JPH04306008A - 水晶発振回路 - Google Patents
水晶発振回路Info
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- JPH04306008A JPH04306008A JP3001329A JP132991A JPH04306008A JP H04306008 A JPH04306008 A JP H04306008A JP 3001329 A JP3001329 A JP 3001329A JP 132991 A JP132991 A JP 132991A JP H04306008 A JPH04306008 A JP H04306008A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003334 potential effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は水晶発振回路に関し、特
に相補型ＭＯＳトランジスタにより構成される低消費電
力の水晶発振回路に関する。
に相補型ＭＯＳトランジスタにより構成される低消費電
力の水晶発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の低消費電力の水晶発振回路の一例
が図３に示される。図３において、本従来例は、定電圧
回路１７と、ＰＭＯＳトランジスタ１９およびＮＭＯＳ
トランジスタ２０を含むＣＭＯＳインバータ１８と、抵
抗２１と、水晶振動子２２と、容量２３および２４とを
備えて構成されており、定電圧回路１７に対応して、増
幅器として作用するＣＭＯＳインバータ１８、抵抗２１
、および容量２３，２４を含む帰還回路と、水晶振動子
２２とにより、通常よく使用される水晶発振回路が形成
されている。
が図３に示される。図３において、本従来例は、定電圧
回路１７と、ＰＭＯＳトランジスタ１９およびＮＭＯＳ
トランジスタ２０を含むＣＭＯＳインバータ１８と、抵
抗２１と、水晶振動子２２と、容量２３および２４とを
備えて構成されており、定電圧回路１７に対応して、増
幅器として作用するＣＭＯＳインバータ１８、抵抗２１
、および容量２３，２４を含む帰還回路と、水晶振動子
２２とにより、通常よく使用される水晶発振回路が形成
されている。
【０００３】上記の水晶発振回路は、ＰＭＯＳトランジ
スタ１９およびＮＭＯＳトランジスタ２０により構成さ
れていながら、ＣＭＯＳインバータ１８のデート電圧Ｖ
Ｇ が略正弦波にて振動するために、貫通電流が流れて
、図４の１０１に示されるように、消費電流が高くなり
、しかも、電源電圧の上昇に伴ない消費電力は急激に増
大するという問題がある。この問題点に対する方策とし
て、従来の低消費電力の水晶発振器においては、図３に
示されるように、定電圧回路１７が設けられており、Ｃ
ＭＯＳインバータ１８に印加される電圧を制限して、消
費電力を低く抑制しているのが現状である。
スタ１９およびＮＭＯＳトランジスタ２０により構成さ
れていながら、ＣＭＯＳインバータ１８のデート電圧Ｖ
Ｇ が略正弦波にて振動するために、貫通電流が流れて
、図４の１０１に示されるように、消費電流が高くなり
、しかも、電源電圧の上昇に伴ない消費電力は急激に増
大するという問題がある。この問題点に対する方策とし
て、従来の低消費電力の水晶発振器においては、図３に
示されるように、定電圧回路１７が設けられており、Ｃ
ＭＯＳインバータ１８に印加される電圧を制限して、消
費電力を低く抑制しているのが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の低消費
電力の水晶発振回路においては、発振を開始させるため
には、定電圧回路１７の出力電圧を┃ＶＴＰ┃＋ＶＴＮ
以上の電圧に維持することが必要であり、このことが、
結果的に低消費電力化を妨げる要因となっている。ここ
で、ＶＴＰはＰＭＯＳトランジスタ１９のしきい値電圧
であり、ＶＴＮはＮＭＯＳトランジスタ２０のしきい値
電圧である。定電圧回路１７の出力電圧を┃ＶＴＰ┃＋
ＶＴＮ以上の電圧に維持しないと、水晶発振回路が発振
しない理由は、ＣＭＯＳインバータ１８の入出力端子が
、帰還用の抵抗２１により接続されているために、供給
電圧が電源電圧の１／２程度の電位となり、この状態に
おいては、ＰＭＯＳトランジスタ１９およびＮＭＯＳト
ランジスタ２０の双方ともＯＦＦの状態にあり、発振開
始が不可能であることによる。
電力の水晶発振回路においては、発振を開始させるため
には、定電圧回路１７の出力電圧を┃ＶＴＰ┃＋ＶＴＮ
以上の電圧に維持することが必要であり、このことが、
結果的に低消費電力化を妨げる要因となっている。ここ
で、ＶＴＰはＰＭＯＳトランジスタ１９のしきい値電圧
であり、ＶＴＮはＮＭＯＳトランジスタ２０のしきい値
電圧である。定電圧回路１７の出力電圧を┃ＶＴＰ┃＋
ＶＴＮ以上の電圧に維持しないと、水晶発振回路が発振
しない理由は、ＣＭＯＳインバータ１８の入出力端子が
、帰還用の抵抗２１により接続されているために、供給
電圧が電源電圧の１／２程度の電位となり、この状態に
おいては、ＰＭＯＳトランジスタ１９およびＮＭＯＳト
ランジスタ２０の双方ともＯＦＦの状態にあり、発振開
始が不可能であることによる。
【０００５】図４の１０２に示されるのは、従来の低消
費電力の水晶発振回路における消費電流であるが、明ら
かに、┃ＶＴＰ┃＋ＶＴＮ以上の電圧維持に対応して、
電源電流即ち消費電流は、可成のレベルに留まり、消費
電力が依然として大きいという欠点がある。
費電力の水晶発振回路における消費電流であるが、明ら
かに、┃ＶＴＰ┃＋ＶＴＮ以上の電圧維持に対応して、
電源電流即ち消費電流は、可成のレベルに留まり、消費
電力が依然として大きいという欠点がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の水晶発振回路は
、所定の定電圧を出力する定電圧回路を備え、前記定電
圧を電源電圧として供給される水晶発振回路において、
前記水晶発振回路が、所定の水晶振動子に対して、定電
流源および電界効果型トランジスタを含む定電流負荷型
インバータと、この定電流負荷型インバータの入出力端
子間に接続される帰還用の抵抗および容量とを含む帰還
回路を備えて構成される。
、所定の定電圧を出力する定電圧回路を備え、前記定電
圧を電源電圧として供給される水晶発振回路において、
前記水晶発振回路が、所定の水晶振動子に対して、定電
流源および電界効果型トランジスタを含む定電流負荷型
インバータと、この定電流負荷型インバータの入出力端
子間に接続される帰還用の抵抗および容量とを含む帰還
回路を備えて構成される。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の第１の実施例を示すブロッ
ク図である。図１に示されるように、本実施例は、定電
圧回路１と、ＰＭＯＳトランジスタ３および定電流源４
を含む定電流負荷型インバータ２と、抵抗５と、水晶振
動子６と、容量７および８とを備えて構成されており、
定電圧回路１に対応して、定電流負荷型インバータ２、
抵抗５、および容量７，８を含む帰還回路と、水晶振動
子６とにより、水晶発振回路が形成されている。
ク図である。図１に示されるように、本実施例は、定電
圧回路１と、ＰＭＯＳトランジスタ３および定電流源４
を含む定電流負荷型インバータ２と、抵抗５と、水晶振
動子６と、容量７および８とを備えて構成されており、
定電圧回路１に対応して、定電流負荷型インバータ２、
抵抗５、および容量７，８を含む帰還回路と、水晶振動
子６とにより、水晶発振回路が形成されている。
【０００９】定電圧回路１の出力電圧は、定電流負荷型
インバータ２の電源端子に接続される。定電流負荷型イ
ンバータ２の入出力端子間には、帰還用の抵抗５が連結
されており、定電流負荷型インバータ２および抵抗５を
含む回路は、利得が十数ｄＢ〜数十ｄＢ程度の反転増幅
器として動作する。この反転増幅器の入出力間には、水
晶振動子６と容量７，８により構成されるπ型の帰還回
路が接続されており、所定の発振動作が行われる。
インバータ２の電源端子に接続される。定電流負荷型イ
ンバータ２の入出力端子間には、帰還用の抵抗５が連結
されており、定電流負荷型インバータ２および抵抗５を
含む回路は、利得が十数ｄＢ〜数十ｄＢ程度の反転増幅
器として動作する。この反転増幅器の入出力間には、水
晶振動子６と容量７，８により構成されるπ型の帰還回
路が接続されており、所定の発振動作が行われる。
【００１０】定電圧回路１の出力電圧は、定電流負荷型
インバータ２の動作開始電圧である┃ＶＴＰ┃程度に設
定される。このようにすることにより、本発明の水晶発
振回路の消費電流は、図４の１０３に示されるように、
前記┃ＶＴＰ┃以上の電源電圧に対応して、極めて低い
一定レベルに維持される。
インバータ２の動作開始電圧である┃ＶＴＰ┃程度に設
定される。このようにすることにより、本発明の水晶発
振回路の消費電流は、図４の１０３に示されるように、
前記┃ＶＴＰ┃以上の電源電圧に対応して、極めて低い
一定レベルに維持される。
【００１１】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。
する。
【００１２】図２は、本発明の第２の実施例を示すブロ
ック図である。図２に示されるように、本実施例は、定
電圧回路９と、定電流源４およびＮＭＯＳトランジスタ
１１を含む定電流負荷型インバータ１０と、抵抗１３と
、水晶振動子１４と、容量１５および１６とを備えて構
成されており、定電圧回路９に対応して、定電流負荷型
インバータ１０、抵抗１３、および容量１５，１６を含
む帰還回路と、水晶振動子１４とにより、水晶発振回路
が形成されている。
ック図である。図２に示されるように、本実施例は、定
電圧回路９と、定電流源４およびＮＭＯＳトランジスタ
１１を含む定電流負荷型インバータ１０と、抵抗１３と
、水晶振動子１４と、容量１５および１６とを備えて構
成されており、定電圧回路９に対応して、定電流負荷型
インバータ１０、抵抗１３、および容量１５，１６を含
む帰還回路と、水晶振動子１４とにより、水晶発振回路
が形成されている。
【００１３】前述の第１の実施例においては、定電圧が
接地レベルに対して設定されていたのに対比して、本実
施例においては、当該定電圧は電源電圧レベルに対する
電圧として設定されている。この場合においては、定電
流負荷型インバータ１０の入力としては、入力をＮＭＯ
Ｓトランジスタ１１により受ける形となるため、定電圧
回路９の出力電圧はＶＴＮ程度にレベルに設定される。
接地レベルに対して設定されていたのに対比して、本実
施例においては、当該定電圧は電源電圧レベルに対する
電圧として設定されている。この場合においては、定電
流負荷型インバータ１０の入力としては、入力をＮＭＯ
Ｓトランジスタ１１により受ける形となるため、定電圧
回路９の出力電圧はＶＴＮ程度にレベルに設定される。
【００１４】本発明を半導体集積回路により実現するに
当って、Ｎ型基板、Ｐウェル方式のプロセスを採用する
場合には、第２の実施例を適用するのが望ましい。その
理由は、ＰＭＯＳトランジスタはＮ型基板上に形成され
ているため、ソースを電源ラインに接続して使用すると
、バックゲート電位効果による、しきい値電圧の増大と
いう現象が生じないで済ませられるからである。逆に、
Ｐ型基板、Ｎウェル方式のプロセスを採用する場合にお
いては、第１の実施例を適用するのがよい。
当って、Ｎ型基板、Ｐウェル方式のプロセスを採用する
場合には、第２の実施例を適用するのが望ましい。その
理由は、ＰＭＯＳトランジスタはＮ型基板上に形成され
ているため、ソースを電源ラインに接続して使用すると
、バックゲート電位効果による、しきい値電圧の増大と
いう現象が生じないで済ませられるからである。逆に、
Ｐ型基板、Ｎウェル方式のプロセスを採用する場合にお
いては、第１の実施例を適用するのがよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、発振用
の反転増幅器として、定電流負荷型インバータを用いる
ことにより、発振開始電圧として必要な定電圧回路の供
給電圧を、┃ＶＴＰ┃程度の低いレベルに抑えることが
できるため、消費電流を著しく低減することができると
いう効果がある。
の反転増幅器として、定電流負荷型インバータを用いる
ことにより、発振開始電圧として必要な定電圧回路の供
給電圧を、┃ＶＴＰ┃程度の低いレベルに抑えることが
できるため、消費電流を著しく低減することができると
いう効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示すブロック図である
。
。
【図２】本発明の第２の実施例を示すブロック図である
。
。
【図３】従来例を示すブロック図である。
【図４】水晶発振回路の電源電流特性を示す図である。
１，９，１７ 定電圧回路
２，１０ 定電流負荷型インバータ３，１９
ＰＭＯＳトランジスタ４，１２ 定電流源 ５，１３，２１ 抵抗 ６，１４，２２ 水晶振動子 ７，８，１５，１６，２３，２４ 容量１１，２
０ ＮＭＯＳトランジスタ１８ ＣＭＯＳ
インバータ
ＰＭＯＳトランジスタ４，１２ 定電流源 ５，１３，２１ 抵抗 ６，１４，２２ 水晶振動子 ７，８，１５，１６，２３，２４ 容量１１，２
０ ＮＭＯＳトランジスタ１８ ＣＭＯＳ
インバータ
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の定電圧を出力する定電圧回路を
備え、前記定電圧を電源電圧として供給される水晶発振
回路において、前記水晶発振回路が、所定の水晶振動子
に対して、定電流源および電界効果型トランジスタを含
む定電流負荷型インバータと、この定電流負荷型インバ
ータの入出力端子間に接続される帰還用の抵抗および容
量とを含む帰還回路を備えて構成されることを特徴とす
る水晶発振回路
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3001329A JPH04306008A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 水晶発振回路 |
| US07/818,624 US5212460A (en) | 1991-01-10 | 1992-01-10 | Crystal oscillation circuit with voltage regulating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3001329A JPH04306008A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 水晶発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306008A true JPH04306008A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=11498461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3001329A Pending JPH04306008A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 水晶発振回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5212460A (ja) |
| JP (1) | JPH04306008A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102622027A (zh) * | 2011-01-28 | 2012-08-01 | 拉碧斯半导体株式会社 | 电压识别装置以及时钟控制装置 |
| CN113612447A (zh) * | 2021-10-09 | 2021-11-05 | 深圳市英特瑞半导体科技有限公司 | 一种振荡电路 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650754A (en) * | 1995-02-15 | 1997-07-22 | Synergy Microwave Corporation | Phase-loched loop circuits and voltage controlled oscillator circuits |
| JP3284341B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2002-05-20 | 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社 | 発振回路 |
| US7236062B2 (en) * | 2005-03-21 | 2007-06-26 | Broadcom Corporation | Low phase noise crystal oscillator with supply noise filtering |
| TWI345692B (en) * | 2007-12-10 | 2011-07-21 | Princeton Technology Corp | Power source circuit |
| US7940140B2 (en) * | 2008-06-03 | 2011-05-10 | Lsi Corporation | Self-calibrated wide range LC tank voltage-controlled oscillator (VCO) system with expanded frequency tuning range and method for providing same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338249A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-08 | Seiko Epson Corp | Crystal oscillator circuit |
| JPS61225904A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-07 | Toshiba Corp | 発振停止機能付き発振回路 |
| JPH01101008A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 水晶発振回路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4208639A (en) * | 1978-06-16 | 1980-06-17 | Solid State Scientific Inc. | Constant current source stabilized semiconductor oscillator |
| US4956618A (en) * | 1989-04-07 | 1990-09-11 | Vlsi Technology, Inc. | Start-up circuit for low power MOS crystal oscillator |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP3001329A patent/JPH04306008A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-10 US US07/818,624 patent/US5212460A/en not_active Expired - Fee Related
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| CN102622027A (zh) * | 2011-01-28 | 2012-08-01 | 拉碧斯半导体株式会社 | 电压识别装置以及时钟控制装置 |
| CN113612447A (zh) * | 2021-10-09 | 2021-11-05 | 深圳市英特瑞半导体科技有限公司 | 一种振荡电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5212460A (en) | 1993-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990406 |