JP2806526B2 - 高電圧用可変インピーダンス回路 - Google Patents

高電圧用可変インピーダンス回路

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JP2806526B2 JP63102969A JP10296988A JP2806526B2 JP 2806526 B2 JP2806526 B2 JP 2806526B2 JP 63102969 A JP63102969 A JP 63102969A JP 10296988 A JP10296988 A JP 10296988A JP 2806526 B2 JP2806526 B2 JP 2806526B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高電圧の正負電源用の可変インピーダンス回
路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体を用いた電子可変インピーダン
ス回路は、正または負の電位の入力端子に負荷となる半
導体を接続し、これら半導体を定電流動作させることに
よりインピーダンスを得ている。また、この電流値を変
化することにより、インピーダンスを可変している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の可変インピーダンス回路は、負荷とな
る半導体を直列接続していないことから、その半導体自
身の耐電圧にてこの回路に印加できる電圧が制御されて
しまう。例えば半導体自身の耐電圧としては最大でも1K
V程度であり、実際使用電圧では更に1/2の500V程度にな
っている。このため、高電圧に対しては適用が難しいと
いう問題がある。
本発明は、高電圧に対しても適用可能な可変インピー
ダンス回路を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の高電圧用可変インピーダンス回路は、複数個
のNゲート電界効果トランジスタのドレイン・ソースを
直列接続して直流正電位電源に接続し、かつ最下段の電
界効果トランジスタを定電流動作させるとともに、他の
電界効果トランジスタを自己バイアス動作させる正電位
の定電流回路と、複数個のPゲート電界効果トランジス
タのソース・ドレインを直列接続して直流負電位電源に
接続し、かつ最上段の電界効果トランジスタを定電流動
作させるとともに、他の電界効果トランジスタを自己バ
イアス動作させる負電位の定電流回路とで構成してい
る。
〔作用〕
上述した構成では、複数込の電界効果トランジスタを
直列接続して電位電源に接続し、そのうち1つのトラン
ジスタを定電流動作させ、他のトランジスタを自己バイ
アス動作させることにより、1のトランジスタを低電圧
で定電流動作させることが可能となり、高電圧の入力に
対する可変インピーダンスとして機能する。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
図は本発明の一実施例の回路図である。図において、
11〜1nは耐電圧特性を得るために直列接続したn個のN
ゲート電界効果トランジスタであり、そのうち最下段の
トランジスタ1nを除く他のトランジスタ11〜1n-1のゲー
トを電圧バランス用抵抗71〜7n及び81〜8nにて自己バイ
アスする接続となっている。そして、これらトランジス
タ11〜1n-1と抵抗71〜7n,81〜8nで構成した回路電流を
電圧として検出する抵抗9を接続し、この抵抗9により
検出された検出電圧を誤差増幅器3にて増幅し、最下段
電界効果トランジスタ1nに入力するように構成してい
る。これにより、端子13間に入力される正電位の高電圧
定電流回路を構成している。なお、電流値は誤差増幅器
3の他方の入力端に入力される可変基準電源5の電圧を
変化することにより任意に設定可能である。
同様に、21〜2mは耐電圧特性を得るために直列接続し
たm個のPゲート電界効果トランジスタであり、そのう
ち最上段のトランジスタ21を除く他のトランジスタ22
2mを電圧バランス用抵抗111〜11m及び121〜12mにて自己
バイアスする接続となっている。そして、これらトラン
ジスタ22〜2mと抵抗111〜11m及び121〜12mで構成した回
路電流を電圧として検出する抵抗10を接続し、その検出
電圧を誤差増幅器4にて増幅し最上段電界効果トランジ
スタ21に入力するように構成している。これにより、端
子14間に入力される負電位の高電圧定電流回路を構成し
ている。なお、電流値は誤差増幅器4の他方の入力端に
入力される可変基準電源6の電圧を変化させることによ
り、任意に設定可能である。
したがって、この回路構成によれば、直列接続された
複数個のNゲートの電界効果トランジスタ11〜1n-1を自
己バイアス動作させることにより、最下段のトランジス
タ1nを低い電圧で定電流動作させることが可能となり、
高い電圧の正電位に対応でき、高電圧可変インピーダン
スとして機能できる。同様に、直列接続した複数個のP
ゲートの電界効果トランジスタ22〜2mを自己バイアス動
作させることにより、最上段のトランジスタ21を低い電
圧で定電流動作させることが可能となり、高い電圧の負
電位に対応でき、高電圧可変インピーダンスとして機能
できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、複数個の電界効果トラ
ンジスタを直列接続し、1のトランジスタ以外のトラン
ジスタをバイアス動作させることにより、該1のトラン
ジスタを低電圧で定電流動作させることが可能となり、
正負両電位の高電圧可変インピーダンス回路を小型で安
価に構成できる効果がある。また、本発明はFETを電流
制御素子に使用しているため、電流容量を増加させる場
合には、並列接続時の電流アンバランスによる熱暴走に
対する保護回路は不要であり、FETを並列接続するだけ
で簡単に容量の増加が可能である。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例の回路図である。 11〜1n……Nゲート電界効果トランジスタ、21〜2m……
Pゲート電界効果トランジスタ、3,4……誤差増幅器、
5,6……可変基準電源、71〜7n,81〜8n,111〜11m,121〜1
2m……バイアス抵抗、9,10……電圧検出用抵抗、13……
直流正電位電源入力端子、14……直流負電位電源入力端
子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−165822(JP,A) 実開 昭53−38973(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H03H 11/46,11/24

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数個のNゲート電界効果トランジスタの
    ドレイン・ソースを直列接続して直流正電位電源に接続
    し、かつ最下段の電界効果トランジスタを定電流動作さ
    せるとともに、他の電界効果トランジスタを自己バイア
    ス動作させる正電位の定電流回路と、複数個のPゲート
    電界効果トランジスタのソース・ドレインを直列接続し
    て直流負電位電源に接続し、かつ最上段の電界効果トラ
    ンジスタを定電流動作させるとともに、他の電界効果ト
    ランジスタを自己バイアス動作させる負電位の定電流回
    路とで構成したことを特徴とする高電圧用可変インピー
    ダンス回路。
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JPS5918725Y2 (ja) * 1976-09-08 1984-05-30 松下電器産業株式会社 可変抵抗器
JPS60165822A (ja) * 1984-02-09 1985-08-29 Nec Corp 電子式可変抵抗器

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