JPS5911626A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS5911626A JPS5911626A JP57119805A JP11980582A JPS5911626A JP S5911626 A JPS5911626 A JP S5911626A JP 57119805 A JP57119805 A JP 57119805A JP 11980582 A JP11980582 A JP 11980582A JP S5911626 A JPS5911626 A JP S5911626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- alignment
- pattern
- mask
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトマスク、特に、位置合せを容易かつ正確に
行なうことのできるホトマスクに関するものである。
行なうことのできるホトマスクに関するものである。
一般に、ホトマスクの作成、検査、修正等を行なう際に
、ホトマスクが円形状である場合、その上下等の位置検
出が困難である。
、ホトマスクが円形状である場合、その上下等の位置検
出が困難である。
そこで、従来は第１図および第２図に示すように、ホト
マスクの１ケ所（第１図）または直径方向の２ケ所に位
置検出用の面取り部２を直線状に形成することが提案さ
れている。
マスクの１ケ所（第１図）または直径方向の２ケ所に位
置検出用の面取り部２を直線状に形成することが提案さ
れている。
しかしながら、前記従来方式では、ホトマスク基板の加
工時に面取り作業が必要である上に、ホトマスク作成時
に円形のホトマスクの任意の位置にパターン形成を行な
うことができず、面取り部を基準としてパターン形成を
行なう必要があり、作業の円滑化が阻害され、さらにホ
トマスクの使用時に位置合せ精度を出すことが困難であ
るという問題点がある。
工時に面取り作業が必要である上に、ホトマスク作成時
に円形のホトマスクの任意の位置にパターン形成を行な
うことができず、面取り部を基準としてパターン形成を
行なう必要があり、作業の円滑化が阻害され、さらにホ
トマスクの使用時に位置合せ精度を出すことが困難であ
るという問題点がある。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、ホト
マスク基板の加工時に面取り作業が不要で、マスク表面
の任意の位置にマスクパターンを形成でき、位置合せ精
度を向上させることができるホトマスクを提供すること
にある。
マスク基板の加工時に面取り作業が不要で、マスク表面
の任意の位置にマスクパターンを形成でき、位置合せ精
度を向上させることができるホトマスクを提供すること
にある。
この目的を達成するため、本発明は、マスク表面にマス
クパターンとは別に位置合せ用パターンを形成するもの
である。
クパターンとは別に位置合せ用パターンを形成するもの
である。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
明する。
第３図は本発明によるホトマスクの一実施例を示す平面
図である。
図である。
本実施例において、ホトマスク３は円形の平面形状を有
し、そのマスク表面４の上の中央部には通常のマスクパ
ターン５が形成すれている。
し、そのマスク表面４の上の中央部には通常のマスクパ
ターン５が形成すれている。
マタ、マスク表面４の一部、本実施例ではマスクパター
ン５の一辺の中間部の外側位置に位置合せ用パターン６
が形成されている。この位置合せ用パターン６はホトマ
スク３を用いたウェハ露光時にマスクアライメントを行
なう場合等にホトマスク３の位置合せを行なうための基
準として用いられている。
ン５の一辺の中間部の外側位置に位置合せ用パターン６
が形成されている。この位置合せ用パターン６はホトマ
スク３を用いたウェハ露光時にマスクアライメントを行
なう場合等にホトマスク３の位置合せを行なうための基
準として用いられている。
本実施例のマスクパターン５と位置合せ用パターン６は
マスク表面４上に同時に形成されている。
マスク表面４上に同時に形成されている。
前記位置合せ用パターン６０例としてはたとえば第４図
ｆａ）〜（ｄｌに示すようなものが用いられる。
ｆａ）〜（ｄｌに示すようなものが用いられる。
すなわち、第４図（ａｌは正四角形、同図（ｂｌは直交
する２本の線よりなる十字形、同図（Ｃ１は４本の直交
線よりなる形状、同図（ｄｌはＬ形パターンを４個十字
状に配列した形状のパターンよりなり、これらのパター
ンは遮光膜状になっている。
する２本の線よりなる十字形、同図（Ｃ１は４本の直交
線よりなる形状、同図（ｄｌはＬ形パターンを４個十字
状に配列した形状のパターンよりなり、これらのパター
ンは遮光膜状になっている。
したがって、本実施例においてホトマスク３の位置合せ
を行なう場合、位置合せ用パターン６の所定パターン形
状の遮光膜の有無を目視またはセンサを用いた場合の電
気信号等で識別することにより、ホトマスク基板の形状
による影響を受けることな（ホトマスク３の位置検出お
よび位置合せを行なうことができる。
を行なう場合、位置合せ用パターン６の所定パターン形
状の遮光膜の有無を目視またはセンサを用いた場合の電
気信号等で識別することにより、ホトマスク基板の形状
による影響を受けることな（ホトマスク３の位置検出お
よび位置合せを行なうことができる。
第５図は本発明によるホトマスクの他の１つの実施例を
示す平面図である。この実施例では、ホトマスク３のマ
スク表面４上に、マスクパターン５および位置合せ用パ
ターン６の他に、読取り用チータフを記入した構造とな
っている。この読取り用データ７はホトマスク３の処理
、管理等のための任意のデータよりなり、そのデータを
適宜のセンサで自動的に読み取ることにより、ホトマス
ク３の処理、管理を自動的に行なうことができ、またホ
トマスク３の選択ミスを防止し、さらにホトマスク３の
製作状況からその使用条件を自動的に変更し、精度の向
上等を図ることができる。
示す平面図である。この実施例では、ホトマスク３のマ
スク表面４上に、マスクパターン５および位置合せ用パ
ターン６の他に、読取り用チータフを記入した構造とな
っている。この読取り用データ７はホトマスク３の処理
、管理等のための任意のデータよりなり、そのデータを
適宜のセンサで自動的に読み取ることにより、ホトマス
ク３の処理、管理を自動的に行なうことができ、またホ
トマスク３の選択ミスを防止し、さらにホトマスク３の
製作状況からその使用条件を自動的に変更し、精度の向
上等を図ることができる。
なお、前記実施例では、位置合せ用パターン５を１個の
み形成した場合について説明したが、複数個の位置合せ
用パターン５を配置してそれらを位置合せ用に使用する
ことにより位置合せ精度をさらに向上させることができ
る。
み形成した場合について説明したが、複数個の位置合せ
用パターン５を配置してそれらを位置合せ用に使用する
ことにより位置合せ精度をさらに向上させることができ
る。
以上説明したように、本発明によれば、ホトマスク基板
の加工時に面取りを行なう必要がなく、マスク表面の任
意の位置にマスクパターンを形成でき、また位置合せ精
度を向上させることができる。
の加工時に面取りを行なう必要がなく、マスク表面の任
意の位置にマスクパターンを形成でき、また位置合せ精
度を向上させることができる。
第１図と第２図はそれぞれ従来のホトマスクを示す平面
図、 第３図は本発明によるホトマスクの一実施例の平面図、 第４図（ａｌ〜（ｄｌはそれぞれ本発明に用いられる位
置合せ用パターンの例を示す図、 第５図は本発明によるホトマスクの他の１つの実施例を
示す平面図である。 ３・・・ホトマスク、４・・・マスク表面、５・・・マ
スクパターン、６・・・位置合せ用パターン、７・・・
読取り用データ。
図、 第３図は本発明によるホトマスクの一実施例の平面図、 第４図（ａｌ〜（ｄｌはそれぞれ本発明に用いられる位
置合せ用パターンの例を示す図、 第５図は本発明によるホトマスクの他の１つの実施例を
示す平面図である。 ３・・・ホトマスク、４・・・マスク表面、５・・・マ
スクパターン、６・・・位置合せ用パターン、７・・・
読取り用データ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスク表面にマスクパターンとは別に位置合せ用パ
ターンを形成したホトマスク。 ２、マスクパターンと位置合せ用パターンとが同時に作
成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ホトマスク。 ３、マスクの表面が読取り用データを有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のホトマスク。 ４、ホトマスクが円形であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項、第２項および第３項のいずれかに記載の
ホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119805A JPS5911626A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119805A JPS5911626A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911626A true JPS5911626A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14770657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119805A Pending JPS5911626A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9574249B2 (en) | 2010-02-24 | 2017-02-21 | Jfe Steel Corporation | Method for manufacturing grain oriented electrical steel sheet |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP57119805A patent/JPS5911626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9574249B2 (en) | 2010-02-24 | 2017-02-21 | Jfe Steel Corporation | Method for manufacturing grain oriented electrical steel sheet |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5498500A (en) | Overlay measurement mark and method of measuring an overlay error between multi patterns in a semiconductor device using the measurement mark | |
| JPH0444307A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09115827A (ja) | 半導体装置製造用のレチクル | |
| US5095511A (en) | Apparatus for verifying pattern data used in a step-and-repeat process for producing the same patterns regularly arranged on a substance | |
| JPS5911626A (ja) | ホトマスク | |
| JP2595962B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06324475A (ja) | レチクル | |
| JP2773708B2 (ja) | 露光用マスク | |
| US20050008942A1 (en) | [photomask with internal assistant pattern forenhancing resolution of multi-dimension pattern] | |
| JPS59134825A (ja) | 半導体装置およびそのための半導体ウエ−ハ | |
| JP2977471B2 (ja) | ウエハのアラインメントマークの配置方法 | |
| JPH02127641A (ja) | 半導体集積回路用レチクル | |
| JPH0523490B2 (ja) | ||
| JPH0387013A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN116794946A (zh) | 光罩及光刻方法 | |
| JP2600153B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2617613B2 (ja) | 縮小投影露光装置用レチクル | |
| JP2002270489A (ja) | ショット形状計測用マーク及びそれを使用した転写の誤差検出方法 | |
| JP3038956B2 (ja) | レティクル位置合せ方法 | |
| JP3200880B2 (ja) | 半導体装置の組合わせ構造 | |
| JPS63311798A (ja) | 位置合せマ−ク | |
| JPH02260518A (ja) | アライメントパターン | |
| JPS59108318A (ja) | １チツプレテイクルマスクの検査方法 | |
| JPS6015504A (ja) | フオトマスク自動検査装置 | |
| JPH01140102A (ja) | カラー固体撮像素子用色分解フィルターの形成方法 |