JPS59110209A - 相補形ｍｏｓ半導体集積回路 - Google Patents
相補形ｍｏｓ半導体集積回路Info
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- JPS59110209A JPS59110209A JP22227682A JP22227682A JPS59110209A JP S59110209 A JPS59110209 A JP S59110209A JP 22227682 A JP22227682 A JP 22227682A JP 22227682 A JP22227682 A JP 22227682A JP S59110209 A JPS59110209 A JP S59110209A
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は圧電発振回路および論理回路群の電源電圧が
電源電圧供給制御トランジスタによって供給される回路
構成を持つ相補形ＭＯ８半導体集積回路に関するもので
ある。
電源電圧供給制御トランジスタによって供給される回路
構成を持つ相補形ＭＯ８半導体集積回路に関するもので
ある。
近年、高精度、低消費電力が要求される電子機器が増大
し、それら機器を構成する最も重要な要素の一つである
水晶あるいはセラミック等の圧電振動子を用いた圧電発
振回路を有する相補形ＭＯ３集積回路が多量に生産され
ている。この相補形ＭＯ８集積回路に於いて、より低消
費電力化のため、必要時以外は圧電発振回路を含む一部
回路について電源電圧の供給をストップしたり、必要に
応じて低い電源電圧に切り替えて使用したりすることも
実施される様になった。これを可能にするのが電源電圧
供給制御トランジスタであるが、この種の電源電圧供給
トランジスタを含む相補形ＭＯ５集積回路の一例として
第１図に示すものがある。
し、それら機器を構成する最も重要な要素の一つである
水晶あるいはセラミック等の圧電振動子を用いた圧電発
振回路を有する相補形ＭＯ３集積回路が多量に生産され
ている。この相補形ＭＯ８集積回路に於いて、より低消
費電力化のため、必要時以外は圧電発振回路を含む一部
回路について電源電圧の供給をストップしたり、必要に
応じて低い電源電圧に切り替えて使用したりすることも
実施される様になった。これを可能にするのが電源電圧
供給制御トランジスタであるが、この種の電源電圧供給
トランジスタを含む相補形ＭＯ５集積回路の一例として
第１図に示すものがある。
図に於いて１は圧電発振回路および論理回路群により構
成され、電源電圧供給制御トランジスタ８によって電源
電圧が供給される回路部で、２は電源電圧供給制御トラ
ンジスタの０Ｎ１０ＦＦを制御する信号ａを出力の一部
とし、電源電圧が常に印加される回路部である。また、
４はこれら１，２．８の回路および素子を含む相補形Ｍ
Ｏ５集積回路で、５は圧電振動子、ＣＩ、Ｃ２はキャパ
シタ、Ｅは電源である。
成され、電源電圧供給制御トランジスタ８によって電源
電圧が供給される回路部で、２は電源電圧供給制御トラ
ンジスタの０Ｎ１０ＦＦを制御する信号ａを出力の一部
とし、電源電圧が常に印加される回路部である。また、
４はこれら１，２．８の回路および素子を含む相補形Ｍ
Ｏ５集積回路で、５は圧電振動子、ＣＩ、Ｃ２はキャパ
シタ、Ｅは電源である。
第１図の動作について説明すると、回路部２は電源Ｅを
接続している限り常に動作して居り、回路部１について
は、回路部２の出力の一つである信号ａによす電源電圧
供給制御トランジスタ８がＯＮあるいは０ＦＦＬ／、電
源電圧の供給が制御される。たとえば、信号ａが“ＨＩ
ｔレベルの時、電源電圧供給制御トランジスタ８はＯＮ
Ｌ／、回路部１には電源電圧Ｅが印加され、信号ａが１
１ Ｌ １１レベルの時、電源電圧供給制御トランジス
タ８はＯＦＦシ、回路部１には電源電圧は印加されない
。但し、回路部１に電源電圧が印加されない時、回路部
２の動作に悪影響をおよぼさない様回路部１と回路部２
の接続部分は回路的に充分考慮されている。
接続している限り常に動作して居り、回路部１について
は、回路部２の出力の一つである信号ａによす電源電圧
供給制御トランジスタ８がＯＮあるいは０ＦＦＬ／、電
源電圧の供給が制御される。たとえば、信号ａが“ＨＩ
ｔレベルの時、電源電圧供給制御トランジスタ８はＯＮ
Ｌ／、回路部１には電源電圧Ｅが印加され、信号ａが１
１ Ｌ １１レベルの時、電源電圧供給制御トランジス
タ８はＯＦＦシ、回路部１には電源電圧は印加されない
。但し、回路部１に電源電圧が印加されない時、回路部
２の動作に悪影響をおよぼさない様回路部１と回路部２
の接続部分は回路的に充分考慮されている。
この様に、この相補形ＭＯ５集積回路４に於いては、必
要に応じて回路部１に電源電圧を供給したり、あるいは
供給をストップしたりすることにより、低消費電力化を
はかっている。
要に応じて回路部１に電源電圧を供給したり、あるいは
供給をストップしたりすることにより、低消費電力化を
はかっている。
しかし、この様な電源電圧供給制御回路を用いた相補形
ＭＯ３集積回路に於いては次の様な欠点がある。
ＭＯ３集積回路に於いては次の様な欠点がある。
この相補形ＭＯ８集積回路４に於いて回路部２の信号ａ
がＬ″からＩＨＩ“に変わり、電源電圧供給制御トラン
ジスタ８がＯＦＦからＯＮに変わり、回路部１への電源
電圧の供給が開始された時、すなわち回路部１に電源電
圧が印加された時、回路部１は相補形ＭＯ５で構成され
ているため大きな貫通電流が流れ、その電流と電源電圧
供給制御用トランジスタ３のＯＮ抵抗のために、回路部
１の電源電圧が低下しｔこり、あるいは変動したりして
圧電発振回路の発振開始時間等の発振開始特性が不安定
となる欠点があった。
がＬ″からＩＨＩ“に変わり、電源電圧供給制御トラン
ジスタ８がＯＦＦからＯＮに変わり、回路部１への電源
電圧の供給が開始された時、すなわち回路部１に電源電
圧が印加された時、回路部１は相補形ＭＯ５で構成され
ているため大きな貫通電流が流れ、その電流と電源電圧
供給制御用トランジスタ３のＯＮ抵抗のために、回路部
１の電源電圧が低下しｔこり、あるいは変動したりして
圧電発振回路の発振開始時間等の発振開始特性が不安定
となる欠点があった。
また、別の欠点として、回路部１に電源電圧が印加され
ている状態に於いて、回路部１内の論理回路の動作電流
が大きく変動した場合、その電流と電源電圧供給制御ト
ランジスタ８のＯＮ抵抗とのために回路部１の電源電圧
が大きく変動し、圧電発振回路のバイアス点も大きく変
動するため、増幅度の極めて高い相補形ＭＯＳインバー
タ増幅回路に於いては、発振波形が予期せぬ変調を受は
複雑な波形となり、その波形を波形整形回路で整形駿た
場合、本来の発振周波数と異なった周波数となったり、
一部のパルスが間引かれたりして、高精度を要求される
はずの集積回路が低精度となってしまったりする。また
、極端な場合には、発振力≦一時的に止まってしまう場
合もある。
ている状態に於いて、回路部１内の論理回路の動作電流
が大きく変動した場合、その電流と電源電圧供給制御ト
ランジスタ８のＯＮ抵抗とのために回路部１の電源電圧
が大きく変動し、圧電発振回路のバイアス点も大きく変
動するため、増幅度の極めて高い相補形ＭＯＳインバー
タ増幅回路に於いては、発振波形が予期せぬ変調を受は
複雑な波形となり、その波形を波形整形回路で整形駿た
場合、本来の発振周波数と異なった周波数となったり、
一部のパルスが間引かれたりして、高精度を要求される
はずの集積回路が低精度となってしまったりする。また
、極端な場合には、発振力≦一時的に止まってしまう場
合もある。
そこで、本発明は上記の様な従来の欠点を除去するため
になされたもので、相補形ＭＯ５集積回路に於いて、よ
り低消費電力化のために圧電発振回路を含む回路部分を
必要時以外は電源電圧をストップしたり、必要に応じて
低い電源電圧に切り替えたりする場合に、その電源電圧
供給開始時や切替え時の圧電発振回路発振特性への影響
が少なし）相補形ＭＯ５半導体集積回路を提供するもの
である。
になされたもので、相補形ＭＯ５集積回路に於いて、よ
り低消費電力化のために圧電発振回路を含む回路部分を
必要時以外は電源電圧をストップしたり、必要に応じて
低い電源電圧に切り替えたりする場合に、その電源電圧
供給開始時や切替え時の圧電発振回路発振特性への影響
が少なし）相補形ＭＯ５半導体集積回路を提供するもの
である。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第２図に於いて、（１−１）、（１−２）は第１図に於
ける回路部１を分割したもので、（１−１）は圧電発振
回路のみ、あるいは圧電発振回路と一部の論理回路によ
り構成され、（１−２）は残りのその他の論理回路群に
より構成されている。（１−１）、（１−２）の回路部
はそれぞれ、電源電圧供給制御トランジスタ（ａ−１）
、（ａ−２）によって電源電圧が供給される。２は電源
電圧供給制御トランジスタ０Ｎ１０ＦＦを制御する信号
ａを出力の一部とし、電源電圧が常に印加される回路で
ある。また、４はこれら（１−１）。
ける回路部１を分割したもので、（１−１）は圧電発振
回路のみ、あるいは圧電発振回路と一部の論理回路によ
り構成され、（１−２）は残りのその他の論理回路群に
より構成されている。（１−１）、（１−２）の回路部
はそれぞれ、電源電圧供給制御トランジスタ（ａ−１）
、（ａ−２）によって電源電圧が供給される。２は電源
電圧供給制御トランジスタ０Ｎ１０ＦＦを制御する信号
ａを出力の一部とし、電源電圧が常に印加される回路で
ある。また、４はこれら（１−１）。
（１−２）、２．（８−１）、（８−２）の回路および
素子を含む相補形ＭＯ８集積回路で、５は圧電振動子、
ＣＩ、Ｃ２はキャパシタ、Ｅは電源である。
素子を含む相補形ＭＯ８集積回路で、５は圧電振動子、
ＣＩ、Ｃ２はキャパシタ、Ｅは電源である。
第２図の動作について説明すると、回路部２は電源Ｅを
接続している限り常をと動作して居り、（１−１） 、
（１−２）の回路部については、回路部２の出力の一
つである信号ａによって、電源電圧供給制御トランジス
タ（８−１） （８−２）がＯＮあるいはＯＦＦするこ
とにより、それぞれ電源電圧の供給が制御される。
接続している限り常をと動作して居り、（１−１） 、
（１−２）の回路部については、回路部２の出力の一
つである信号ａによって、電源電圧供給制御トランジス
タ（８−１） （８−２）がＯＮあるいはＯＦＦするこ
とにより、それぞれ電源電圧の供給が制御される。
たとえば、信号ａが゛Ｈ゛ルベルの時、電源電圧供給制
御トランジスタ（８−１）（８−２）は共にＯＮＬ、、
（１−１）、（ｔ−２）の回路部には電源電圧Ｅが印加
され、Ｍ 号ａがＩＩ Ｌ １１レベルの時、電源電圧
供給制御トランジスタ（８−１） （８−２）は共にＯ
ＦＦ Ｌ、、（１−１）、（１−２）の回路部には電源
電圧は印加されない。この様に、この相補形ＭＯ８集積
回路４に於いて、必要に応じて（１−１）、（１−２）
の回路部に電源電圧を供給したり、あるいは供給をスト
ップしたりすることにより、低消費電力化をはかること
が出きる。そしてこの相補形ＭＯ５集積回路４に於いて
、回路部２の信号ａがＩＩＬｌｌからＩＩＨＩ＋に変わ
り電源電圧供給制御トランジスタ（８−１） （８−２
”）がＯＦＦからＯＮに変わり、（１−１） 、 （１
−２）の回路部に電源電圧が印加され始めた時、（１−
１）、 （１−２）の回路部は相補形ＭＯ８で構成され
ているためそれぞれ貫通電流が流れ、その電流と電源電
圧供給制御トランジスタ（８−１）（８−２）のＯＮ抵
抗のために（１−１）、（１−２）の回路部の電源電圧
印加時したり、あるいは変動したりするが、従来の実施
例である第１図の場合と違い、本発明の一実施例である
第２図の場合、第１図中の回路部１を圧電発振回路を含
む一部論理回路部（１−１）と残り大多数の論理回路部
（１−２）に分割したために、電源電圧印加開始時の回
路部（１−１）の貫通電流は、第１図中の回路部１ある
いは第２図中の（１−２）の回路部に於ける同様の貫通
電流に比較し、十分小さな値とすることができる。すな
わち（１−１）の回路部の電源電圧の低下および変動が
少なくなり、電源電圧印加時の圧電発振回路について安
定した発振特性を得ることができる。
御トランジスタ（８−１）（８−２）は共にＯＮＬ、、
（１−１）、（ｔ−２）の回路部には電源電圧Ｅが印加
され、Ｍ 号ａがＩＩ Ｌ １１レベルの時、電源電圧
供給制御トランジスタ（８−１） （８−２）は共にＯ
ＦＦ Ｌ、、（１−１）、（１−２）の回路部には電源
電圧は印加されない。この様に、この相補形ＭＯ８集積
回路４に於いて、必要に応じて（１−１）、（１−２）
の回路部に電源電圧を供給したり、あるいは供給をスト
ップしたりすることにより、低消費電力化をはかること
が出きる。そしてこの相補形ＭＯ５集積回路４に於いて
、回路部２の信号ａがＩＩＬｌｌからＩＩＨＩ＋に変わ
り電源電圧供給制御トランジスタ（８−１） （８−２
”）がＯＦＦからＯＮに変わり、（１−１） 、 （１
−２）の回路部に電源電圧が印加され始めた時、（１−
１）、 （１−２）の回路部は相補形ＭＯ８で構成され
ているためそれぞれ貫通電流が流れ、その電流と電源電
圧供給制御トランジスタ（８−１）（８−２）のＯＮ抵
抗のために（１−１）、（１−２）の回路部の電源電圧
印加時したり、あるいは変動したりするが、従来の実施
例である第１図の場合と違い、本発明の一実施例である
第２図の場合、第１図中の回路部１を圧電発振回路を含
む一部論理回路部（１−１）と残り大多数の論理回路部
（１−２）に分割したために、電源電圧印加開始時の回
路部（１−１）の貫通電流は、第１図中の回路部１ある
いは第２図中の（１−２）の回路部に於ける同様の貫通
電流に比較し、十分小さな値とすることができる。すな
わち（１−１）の回路部の電源電圧の低下および変動が
少なくなり、電源電圧印加時の圧電発振回路について安
定した発振特性を得ることができる。
また、（１−ｔ ） 、 （１−２）の回路部に電源電
圧が印加されている状態に於いて、（１−ｔ）の回路部
は圧電発振回路と一部の論理回路によってのみ構成され
ているため、動作電流は比較的安定した値であり、たと
え、（１−２）の回路部に於いて動作電流が大きく変動
した場合でも、回路部（１−２）の電源電圧はの電源電
圧供給制御トランジスタ（８−２）のＯＮ抵抗により大
きく変動するが、回路部（１−１）の電源電圧への影響
をほとんど与えない。
圧が印加されている状態に於いて、（１−ｔ）の回路部
は圧電発振回路と一部の論理回路によってのみ構成され
ているため、動作電流は比較的安定した値であり、たと
え、（１−２）の回路部に於いて動作電流が大きく変動
した場合でも、回路部（１−２）の電源電圧はの電源電
圧供給制御トランジスタ（８−２）のＯＮ抵抗により大
きく変動するが、回路部（１−１）の電源電圧への影響
をほとんど与えない。
このことは、電源電圧が印加されている状態に於いても
、（１−１）の回路部に於ける発振回路の電源電圧は従
来の実施例である第１図の場合に比較し変動が少なく、
発振特性も安定した特性となり、第１図の場合の様に発
振波形が電源電圧変動により予期せぬ変調を受けること
もなく安定した本来の発振周波数を得ることができる。
、（１−１）の回路部に於ける発振回路の電源電圧は従
来の実施例である第１図の場合に比較し変動が少なく、
発振特性も安定した特性となり、第１図の場合の様に発
振波形が電源電圧変動により予期せぬ変調を受けること
もなく安定した本来の発振周波数を得ることができる。
第１図は従来の相補形ＭＯ８半導体集積回路の回路構成
図、第２図は本発明の一実施例を示す回路構成図である
。 図中、（１−１）、（１−２）、２は回路部、（８−１
） （８−２）は電源電圧供給制御トランジスタ、５は
圧電振動子である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信− 第１図 ［ ↓
図、第２図は本発明の一実施例を示す回路構成図である
。 図中、（１−１）、（１−２）、２は回路部、（８−１
） （８−２）は電源電圧供給制御トランジスタ、５は
圧電振動子である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信− 第１図 ［ ↓
Claims (1)
- 圧電素子を用いた圧電発振回路および論理回路群の電源
電圧が、電源電圧の供給を制御する電源電圧供給制御ト
ランジスタによって供給される回路構成を有する相補形
ＭＯ５半導体集積回路に於いて、上記電源電圧供給制御
トランジスタにより同一電源電圧の供給を受ける回路部
分について、前記圧電発振回路を含む回路部と、その他
の論理回路群を含む回路部とに分割し、そのそれぞれの
回路部に対して電源電圧供給制御トランジスタを設け、
各回路部に同一電源電圧を供給するようにした相補形Ｍ
Ｏ５半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22227682A JPS59110209A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 相補形ｍｏｓ半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22227682A JPS59110209A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 相補形ｍｏｓ半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110209A true JPS59110209A (ja) | 1984-06-26 |
Family
ID=16779833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22227682A Pending JPS59110209A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 相補形ｍｏｓ半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110209A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61225904A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-07 | Toshiba Corp | 発振停止機能付き発振回路 |
| JPS62132405A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Toshiba Corp | 水晶発振回路 |
| WO1991006980A1 (en) * | 1989-11-07 | 1991-05-16 | Fujitsu Limited | Semiconducteur integrated circuit |
| US5309040A (en) * | 1989-11-07 | 1994-05-03 | Fujitsu Limited | Voltage reducing circuit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53140070A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-06 | Seiko Epson Corp | Electronic watch |
| JPS5592005A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-12 | Seiko Epson Corp | Electronic circuit |
| JPS5755601A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-02 | Ricoh Elemex Corp | Quartz oscillating circuit |
-
1982
- 1982-12-15 JP JP22227682A patent/JPS59110209A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53140070A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-06 | Seiko Epson Corp | Electronic watch |
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| JPH0457241B2 (ja) * | 1985-12-04 | 1992-09-11 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| WO1991006980A1 (en) * | 1989-11-07 | 1991-05-16 | Fujitsu Limited | Semiconducteur integrated circuit |
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