JPS5910289A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5910289A JPS5910289A JP57118575A JP11857582A JPS5910289A JP S5910289 A JPS5910289 A JP S5910289A JP 57118575 A JP57118575 A JP 57118575A JP 11857582 A JP11857582 A JP 11857582A JP S5910289 A JPS5910289 A JP S5910289A
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- Japan
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- cap
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- semiconductor device
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- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に元ファイバー付のキャン封止
型半導体装置に関する。
型半導体装置に関する。
光通信に用いる光通信用装置の一つとして、従来第１図
に示す工うな元ファイバー付赤外発光ダイオード装置（
工ＲＥＤ ）が開発８ｎでいる。この装ｆは、図示のよ
うに、コバールの表面に金めつ＠勿流した板状のステム
１の主面中央ＶＣサブマウント２會介して発ｊ＋ｔ、素
子３葡固定するとともに、ステム１にガラス４ケ介して
貫通固定し′ｆｃ２本のリード５の上端とこｎに対応す
るサブマウント２の電極部分と？４綴６で接続し′ｆｃ
構造となっている。′！た、ステム１の生血側には表面
に金めつきｔ施したコバールからなるキャップ７かキャ
ップ７０周縁下面に設けた突条のプロジェクション８ケ
弁して溶接によって固定さｎている。キャップ７はフラ
ンジ９ケ有する帽子型構造となっていて、フランジ９の
下面にプロジェクション８ｋＮしている。’Ｆ７ｍ、キ
ャップ７の中央上部にはアルミナ筒からなるガイド筒１
０が取ジ付けらｎるとともに、このガイド筒１０のガイ
ド孔ｔｉの延長下方部分には、キャップ７を穿設しｆｃ
（１１人孔１２が設けらｎている。そして、こｎらガイ
ド功１１および挿入孔１２には１本の元ファイバー１３
が挿入はれるとともに、挿入孔１２に注入した鋏鑞１４
に工ってキャップ７に固定さｎて−る。でらに、元ファ
イバー１３の内端は半球状の先球部１５’に形作り、こ
の先球部１５で素子（発光素子）３から発→ｈさｎる近
赤外光？取り込み、元ファイバー１３ケ介して外部に取
り量丁ようになっている。
に示す工うな元ファイバー付赤外発光ダイオード装置（
工ＲＥＤ ）が開発８ｎでいる。この装ｆは、図示のよ
うに、コバールの表面に金めつ＠勿流した板状のステム
１の主面中央ＶＣサブマウント２會介して発ｊ＋ｔ、素
子３葡固定するとともに、ステム１にガラス４ケ介して
貫通固定し′ｆｃ２本のリード５の上端とこｎに対応す
るサブマウント２の電極部分と？４綴６で接続し′ｆｃ
構造となっている。′！た、ステム１の生血側には表面
に金めつきｔ施したコバールからなるキャップ７かキャ
ップ７０周縁下面に設けた突条のプロジェクション８ケ
弁して溶接によって固定さｎている。キャップ７はフラ
ンジ９ケ有する帽子型構造となっていて、フランジ９の
下面にプロジェクション８ｋＮしている。’Ｆ７ｍ、キ
ャップ７の中央上部にはアルミナ筒からなるガイド筒１
０が取ジ付けらｎるとともに、このガイド筒１０のガイ
ド孔ｔｉの延長下方部分には、キャップ７を穿設しｆｃ
（１１人孔１２が設けらｎている。そして、こｎらガイ
ド功１１および挿入孔１２には１本の元ファイバー１３
が挿入はれるとともに、挿入孔１２に注入した鋏鑞１４
に工ってキャップ７に固定さｎて−る。でらに、元ファ
イバー１３の内端は半球状の先球部１５’に形作り、こ
の先球部１５で素子（発光素子）３から発→ｈさｎる近
赤外光？取り込み、元ファイバー１３ケ介して外部に取
り量丁ようになっている。
ところで、前記装置の製造において、ステム１の厚きと
、キャップ７のフランジ９の岸さの差が大キいものは、
キャップフランジまたはステムのシール部に突条のグロ
ジエクション？設け、溶接時にこのプロジェクション部
分を抵抗浴接によって醪融させ、ステム１とキャップ７
の気路封止を確笑にざぜている。
、キャップ７のフランジ９の岸さの差が大キいものは、
キャップフランジまたはステムのシール部に突条のグロ
ジエクション？設け、溶接時にこのプロジェクション部
分を抵抗浴接によって醪融させ、ステム１とキャップ７
の気路封止を確笑にざぜている。
しかし、この工うな封止構造では、プロジェクション８
の濱ｎ倉が不均一となり、発光素子３とあらかじめキャ
ップ７に固定しｆｃ元スフアイバー１３先球部１５との
距離か変化する。時に、プロジェクション８の潰ｎ倉が
小さい場合には、発光素子３から光取造林である先球部
１５が遠くなり、元取込効率、丁なわち光フアイバー出
力か低下し、設＃ｔ１＠より低くなってし１う。
の濱ｎ倉が不均一となり、発光素子３とあらかじめキャ
ップ７に固定しｆｃ元スフアイバー１３先球部１５との
距離か変化する。時に、プロジェクション８の潰ｎ倉が
小さい場合には、発光素子３から光取造林である先球部
１５が遠くなり、元取込効率、丁なわち光フアイバー出
力か低下し、設＃ｔ１＠より低くなってし１う。
したがって、本発明の目的は元ファイバー出力が一定と
なる半導体装ｆｌｋ提供することにろる。
なる半導体装ｆｌｋ提供することにろる。
この工うな目的【達成下るために本発明は、主面中央Ｖ
こ素子紫配設する板状のステムと１．このステムの下面
側に菓子部分？封入するように取り付けら几るキャップ
と、ｒ有し、前記ステムとキャップとの固定はステムあ
るいはキャップの盾１定而 ゛に設けたプロジェ
クションの抵抗溶接によって固定する構造の半導体装置
ｒＣおいて、前記プロジェクションＶＣ５ｑ応するステ
ムあるｂはキャップ面にプロジェクションが入る接合＃
１か設けらｎるとともに、プロジェクションと接合溝底
で溶接で几、かつステムの下面およびキャップ周縁下面
は相互に全周に亘って接触するようにｍ成芒ｎてなるも
ので必り、籍に素子に一端に臨１ぜる元ファイバーがキ
ャップの中央に貫通固定さｎる元ファイバー付半導体装
首に適している。
こ素子紫配設する板状のステムと１．このステムの下面
側に菓子部分？封入するように取り付けら几るキャップ
と、ｒ有し、前記ステムとキャップとの固定はステムあ
るいはキャップの盾１定而 ゛に設けたプロジェ
クションの抵抗溶接によって固定する構造の半導体装置
ｒＣおいて、前記プロジェクションＶＣ５ｑ応するステ
ムあるｂはキャップ面にプロジェクションが入る接合＃
１か設けらｎるとともに、プロジェクションと接合溝底
で溶接で几、かつステムの下面およびキャップ周縁下面
は相互に全周に亘って接触するようにｍ成芒ｎてなるも
ので必り、籍に素子に一端に臨１ぜる元ファイバーがキ
ャップの中央に貫通固定さｎる元ファイバー付半導体装
首に適している。
均下、実施例により本発明會説明する。
詑２図は本発明の一笑施例による元ファイバー何重ＲＫ
Ｄ’ｉ示す断面図、第３図は同じく封止状態？示す分ｍ
ＩＩＴ面図でおる。
Ｄ’ｉ示す断面図、第３図は同じく封止状態？示す分ｍ
ＩＩＴ面図でおる。
この実施例のＩＲＥＤに、第３図に示すように、組立７
終了したステム１とキャップ７ｒ用意した債、このステ
ムｌとキャップ７のリングウェルドによる封止７行なっ
て、第２図に示す構造の元ファイバー何重ＲＥＤｉ製遺
する。表［！ｉｎ金めつき処理したコバールからなる板
状のステムｌの主囲中央ｓＶｃは配）蕨鳩？上面に形成
したサブマウント２を介して発光素子３か取り付けらｎ
でいる。そして、このサブマウント２のＰａｒ 足ｔ
１ｍ部とステムＩＫガラス４ヶ弁して連通状態で固定芒
ｎた２本のリード５の上端とは４線６ケブｒして接続で
ｎでいる。また、ステム１の下面の周縁部に沿って無端
状ＶＣ按合韓１６か配設芒ｎている。
終了したステム１とキャップ７ｒ用意した債、このステ
ムｌとキャップ７のリングウェルドによる封止７行なっ
て、第２図に示す構造の元ファイバー何重ＲＥＤｉ製遺
する。表［！ｉｎ金めつき処理したコバールからなる板
状のステムｌの主囲中央ｓＶｃは配）蕨鳩？上面に形成
したサブマウント２を介して発光素子３か取り付けらｎ
でいる。そして、このサブマウント２のＰａｒ 足ｔ
１ｍ部とステムＩＫガラス４ヶ弁して連通状態で固定芒
ｎた２本のリード５の上端とは４線６ケブｒして接続で
ｎでいる。また、ステム１の下面の周縁部に沿って無端
状ＶＣ按合韓１６か配設芒ｎている。
−方、ＭｉＪ ｉｊ已キャップ７は下部周縁にフランジ
９γ有下る帽子型構造となり、表面に金めつき処理７ｉ
Ｌ７’ｍコバールからなっている。そして、キャップ７
の中央上部にはアレミナ筒からなるガイド筒１０が嵌合
固定さｎている。丑た、このガイド筒１０のガイド１１
の内ＺＭ ｉｌｌの延長部分にはガイド孔１１と同軸と
なる挿入孔１２が設けらｎている。そして、こｎらガイ
ド孔１１および挿入孔１２には１本の元ファイバー１３
が挿入さＡＸ伸人孔１２に０１Ｌし込まｎた電制（装備
’）１ｔｒｖｃよって気密的に固定でｎでいる。また、
元ファイバー１３の内端は半球状の先球部１５ｉ形作っ
ている。さらに、ステムｌの接合ＩＪ１６の中ノｂ＃に
沿って５１Ｊ応する■手前面からなる突条であるプロジ
ェクション８がキャップ７のフランジ９の下面に設けら
ｎてｈる。このプロジェクション８はその＝ ｎ ａｉ
Ｊｄじ接合溝１６の幅よりも狭くなって粘るか、七の尚
さは接合ｍ１６の深さエフも艮〈なっていて、しかも、
その萌面槓は接合跡１６の即［面槓工９も小さくなり、
後述するキャップ封止時のプロジェクション８の溶接時
の浩解にあっても、浴融９勿か齋合屑１６から湿ｎ出な
いように配慮さ几ている。
９γ有下る帽子型構造となり、表面に金めつき処理７ｉ
Ｌ７’ｍコバールからなっている。そして、キャップ７
の中央上部にはアレミナ筒からなるガイド筒１０が嵌合
固定さｎている。丑た、このガイド筒１０のガイド１１
の内ＺＭ ｉｌｌの延長部分にはガイド孔１１と同軸と
なる挿入孔１２が設けらｎている。そして、こｎらガイ
ド孔１１および挿入孔１２には１本の元ファイバー１３
が挿入さＡＸ伸人孔１２に０１Ｌし込まｎた電制（装備
’）１ｔｒｖｃよって気密的に固定でｎでいる。また、
元ファイバー１３の内端は半球状の先球部１５ｉ形作っ
ている。さらに、ステムｌの接合ＩＪ１６の中ノｂ＃に
沿って５１Ｊ応する■手前面からなる突条であるプロジ
ェクション８がキャップ７のフランジ９の下面に設けら
ｎてｈる。このプロジェクション８はその＝ ｎ ａｉ
Ｊｄじ接合溝１６の幅よりも狭くなって粘るか、七の尚
さは接合ｍ１６の深さエフも艮〈なっていて、しかも、
その萌面槓は接合跡１６の即［面槓工９も小さくなり、
後述するキャップ封止時のプロジェクション８の溶接時
の浩解にあっても、浴融９勿か齋合屑１６から湿ｎ出な
いように配慮さ几ている。
そこで、キャップ封止時には、ステムｌ上にキャップ７
？重ねる。この際、発光素子３の真上に元ファイバー１
３の先球部１５を位置させる。すると、この状態では、
キャップ７のプロジェクション８はステム１の接合＄１
６の中心線上位置する。そこで、リングウェルドによっ
て、接合溝底とプロジェクション８とｔ溶接する。この
際、プロジェクション８に溶接時の熱によって溶けて潰
ｎるため、浴接時の加圧（この加圧は充分大きくしてお
く。）によってステムｌの主面とキャップ７のフランジ
９の下面は接合溝１６に沿う全周で相互に密層し、第２
図で示すような工ＲＰＤ’７製造下ることかできる。
？重ねる。この際、発光素子３の真上に元ファイバー１
３の先球部１５を位置させる。すると、この状態では、
キャップ７のプロジェクション８はステム１の接合＄１
６の中心線上位置する。そこで、リングウェルドによっ
て、接合溝底とプロジェクション８とｔ溶接する。この
際、プロジェクション８に溶接時の熱によって溶けて潰
ｎるため、浴接時の加圧（この加圧は充分大きくしてお
く。）によってステムｌの主面とキャップ７のフランジ
９の下面は接合溝１６に沿う全周で相互に密層し、第２
図で示すような工ＲＰＤ’７製造下ることかできる。
この工うな工ＲＥＤｖＣ工ｎば、ステム１の主面からの
元ファイバー１３の先球部１５の尚さは常に一定となる
ため、キャップ７に対する光ファイバー１３のＪ４ｙ、
何状態ケ一定に丁ｎば、常に発光素子３と先ｇｍ１５の
間隔は一定となり、設耐通ジの元取り込み効率（元ファ
イバー出力）を維持でさるようになる。
元ファイバー１３の先球部１５の尚さは常に一定となる
ため、キャップ７に対する光ファイバー１３のＪ４ｙ、
何状態ケ一定に丁ｎば、常に発光素子３と先ｇｍ１５の
間隔は一定となり、設耐通ジの元取り込み効率（元ファ
イバー出力）を維持でさるようになる。
なお、本発明は前記実施例に限定芒几ない。丁なわち、
プロジェクションはステム側に設けてもよい。また、元
通信用以外の他の半導体装置の場合ニハプロジエクショ
ンの潰れ量の大小は特性上影響？受けないことが多いか
、この場合にも本発明は適用することができる。
プロジェクションはステム側に設けてもよい。また、元
通信用以外の他の半導体装置の場合ニハプロジエクショ
ンの潰れ量の大小は特性上影響？受けないことが多いか
、この場合にも本発明は適用することができる。
以上のように、本発明に工几ば、元ファイバー出力が一
定となる半導体装ｆｉｌ−提供下ることかできる。
定となる半導体装ｆｉｌ−提供下ることかできる。
第１図は従来の元ファイバー付ＩＲＥＤの断面図、
第２図は本発明の一実施例による元ファイバー何重ＲＪ
ｌｉｉＤの断面図、 第３図は同じく組立状態ｒ示す分腑喀面図である。 ｌ・・・ステム、２・・・サブマウント、３・・・発光
素子、５・・・リード、７・・・キャップ、８・・・プ
ロジェクション、９・・・フランジ、１０・・・ガイド
筒、１３・・・元ファイバー、１４・・・Ｎｊ、材、１
５・・・先球部、１６・・・接合溝。 ４１
ｌｉｉＤの断面図、 第３図は同じく組立状態ｒ示す分腑喀面図である。 ｌ・・・ステム、２・・・サブマウント、３・・・発光
素子、５・・・リード、７・・・キャップ、８・・・プ
ロジェクション、９・・・フランジ、１０・・・ガイド
筒、１３・・・元ファイバー、１４・・・Ｎｊ、材、１
５・・・先球部、１６・・・接合溝。 ４１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、主面中央に集子會配設する板状のステムと、このス
テムの下面側に素子部分を封入する工うに取り付けらｎ
るキャップと、ｋ；ｆ＃ Ｌ、ＭＵｉｌ己ステムとキャ
ップとの固定はステムあるいはキャップの固定面に設け
たプロジェクションの抵抗溶接に裏って固定下る慣造の
半導体装置において、前記プロジェクションに対応する
ステムあるいはキャップ面にプロジェクションが入る接
合溝が設けらｎるとともに、プロジェクションと接合溝
底で溶接さｎｌかつステムの下面お工ひキャップ周縁下
面は相互に全周に亘って接触する工うに購戟さｎてなる
半導体装置。 ２、 ｑｉｌ配キャップの中火［は下端かステム中央
の素子ＶＣ臨む元ファイバーがＪｌ１通状態でかつ気密
的に１ｍｌ短さ几ていることｒ％徴とする特許請求の範
１２１！１第１項記載の元ファイバー何半導体装慟゛。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118575A JPS5910289A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118575A JPS5910289A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910289A true JPS5910289A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14739982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118575A Pending JPS5910289A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910289A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59101882A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-12 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPS60160185A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Anritsu Corp | 差動形熱電対素子 |
| US4814187A (en) * | 1987-01-13 | 1989-03-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structural body-extruding die apparatus |
| JPH0511463U (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-12 | 株式会社島津製作所 | 発光ダイオード |
| WO1998010319A1 (de) * | 1996-09-02 | 1998-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches sende- und/oder empfangsmodul und verfahren zu dessen herstellung |
| CN104765107A (zh) * | 2014-01-02 | 2015-07-08 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光电转换模块 |
| CN105911653A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-08-31 | 中国电子科技集团公司第八研究所 | 一种工业级有源光器件制作方法 |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP57118575A patent/JPS5910289A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59101882A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-12 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPS60160185A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Anritsu Corp | 差動形熱電対素子 |
| US4814187A (en) * | 1987-01-13 | 1989-03-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structural body-extruding die apparatus |
| JPH0511463U (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-12 | 株式会社島津製作所 | 発光ダイオード |
| WO1998010319A1 (de) * | 1996-09-02 | 1998-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches sende- und/oder empfangsmodul und verfahren zu dessen herstellung |
| CN104765107A (zh) * | 2014-01-02 | 2015-07-08 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光电转换模块 |
| CN105911653A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-08-31 | 中国电子科技集团公司第八研究所 | 一种工业级有源光器件制作方法 |
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