JPH0256997A - 薄膜多層回路基板 - Google Patents
薄膜多層回路基板Info
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- JPH0256997A JPH0256997A JP20922288A JP20922288A JPH0256997A JP H0256997 A JPH0256997 A JP H0256997A JP 20922288 A JP20922288 A JP 20922288A JP 20922288 A JP20922288 A JP 20922288A JP H0256997 A JPH0256997 A JP H0256997A
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- thin
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Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜多層回路基板に関し、特にポリイミド層を
中間層に用いた混成集積回路用の薄膜多層回路基板に関
する。
中間層に用いた混成集積回路用の薄膜多層回路基板に関
する。
従来、この種の混成集積回路用の薄膜多層回路基板は、
第２図に示すように、アルミナ基板１１等の絶縁基板上
に、スパッタ法等によりＮｉＣｒ−Ａｕからなる薄膜導
体１２とタンタル低抗体１６等の抵抗体及びスピン塗布
等によりポリイミド層１３を多層に形成していたが、最
上部には、パッシベーション層はあえて形成しないのが
一般的であった。
第２図に示すように、アルミナ基板１１等の絶縁基板上
に、スパッタ法等によりＮｉＣｒ−Ａｕからなる薄膜導
体１２とタンタル低抗体１６等の抵抗体及びスピン塗布
等によりポリイミド層１３を多層に形成していたが、最
上部には、パッシベーション層はあえて形成しないのが
一般的であった。
上述した従来のポリイミド層を眉間絶縁層に使用した薄
膜多層回路基板の場合、ポリイミド層が吸湿性があるた
め、通常の混成集積回路装置と同程度の樹脂外装等では
、耐湿性が悪く、信頼性上問題があるという欠点がある
。
膜多層回路基板の場合、ポリイミド層が吸湿性があるた
め、通常の混成集積回路装置と同程度の樹脂外装等では
、耐湿性が悪く、信頼性上問題があるという欠点がある
。
本発明の目的は、耐湿性が良く、信頼性の高い薄膜多層
回路基板を提供することにある。
回路基板を提供することにある。
本発明は、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された薄膜
導体と、薄膜低抗体と、眉間絶縁層とを有する薄膜多層
回路基板において、前記層間絶縁層としてポリイミド層
を用い、該ポリイミド層の上面と側面の最上部をＳ ｉ
０２層とＳｉ３Ｎ４層とのうちのいずれか一方の層で
被覆されている。
導体と、薄膜低抗体と、眉間絶縁層とを有する薄膜多層
回路基板において、前記層間絶縁層としてポリイミド層
を用い、該ポリイミド層の上面と側面の最上部をＳ ｉ
０２層とＳｉ３Ｎ４層とのうちのいずれか一方の層で
被覆されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する工
程順に示した断面図である。
程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、アルミナ基板１１上
に、ＮｉＣｒ−Ａｕをスパッタ法等により、厚さ１００
０〜３０００人の所定のパターンの薄膜導体１２を被着
した後、厚さ約４μｍの感光性ポリイミドＪ’ｉ１Ｂを
スピン塗布、乾燥する。
に、ＮｉＣｒ−Ａｕをスパッタ法等により、厚さ１００
０〜３０００人の所定のパターンの薄膜導体１２を被着
した後、厚さ約４μｍの感光性ポリイミドＪ’ｉ１Ｂを
スピン塗布、乾燥する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ポリイミド層１３を
ホトエツチング法等により、直径０．４ＩＩＩｍのコン
タクトホール１４及び所定のパターンを形成する。
ホトエツチング法等により、直径０．４ＩＩＩｍのコン
タクトホール１４及び所定のパターンを形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、タンタルとＮｉＣｒ
−Ａｕをそれぞれ、スパッタ法により厚さ８００人のタ
ンタル低抗体１６と厚さ１０００〜３０００人の上部薄
膜導体１５とを被着した後、ホトエツチング法等により
、所定のパターンを形成する。
−Ａｕをそれぞれ、スパッタ法により厚さ８００人のタ
ンタル低抗体１６と厚さ１０００〜３０００人の上部薄
膜導体１５とを被着した後、ホトエツチング法等により
、所定のパターンを形成する。
最後に、第１図（ｄ）に示すように、最上部にパッシベ
ーション被膜として、ＣＶＤ法等にて厚さ５０００人の
Ｓ ｉ ０２層１７を形成し、所定のパターニングを行
い、本実施例の薄膜多層回路基板が得られる。この際ポ
リイミド層１３の上面はもちろんのこと、側面もＳｉＯ
２層１７にて被覆する。
ーション被膜として、ＣＶＤ法等にて厚さ５０００人の
Ｓ ｉ ０２層１７を形成し、所定のパターニングを行
い、本実施例の薄膜多層回路基板が得られる。この際ポ
リイミド層１３の上面はもちろんのこと、側面もＳｉＯ
２層１７にて被覆する。
本実施例では、ＣＶＤ法により、５ｉｏ２Ｒを最上部に
パッシベーション被膜として形成した例について説明し
たが、本発明は、これに限定するものでなく、パッシベ
ーション被膜はＳ ｉ ０２またはＳｉ３Ｎ４及びＳｉ
Ｏ２とＳｉ３Ｎ４の２層構造等吸湿性を妨げる効果のあ
る被膜であれば、どのような被膜であってもよい。
パッシベーション被膜として形成した例について説明し
たが、本発明は、これに限定するものでなく、パッシベ
ーション被膜はＳ ｉ ０２またはＳｉ３Ｎ４及びＳｉ
Ｏ２とＳｉ３Ｎ４の２層構造等吸湿性を妨げる効果のあ
る被膜であれば、どのような被膜であってもよい。
又、中間絶縁層のポリイミド層は、印刷法等によって形
成することも可能である。
成することも可能である。
以上説明したように本発明は、ポリイミド層の上面及び
側面をＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４等の絶縁被膜で被覆する
ことにより、層間絶縁層として、ポリイミドを使用した
薄膜多層回路基板においても、ポリイミドの吸湿性を妨
げ、耐湿性を高め、より信頼性を向上出来る効果がある
。
側面をＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４等の絶縁被膜で被覆する
ことにより、層間絶縁層として、ポリイミドを使用した
薄膜多層回路基板においても、ポリイミドの吸湿性を妨
げ、耐湿性を高め、より信頼性を向上出来る効果がある
。
ｊ１ヱルミ７基板
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する工
程順に示した断面図、第２図は従来の薄膜多層回路基板
の一例の断面図である。 １１・・・アルミナ基板、１２・・・薄膜導体、１３・
・・ポリイミド層、１４・・・コンタクトホール、１５
・・・上部薄膜導体、１６・・・タンタル低抗体、１７
・・・ＳｉＯ２層。
程順に示した断面図、第２図は従来の薄膜多層回路基板
の一例の断面図である。 １１・・・アルミナ基板、１２・・・薄膜導体、１３・
・・ポリイミド層、１４・・・コンタクトホール、１５
・・・上部薄膜導体、１６・・・タンタル低抗体、１７
・・・ＳｉＯ２層。
Claims (1)
- 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された薄膜導体と、
薄膜低抗体と、層間絶縁層とを有する薄膜多層回路基板
において、前記層間絶縁層としてポリイミド層を用い、
該ポリイミド層の上面と側面の最上部をＳｉＯ＿２層と
Ｓｉ＿３Ｎ＿４層とのうちのいずれか一方の層で被覆す
ることを特徴とする薄膜多層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20922288A JPH0256997A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 薄膜多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20922288A JPH0256997A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 薄膜多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256997A true JPH0256997A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16569373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20922288A Pending JPH0256997A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 薄膜多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256997A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994017549A1 (en) * | 1993-01-19 | 1994-08-04 | Hughes Aircraft Company | Off-chip conductor structure and fabrication method for large integrated microcircuits |
| EP1053507A1 (en) * | 1998-07-07 | 2000-11-22 | Motorola, Inc. | Integral thin-film metal resistor with improved tolerance and simplified processing |
| JP2007146992A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi Metals Ltd | 分岐継手、この分岐継手を用いた消雪スプリンクラ配管ユニット及び消雪パネルユニット、樹脂管接続方法 |
| JP2007146990A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi Metals Ltd | 分岐継手、この分岐継手を用いた消雪スプリンクラ配管ユニット及び消雪パネルユニット、分岐パイプ支持方法 |
| JP2021068847A (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-30 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20922288A patent/JPH0256997A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994017549A1 (en) * | 1993-01-19 | 1994-08-04 | Hughes Aircraft Company | Off-chip conductor structure and fabrication method for large integrated microcircuits |
| EP1053507A1 (en) * | 1998-07-07 | 2000-11-22 | Motorola, Inc. | Integral thin-film metal resistor with improved tolerance and simplified processing |
| EP1053507A4 (en) * | 1998-07-07 | 2002-07-24 | Motorola Inc | METAL INTEGRAL THIN-LAYER RESISTOR WITH IMPROVED TOLERANCE AND SIMPLIFIED PROCESSING |
| JP2007146992A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi Metals Ltd | 分岐継手、この分岐継手を用いた消雪スプリンクラ配管ユニット及び消雪パネルユニット、樹脂管接続方法 |
| JP2007146990A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi Metals Ltd | 分岐継手、この分岐継手を用いた消雪スプリンクラ配管ユニット及び消雪パネルユニット、分岐パイプ支持方法 |
| JP2021068847A (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-30 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
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