JPS59106978A - 薄膜感熱記録ヘツド - Google Patents
薄膜感熱記録ヘツドInfo
- Publication number
- JPS59106978A JPS59106978A JP57215411A JP21541182A JPS59106978A JP S59106978 A JPS59106978 A JP S59106978A JP 57215411 A JP57215411 A JP 57215411A JP 21541182 A JP21541182 A JP 21541182A JP S59106978 A JPS59106978 A JP S59106978A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer wiring
- recording head
- layer
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄膜感熱記録ヘッドの配線ヘッドの配線構成
に係り、詳しくは薄膜感熱ヘッドの第二層配線構成に関
する。
に係り、詳しくは薄膜感熱ヘッドの第二層配線構成に関
する。
従来、薄膜感熱記録ヘッドは、図に示すように保護膜7
と、第一層配線6上に下地膜8(クロム製)、導体9(
銅製)酸化防止膜10(半田類)の三N構造の第二層配
線11を形成していた。
と、第一層配線6上に下地膜8(クロム製)、導体9(
銅製)酸化防止膜10(半田類)の三N構造の第二層配
線11を形成していた。
ところが、上記の下地膜とこの下地膜上に設ける銅の極
く薄い膜はスパッタリングによって形成するが、上記鋼
の極く薄い膜上に銅層、この銅層上に上記酸化防止膜を
電気めっきで形成していた。
く薄い膜はスパッタリングによって形成するが、上記鋼
の極く薄い膜上に銅層、この銅層上に上記酸化防止膜を
電気めっきで形成していた。
しかし、電気めっきは長時間ががるうえに、めっき液を
完全に除去しないと第二層配線が腐食される心配があっ
た。
完全に除去しないと第二層配線が腐食される心配があっ
た。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、短
時間で形成され、しかも耐食性の良好な第二層配線の構
成を提供するにある。
時間で形成され、しかも耐食性の良好な第二層配線の構
成を提供するにある。
上記目的は第二層配線をスパッタリングなどのドライプ
ロセスによって形成されたクロム−銅〜金の三層構造と
することで達成される。
ロセスによって形成されたクロム−銅〜金の三層構造と
することで達成される。
以下、本発明を実施例により詳細にMFI明する。
グレーズドガラス層2を有するセラミック基板1上にT
aをスパッタリングし、これを熱酸化して’[”a20
sのアンダーコート膜3を形成する。
aをスパッタリングし、これを熱酸化して’[”a20
sのアンダーコート膜3を形成する。
ついでCr−8iまたは’I’a−Nからなる抵抗体膜
4、フルミニラムの第一層配線6およびクロムの拡散防
止膜5をスパッタリングもしくは蒸着により形成し、ホ
トエツチングプロセスにより上記拡散防止膜5、第一層
配線6をエツチングし、抵抗体膜4を露出させる。
4、フルミニラムの第一層配線6およびクロムの拡散防
止膜5をスパッタリングもしくは蒸着により形成し、ホ
トエツチングプロセスにより上記拡散防止膜5、第一層
配線6をエツチングし、抵抗体膜4を露出させる。
つづいて、抵抗体膜4上に5i02とTa2o5よりな
る抵抗体の保護層をスパッタリングにより形成し、第一
層配線6上にポリイミドフエスを塗布し、硬化させてポ
リイミド製の層間絶縁膜7を形成する。
る抵抗体の保護層をスパッタリングにより形成し、第一
層配線6上にポリイミドフエスを塗布し、硬化させてポ
リイミド製の層間絶縁膜7を形成する。
ついで、眉間絶縁膜7にホトエツチングによって第一層
配線6に到達する穴をあける。その穴の部分と、眉間絶
縁膜7の上に厚さ01μmのクロム製下地膜8、厚さ6
〜5/1rnの銅製導体9、厚さ01〜03μmの金製
酸化防止膜1oをスパッタリングにより形成し、その後
ホトエツチングにより第二層配線1−1を得た。
配線6に到達する穴をあける。その穴の部分と、眉間絶
縁膜7の上に厚さ01μmのクロム製下地膜8、厚さ6
〜5/1rnの銅製導体9、厚さ01〜03μmの金製
酸化防止膜1oをスパッタリングにより形成し、その後
ホトエツチングにより第二層配線1−1を得た。
上記の第二層配線りを構成するクロム膜は、その下に存
在するポリイミド膜と、その上に存在する銅製導体との
接着を良好にする役割りをしており、最上層の金は、そ
の下に存在する銅製導体の酸化防止と外部回路との半田
付は性を良好にする役割をしている。
在するポリイミド膜と、その上に存在する銅製導体との
接着を良好にする役割りをしており、最上層の金は、そ
の下に存在する銅製導体の酸化防止と外部回路との半田
付は性を良好にする役割をしている。
以上述べたように本発明によれば、薄膜感熱記録ヘッド
が短時間で製作でき、かつめっき液を用いないので残存
するめつき液で第二層配線が腐食される心配がない。
が短時間で製作でき、かつめっき液を用いないので残存
するめつき液で第二層配線が腐食される心配がない。
図は薄膜感熱記録ヘッドの断面図である。
1・・・セラミック基板 2・・・グレーズI#3・・
・アンダコート膜 A・・・抵抗体膜 5・・・拡散防
止膜 6・・・第一層配線 7・・・層間絶縁膜8・・
・第二層配線下地膜 9・・・第二層配線10・・・第
二層配線酸化防止膜 11・・・第二層配線12・・・
抵抗体の保護層
・アンダコート膜 A・・・抵抗体膜 5・・・拡散防
止膜 6・・・第一層配線 7・・・層間絶縁膜8・・
・第二層配線下地膜 9・・・第二層配線10・・・第
二層配線酸化防止膜 11・・・第二層配線12・・・
抵抗体の保護層
Claims (1)
- 薄膜感熱記録ヘッドの第二層配線が、ドライプロセスに
よって設けられたクロム、銅、金の三層構造よりなるこ
とを特徴とする薄膜感熱記録ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215411A JPS59106978A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 薄膜感熱記録ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215411A JPS59106978A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 薄膜感熱記録ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59106978A true JPS59106978A (ja) | 1984-06-20 |
Family
ID=16671876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57215411A Pending JPS59106978A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 薄膜感熱記録ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59106978A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417853A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-09 | Nec Corp | Manufacture of integrated thermal heads |
| JPS56101876A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-14 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
| JPS57129764A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-11 | Nec Corp | Preparation of multilayer wiring for crossover |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP57215411A patent/JPS59106978A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417853A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-09 | Nec Corp | Manufacture of integrated thermal heads |
| JPS56101876A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-14 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
| JPS57129764A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-11 | Nec Corp | Preparation of multilayer wiring for crossover |
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