JPH0564768B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0564768B2 JPH0564768B2 JP14170385A JP14170385A JPH0564768B2 JP H0564768 B2 JPH0564768 B2 JP H0564768B2 JP 14170385 A JP14170385 A JP 14170385A JP 14170385 A JP14170385 A JP 14170385A JP H0564768 B2 JPH0564768 B2 JP H0564768B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical fiber
- face
- laser device
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ内蔵型光フアイバ装置に
関する。
関する。
従来、光フアイバ付モジユールを製造する時
に、光フアイバと半導体レーザとの結合は、第２
図ａに示すようにレンズ１２を中間におく方法
や、第２図ｂに示すよう光フアイバ１６の先端１
７を先球にして結合する方法等がある。尚第２図
において １は光フアイバコア、２は光フアイバクラツ
ド、３は光フアイバ保護層、５は半導体レーザ、
６は放熱器、１２は球レンズ、１３は球レンズホ
ルダ、１４は保持台、１５はソルダである。
に、光フアイバと半導体レーザとの結合は、第２
図ａに示すようにレンズ１２を中間におく方法
や、第２図ｂに示すよう光フアイバ１６の先端１
７を先球にして結合する方法等がある。尚第２図
において １は光フアイバコア、２は光フアイバクラツ
ド、３は光フアイバ保護層、５は半導体レーザ、
６は放熱器、１２は球レンズ、１３は球レンズホ
ルダ、１４は保持台、１５はソルダである。
上述した従来の結合方式は中間にレンズを使用
したり、先球フアイバを使用するため、各素子が
一体化されていないので、光フアイバ付モジユー
ルを製造する時に調整が非常に困難であり、且
つ、環境温度の変化に対して、光フアイバと半導
体レーザとの結合の安定性が保たれないという欠
点がある。
したり、先球フアイバを使用するため、各素子が
一体化されていないので、光フアイバ付モジユー
ルを製造する時に調整が非常に困難であり、且
つ、環境温度の変化に対して、光フアイバと半導
体レーザとの結合の安定性が保たれないという欠
点がある。
本発明の光フアイバ装置は、光フアイバ端部を
筒状にし、この筒状部分内に半導体レーザを収納
し、光フアイバのコア端面と半導体レーザの発光
端面とを向い合せ、コア端面と発光端面とを近接
配置した構成になつている。
筒状にし、この筒状部分内に半導体レーザを収納
し、光フアイバのコア端面と半導体レーザの発光
端面とを向い合せ、コア端面と発光端面とを近接
配置した構成になつている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例の一部断面側
面図と、そのＡ−A′部の断面図、第１図ｃは半
導体レーザ装置の斜視図である。
面図と、そのＡ−A′部の断面図、第１図ｃは半
導体レーザ装置の斜視図である。
光フアイバ１６の端部のコア１及びクラツド２
を取り除き、光フアイバの外被である保護層３の
端面よりも内側にコア端面を位置せしてめ光フア
イバ端に空洞を形成する。この空洞の断面形状は
第１図ｃに示すように、矩形で、両側壁にはそれ
ぞれ突起が２つづつ形成されている。この突起
は、１つは後ほど説明する半導体レーザ装置のガ
イド用であり、もう１つは半球体レーザ装置固定
用である。突起の形状は任意である。半導体レー
ザ装置に形成した溝８、及び段差（穴）９に嵌合
する形状であればよい。例えば、半円形状、矩形
状、半休状、ガイド用はレール状等種々の形状が
利用できる。
を取り除き、光フアイバの外被である保護層３の
端面よりも内側にコア端面を位置せしてめ光フア
イバ端に空洞を形成する。この空洞の断面形状は
第１図ｃに示すように、矩形で、両側壁にはそれ
ぞれ突起が２つづつ形成されている。この突起
は、１つは後ほど説明する半導体レーザ装置のガ
イド用であり、もう１つは半球体レーザ装置固定
用である。突起の形状は任意である。半導体レー
ザ装置に形成した溝８、及び段差（穴）９に嵌合
する形状であればよい。例えば、半円形状、矩形
状、半休状、ガイド用はレール状等種々の形状が
利用できる。
半導体レーザ装置は、第１図ｃに示すように、
半導体レーザ５と、この半導体レーザを載置・固
定する放熱器６とから成つている。この放熱器
は、第１図ｃに示す形状で、光フアイバ内の突起
に嵌合する段差（穴）９及び溝８を備え、上部に
は高抵抗層８を介してメタライズ部７が載置・固
定されている。放熱器６の端部に接着された半導
体レーザ５はボンデイング線１１によりメタライ
ズ部７と電気的に接続されている。
半導体レーザ５と、この半導体レーザを載置・固
定する放熱器６とから成つている。この放熱器
は、第１図ｃに示す形状で、光フアイバ内の突起
に嵌合する段差（穴）９及び溝８を備え、上部に
は高抵抗層８を介してメタライズ部７が載置・固
定されている。放熱器６の端部に接着された半導
体レーザ５はボンデイング線１１によりメタライ
ズ部７と電気的に接続されている。
第１図ｃに示した半導体レーザ装置を第１図ａ
に示すように光フアイバ端部の空洞内に挿入す
る。この時、空洞側壁に設けた突起が溝８に嵌合
し、半導体レーザ装置はこの突起に案内されて光
フアイバ内に進入する。半導体レーザ装置が光フ
アイバ内に充分進入し、半導体レーザ５の発光端
面がコア端面に近接又は接触すると、もう１つの
突起が半導体レーザ装置の段差９に嵌合する。こ
の時点で半導体レーザ装置の進入は止まり、段差
９に嵌合した突起により、半導体レーザ装置は左
右から押えられ、自動的に位置決めされて固定す
る。この状態で、内径が光フアイバの外径とほぼ
等しい環状の固定部材４を、半導体レーザ装置が
挿入された光フアイバ端部に嵌合し、半導体レー
ザ装置の固定をさらに確実なものにし、光フアイ
バ装置が完成する。
に示すように光フアイバ端部の空洞内に挿入す
る。この時、空洞側壁に設けた突起が溝８に嵌合
し、半導体レーザ装置はこの突起に案内されて光
フアイバ内に進入する。半導体レーザ装置が光フ
アイバ内に充分進入し、半導体レーザ５の発光端
面がコア端面に近接又は接触すると、もう１つの
突起が半導体レーザ装置の段差９に嵌合する。こ
の時点で半導体レーザ装置の進入は止まり、段差
９に嵌合した突起により、半導体レーザ装置は左
右から押えられ、自動的に位置決めされて固定す
る。この状態で、内径が光フアイバの外径とほぼ
等しい環状の固定部材４を、半導体レーザ装置が
挿入された光フアイバ端部に嵌合し、半導体レー
ザ装置の固定をさらに確実なものにし、光フアイ
バ装置が完成する。
本発明は、以上説明したように、光フアイバと
半導体レーザとの調整の困難と実使用時において
の環境温度の変化に対して結合部の不安定性を解
消させる効果がある。
半導体レーザとの調整の困難と実使用時において
の環境温度の変化に対して結合部の不安定性を解
消させる効果がある。
第１図ａ，ｂ，ｃは、本発明の一実施例の一部
断面側面図、そのＡ−A′断面図、半導体レーザ
本体の断面図、第２図ａ及びｂは従来のものの断
面図である。 １……光フアイバコア、２……光フアイバクラ
ツド、３……光フアイバ保護層、４……光フアイ
バと半導体レーザの固定部、５……半導体レー
ザ、６……放熱器、７……メタライズ部、８……
半導体レーザ装置の特定部分に設定した溝、９…
…半導体レーザ装置の特定部分に設定した段差、
１０……半導体レーザのアノードとカソードを分
離する高抵抗層、１１……ボンデイング線、１２
……球レンズ、１３……球レンズホルダー、１４
……保持台、１５……ソルダー、１６……光フア
イバ。
断面側面図、そのＡ−A′断面図、半導体レーザ
本体の断面図、第２図ａ及びｂは従来のものの断
面図である。 １……光フアイバコア、２……光フアイバクラ
ツド、３……光フアイバ保護層、４……光フアイ
バと半導体レーザの固定部、５……半導体レー
ザ、６……放熱器、７……メタライズ部、８……
半導体レーザ装置の特定部分に設定した溝、９…
…半導体レーザ装置の特定部分に設定した段差、
１０……半導体レーザのアノードとカソードを分
離する高抵抗層、１１……ボンデイング線、１２
……球レンズ、１３……球レンズホルダー、１４
……保持台、１５……ソルダー、１６……光フア
イバ。
Claims (1)
- １ 光フアイバの保護層を光フアイバの端面から
延長して空洞を形成し、半導体レーザを有する放
熱器を前記空洞内に入れて光フアイバのコア端面
と前記半導体レーザの発光端面とを向い合せると
ともに、前記放熱器の側面と前記保護層の内面と
の対向面が互いに嵌合する凹凸部を有して相互に
位置決め固定されて前記コア端面と発光端面とが
近接配置されていることを特徴とする半導体レー
ザ内蔵型光フアイバ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14170385A JPS623211A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体レ−ザ内蔵型光フアイバ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14170385A JPS623211A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体レ−ザ内蔵型光フアイバ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS623211A JPS623211A (ja) | 1987-01-09 |
| JPH0564768B2 true JPH0564768B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=15298234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14170385A Granted JPS623211A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体レ−ザ内蔵型光フアイバ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS623211A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4818056A (en) * | 1987-03-02 | 1989-04-04 | Tektronix, Inc. | Optical connector with direct mounted photo diode |
| JPH10300987A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Fujitsu Ltd | 光ファイバアセンブリ、その製造方法、及び光ファイバアセンブリを用いたレセプタクル型光モジュール |
| DE10064959C2 (de) | 2000-12-20 | 2003-01-02 | Infineon Technologies Ag | Koppelvorrichtung zum Anschluß eines Lichtwellenleiters an eine optische Sende- oder Empfangseinheit |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14170385A patent/JPS623211A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS623211A (ja) | 1987-01-09 |
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Legal Events
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