JPS59115502A - 厚膜抵抗体 - Google Patents
厚膜抵抗体Info
- Publication number
- JPS59115502A JPS59115502A JP57228165A JP22816582A JPS59115502A JP S59115502 A JPS59115502 A JP S59115502A JP 57228165 A JP57228165 A JP 57228165A JP 22816582 A JP22816582 A JP 22816582A JP S59115502 A JPS59115502 A JP S59115502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- trimming
- resistor
- resistance value
- film resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（シ））発明の技術分野
本発明は厚膜抵抗体にかかり、特に高信頼化した抵抗パ
ターンの形状に関する。
ターンの形状に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
周知の如く厚膜ハイブリッド集積回路（ＩＣ）では、絶
縁基板（セラミック基板）に抵抗体や導体が印刷して形
成される。配線用の導体は例えば銀パラジウム（＾ｇＰ
ｄ ）系の材料で、抵抗体は例えば酸化ルテニウム（Ｒ
ｕＯ２）と絶縁物とを混合した材料であって、それらを
溶剤に溶かして数μｍの厚さに印刷し焼成して、作成さ
れる。しかし、印刷の厚さにバラツキがあって一定しな
いため、抵抗体はそのままでは精度の良い抵抗値に形成
することが難しい。従って、予め低い抵抗値をもった（
換言すれば広い抵抗膜面をもった）抵抗体に形成した後
、トリミング（例えばレーザトリミングやサンドブラス
ト）によって抵抗膜面を線状に除去して抵抗値の調整を
行なっている。
縁基板（セラミック基板）に抵抗体や導体が印刷して形
成される。配線用の導体は例えば銀パラジウム（＾ｇＰ
ｄ ）系の材料で、抵抗体は例えば酸化ルテニウム（Ｒ
ｕＯ２）と絶縁物とを混合した材料であって、それらを
溶剤に溶かして数μｍの厚さに印刷し焼成して、作成さ
れる。しかし、印刷の厚さにバラツキがあって一定しな
いため、抵抗体はそのままでは精度の良い抵抗値に形成
することが難しい。従って、予め低い抵抗値をもった（
換言すれば広い抵抗膜面をもった）抵抗体に形成した後
、トリミング（例えばレーザトリミングやサンドブラス
ト）によって抵抗膜面を線状に除去して抵抗値の調整を
行なっている。
第１図はこのようなトリミング後の抵抗体の平面図を示
しており、ｌは抵抗膜、２は導体膜、３はトリミングラ
インで、抵抗膜の広さは約１ｆｌ角程度、抵抗値は数Ω
〜数にΩ（抵抗値は絶縁物の混合比率を変えて所望の数
値にする）のものである。トリミングは、最近ではレー
ザトリミングが多り、ビーム径数１０μｍのレーザビー
ムで走査しトリミングラインを形成する。その走査速度
はステップモータで制御するためトリミング長さの誤差
は２０μｍ以下と極めて精度が良い。
しており、ｌは抵抗膜、２は導体膜、３はトリミングラ
インで、抵抗膜の広さは約１ｆｌ角程度、抵抗値は数Ω
〜数にΩ（抵抗値は絶縁物の混合比率を変えて所望の数
値にする）のものである。トリミングは、最近ではレー
ザトリミングが多り、ビーム径数１０μｍのレーザビー
ムで走査しトリミングラインを形成する。その走査速度
はステップモータで制御するためトリミング長さの誤差
は２０μｍ以下と極めて精度が良い。
しかしながら、トリミング工程においてはセラミック基
板はレーザの走査によって高温に加熱され、また急に冷
却されることになるため抵抗膜にマイクロクランクを発
生する。そして、更に動作中に高いサージ電流が流れる
とこのマイクロクラツクが原因となって抵抗体の欠損と
それに伴う抵抗値の変化が起こり、その抵抗値の変動が
１０数％に及ぶことがある。
板はレーザの走査によって高温に加熱され、また急に冷
却されることになるため抵抗膜にマイクロクランクを発
生する。そして、更に動作中に高いサージ電流が流れる
とこのマイクロクラツクが原因となって抵抗体の欠損と
それに伴う抵抗値の変化が起こり、その抵抗値の変動が
１０数％に及ぶことがある。
（ｃｌ 発明の目的
本発明はこのようなマイクロクラックの発生を解消した
厚膜抵抗体を提案するものである。
厚膜抵抗体を提案するものである。
（ｄｌ 発明の構成
その目的は、メソシュ状にした複数の窓が抵抗膜面に設
りられた厚膜抵抗体によって達成することができる。
りられた厚膜抵抗体によって達成することができる。
（ｅ） 発明の実施例
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明にかかる抵抗体の平面図を示しており、
１は抵抗膜、２ば導体膜と第１図と同様であるが、抵抗
膜１の面に多数の窓１１ （抵抗膜を塗布しないセラミ
ック基板の生地のままの窓）を設ける。第２図の例では
抵抗膜全面の６０％の領域にこのような窓１１をメツシ
ュ状に４０個形成している。
１は抵抗膜、２ば導体膜と第１図と同様であるが、抵抗
膜１の面に多数の窓１１ （抵抗膜を塗布しないセラミ
ック基板の生地のままの窓）を設ける。第２図の例では
抵抗膜全面の６０％の領域にこのような窓１１をメツシ
ュ状に４０個形成している。
かくして、トリミング工程でトリミングライン３を形成
し、このトリミングラインは従来と同様に鍵形（「形）
にしてもよいが、第３図の如（に直線状に多数のトリミ
ングラインを窓から窓へ描く形成方法が好ましい。そう
すると、精度良く細かく調整した抵抗値を形成すること
ができる。即ち、かようにして多数のトリミングライン
を描けば、最も長いラインは抵抗値に大きく影響を与え
、短いラインになるに従って抵抗値に影響が小さくなる
からこれらのラインを混合して、抵抗値を微細に調整で
きる。
し、このトリミングラインは従来と同様に鍵形（「形）
にしてもよいが、第３図の如（に直線状に多数のトリミ
ングラインを窓から窓へ描く形成方法が好ましい。そう
すると、精度良く細かく調整した抵抗値を形成すること
ができる。即ち、かようにして多数のトリミングライン
を描けば、最も長いラインは抵抗値に大きく影響を与え
、短いラインになるに従って抵抗値に影響が小さくなる
からこれらのラインを混合して、抵抗値を微細に調整で
きる。
このようにしてトリミングを窓から窓にかけて走査し、
窓内を終止点にすると、マイクロクランクは極めて小さ
くなり、それに伴う抵抗体の欠損と抵抗値の変化が防止
される。従来、マイクロクラックの発生と成長はトリミ
ングラインの曲がり角部分と終止部分に特に多く発生し
ていたが、このようにすれば角部と終端部を窓内に設け
ることができるからその欠点は完全に除去される。
窓内を終止点にすると、マイクロクランクは極めて小さ
くなり、それに伴う抵抗体の欠損と抵抗値の変化が防止
される。従来、マイクロクラックの発生と成長はトリミ
ングラインの曲がり角部分と終止部分に特に多く発生し
ていたが、このようにすれば角部と終端部を窓内に設け
ることができるからその欠点は完全に除去される。
この窓の大きさはレーザビームのビーム径の２倍以上が
妥当で、１００〜２００μｍ角が適している。あるいは
数１００μｍ角としても上記のトリミング方法を採れば
従来と同様の精度で抵抗値の調整が可能である。しかし
、精度上は小面積が一層望ましく、また作成上は大きい
面積の窓の方が作りやすい。且つ、このような抵抗体は
導体方向の間隙幅とその数が抵抗値に影響するから、設
計の際にこれらを良く考慮して設計することが必要であ
る。
妥当で、１００〜２００μｍ角が適している。あるいは
数１００μｍ角としても上記のトリミング方法を採れば
従来と同様の精度で抵抗値の調整が可能である。しかし
、精度上は小面積が一層望ましく、また作成上は大きい
面積の窓の方が作りやすい。且つ、このような抵抗体は
導体方向の間隙幅とその数が抵抗値に影響するから、設
計の際にこれらを良く考慮して設計することが必要であ
る。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明よれば動作中に
抵抗値が変化しない厚膜抵抗体が形成されるから、ハイ
ブリッドＩＣの高信頼化に著しく貢献するものである。
抵抗値が変化しない厚膜抵抗体が形成されるから、ハイ
ブリッドＩＣの高信頼化に著しく貢献するものである。
第１図は従来のトリミングした厚膜抵抗体の平面図、第
２図は本発明にかかる厚膜抵抗体の平面図、第３図はそ
れをトリミングした厚膜抵抗体の平面図である。 図中、１は抵抗膜、２は導体膜、３はトリミングライン
、１１は窓を示す。 第１図 １ ５Ｂ、４．１４ 特許庁長官殿 １す（ｆ′１の表ボ 昭和！７ ＋１’ ｆ、ｌ’ｌｌ’ｌ’馳第２２２ｙメ
！シＪ３、 ＋ｉｌｌ ｉｔ−を′すると ’Ｉ（１’ｌ 、！： 〕閏ｆ＃ １＝７４
’ｌ’７１暫ｆ１人１１ 所 神余用県川崎１１川リエ
；ｉｌＫ ｌｌＩ・１１川り０１５音地（５２２）名称
富士通株式会社
２図は本発明にかかる厚膜抵抗体の平面図、第３図はそ
れをトリミングした厚膜抵抗体の平面図である。 図中、１は抵抗膜、２は導体膜、３はトリミングライン
、１１は窓を示す。 第１図 １ ５Ｂ、４．１４ 特許庁長官殿 １す（ｆ′１の表ボ 昭和！７ ＋１’ ｆ、ｌ’ｌｌ’ｌ’馳第２２２ｙメ
！シＪ３、 ＋ｉｌｌ ｉｔ−を′すると ’Ｉ（１’ｌ 、！： 〕閏ｆ＃ １＝７４
’ｌ’７１暫ｆ１人１１ 所 神余用県川崎１１川リエ
；ｉｌＫ ｌｌＩ・１１川り０１５音地（５２２）名称
富士通株式会社
Claims (1)
- メソシュ状にした複数の窓が抵抗膜面に設けられたこと
を特徴とする厚膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228165A JPS59115502A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 厚膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228165A JPS59115502A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 厚膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59115502A true JPS59115502A (ja) | 1984-07-04 |
Family
ID=16872246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228165A Pending JPS59115502A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 厚膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59115502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61157302U (ja) * | 1985-03-23 | 1986-09-30 |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57228165A patent/JPS59115502A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61157302U (ja) * | 1985-03-23 | 1986-09-30 |
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