JPS6128221B2 - - Google Patents

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JPS6128221B2
JPS6128221B2 JP15652576A JP15652576A JPS6128221B2 JP S6128221 B2 JPS6128221 B2 JP S6128221B2 JP 15652576 A JP15652576 A JP 15652576A JP 15652576 A JP15652576 A JP 15652576A JP S6128221 B2 JPS6128221 B2 JP S6128221B2
Authority
JP
Japan
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frames
tab
leads
protruding
lead
Prior art date
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Expired
Application number
JP15652576A
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English (en)
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JPS5381076A (en
Inventor
Akira Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP15652576A priority Critical patent/JPS5381076A/ja
Publication of JPS5381076A publication Critical patent/JPS5381076A/ja
Publication of JPS6128221B2 publication Critical patent/JPS6128221B2/ja
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止型(レジンモールド型)半導
体装置の製造方法に関する。
周知のように、安価なパツケージングとして樹
脂(レジン)で回路素子等をパツケージング(封
止)したレジンモールド型半導体装置が知られて
いる。このレジンモールド型半導体装置(以下、
半導体装置と称する。)は、タブリード、複数の
リード、レジンモールド時のレジンの流出を防止
するダムおよび前記タブリード、リード、ダムを
連結し一体的に支持する連結片からなる単位フレ
ームを数連に連ねた金属薄片で形成されたリード
フレームを組立の基本にしている。すなわち、こ
のリードフレームの各タブ上にシリコン等からな
る半導体回路素子(ペレツト)を固定(ボンデイ
ング)するとともに、このペレツトの電極と対応
するリードの内端をワイヤで接続(ボンデイン
グ)する。つぎに、ペレツト、ワイヤ、リード内
端部をレジンでモールドする。この際、レジンは
モールド上下型とダムとによつてその流出を防止
される。つぎに、ダムを切断除去するとともに、
モールド部から突出リードを連結片(枠)の付け
根部分で切断し、かつモールド部の付け根部分の
タブリードを切断することによつて個別化したフ
ラツトな半導体装置を得る。この際、リードが一
方向に曲がつたデユアルインライン形の半導体装
置を得る場合には、前記ダム、リード切断時に各
リードを折り曲げる。その後、個別化された各半
導体装置を個々に特性検査し、その特性毎に選別
する。さらに、各半導体装置のモールド部表面に
品種等級等を印刷(マーキング)する。
ところで、このような半導体装置の製造方法に
おいてはつぎのような欠点がある。すなわち、
(1)、半導体装置を個別化した状態で測定選別し、
マーキングを行なうため取扱いが煩瑣となり、作
業性が悪い。(2)、個々の半導体装置が取扱中に互
いに絡まつたりすることから、リードが曲がつた
りして好ましくない。(3)、MOSICにあつては、
個別化されることから直接作業者の手に触れられ
る機会が多く、この接触によつてMOSICは静電
気を印加され静電破壊を招くことが多い。
本発明は以上の欠点を解消するものであつて、
その目的とするところは、モールデイング後の測
定選別、マーキング等における半導体装置の取扱
い作業を効率良く行なうことにある。
また、本発明の他の目的は、作業時にリードが
簡単に曲がらないようにすることにある。
さらに、本発明の他の目的は、MOS構造の半
導体装置にあつて、静電破壊を生じることのない
製造方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、所
定の間隔をおいて平行に延在する一対の外枠と上
記外枠に直交する方向に延在し、上記一対の外枠
を所定の間隔をおいて連結する一対の内枠と上記
各枠体によつて形成された区画内にタブリードを
介して、上記いづれかの枠体に支持されたタブと
上記いづれかの枠体よりのび、その自由端が上記
タブ周辺に近接する複数のリードと上記いづれか
の枠体よりのび、その先端部が上記タブと枠体の
中間にあるリード状の第1の突出片と上記いづれ
かの枠体よりのび、その先端部が上記タブと枠体
の中間にある幅の広い第2の突出片とよりなるリ
ードフレームを用意し、上記タブに固着された半
導体ペレツト、前記複数のリードを被覆するモー
ルド部を形成し、モールド部の一部に上記それぞ
れの連結片の一部にまたがるようなわれ易い形状
の突出レジン部を形成したあと、上記突出レジン
部を除いて、上記複数のリードを前記連結片から
分離し、更に電気的検査、搬送、マーキング又は
リードの加工を行なつた後又は、ほぼ同時に、上
記突出レジン部を除去して個々の半導体装置を得
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法とするものであつて、以下実施例により本発
明を説明する。
第1図に本発明の一実施例による製造工程の各
工程を示すブロツク図を示すとともに、第2図〜
第4図に各工程における製造状態を示す。まず、
本発明では第2図に示すような特殊な形状のリー
ドフレーム1を用いる。このリードフレーム1に
ついて説明すると、このリードフレーム1は大別
すると、ペレツト2を取り付ける四角なタブ3と
このタブ3を取り囲む細い矩形枠からなるダム4
と、このダム4の外側にダム4を取り囲む外枠5
および内枠6からなる矩形枠と、前記タブ3を両
端部で1対のダム4に連結する細いタブリード7
と、前記ダム4の四隅部分を支える外枠5あるい
は内枠6または外枠5と内枠6とのなす隅部から
延びる突出片8と、各外枠5および内枠6の内側
からタブ3に向かつて延びる複数のリード9とか
らなつている。前記リード9はダム4と外枠5ま
たは内枠6との間では互いに平行となつている
が、ダム4に直交して延びる先端部(内端部)は
小さなタブ3に向かうことから、その多くは途中
で屈曲している。これらリード9はダム4から内
側を内部リード10、外部を外部リード11と呼
ばれ、製品となつた時点で内部リード10のほと
んどはレジンのモールド部で被われ、外部リード
11はモールド部から突出する外部端子となる。
また、前記タブリード7の一端はダム4を越えて
隣接するリード9と平行に延び外枠5にまで達
し、外部端子を形成するとともに、タブリード7
のダム4の内側では途中から突出し、先端をタブ
3に臨ませる内部リードを形成している。また、
外枠5にはリードフレーム1の搬送時または位置
決め時のガイドとなるガイド孔12が設けられて
いる。そして、リードフレーム1は上記各部で形
成される単位フレーム13を外枠5の延びる方向
に複数配設したもの、たとえば7連のものが単位
リードフレームとして用いられている。
そこで、このようなリードフレーム1の各タブ
3上に回転素子を形成したペレツト2を固定する
とともに、ペレツト2の電極と内部リード10の
内端とをワイヤ14で接続する。つぎに、同図鎖
線で示すように、これらペレツト2、内部リード
10先端部をレジンでモールドし、モールド部1
5を形成する。
このモールデイングの際、第3図で示すよう
に、モールド部15の4隅を突出させ突出レジン
部(レジン突出部)16を形成する。これら突出
レジン部16は突出片8の一部にまたがつて形成
される。また、突出レジン部16は後工程での切
断の容易性を考えて、第4図で示すようにモール
ド部15よりも薄くしておくことが望ましい。
つぎに、第3図で示すように、各リード9を互
いに分離するために各リード間のダムを切断除去
する。この際、支持片8のダム部分は切断除去し
ないようにする。また、この切断除去と同時にあ
るいはこれと前後して各リード9を外枠5および
内枠6の付け根部分から切断分離する。
つぎに、このように突出レジン部16、突出片
8を介してリードフレームに一体的に支持された
半導体装置群に対し、電気特性の測定検査を行な
うとともに、モールド部上面に品種等級等を示す
マークを印刷する。その後、突出レジン部16を
切断することによつて、第5図に示すように個別
化された半導体装置17を得る。前記電気特性の
測定のデータあるいはマークによつて自動的に分
類選別を行ない、各箱等に入れて出荷する。たと
えば、打抜き型から半導体装置を下方に打ち抜
き、落下する各半導体装置を各シユートで受ける
とともに、各シユートの送り先をデータに合せて
制御し、所定の収容箱へ移送すれば作業は自動化
される。
また、リードを一方に曲げる場合には、前記突
出レジン部16の切断時に切断と同時に各リード
の折り曲げを行なうこともできる。
このような実施例によれば、製品の出荷寸前ま
で、各半導体装置を多連の状態で取り扱うことか
ら、リードフレームのガイド孔を利用することに
よつて自動化を図ることができ、従来個別処理で
あつた特性選別、マーキング等の処理作業が合理
化され、作業性が向上する。
また、この実施例によれば、各半導体装置は出
荷寸前まで一枚のリードフレームに規則正しく並
んだ状態となつて取り扱われることから、従来の
ような半導体装置同志の絡み合いもない。したが
つて、リードの折り曲がり等も生じなくなる。
また、この実施例によれば、半導体装置が
MOS構造であつても、金属であるリードフレー
ムに取り付けられ、かつリードフレームを持つて
取り扱われることから、従来のようにハンドリン
グ時に静電気を帯びることもない。したがつて、
静電破壊も生じなくなり、歩留の向上ともなる。
さらに、この実施例によれば、特性選別、マー
キング等の作業において、半導体装置は多連とな
つていることから、従来のようなマガジンラツク
の使用は不要となる。したがつて、マガジンラツ
クの維持管理費が不要となる。また、仮りに、多
連状態のリードフレームを収容するマガジンラツ
クを必要とするとしても、従来のように多数は必
要としない。したがつて、マガジンラツクの維持
管理費も従来に較べて少なくなる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。
以上のように、本発明の樹脂封止型半導体装置
の製造方法によれば、製造の各工程において、多
連状態で組立加工等を行なうことができる結果、
作業性が向上し工数を低減させることができ、製
造原価の軽減を図ることができる。
また、この発明によれば製造時、リードの折れ
曲がりも生じない点、MOS構造の場合静電破壊
しない点などから歩留の向上、製造原価の低減化
を図ることができる。
さらに、この発明によれば、マガジンラツクの
使用数量を少なくすることができるので、マガジ
ンラツクの維持管理費が低減されるなどの多くの
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法による一実施例の各工程を示すブロツク図、
第2図〜第4図は同じく製造状態を示す工程図で
ある。第5図は本発明の一実施例により得られた
樹脂封止型半導体装置の平面図を示す。 1…リードフレーム、2…ペレツト、3…タ
ブ、4…ダム、5…外枠、6…内枠、7…タブリ
ード、8…突出片、9…リード、10…内部リー
ド、11…外部リード、12…ガイド孔、13…
単位フレーム、14…ワイヤ、15…モールド
部、16…突出レジン部、17…半導体装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (a) 所定の間隔をおいて平行に延在する一対
    の外枠と、 (b) 上記外枠に直交する方向に延在し、上記一対
    の外枠を所定の間隔をおいて連結する一対の内
    枠と、 (c) 上記各枠体によつて形成された区画内にタブ
    リードを介して、上記いづれかの枠体に支持さ
    れたタブと、 (d) 上記いづれかの枠体よりのび、その自由端が
    上記タブ周辺に近接する複数のリードと、 (e) 上記いづれかの枠体よりのび、その先端部が
    上記タブと枠体の中間にあるリード状の第1の
    突出片と、 (f) 上記いづれかの枠体よりのび、その先端部が
    上記タブと枠体の中間にある幅の広い第2の突
    出片と、 (g) 上記複数のリード、第1の突出片及び第2の
    突出片を連結するダムと、 よりなるリードフレームを用意し、上記タブに固
    着された半導体ペレツト、前記複数のリードを被
    覆するモールド部を形成し、モールド部の一部に
    上記それぞれの突出片の一部にまたがるようなわ
    れ易い形状の突出レジン部を形成したあと、上記
    突出レジン部を除いて、上記複数のリードを前記
    突出片から分離し、更に電気的検査、搬送、マー
    キング又はリードの加工を行なつた後又は、ほぼ
    同時に、上記突出レジン部を除去して個々の半導
    体装置を得ることを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置の製造方法。
JP15652576A 1976-12-27 1976-12-27 Lroduction of resin seal semiconductor device Granted JPS5381076A (en)

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JPS5381076A JPS5381076A (en) 1978-07-18
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JPS59145556A (ja) * 1983-02-09 1984-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品
JPS59147449A (ja) * 1983-02-10 1984-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法
JPS59103363A (ja) * 1983-09-21 1984-06-14 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH0752763B2 (ja) * 1986-04-09 1995-06-05 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置
DE10202257B4 (de) * 2002-01-21 2005-12-01 W.C. Heraeus Gmbh Verfahren zum Fixieren von Chipträgern

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