JPS623211A - 半導体レ−ザ内蔵型光フアイバ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザ内蔵型光フアイバ装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、光ファイバ付モジュールヲ製造する時に、光ファ
イバと半導体レーザとの結合は、第２図（ａ）に示すよ
うレンズ１２を中間におく方法や、第２図（ｂ）に示す
よう光ファイバ１６の先端１７を先球にして結合する方
法等がある。尚第２図においてｌは犬７アイバコア、２
は元ファイバクラッド、３は光フアイバ保護層、５は半
導体レーザ、６は放熱器、１２は球レンズ、１３Ｈ球レ
ンズホルダ、１４は保持台、１５はソルダでるる。　　
　　　　　　　　　碑〔発明が解決しようとする問題点
〕　　　　　　　　　　　　　□上述した従来の結合方
式は中間にレンズを使用したり、先球ファイバを使用す
るため、各素子が一体化されていないので、元ファイバ
付モジエールを製造する時に調整が非常に困難でめシ、
且つ、環境混成の変化に対して、光ファイバと半導体し
　　　　　　５゜−ザとの結合の安定性が保たれないと
いう次点が　　　　　　。

るる。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　′Ｚ〔問題点を解決するための手段〕 本発明によると光７了イバに半導体レーザな内　　　　
　　１、蔵し光ファイバと半導体レーザを直接結合する
こ　　　　　　・□と’ｔ％徴とする半導体レーザ内蔵
型光ファイバ装　　　　　　、置が得らｎる。　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　゛・〔実施例
〕　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・□＊ｖｃ、＊肪、つい、□、６７、アあ。　　　°“
］； 第１図（ａ）（ｂｌは本発明の一実施例の一部断面側面
図とそのＡ−Ａ’部の断面図、第１図（Ｃ）は半導体レ
ーザ本体部の斜視図である。１は光ファイバのコア、２
は元ファイバのクラッド、３は光フアイバ保護層、４は
光ファイバと半導体レーザの固定部、５は半導体レーザ
、６に放熱器、７はメタライズ部％８は半導体レーザ装
置の％足部分に設定した溝、９は半導体レーザ装置の特
定部分に設定し九段差、１０は半導体レーザのアノード
とカソードを分離する高抵抗層、１１はボンティング線
を示す。

そして％足の断面形状を有する光ファイバ１６を半導体
レーザ装置の特定部分に設定した溝８に誘導し、且つ特
定の部分に段差９を作り、左右等から押えることによっ
て直接固定することができるようになっている。

〔発明の効果〕

本発明は、以上説明したように、光ファイバと半導体レ
ーザとの調整の困難と実使用時においての環境温度の変
化に対しての結合部の不安定性を解消させる効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａＨｂｌ（ｃｌＵ、本発明の一実施例の一部断
面側面図、そのＡ−Ａ’断面図、半導体レーザ本体の断
面図、第２図（ａ）及び（ｂ）ｆｌ従来のものの断面図
である。 ｌ・・・・・・元ファイバコア、２・・・・・・光フア
イバクラッド、３・・・・・・光フアイバ保護層、４・
・・・・・光ファイバと半導体レーザの固定部、５・・
・・・・半導体レーザ、６・・・・・・放熱器、７・・
・・・・メタライズ部、８・・・・・・半導体レーザ装
置の特定部分に設定した溝、９・・・・・・半導体レー
ザ装置の特定部分に設定した段差、１０・・・・・・半
導体レーザのアノードとカソードを分離する高抵抗層、
１１・・・・・・ボンディング線、１２・・・・・・球
レンズ、１３・・・・・・球レンズホルダー、１４・山
・・保持台、１５・・・・・・ソルダー、１６・・・・
・・光ファイバ。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋１．′Ｌ（α） 竿　／ｌ！１ （ａ） Ｃｂ） 第　２　回

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光ファイバに半導体レーザを内蔵し光ファイバと半導体
   レーザを直接結合することを特徴とする半導体レーザ内
   蔵型光ファイバ装置。