JPH01101008A - 水晶発振回路 - Google Patents
水晶発振回路Info
- Publication number
- JPH01101008A JPH01101008A JP25902587A JP25902587A JPH01101008A JP H01101008 A JPH01101008 A JP H01101008A JP 25902587 A JP25902587 A JP 25902587A JP 25902587 A JP25902587 A JP 25902587A JP H01101008 A JPH01101008 A JP H01101008A
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- Japan
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- oscillation
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- Pending
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000234479 Narcissus Species 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は水晶発振回路に関し、特にＭＯＳ ＦＩＳＴで
構成される水晶発振回路に関する。
構成される水晶発振回路に関する。
従来、水晶発振回路としては、第２図に示される回路が
一般的に使用されている。第２図においては、定電流源
１４とＮ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２とが直列に接続され、
Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２のドレインとゲートの間に帰
還抵抗１１と水晶振動子１０が並列に接続される。また
、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２のドレインと端子５６との
間には容量８が接続され、ゲートと端子５６との間には
容量９が接続されており、定電流源１５とＮ型ＭＯＳ
ＦＥＴ １３が直列に接続され、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ
１３のソースは端子５６に接続されて、Ｎ型ＭＯＳ Ｆ
ＨＴ １２および１３のゲートが相互に連結されている
。
一般的に使用されている。第２図においては、定電流源
１４とＮ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２とが直列に接続され、
Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２のドレインとゲートの間に帰
還抵抗１１と水晶振動子１０が並列に接続される。また
、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２のドレインと端子５６との
間には容量８が接続され、ゲートと端子５６との間には
容量９が接続されており、定電流源１５とＮ型ＭＯＳ
ＦＥＴ １３が直列に接続され、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ
１３のソースは端子５６に接続されて、Ｎ型ＭＯＳ Ｆ
ＨＴ １２および１３のゲートが相互に連結されている
。
Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２ 、水晶振動子１０、帰還抵
抗１１、容量８および９、および定電流源１４は発振回
路を形成しており、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １３および定
電流源１５は、発振出力に対する増幅回路を形成してい
る。また、端子５３からは所定の直流電源が供給されて
おり、前記発振回路の発振出力は、増幅されて端子５４
を介して出力される。
抗１１、容量８および９、および定電流源１４は発振回
路を形成しており、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １３および定
電流源１５は、発振出力に対する増幅回路を形成してい
る。また、端子５３からは所定の直流電源が供給されて
おり、前記発振回路の発振出力は、増幅されて端子５４
を介して出力される。
上述した従来の水晶発振回路は、自己バイアス型の発振
回路として構成されており、消費電力を抑制するために
、定電流源１４の電流を微小に低減させると、Ｎ型ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ １２の動作点は低電圧側に偏倚する。この
ため、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２による発振出力は低減
される。また、定電流源１５およびＮ型ＭＯＳ ＦＥＴ
１３により形成される増幅回路についても、低電流化
するために低電流源１５の電流を抑制することが必要に
なるが、低電流化にともない増幅回路の動作点が移動し
て、増幅度が低下する。
回路として構成されており、消費電力を抑制するために
、定電流源１４の電流を微小に低減させると、Ｎ型ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ １２の動作点は低電圧側に偏倚する。この
ため、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ １２による発振出力は低減
される。また、定電流源１５およびＮ型ＭＯＳ ＦＥＴ
１３により形成される増幅回路についても、低電流化
するために低電流源１５の電流を抑制することが必要に
なるが、低電流化にともない増幅回路の動作点が移動し
て、増幅度が低下する。
従って、水晶発振回路の低消費電力化を目的として定電
流源１４および１５の電流を抑制すると、端子５４を介
して出力される発信出力が十分なレベルで得られないと
いう欠点がある。
流源１４および１５の電流を抑制すると、端子５４を介
して出力される発信出力が十分なレベルで得られないと
いう欠点がある。
本発明の水晶発振回路は、定電流源に直列に接続される
導電型ＭＯ９ＦＩＳＴと、前記導電型ＭＯ８ＦＩＳＴの
ドレインとゲートとの間に並列接続される帰還抵抗なら
びに水晶振動子とを含む水晶発振回路において、前記導
電型ＭＯＳ ＦＥＴのドレインおよびゲートから出力さ
れる発振出力を、それぞれ第１および第２の入力として
比較増幅する比較増幅手段を備えて構成される。
導電型ＭＯ９ＦＩＳＴと、前記導電型ＭＯ８ＦＩＳＴの
ドレインとゲートとの間に並列接続される帰還抵抗なら
びに水晶振動子とを含む水晶発振回路において、前記導
電型ＭＯＳ ＦＥＴのドレインおよびゲートから出力さ
れる発振出力を、それぞれ第１および第２の入力として
比較増幅する比較増幅手段を備えて構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。
第１図に示されるように、本実施例は、容量１および２
と、水晶振動子３と、帰還抵抗４と、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ ５と定電流源６と、比較増幅回路７と、を備えて構
成される。
と、水晶振動子３と、帰還抵抗４と、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ ５と定電流源６と、比較増幅回路７と、を備えて構
成される。
第１図において、端子５１からは所定の直流電源が供給
されており、定電流源６、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ５、帰還
抵抗４、水晶振動子３、容量１および２は発振回路を形
成している。Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ ５のドレインおよび
ゲートからは、発振出力が相互に逆位相の関係において
出力され、それぞれ第１および第２の入力として比較増
幅回路７に送られる。比較増幅回路７においては、前記
第１および第２の入力に対応して十分な増幅作用が行わ
れ、端子５２を介して所要レベルの発振出力が得られる
。本実施例においては、発振回路の低電流化によって、
発振出力は低減されるが、比較増幅回路７によって、低
消費電力において十分な増幅度が得られるため、低消費
電力の水仙発振回路が実現される。
されており、定電流源６、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ５、帰還
抵抗４、水晶振動子３、容量１および２は発振回路を形
成している。Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ ５のドレインおよび
ゲートからは、発振出力が相互に逆位相の関係において
出力され、それぞれ第１および第２の入力として比較増
幅回路７に送られる。比較増幅回路７においては、前記
第１および第２の入力に対応して十分な増幅作用が行わ
れ、端子５２を介して所要レベルの発振出力が得られる
。本実施例においては、発振回路の低電流化によって、
発振出力は低減されるが、比較増幅回路７によって、低
消費電力において十分な増幅度が得られるため、低消費
電力の水仙発振回路が実現される。
以上説明したように、本発明は、相互に１８０度の位相
差を有する発信出力を増幅して出力する比較増幅手段を
備えることにより、前記発振出力が低電流発振による小
振幅レベルの信号であっても、容易に十分な信号レベル
として出力することができるという効果がある。
差を有する発信出力を増幅して出力する比較増幅手段を
備えることにより、前記発振出力が低電流発振による小
振幅レベルの信号であっても、容易に十分な信号レベル
として出力することができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は、従来の
水晶発振回路の回路図である。 図において、１．２．８．９・・・容量、３１．１０・
・・水晶振動子、４．１１・・・帰還抵抗、５．１２．
１３・・・Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ 、６．１４．１５・・
・定電流源、７・・・比較゛増幅回路。
水晶発振回路の回路図である。 図において、１．２．８．９・・・容量、３１．１０・
・・水晶振動子、４．１１・・・帰還抵抗、５．１２．
１３・・・Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ 、６．１４．１５・・
・定電流源、７・・・比較゛増幅回路。
Claims (1)
- 定電流源に直列に接続される導電型ＭＯＳＦＥＴと、前
記導電型ＭＯＳＦＥＴのドレインとゲートとの間に並列
接続される帰還抵抗ならびに水晶振動子とを含む水晶発
振回路において、前記導電型ＭＯＳＦＥＴのドレインお
よびゲートから出力される発振出力を、それぞれ第１お
よび第２の入力として比較増幅する比較増幅手段を備え
ることを特徴とする水晶発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25902587A JPH01101008A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 水晶発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25902587A JPH01101008A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 水晶発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101008A true JPH01101008A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17328299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25902587A Pending JPH01101008A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 水晶発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01101008A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0486207A1 (en) * | 1990-11-15 | 1992-05-20 | AT&T Corp. | Low-jitter oscillator |
| JPH04306008A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-10-28 | Nec Corp | 水晶発振回路 |
| US5511126A (en) * | 1993-08-25 | 1996-04-23 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for reducing jitter and improving testability of an oscillator |
| EP1267482A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-18 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | An electrical oscillator circuit and an integrated circuit |
| WO2003003559A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-09 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | An electrical oscillator circuit and an integrated circuit |
| US10495304B2 (en) | 2014-10-03 | 2019-12-03 | Imertech Sas | Refractory system for lining the interior walls of high-temperature furnaces or boilers and method of protection |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP25902587A patent/JPH01101008A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0486207A1 (en) * | 1990-11-15 | 1992-05-20 | AT&T Corp. | Low-jitter oscillator |
| JPH04306008A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-10-28 | Nec Corp | 水晶発振回路 |
| US5511126A (en) * | 1993-08-25 | 1996-04-23 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for reducing jitter and improving testability of an oscillator |
| EP1267482A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-18 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | An electrical oscillator circuit and an integrated circuit |
| WO2003003559A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-09 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | An electrical oscillator circuit and an integrated circuit |
| US7432772B2 (en) | 2001-06-14 | 2008-10-07 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Electrical oscillator circuit and an integrated circuit |
| US10495304B2 (en) | 2014-10-03 | 2019-12-03 | Imertech Sas | Refractory system for lining the interior walls of high-temperature furnaces or boilers and method of protection |
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