JPS59108472A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、固体撮像装置にかかり、特にＳＩＴすなわち
静電誘導型トランジスタを使用する固体撮像装置の改良
に関する。

ＳＩＴを使用する固体撮像装置は、出発技術として特許
出願公開昭和５５年第１５２２９号公報にもっとも基本
的な装置が開示されており、更に、この装置のより具体
化されたもの、また改良されたものが特許願昭和５６年
第２０４６５６号、同昭和５７年第１５７６９３号とし
て提案されている。

ＳＩＴは、基本的な構成はＪ　−ＦＥＴ　（接合型電界
効果トランジスタ）と同様であるが、チャンネル部分を
構成する半導体層の不純物密度が低いという特長を有し
ている。例えば一般的なＪ−ＦＥＴにおいては、チャン
ネル領域の不純物密度が１０１５ないし１０１７ｃｍ−
３であるのに対し、ＳＩＴでは１０１２ないし１０１５
ｚ−’程度である。

このため、チャンネル領域に形成される空乏層は、何ら
外部から電圧を印加しない熱平衡の状態においても、広
い範囲に形成され、更にはチャンネルの長さが短いとい
う特長を有する。

以上のような通常のＪ　−ＦＥＴと異々る特長に基因し
て、熱平衡状態あるいはダートをわずかに逆バイアスし
た状態でチャンネルがピンチオフ状態となり、ソース電
極の直前に電位障壁が出現し、これによってソース電極
からドレイン電極に流れる電流を構成するキャリアの移
動量の制御を行うことができる。すなわち、ドレイン電
流は、該電位障壁を越えてドレイン電極に到達するキャ
リアの量によって決定される。

他方、前述した電位障壁の程度は、ドレイン電極に印加
（ソース電極を基準とする）されるドレイン電圧によっ
ても変化する。すなわち、ドレイン電圧が印加されるこ
とによって、静電誘導が生じ、まだチャンネル領域の不
純物密度が低いために電位障壁の高さが変化し、更には
、電位障壁の−一り点（以下「真のケ゛−ト」という）
が移動する。例えば、チャンネルがｎ−の半導体によっ
て形成され、正のドレイン電圧が印加されると、電位障
壁のポテンシャルが低下するとともに真のゲートの位置
は、ソース電極の方向に移動する。

更に、電位障壁の程度は、チャンネル領域に入射する光
によって形成される電子−正孔対の蓄積によっても変化
する。すなわち、チャンネル領域の空乏層付近で生成さ
れた電子、正孔は、電位障壁に沿って移動して分離され
、ケ゛−ト領域に蓄積される。こΩため、電位障壁のポ
テンシャルが変化する。この変化の程度は、入射する光
量に対応する。従って、適当なドレイン電圧を印加する
ことによって流れるドレイン電流ないしソース電流は、
入射光量に対応する大きさとなる。

以上のように、電位障壁の程度は、ケ゛−ト電圧、ドレ
イン電圧あるいは、光の入射によって変化する。従って
、例えば光が入射してもチャンネルがＯＦＦの状態を維
持するようにバイアス電圧を印加して入射光によるキャ
リアを蓄積し、更に、適当な読出し用の電圧を印加すれ
ば、非破壊すなわちキャリアの蓄積状態を何ら破壊する
ことなく画像情報すなわち入射光の程度を読み出すこと
が可能となる。このよう々原理に基づいて固体撮像装置
を構成することができる。

以上のよりなＳＩＴを使用する固体撮像装置においては
、チャンネル領域に形成される電位障壁特に真のケ゛−
トの制御がきわめて重要である。

特に、光照射によって発生したキャリアの蓄積及び、蓄
積したキャリアによる電位変化を利用した情報の読出し
を良好に行うとともに、ソース・ドレイン間の電流の制
限すなわちキャリアの移動の制限を良好に行うという観
点から、ケ゛−ト領域をチャンネル領域のある程度深い
部分にまで形成する必要がある。

しかしながら、このような構造とすると、ケゝ−ト電極
の方向から入射する光のうち短波長域の波長の光がチャ
ンネル領域に到達せず、短波長感度が低下するという不
都合が生ずる。一般に、半導体素子例えば太陽電池など
のデバイスにおいては、光はその吸収係数の相違から長
波長域の光は比較的層の深部まで達するものの短波長域
の光は達しない。入射光によって形成される電子−正孔
対は、太陽電池などを考えれば明らかなように、ｐ−ｎ
ｌ接合部分に形成される（５） 電位の傾斜部分によって分離されるが、ＳＩＴにおいて
も同様にケ゛−ト領域とチャンネル領域との境界に形成
されている電位の傾斜部分によって分離される。従って
、ケゝ−ト領域がチャンネル領域の深部に形成されてい
る構造においては、長波長域の光は該電位の傾斜部分に
良好に到達して電子−正孔対が生成され、更には有効に
その分離が行なわれる。しかし、短波長域の光は該電位
の傾斜部分に良好に到達することができず、仮に電子−
正孔対が生成されても有効に分離されず再結合してしま
う。これを撮像装置という観点からみると、短波長感度
が低いすなわち青色の感度が低いという不都合が生ずる
こととなる。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、十分な
青色光感度を有する固体撮像装置を提供することをその
目的とする。

すなわち、本発明は、入射光によって生成されたキャリ
アが蓄積されるケ８−ト領域のチャンネル領域に対する
深さを部分的に変えて、ケ゛−（６） ト領域の一部分を他の部分より浅く形成することによっ
て前記目的を達成しようとするものである。

以下、本発明を添附図面に示す実施例に従って詳細に説
明する。

第１図には、本発明によるＳＩＴを使用する固体撮像装
置の一実施例が示されている。この図のうち、（Ａ）は
、一部を切除した平面図であり、（Ｂ）は、（５）の平
面図の矢印■の方向から見た端面図である。更に、一画
素に対応する素子の第１図（Ｂ）に対応する端面が第２
図に示されている。

これら第１図（Ａ）及び（Ｂ）並びに第２図において、
シリコン（Ｓｉ）などの材料を用いた不純物密度が高い
ｎ＋層の基板１０上には、不純物密度の低いｎ一層から
成るチャンネル領域１２が形成されている。

このチャンネル領域１２を形成するｎ一層の上面には、
不純物密度が高いｐ＋層から成るコントロールフート領
域１４が設けられてこのコントロールケ８−ト領域１４
の周囲には、不純物密度が高いｎ＋層からなるソース領
域１６が設けられている。

これらのコントロールケゝ−ト領域１４及びソース領域
１６は、第１図（Ａ）に示すように、適当な間隔で規則
的かつ２次元的に配列されており、−組のコントロール
ケゞ−ト領域１４及びソース領域１６によって一画素に
対応するセルが形成されている。

隣接するソース領域１６間には、不純物密度が高いｐ＋
層からなるフローティングケ゛−ト領域１８が形成され
ている。このフローティングケゞ−ト領域１８は、隣接
するセルに対して共通に設けられており、図示しない適
当な電極手段によって、ソース領域１６と同電位ないし
は所定の電位に保持される。これによって、チャンネル
領域１２中に空乏層々いしは電位障壁が形成され、各セ
ル間のチャンネルの分離が行なわれる。

コントロールケゝ−ト領域１４は、第１図（４）に示さ
れているように、その平面形状は、略長方形状であるが
、その外周隅部の深さに対して、内側の深さが小さく形
成されている。すなわち、チャンネル領域１２側からコ
ントロールケ９−ト領域１４を見上げると、内側に凹部
５８が、外側に凸部５４が形成されたようになっている
。

１層１４の凸部５４は、フローティングケ゛−トないし
はシールデングｒ−）領域５６がチャンネル領域１２中
に作る空乏層に対してソース・ドレイン電流を十分に制
御できる空乏層の広がりを形成する機能を有し、凹部５
８より深く形成されている。凹部５８は、ｎ一層１２と
の境界領域に短波長域の入射光が構体表面すなわちケ゛
−ト電極２４を通して十分に到達できる程度に浅く形成
されている。これは、光によって発生しだ正孔をケ゛−
ト領域１４に導く拡散電位差を形成し、その蓄積容量を
大きくするには、後述のように凸部５４より不純物濃度
を低くすることが有利である。

チャンネル領域１２が形成されているｎ一層の上面には
、コントロールケ゛−ト領域１４及びソ（９） 一ス領域１６の露出部分を除く全体に酸化シリコン（８
１０２）膜ｚＯが表面保護のために形成されている。ソ
ース領域１６のうち露出部分には、ソース電極２２が形
成されており、更に、接続電極２２Ａによって、各セル
のソース電極２２が接続されている。この接続の方向は
、第１図（Ａ）に示されているように、後述するケ゛−
ト電極の接続方向と直交する方向である。

次ニ、コントロールケ゛−ト領域１４の露出部分には、
ケ゛−ト電極２４が絶縁層２６を介して形成されている
。絶縁層２６は、例えばＳ　ｒ　０２膜から成り、前記
ソース電極２２の上に延長して設けられており、この絶
縁層２６上に沿ってダート電極２４が形成されている。

すなわち、絶縁層２６によって、コントロールケ９−ト
領域１４とダート電極２４との間にコンデンサが形成さ
れるとともに、ソース電極２２とダート電極２４との絶
縁が行なわれている。このダート電極２４の接続の方向
と、ソース電極２２の接続の方向とは交差しており、こ
れによっていず（１０） れかのセルに蓄積されている情報の読み出しが可能とな
る。すなわち、複数のソース電極２２の接続集団の任意
の１つを選択し、複数のケ゛−ト電極２４の任意の１つ
を選択すれば、両電極の交わる位置のセルが選択される
。

基板１０のうち、チャンネル領域１２が形成されている
ｎ一層と反対側には、ドレイン電極２８が形成されてい
る。

次に、上述した構造を有する固体撮像装置の電気的ガ等
価回路と、各電極間の接続について説明する。

第３図には、電気回路と外部装置との接続が示されてい
る。まだ、外部装置との接続の一部は、第１図（Ｂ）及
び第２図にも示されている。これらの図において、画素
単位に該当するセルＰＣは、第１図（４）において示し
たように、二次元的にマ）　ＩＪクス状に複数個配列さ
れている（第３図参照）。複数のケ゛−ト電極２４には
、読み出しアドレス回路３０が各々接続されており、順
に読み出し用の・ぐルス電圧が印加されるようになって
いる。他方、複数のソース接続電極２２Ａは、スイッチ
ング動作をするトランジスタ４０のドレインに各々接続
されている。この複数のトランジスタ４ｏのソースは、
出力端子３８に各々接続されており、更にケ８−トは、
ビデオライン選択回路３２に各々接続されている。この
ビデオライン選択回路３２からは、トランジスタ４０に
対して順に選択・ぐルス電圧が出力されるようになって
おり、これによってトランジスタ４０が順次駆動される
。

トランジスタ４０は、例えば通常はｒ　ＯＦＦ　Ｊの状
態にあるＳＩＴによって構成されており、読み出しアド
レス回路３０及びビデオライン選択回路３２は、例えば
シフトレジスタによって構成されている。

また、出力端子３８とアースすなわちドレイン電極２８
との間には、負荷抵抗３４及び電源３６が接続されてお
り、これによって読み出し時のドレイン電流が形成され
、更にはドレイン電流が電圧に変換されるようになって
いる。

なお、第３図において、一点鎖線で示した領域ＩＭが第
１図（Ａ）等に示されている構造の部分に該当する。

次に、上記実施例の全体動作について説明する。

まず、各セルに対して光が入射すると、コントロールゲ
−ト領域１４からチャンネル領域１２にわたって形成さ
れている電位傾斜部分に電子−正孔対が生成される。詳
述すると、入射光のうち長波長域の光は、チャンネル領
域１２の比較的深い部分にまで達し、電子−正孔対が生
成される。他方、入射光のうち短波長域の光は、チャン
ネル領域１２の深い部分には達しないが、コントロール
ゲ−ト領域１４の凹部近傍の浅いチャンネル領域１２で
電子−正孔対を生成する。生成された電子−正孔対のう
ち、電子は、ドレイン電極２８の方向に移動し、正孔は
コントロールゲ−ト領域１４の方向に移動し、蓄積され
る。この正孔の蓄積は、コントロールゲート領域１４と
ケ゛−ト電極２４との間にコン（１３） デンサが形成されていることによる。すなわち、コント
ロールダート領域１４に凹部が形成されていることによ
って、チャンネル領域１２の浅い部分にも電位傾斜部分
が形成されるため、長波長域の光のみならず短波長域の
光に対しても良好に電子−正孔対が形成され、更にはそ
の分離、蓄積が行なわれる。

以上の動作によって画像情報が各セルに蓄積される。次
に、ビデオライン選択回路３２によって、複数あるソー
ス接続電極２２Ａのうちの１つに接続されているトラン
ジスタ４０に選択・ぐルス電圧が印加される。これによ
って該当するトランジスタ４０が駆動され、第３図に示
されているセルｐｃのうち、該当する列方向に配置され
ている複数のセルＰＣのソース電極２２Ａ及びドレイン
電極２８が抵抗３４を介して電源各セルｐｃが非導通の
状態となるように、例えば電源３６の電圧等が調整され
ている。

（１４） 以上の動作によって画像情報を読み出す対象と々るビデ
オランが選択される。次に、読み出しアドレス回路３０
によって複数あるケ゛−ト電極２４に対し順にノ９ルス
電圧が印加される。これによって、選択されたビデオラ
イン上に位置するセルＰＣが順に次々と導通し、コント
ロールダート領域１４に蓄積されたホールの量すなわち
入射光量に対応するドレイン電流が抵抗３４に流れ、更
には抵抗３４によって電圧に変換されて出力端子３８か
ら出力される。このドレイン電流の制御は、主としてコ
ントロールダート領域１４の凸部によって行々われる。

これは、コントロールケゝ−ト領域１４の凸部がチャン
ネル領域１２の深部に形成されているため、電位障壁の
高さの変動に大きく寄与することによる。

力されることとなる。

以上の実施例においては、ソース領域１６によってコン
トロールゲート領域１４が囲まれているが、必ずしもこ
のような構成とする必要はすく、コントロールゲート領
域１４の外周の一部にソース領域１６を設けるようにし
てもよく、更には複数のソース領域１６を設け、これら
をソース電極２２によって接続するようにしてもよい。

更に、上記実施例においては、フローティングゲート領
域１８にも、光が入射することによって正孔が蓄積され
、各セル２０間の分離が良好に行なわれないという不都
合が生ずる。

このような不都合を解消する他の実施例について説明す
る。第４図（Ａ）　、　（Ｂ）には、本発明の他の実施
例が示されており、第４図（４）は第１図（４）に対応
する平面図であり、第４図（Ｂ）は第１図（Ｂ）に対応
する端面図であって、第１図（５）の矢印■から見た図
である。なお、この第４図（Ａ）　、　（Ｂ）において
、第１図々いし第３図と同様の構成部分については、同
様の符号を用いることとし、説明を省略する。

この第４図（Ａ）　、　（Ｂ）に示されている実施例で
は、ソース領域４６は、コントロールゲ−ト領域１４の
周囲ではなく、−側面にのみ設けられている。

更ニ、ソース領域ａａは、フローティングゲ−ト領域１
８に接近して設けられている。すなわち、ソース領域４
６とフローティングゲート領域１８との距離をＷＡ、ソ
ース領域４６とコントロールケゝ−ト領域１４との距離
をＷＢとすると、ＷＡ（ＷＢの関係になる。このように
すると、コントロールゲート領域１４側に形成される電
位障壁ないしは拡散電位よりもフローティングダート領
域１８側に形成される電位障壁の方が高くなるため、セ
ルｐｃ間の分離が良好となる。

更に、本実施例においては、ソース領域４６及びフロー
ティングケ８−ト領域１８上に、絶縁膜４２を介してア
ルミニウムのしゃ光膜４４が形成されている。このだめ
、フローティ／グチ９−１領域１８の部分には光が侵入
せず、フロー（１７） ティングケ゛−ト領域１８に対する正孔の蓄積が行々わ
れない。このため、セル２０間の分離が良好となる。

このようなセル間の分離の向上は、その他に、フローテ
ィングゲート領域１Ｂをコントロールケ゛−ト領域１４
よシもチャンネル領域１２に対して深く形成することに
よっても達成でき、まだ、フローティングゲ−ト領域１
８の不純物密度をコントロールケ゛−ト領域１４よりも
高くすることによっても達成できる。

以上のいずれかの手段あるいは複数の手段によって、セ
ル２０間の分離の向上によって、単位面積当りに配列さ
れるセルＰＣの集積度を著しく向上させることができる
。

次に、上述した固体撮像装置の製造工程について第５図
囚乃至（財）を参照しながら説明する。

まず、基板１０としては、アンチモン（ｓｂ　）が１０
１８ｃｒｎ−３程度ドープされているｎ＋型のシリコン
基板を用いる。チャンネル領域１２が形成されるｎ一層
５０は、基板１０の（１１１）面上に設（１８） ケラれる。このｎ一層５０は、エピタキシャル成長させ
て形成する。すなわち、ｎ一層５０は、入射光によって
電子−正孔対が形成され、更には分離されるとともに、
チャンネル領域１２が形成されるため、転位欠陥などを
十分に除去する必要があるからである。このｎ一層５０
は、５ないし１０μｍ程度の厚さに形成され、不純物密
度は１０　　ないし１０　ｃｍ　程度である。

なお、ｎ一層５０における電子−正孔の再結合を防止し
て分離されたキャリア特に正孔の寿命を長くするため、
重金属に対するケ゛ツタリングを施すようにしてもよい
。

次に、ｎ一層５０の上に、酸化膜５２を５０００々いし
８０００Ｘの厚さに形成する。この酸化膜（８１０２）
　５２の形成は、例えばｎ一層５０を１０００℃で１時
間あるいは１１００℃で２５分程度酸素雰囲気に侵すこ
とによって行なわれる。

次に適当なマスクを使用してフォトエツチング（ウェッ
トエツチング）を行い、酸化膜５２に対して、コントロ
ールゲート領域１４に対応するｐ＋層の凸部５４及びフ
ローテイングケ゛−１・領域１８に対応するｐ＋層５６
の・母ターンが形成され、更にはＢＢｒ３などのアクセ
プタとなる不純物をドーピングされて、第５図（Ａ）に
示すようにｐ＋層の凸部５４及びｐ＋層５６が形成され
る。不純物のドーピング法としては、不純物を蒸着した
後に熱拡散によって行ってもよく、あるいはイオン注入
法によってもよい。熱拡散による場合には、例えば１１
００℃の酸素又はウニ、ト酸素（ないしは水蒸気）雰囲
気中で不純物の注入が行なわれる。

以上の操作の後、再びフォトエツチングによってコント
ロールゲ−ト領域１４に対応するｐ＋層の凹部５８の・
ぐターンが酸化膜５２に形成され、上述した方法によっ
て不純物の注入が行なわれる。

以上の操作によってコントロールゲ−ト領域１４及びフ
ローティング電極領域１Ｂに対応するｐ＋層５４．５６
．５８が各々形成される。これらのうち、ｐ＋層５４，
５６（特にｐ＋層５４）は、■ないし５潮程度、好まし
くは１ないし３μｍ程度の厚さに形成される。また、ｐ
＋層５８は、１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下の
厚さに形成される。この状態が第５図に示されている。

次に、ソース領域１６又は４６に対応する信層６０を形
成するだめ、マスク合せが行なわれフォトエツチング（
ウェットエツチング）によって、ｎ＋層６０の・母ター
ンが酸化膜５２に形成される。この状態で熱拡散ないし
はイオン注入法によって、例えばヒ素（Ａｓ）がｐ＋層
５４，５６゜５８に注入された不純物と同様に注入され
る。

この操作によって第５図（Ｃ）に示すようにｎ＋層６０
が形成される。

次に、表面全体にわたって、ＤＯＰＯ８（リンが注入さ
れた多結晶シリコン）層６２が第５図（Ｄ）に示すよう
に形成される。このＤＯＰＯ８層６２は、５ＩＨ４及び
ＰＨ５のガス雰囲気によるＣＶＤ法によって形成される
。

次に、適当なマスクを使用して、プラズマエ（２１） ッチングを行うことによって、ＤＯＰＯ８層６２の一部
をエツチングし、ソース電極２２に対応する電極層６４
を形成する。この様子は第５図（匂に示されている。プ
ラズマエツチングには、ＣＦ４．ＣＦ４及び０２あるい
はｐｃｔ６などのガス雰囲気が使用される。

次に、表面全体にわたって、ＰＳＧ（リンガラス）層６
６が層間絶縁層として第５図（Ｆ）に示すように形成さ
れる。このＰＳＧ層６６は、ＣＶＤ法によって行なわれ
、例えば５ｔＨ４，０２及びＰＨ５のガス雰囲気中で４
００℃程度に加熱することによって行なわれる。あるい
は、５ｉＩ（４，Ｎ２０及びＰＨ３のガス雰囲気中で７
５０℃程度に加熱することによって行なわれる。

次に、適当なマスクを使用してウェットエツチングが打
力われ、第５図（Ｇ）に示すように、ｐ＋層５４，５８
の表面が露出される。

次に、表面全体にわたって、５ｉ５Ｎ４による絶縁層６
８が第５図（ロ）に示すように形成される。

絶縁層６８の形成は、ＳｉＨ４及びＮＩ（５のガス雰囲
（２２） 気中で４００ないし７００Ｘの膜厚にＣＶＤ法により行
なわれる。

次に、Ｓ　ｎＯ２あるいは、ＤＯＰＯ８による電極層７
０が、表面全体にわたって第５図（１）に示すように形
成される。この電極層７０は、例えば３０００Ｘ程度の
厚さに５ｂＣｔ５などを使用してＣＶＤ法によって形成
される。

次に適当なマスクを使用してプラズマエツチングが行な
われ、電極層７０のうちｐ＋層５４゜５８上の部分を除
いた部分が第５図（Ｊ）に示すようにエツチングされる
。この操作は’１　ｃｃｔ４．ＣＦ’４゜ＣＦ４＋０２
あるいはｐｃｚ３などのガスを使用して行われる。

以」二の操作によって、第１図ないし第３図に示されて
いる実施例における固体撮像装置が製造される。なお、
第１図ないし第２図に示されている装置は、説明のため
に主要なる部分のみが示されている。まだ、ソース領域
１６に対応するｎ＋層６０の位置及び形状は、第５図（
Ｃ）における工程において、マスクの形状を適当に変更
することによって簡単に行うことができる。

次に、第４図に示されている実施例において説明したし
ゃ光膜４４の形成について第５図（６）ないしく財）を
参照しながら説明する。なお、第４図に示されているし
ゃ光膜４４は、フローティングフート領域１８に対応す
るすべての領域に設けられているが、第５図（６）ない
しく６）の方法によって形成されるしゃ光膜は、ケ゛−
ト電極２４すなわち第５図（Ｊ）に示されている電極層
７０と平行に設けられるものである。

まず、適当なマスクを使用してプラズマエ。

チングによりｐ＋層５６の上方の絶縁層６８の一部を第
５図（６）に示すようにエツチングする。この操作は、
例えばＣＦ４のガス雰囲気を使用して行なわれる。

次に、ウェットエツチングにより露出したＰＳＧ層６６
及び酸化膜５２を第５図（Ｌ）に示すようにエツチング
する。

次に、第５図（財）に示すように、表面全体にわたって
１．０μｍ程度の膜厚でアルミニウムのしゃ光層７２を
形成する。このしゃ光層７２は、電子ビーム又は抵抗加
熱による真空蒸着、あるいはス・ぐツタリングによって
行なわれる。

次に、適当なマスクを使用してしや光層７２の一部をエ
ツチングするとともに、基板１０に対してアルミニウム
による電極層８０を形成する。この状態は、第５図（財
）に示されている。この電極層８０の形成は、例えばシ
ンター寿どの方法によって行なわれる。

なお、しゃ光層７２とｐ＋層５６とを接続するのは、し
ゃ光層を介してｐ＋層５６に適当な・ぐイアスミ圧を印
加することによって、第４図に示す実施例において説明
したようにセルｐｃ間の分離の向上を図るためそある。

以上説明した製造工程は、−例にすぎず、他の製造工程
によって製造してもよい。また、使用する材料なども他
のものを使用してよく、例えば、ｎ一層５０は、不純物
が注入されていがい真性の半導体でもよい。また、絶縁
層６８としては、ＳｉＯ２，Ａｔ２０．酸化タンタルあ
るいはこれら（２５） の複合膜でもよい。

ｐ＋層の凹部５８はｐ＋層５４より不純物密度を低くす
るのが有利である。ｐ＋層５４は、十分な電位障壁を形
成するためにたとえば１０　ｃｍ程度の不純物密度が好
ましく、凹部５８は電荷の蓄積容量を増すために１０１
６〜１．０”ｃｍ−３程度の不純物密度が好ましい。

以上の説明のように、上記いずれかの実施例においても
、ｎ一層によってチャンネルが形成される場合を示した
が真性ないしはｐ−の半導体層によってチャンネルを形
成するようにしてもよい。また、ソースとドレインは上
記実施例と逆に対応させても、同様の作用を奏すること
ができる。ビデオラインの選択あるいは読み出し用の・
ぐルス電圧の印加についても同様であって、上記実施例
と逆にしてもよい。

また、駆動のトランジスタ４０は、通常のトランジスタ
を使用してもよく、このトランジスタ４０及び読み出し
アドレス回路３０、ビデオライン選択回路３２を撮像装
置と一体化して集（２６） 積回路として構成するようにしてもよい。材料としては
、主としてシリコンを用いたが、本発明は何らこれに限
定されるものではなく、ケゝルマニウム、Ｉ−Ｖ族化合
物半導体等を用いることもできる。セルＰＣは、必ずし
もマトリクス状に配列する必要はなく、ライン状に配列
してもよい。

更に、カラーの画像情報を得るためには、セルｐｃのマ
トリクスを、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）。

青（Ｂ）に対応して構成し、入射光を色フィルタにかけ
ることによってＲ，Ｇ、Ｂの光を分離して各セルＰＣに
入射させるようにすればよい。

以上説明したように、本発明によれば入射光によって生
成されるキャリアが蓄積されるダート領域の一部を浅く
形成することとしたのでセルの青感度の低下を防止する
ことができるというすぐれた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は本発明による固体撮像装置の一部を示す
平面図、第１図（Ｂ）は第１図（〜の矢印Ｉから見た端
面図、第２図は第１図（Ｂ）の一部を拡大して示す端面
図、第３図は電気回路の構成を示す回路図、第４図（Ａ
）は本発明による固体撮像装置の他の実施例を示す平面
図、第４図（Ｂ）は第４図（ト）の矢印■から見た端面
図、第５図（４）ないしく財）は製造工程の一例を示す
説明図である。 主要部分の符号の説明 １２・・・チャンネル領域、 １４・・・コントロールケゝ−ト領域、２４・・・ダー
ト電極、 ＰＣ・・・セル。 第５図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ケ８−ト電極にコンデンサが形成されているＳＩＴによ
   って構成されたセルが複数個配列され、各セルに入射す
   る光の量に対応するキャリアがチャンネル領域に接する
   ケゞ−ト領域に蓄積されることによってドレイン電流が
   変化する固体撮像装置において、 前記ケ９−ト領域は、ドレイン電流の制御を行うに十分
   な深さにチャンネル領域との境界を有する第１の部分と
   、短波長域の入射光によってキャリアが励起可能な深さ
   にチャンネル領域との境界を有する第２の部分とを有す
   ることを特徴とする固体撮像装置。