JPS59103363A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS59103363A JPS59103363A JP17295183A JP17295183A JPS59103363A JP S59103363 A JPS59103363 A JP S59103363A JP 17295183 A JP17295183 A JP 17295183A JP 17295183 A JP17295183 A JP 17295183A JP S59103363 A JPS59103363 A JP S59103363A
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- resin
- leads
- dam
- semiconductor device
- lead
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型（レジンモールド型）半導体装置に
関する。
関する。
周知のように、安価なパッケージングとして樹脂（レジ
ン）で回路素子等をパッケージング（封止）したレジン
モールド型半導体装置が知られている。このレジンモー
ルド型半導体装置（以下、半導体装置と称する。）は、
タブリード、複数のリード、レジンモールド時のレジン
の流出を防止するダムおよび前記タブリード、リード、
ダムを連結し一体的に支持する連結片からなる単位フレ
ームを数連に連ねた金属薄片で形成されたリードフレー
ムを組立の基本にしている。すなわち、このリードフレ
ームの各タブ上にシリコン等からなる半導体回路素子（
ペレット）を固定（ボンディング）するとともに、この
ペレットの電極と対応するリードの内端をワイヤで接続
（ボンディング）する。つぎに、ペレット、ワイヤ、リ
ード内端部をレジンでモールドする。この際、レジンは
モールド上下型とダムとによってその流出を防止される
。つぎに、ダムを切断除去するとともに、モールド部か
ら突出リードを連結片（枠）の付は根部分で切断し、か
つモールド部の付は根部分のタブリードを切断すること
によって個別化したフラットな半導体装置を得る。この
際、リードが一方向に曲がったデュアルインライン形の
半導体装置を得る場合には、前記ダム、リード切断時に
各リードを折り曲げる。その後、個別化された各半導体
装置を個々に特性検査し、その特性毎に選別する。
ン）で回路素子等をパッケージング（封止）したレジン
モールド型半導体装置が知られている。このレジンモー
ルド型半導体装置（以下、半導体装置と称する。）は、
タブリード、複数のリード、レジンモールド時のレジン
の流出を防止するダムおよび前記タブリード、リード、
ダムを連結し一体的に支持する連結片からなる単位フレ
ームを数連に連ねた金属薄片で形成されたリードフレー
ムを組立の基本にしている。すなわち、このリードフレ
ームの各タブ上にシリコン等からなる半導体回路素子（
ペレット）を固定（ボンディング）するとともに、この
ペレットの電極と対応するリードの内端をワイヤで接続
（ボンディング）する。つぎに、ペレット、ワイヤ、リ
ード内端部をレジンでモールドする。この際、レジンは
モールド上下型とダムとによってその流出を防止される
。つぎに、ダムを切断除去するとともに、モールド部か
ら突出リードを連結片（枠）の付は根部分で切断し、か
つモールド部の付は根部分のタブリードを切断すること
によって個別化したフラットな半導体装置を得る。この
際、リードが一方向に曲がったデュアルインライン形の
半導体装置を得る場合には、前記ダム、リード切断時に
各リードを折り曲げる。その後、個別化された各半導体
装置を個々に特性検査し、その特性毎に選別する。
さらに、各半導体装置のモールド部表面に品種等級等を
印刷（マーキング）する。
印刷（マーキング）する。
ところで、このような半導体装置の製造方法においては
つぎのような欠点がある。すなわち、（１）、半導体装
置を個別化した状態で測定選別し、マーキングを行なう
ため取扱いが炉頂となり、作業性が悪い。（２）、個々
の半導体装置が取扱い中に互いに絡まったりすることか
ら、リードが曲がったりして好ましくない。（３）、Ｍ
Ｏ８ＩＣＫあっては、個別化されることから直接作業者
の手に触れられる機会が多く、この接触によってＭＯ８
ＩＣは静電気を印加され静電破壊を招くことが多い。
つぎのような欠点がある。すなわち、（１）、半導体装
置を個別化した状態で測定選別し、マーキングを行なう
ため取扱いが炉頂となり、作業性が悪い。（２）、個々
の半導体装置が取扱い中に互いに絡まったりすることか
ら、リードが曲がったりして好ましくない。（３）、Ｍ
Ｏ８ＩＣＫあっては、個別化されることから直接作業者
の手に触れられる機会が多く、この接触によってＭＯ８
ＩＣは静電気を印加され静電破壊を招くことが多い。
本発明は以上の欠点を解消するものであって、その目的
とするところは、モールディング後の測定選別、マーキ
ング等における半導体装置の取扱い作業を効率良く行な
うことにある。
とするところは、モールディング後の測定選別、マーキ
ング等における半導体装置の取扱い作業を効率良く行な
うことにある。
また、本発明の他の目的は、作業時にリードが簡単に曲
がらないようにすることにある。
がらないようにすることにある。
さらに、本発明の他の目的は、ＭＯ８構造の半導体装置
にあって、静電破壊を生じることのない製造方法を提供
することにある。
にあって、静電破壊を生じることのない製造方法を提供
することにある。
このような目的を達成するために本発明は、従来の製造
方法にあって、モールディングの際リードフレームの外
枠や内枠等の連結片部分、あるいは前記連結片からモー
ルド領域近傍に突出するように形成されたリードフレー
ムの突出片の一部をモールドするようにし、その後、前
記突出片を除い七リードを連結片から切断分離し、検査
、マーキング時はこの突出レジンでリードフレームに連
結支持された状態の半導体装置群に対し必要な処理を行
ない、その後に突出レジン部を切断することによって、
個別化した半導体装置とするものであって、以下実施例
により本発明の詳細な説明する。
方法にあって、モールディングの際リードフレームの外
枠や内枠等の連結片部分、あるいは前記連結片からモー
ルド領域近傍に突出するように形成されたリードフレー
ムの突出片の一部をモールドするようにし、その後、前
記突出片を除い七リードを連結片から切断分離し、検査
、マーキング時はこの突出レジンでリードフレームに連
結支持された状態の半導体装置群に対し必要な処理を行
ない、その後に突出レジン部を切断することによって、
個別化した半導体装置とするものであって、以下実施例
により本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明の一実施例の半導体装置の製造工程の各
工程を示すブロック図を示すとともに、第２図〜第４図
に各工程における製造状態を示す。
工程を示すブロック図を示すとともに、第２図〜第４図
に各工程における製造状態を示す。
まず、本発明では第２図に示すような特殊な形状のリー
ドフレーム１を用いる。このリードフレーム１について
説明すると、このリードフレーム１は大別すると、ペレ
ット２を取り付ける四角なタブ３と、このタブ３を取り
囲む細い矩形枠からなるダム４と、このダム４の外側に
ダム４を取り囲む外枠５および内枠６からなる矩形枠と
、前記タブ３を両端部で１対のダム４に連結する細いタ
ブリード７と、前記ダム４の四隅部分を支える外枠５あ
るいは内枠６または外枠５と内枠６とのなす隅部から延
びる突出片８と、各外枠５および内枠６の内側からタブ
３に向かって延びる複数のり−ド９とからなっている。
ドフレーム１を用いる。このリードフレーム１について
説明すると、このリードフレーム１は大別すると、ペレ
ット２を取り付ける四角なタブ３と、このタブ３を取り
囲む細い矩形枠からなるダム４と、このダム４の外側に
ダム４を取り囲む外枠５および内枠６からなる矩形枠と
、前記タブ３を両端部で１対のダム４に連結する細いタ
ブリード７と、前記ダム４の四隅部分を支える外枠５あ
るいは内枠６または外枠５と内枠６とのなす隅部から延
びる突出片８と、各外枠５および内枠６の内側からタブ
３に向かって延びる複数のり−ド９とからなっている。
前記リード９はダム４と外枠５または内枠６との間では
互いに平行となっているが、ダム４に直交して延びる先
端部（内端部）は小さなタブ３に向かうことから、その
多くは途中で屈曲している。これらリード９はダム４か
ら内側を内部リード１０．外側を外部リード１１と呼ば
れ、製品となった時点で内部リード１０のほとんどはレ
ジンのモールド部で被われ、外部リード１１はモールド
部から突出する外部端子となる。また、前記タブリード
７の一端はダム４を越えて騰接するリード９と平行に延
び外枠５にまで達し、外部端子を形成するとともに、タ
ブリード７のダム４の内側では途中から突出し、先端を
タブ３に臨ませる内部リードを形成している。また、外
枠５にはリードフレーム１の搬送時または位置決め時の
ガイドとなるガイド孔１２が設けられている。そして、
リードフレーム１は上記各部で形成される単位フレーム
１３を外枠５の延びる方向に複数配設したもの、たとえ
ば７連のものが単位リードフレームとして用いられてい
る。
互いに平行となっているが、ダム４に直交して延びる先
端部（内端部）は小さなタブ３に向かうことから、その
多くは途中で屈曲している。これらリード９はダム４か
ら内側を内部リード１０．外側を外部リード１１と呼ば
れ、製品となった時点で内部リード１０のほとんどはレ
ジンのモールド部で被われ、外部リード１１はモールド
部から突出する外部端子となる。また、前記タブリード
７の一端はダム４を越えて騰接するリード９と平行に延
び外枠５にまで達し、外部端子を形成するとともに、タ
ブリード７のダム４の内側では途中から突出し、先端を
タブ３に臨ませる内部リードを形成している。また、外
枠５にはリードフレーム１の搬送時または位置決め時の
ガイドとなるガイド孔１２が設けられている。そして、
リードフレーム１は上記各部で形成される単位フレーム
１３を外枠５の延びる方向に複数配設したもの、たとえ
ば７連のものが単位リードフレームとして用いられてい
る。
そこで、このようなリードフレーム１の各タブ３上に回
路素子を形成したペレット２を固定するとともに、ペレ
ット２の電極と内部リードｌＯＯ内端とをワイヤ１４で
接続する。つぎに、同図鎖線で示すように、これらペレ
ット２．内部リード１０先端部をレジンでモールドし、
モールド部１５を形成する。
路素子を形成したペレット２を固定するとともに、ペレ
ット２の電極と内部リードｌＯＯ内端とをワイヤ１４で
接続する。つぎに、同図鎖線で示すように、これらペレ
ット２．内部リード１０先端部をレジンでモールドし、
モールド部１５を形成する。
このモールディングの際、第３図で示すように、モール
ド部１５の四隅を突出させ突出レジン部（しジン突田部
）１６を形成する。これら突出レジン部１６は突出片８
の一部にまたがって形成される。
ド部１５の四隅を突出させ突出レジン部（しジン突田部
）１６を形成する。これら突出レジン部１６は突出片８
の一部にまたがって形成される。
また、突出レジン部１６は後工程での切断の容易性を考
えて、第４図で示すようにモールド部１５よりも薄くし
ておくことが望ましい。
えて、第４図で示すようにモールド部１５よりも薄くし
ておくことが望ましい。
つぎに、第３図で示すように、各リード９を互いに分離
するために各リード間のダム４ｆ：切断除去する。この
際、支持片８のダム部分は切断除去しないようにする。
するために各リード間のダム４ｆ：切断除去する。この
際、支持片８のダム部分は切断除去しないようにする。
また、この切断除去と同時にあるいはこれと前後して各
リード９を外枠５および内枠６の付は根部分から切断分
離する。
リード９を外枠５および内枠６の付は根部分から切断分
離する。
つぎに、このように突出レジン部１６．突出片８を介し
てリードフレームに一体的に支持された半導体装置群に
対し、電気特性の測定検査を行なうとともに、モールド
部上面に品種等級等を示すマークを印刷する。その後、
突出レジン部１６を切断することによって、第５図に示
すように個別化された半導体装置１７を得る。前記電気
特性の測定のデータあるいはマークによって自動的に分
類選別を行ない、各紹等に入れて出荷する。たとえば、
打抜き型から半導体装置を下方に打ち抜き、落下する各
半導体装＠を各シーートで受けるとともに、各シュート
の送り先をデータに合せて制御し、所定の収容箱へ移送
すれば作業は自動化される。
てリードフレームに一体的に支持された半導体装置群に
対し、電気特性の測定検査を行なうとともに、モールド
部上面に品種等級等を示すマークを印刷する。その後、
突出レジン部１６を切断することによって、第５図に示
すように個別化された半導体装置１７を得る。前記電気
特性の測定のデータあるいはマークによって自動的に分
類選別を行ない、各紹等に入れて出荷する。たとえば、
打抜き型から半導体装置を下方に打ち抜き、落下する各
半導体装＠を各シーートで受けるとともに、各シュート
の送り先をデータに合せて制御し、所定の収容箱へ移送
すれば作業は自動化される。
また、リードを一方に曲げる場合には、前記突出レジン
部１６の切断時に切断と同時に各リードの折り曲げを行
なうこともできる。
部１６の切断時に切断と同時に各リードの折り曲げを行
なうこともできる。
このような実施例によれば、各半導体装置の多連の状態
で取り扱うことから、リードフレームのガイド孔を作用
することによって自動化を図ることができ、従来個別処
理であった特性選別、マーキング、アセンブリ、搬送等
の処理作業が合理化され、作業性が向上する。
で取り扱うことから、リードフレームのガイド孔を作用
することによって自動化を図ることができ、従来個別処
理であった特性選別、マーキング、アセンブリ、搬送等
の処理作業が合理化され、作業性が向上する。
また、この実施例によれば、各半導体装置は最終段階ま
で一枚のリードフレームに規則正しく並んだ状態となっ
て取り扱われることから、従来のような半導体装置同志
の絡み合いもない。したがって、リードの折り曲がり等
も生じなくなる。
で一枚のリードフレームに規則正しく並んだ状態となっ
て取り扱われることから、従来のような半導体装置同志
の絡み合いもない。したがって、リードの折り曲がり等
も生じなくなる。
また、この実施例によれば、半導体装置がＭＯ８構造で
あっても、金属であるリードフレームに取り付けられ、
かつリードフレームを持って取り扱われることから、従
来のようにハンドリング時に静電気を帯びることもない
。したがって、静電破壊も生じなくなり、歩留の向上と
もなる。
あっても、金属であるリードフレームに取り付けられ、
かつリードフレームを持って取り扱われることから、従
来のようにハンドリング時に静電気を帯びることもない
。したがって、静電破壊も生じなくなり、歩留の向上と
もなる。
さらに、この実施例によれば、特性選別、マーキング等
の作業において、半導体装置は多連となっていることか
ら、従来のようなマガジンラックの使用は不要となる。
の作業において、半導体装置は多連となっていることか
ら、従来のようなマガジンラックの使用は不要となる。
したがって、マガジンランクの維持管理費が不要となる
。また、仮りに、多連状態のリードフレームを収容する
マガジンラックを必要とするとしても、従来のように多
数は必要としない。したがって、マガジンラックの維持
管理費も従来に較べて少なくなる。
。また、仮りに、多連状態のリードフレームを収容する
マガジンラックを必要とするとしても、従来のように多
数は必要としない。したがって、マガジンラックの維持
管理費も従来に較べて少なくなる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。
以上のように、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば
、製造の各工程において、多連状態で組立加工等を行な
うことができる結果、作業性が向上し工数を低減させる
ことができ、製造原価の軽減を図ることができる。
、製造の各工程において、多連状態で組立加工等を行な
うことができる結果、作業性が向上し工数を低減させる
ことができ、製造原価の軽減を図ることができる。
また、この発明によれば製造時、リードの折れ曲が９も
生じない点、ｕ ｏ ８ 宿造の場合静？Ｉｔ破壊しな
い点などから歩留の向上、製造原価の低減化を図ること
ができる。
生じない点、ｕ ｏ ８ 宿造の場合静？Ｉｔ破壊しな
い点などから歩留の向上、製造原価の低減化を図ること
ができる。
さらに、この発明によれば、マガジンラックの使用数量
を少なくすることができるので、マガジンラックの維持
管理費が低減され゛るなどの多くの効果を奏する。
を少なくすることができるので、マガジンラックの維持
管理費が低減され゛るなどの多くの効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例の樹脂封止型半導体装置の製
造工程を示すブロック図、第２図〜第４図は同じく製造
状態を示す工程図である。第５図は本発明の一実施例の
樹脂封止型半導体装置の平面図を示す。 １・・・リードフレーム、２・・・ペレット、３・・・
タブ、４・・・ダム、５・・・外枠、６・・・内枠、７
・・・タブリード、８・・・突出片、９・・・リード、
１ｏ・・・内部リード、１１・・・外部リード、１２・
・・ガイド孔、１３・・・単位フレーム、１４・・・ワ
イヤ、１５川モ一ルド部、１６・・・突出レジン部、１
７・・・半導体装置。 第 １ 図 第 ２ 図 ／ 第 ３ 図 第 ４ 図
造工程を示すブロック図、第２図〜第４図は同じく製造
状態を示す工程図である。第５図は本発明の一実施例の
樹脂封止型半導体装置の平面図を示す。 １・・・リードフレーム、２・・・ペレット、３・・・
タブ、４・・・ダム、５・・・外枠、６・・・内枠、７
・・・タブリード、８・・・突出片、９・・・リード、
１ｏ・・・内部リード、１１・・・外部リード、１２・
・・ガイド孔、１３・・・単位フレーム、１４・・・ワ
イヤ、１５川モ一ルド部、１６・・・突出レジン部、１
７・・・半導体装置。 第 １ 図 第 ２ 図 ／ 第 ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ） その内部に半導体ペレットが封止された
複数のモールド部 （ｂ） 上記モールド部より突出し一端が自由端とさ
れた複数のリード （Ｃ） 上記モールド部と一体的に形成された突出レ
ジン部 （ｄ） 上記突出レジン部にその一部がまたがるよう
に封止されることによって、上記複数のモールド部を一
体的に支持する連結片 よりなる樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17295183A JPS59103363A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17295183A JPS59103363A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15652576A Division JPS5381076A (en) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | Lroduction of resin seal semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103363A true JPS59103363A (ja) | 1984-06-14 |
Family
ID=15951378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17295183A Pending JPS59103363A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103363A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473199A (en) * | 1992-03-02 | 1995-12-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a body with a carrier ring connected thereto |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381076A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Lroduction of resin seal semiconductor device |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17295183A patent/JPS59103363A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381076A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Lroduction of resin seal semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473199A (en) * | 1992-03-02 | 1995-12-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a body with a carrier ring connected thereto |
| US5610080A (en) * | 1992-03-02 | 1997-03-11 | Fujitsu Ltd. | Method for producing semiconductor device having a body with a carrier ring connected thereto |
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