力約０．７ ｋ
ｗ位で、黒色チタン膜が付与される基板温度は５０℃位
迄でよい。高周波イオンプレーティング法によって形成
された黒色チタン膜にはピンホールがな（，２５００人
の膜厚で光透過率Ｏ％であり、十分な遮光性を有する。
ｉ） 本発明で用いられる黒色窒化チタン膜は窒素に富
み、可視光領域、例えば３５０〜８００ｎｍでの反射率
が１５％以下であり、従来の金属膜の反射率（例えばモ
リブデンでは約４５％）と比較すると格段に低く、はる
かに優れた遮光性を有し、従ってそのような黒色チタン
膜からなる遮光層を設けることにより、外部光の影響を
最小限にすることができる。
み、可視光領域、例えば３５０〜８００ｎｍでの反射率
が１５％以下であり、従来の金属膜の反射率（例えばモ
リブデンでは約４５％）と比較すると格段に低く、はる
かに優れた遮光性を有し、従ってそのような黒色チタン
膜からなる遮光層を設けることにより、外部光の影響を
最小限にすることができる。
ｉｉ ） 遮光層の形成が半導体層の形成工程後に行
なわれる場合、遮光層を付与すべき部位の加熱と共にそ
の半導体層も加熱されるような時には、半導体特性が変
わらないようできるだけ低い温度で遮光層を形成する必
要がある。黒色窒化チタン膜は高周波イオンプレーティ
ング法で形成することができ、その時の基板温度、即ち
被形成物体の温度は１００℃以下、例えば５０℃位迄で
よく、半導体特性を変えることはない。
なわれる場合、遮光層を付与すべき部位の加熱と共にそ
の半導体層も加熱されるような時には、半導体特性が変
わらないようできるだけ低い温度で遮光層を形成する必
要がある。黒色窒化チタン膜は高周波イオンプレーティ
ング法で形成することができ、その時の基板温度、即ち
被形成物体の温度は１００℃以下、例えば５０℃位迄で
よく、半導体特性を変えることはない。
ｉｉｉ ） 窒化チタンの遮光層は可視光吸収膜とし
てだけでなく、赤外線（熱線）を反射する特性があり、
熱線からも半導体層を守ることができる。
てだけでなく、赤外線（熱線）を反射する特性があり、
熱線からも半導体層を守ることができる。
ｉｖ ） 窒化チタン膜は金属よりはるかに電気伝導
度が低く、金属膜を遮光層とした場合の電気的短絡の危
険をはるかに少なくすることができる。
度が低く、金属膜を遮光層とした場合の電気的短絡の危
険をはるかに少なくすることができる。
第１図は本発明による黒色窒化チタン膜を形成したガラ
スセル・薄膜トランジスターアセンブリーの一実施例の
概略的断面図、第２図は本発明による黒色窒化チタン膜
を形成したガラスセル・薄膜トランジスターアセンブリ
ーの他の実施例の概略的断面図である。 １・・・・ガラスセル壁、２・・・・ゲート電極、３・
・・・ゲート絶縁膜、４・・・・半導体膜、５・・・・
ソース電極、６・・・ドレイン電極、７．８．９・・・
・黒色窒化チタン膜、１０・・・・絶縁膜。 オ１図
スセル・薄膜トランジスターアセンブリーの一実施例の
概略的断面図、第２図は本発明による黒色窒化チタン膜
を形成したガラスセル・薄膜トランジスターアセンブリ
ーの他の実施例の概略的断面図である。 １・・・・ガラスセル壁、２・・・・ゲート電極、３・
・・・ゲート絶縁膜、４・・・・半導体膜、５・・・・
ソース電極、６・・・ドレイン電極、７．８．９・・・
・黒色窒化チタン膜、１０・・・・絶縁膜。 オ１図
Claims (5)
- （１）ガラスセルと、その中に固定された、シリコン半
導体層を有する薄膜トランジスターとからなるアセンブ
リーにおいて、絶縁層を介して直接該トランジスターに
、又は該トランジスターを遮光するのに充分な面積に亘
って該ガラスセル壁面上に、黒色窒化チタン膜を付与し
たことを特徴とする薄膜トランジスターアセンブリー。 - （２）薄膜トランジスターが、ゲート電極、ゲート絶縁
膜、シリコン半導体膜、ソース電極、ドレイン電極から
なり、ゲート絶縁膜側がガラスセルの一内壁面に固定さ
れている特許請求の範囲（１）に記載のアセンブリー。 - （３）ゲート絶縁膜側が固定されたガラスセル壁の外側
面と、そのガラスセル壁と反対側のガラスセル壁の、薄
膜トランジスターに相対する内面に黒色窒化チタン膜が
形成されている、特許請求の範囲（２）に記載のアセン
ブリー。 - （４）ゲート絶縁膜側が固定されたガラスセル壁の外側
面と、少なくともソース電極とドレイン電極との間に露
出したシリコン半導体部分を覆うように、それら電極と
半導体部分上に形成された絶縁膜上に黒色窒化チタン膜
が形成されている特許請求の範囲（２）に記載のアセン
ブリー。 - （５）黒色窒化チタン膜が高周波イオンプレーティング
法で形成されたものである特許請求の範囲（１）乃至（
４）のいずれかに記載のアセンブリー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165238A JPS6226858A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 遮光層を有する薄膜トランジスタ−アセンブリ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165238A JPS6226858A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 遮光層を有する薄膜トランジスタ−アセンブリ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226858A true JPS6226858A (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15808487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165238A Pending JPS6226858A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 遮光層を有する薄膜トランジスタ−アセンブリ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226858A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03144422A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示用パネル |
| EP0661581A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Active matrix type liquid crystal display apparatus |
| WO1998018044A1 (fr) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Seiko Epson Corporation | Panneau a cristaux liquides a matrice active |
| US8107049B2 (en) | 1996-10-22 | 2012-01-31 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US9213193B2 (en) | 1995-11-17 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of driving |
Citations (4)
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| JPS5842368A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPS58217674A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-17 | Citizen Watch Co Ltd | 複数の蒸発源を備えたイオンプレ−テイング装置 |
| JPS59117267A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60165238A patent/JPS6226858A/ja active Pending
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| US7154460B2 (en) | 1996-10-22 | 2006-12-26 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same |
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| US8107049B2 (en) | 1996-10-22 | 2012-01-31 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
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| US8358396B2 (en) | 1996-10-22 | 2013-01-22 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
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