JPS5910227A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5910227A JPS5910227A JP11930982A JP11930982A JPS5910227A JP S5910227 A JPS5910227 A JP S5910227A JP 11930982 A JP11930982 A JP 11930982A JP 11930982 A JP11930982 A JP 11930982A JP S5910227 A JPS5910227 A JP S5910227A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の目ピ線構造に関するものである
。
。
従来、半導体装置の電極配線の材料としては、主にアル
ミニウムが使用されているが、その他、白金、金、等も
目的に応じて使用される。アルミニウムは、神々の酸に
溶けるので、従来は、湿式エツチングによる配線形成が
盛んに行なわれてきた。父、電通では、プラズマエツチ
ング等のドライエツチングにより比較的谷８に加工され
るようになった。一方、白金や金は安定で、はとんどの
無機薬品に耐え、王水のような特殊な強酸でなければエ
ツチングされない。
ミニウムが使用されているが、その他、白金、金、等も
目的に応じて使用される。アルミニウムは、神々の酸に
溶けるので、従来は、湿式エツチングによる配線形成が
盛んに行なわれてきた。父、電通では、プラズマエツチ
ング等のドライエツチングにより比較的谷８に加工され
るようになった。一方、白金や金は安定で、はとんどの
無機薬品に耐え、王水のような特殊な強酸でなければエ
ツチングされない。
これらの金属の配ａは、通常、フォトレジスト被膜を保
循膜にして、エツチングして形成されるが、フォトレジ
ストは上記王水には耐えられず侵されるので半導体装置
に要求される正確な配線パターンを得ることが困難であ
った。
循膜にして、エツチングして形成されるが、フォトレジ
ストは上記王水には耐えられず侵されるので半導体装置
に要求される正確な配線パターンを得ることが困難であ
った。
これに対して不活性ガスを使用するスパッタエツチング
では、Ａｒイオン等を加速して被エツチング物に衝突さ
せてエツチングする方法であり、この方法では、白金や
金のエツチング速Ｋが速く、均一性、再現性も良く実用
的である。しかしながら、このスパッタエツチングにお
いて、金属配線を形成する半導体基板上に０５μ以上の
比較的大きな段差があったり、また、段差は小さくても
段部にひさし状のオーバーハングが存在すると、該段部
に市ってエツチング残清か生じ、配線間がショートする
という間魂があり、実用化に困難であった。
では、Ａｒイオン等を加速して被エツチング物に衝突さ
せてエツチングする方法であり、この方法では、白金や
金のエツチング速Ｋが速く、均一性、再現性も良く実用
的である。しかしながら、このスパッタエツチングにお
いて、金属配線を形成する半導体基板上に０５μ以上の
比較的大きな段差があったり、また、段差は小さくても
段部にひさし状のオーバーハングが存在すると、該段部
に市ってエツチング残清か生じ、配線間がショートする
という間魂があり、実用化に困難であった。
これに対して、エツチングが困難な白金や金の配線パタ
ーンの形成方法として、いわゆるリフト・オフ法が検討
されている。リフト・オフ法を用いて、配線形成を行な
った一一例を第１図〜第９図に示す。
ーンの形成方法として、いわゆるリフト・オフ法が検討
されている。リフト・オフ法を用いて、配線形成を行な
った一一例を第１図〜第９図に示す。
まず、’君１図に示すように、半導体基板ｌ上に絶縁膜
２を形成し、ざらに、スペーサー（例えばアルミニウム
等）３を被着する。
２を形成し、ざらに、スペーサー（例えばアルミニウム
等）３を被着する。
次に、第２図に示すように７オトレジストのパターン４
を形５ｙシた後、下地のスペーサー３をエツチングする
と＄３図の様になる。この状態で、例えばチタン５、白
金６を連続的に真空蒸着または、スパッタにより被着す
ると第４図の如くなる。
を形５ｙシた後、下地のスペーサー３をエツチングする
と＄３図の様になる。この状態で、例えばチタン５、白
金６を連続的に真空蒸着または、スパッタにより被着す
ると第４図の如くなる。
次に、フォトレジスト４を適当な溶剤で除去すると、第
５図に示すように、フォトレジスト４上の不要なチタン
、白金が同時に除去（リフト・オフ）されて、チタン５
Ｉ白金６１の二層パターンが得られる。スペーサー３１
はチタン、白金のリフト・オフを容易にするためと、第
７図で示すように金メッキのための電流供給という二つ
の目的のために使用される。
５図に示すように、フォトレジスト４上の不要なチタン
、白金が同時に除去（リフト・オフ）されて、チタン５
Ｉ白金６１の二層パターンが得られる。スペーサー３１
はチタン、白金のリフト・オフを容易にするためと、第
７図で示すように金メッキのための電流供給という二つ
の目的のために使用される。
ここで、得られたチタン、白金の二ノーパターンの端部
には、第５図の８に示すように突起が形成されている。
には、第５図の８に示すように突起が形成されている。
これは、第４図に示すように、チタン、白金を真壁蒸着
法や、スパッタ法により被着する場合、スペーサー３の
側面にも付着するためであり、スペーサーである、アル
ミニウムと接触していることがわかる。次に、第６図に
示すように、メッキの保護膜として、フォトレジストパ
ターン４′ 、を形成した後、金メッキを行なうと、第
７図に示すように、白金６上に金７のパターンが積層さ
れる。
法や、スパッタ法により被着する場合、スペーサー３の
側面にも付着するためであり、スペーサーである、アル
ミニウムと接触していることがわかる。次に、第６図に
示すように、メッキの保護膜として、フォトレジストパ
ターン４′ 、を形成した後、金メッキを行なうと、第
７図に示すように、白金６上に金７のパターンが積層さ
れる。
ここで、各白金のパターンはスペーサーのアルミニウム
と前述したようにパターン端部の突起８により接続され
ているので均一なメッキが行なわれる。この後、フォト
レジスト４′を除去すると、第８図に示すようになる。
と前述したようにパターン端部の突起８により接続され
ているので均一なメッキが行なわれる。この後、フォト
レジスト４′を除去すると、第８図に示すようになる。
最後に不要となったスペーサー３をエツチング除去する
と、第９図の通りとなり、配線形成は終了するが、さら
にこの後、檀々の後処理、熱処理を経て児了となる。こ
こで、第５図で示Ｌ７たチタン、白金のパターン端部の
突起８は露出しており、しかも、図かられかるように！
悦しやすい形状となっているのでこの後のスクラブ、有
機洗浄等の後処理工程でパターン端部の突起８が離脱し
、配線間ショートの原因となり半導体装置の信頼性を低
下させる大きな原因の一つとなっていた。第１０図はパ
ターン端部の不要部分８が離脱シフ、隣接する配腓とシ
ョートしている状態を示す平面図である。
と、第９図の通りとなり、配線形成は終了するが、さら
にこの後、檀々の後処理、熱処理を経て児了となる。こ
こで、第５図で示Ｌ７たチタン、白金のパターン端部の
突起８は露出しており、しかも、図かられかるように！
悦しやすい形状となっているのでこの後のスクラブ、有
機洗浄等の後処理工程でパターン端部の突起８が離脱し
、配線間ショートの原因となり半導体装置の信頼性を低
下させる大きな原因の一つとなっていた。第１０図はパ
ターン端部の不要部分８が離脱シフ、隣接する配腓とシ
ョートしている状態を示す平面図である。
本発明の目的は前述したような従来の欠点を除いた配ａ
構造を具備する、信頼性の良い半導体装置を提供するこ
とにある。
構造を具備する、信頼性の良い半導体装置を提供するこ
とにある。
すなわち、本発明は菓子が形成された半導体基板上に、
リフト・オフ法にて金属配線を形成し７、該金属配線上
に、さらに、同種、または異種の金属を積層して成る金
属多重膜配線において、積層される金属が前記リフト・
オフ法により形成された金属配線の表面を完全に被うよ
うに被着されていることを特徴とする半導体装置に関す
るものである。
リフト・オフ法にて金属配線を形成し７、該金属配線上
に、さらに、同種、または異種の金属を積層して成る金
属多重膜配線において、積層される金属が前記リフト・
オフ法により形成された金属配線の表面を完全に被うよ
うに被着されていることを特徴とする半導体装置に関す
るものである。
以下に本発明の実施例を図を追って説明する。
リフト・オフ法によりチタン、白金のパターンを形成す
る筐で（すなわち、第１図〜Ｍ５図）Ｆｉ、従来と同様
の工程を経る。次に第１１図に示すように金メッキの保
護膜として、フォトレジストパターン４′を形成する。
る筐で（すなわち、第１図〜Ｍ５図）Ｆｉ、従来と同様
の工程を経る。次に第１１図に示すように金メッキの保
護膜として、フォトレジストパターン４′を形成する。
ここで、前記フォトレジストパターン４′は、リフト・
オフのスペーサー３の上に形成する。すなわち、チタン
、白金のパターン端部８が金メツキ前に露出し、従って
、金メッキされて金で被われるように、フォトレジスト
パターン４′を形成する。金メッキが終了すると、第１
２図に示すように、チタン、白金のパターンが完全に金
７で被われた状態になる。次に、フォトレジストパター
ン４′を適材の方法で除去すると、第１３図に示すよう
になり、最後に不要となったスペーサー３をエツチング
除去すると第１４図に示す通りとなり金属配線の形成は
終了する。
オフのスペーサー３の上に形成する。すなわち、チタン
、白金のパターン端部８が金メツキ前に露出し、従って
、金メッキされて金で被われるように、フォトレジスト
パターン４′を形成する。金メッキが終了すると、第１
２図に示すように、チタン、白金のパターンが完全に金
７で被われた状態になる。次に、フォトレジストパター
ン４′を適材の方法で除去すると、第１３図に示すよう
になり、最後に不要となったスペーサー３をエツチング
除去すると第１４図に示す通りとなり金属配線の形成は
終了する。
第１４図かられかる二うに、本発明の実施レリでは前述
したチタン、白金のパターン端部は金で被われているの
で、配線形成後の後処理（例えば、スクラブ、有機洗浄
等の）工程で、パターン端部の突起８が離脱し、隣接す
る配線とショートすることはなく、半導体装置の信頼性
は著しく向上することがわかる。
したチタン、白金のパターン端部は金で被われているの
で、配線形成後の後処理（例えば、スクラブ、有機洗浄
等の）工程で、パターン端部の突起８が離脱し、隣接す
る配線とショートすることはなく、半導体装置の信頼性
は著しく向上することがわかる。
本発明の実施例では、エツチングされにくい金層として
、チタン、白金を用い、これをリフト・オフし、メッキ
により金を積層する例を述べたがリフト・オフする金属
は、その他アルミニウム、タングステン、銅、シリコン
、等または、その組合せ等、通常、半導体装置の配線形
成に使用される金層であれば、いずれでも適用でき、ま
た積層する方法は本発明の実施例のように金メツキ法で
なくても通常の真空蒸着、エツチングの組合せで
、チタン、白金を用い、これをリフト・オフし、メッキ
により金を積層する例を述べたがリフト・オフする金属
は、その他アルミニウム、タングステン、銅、シリコン
、等または、その組合せ等、通常、半導体装置の配線形
成に使用される金層であれば、いずれでも適用でき、ま
た積層する方法は本発明の実施例のように金メツキ法で
なくても通常の真空蒸着、エツチングの組合せで
第１図乃至第９図は従来の配線形成工程を示す断面図で
あり、第１Ｏ図は従来の配線を示す千面図である。第１
１図乃至第１４図は本発明の実施例を製造工程順に示し
た断面図である。 図中の記号は、１・・・・・・シリコン基板、２・・・
・・・絶ｉ［，３・・・・・・スペーサー、４．４’・
・・・・・フォトレジストパターン、５・・・・・・チ
タン、６・・・・・・白金、７・・・・・・金、８・・
・・・・パターン端部の突起、である。 第３区 １ ′／ 第１１区 第１３図 １３０
あり、第１Ｏ図は従来の配線を示す千面図である。第１
１図乃至第１４図は本発明の実施例を製造工程順に示し
た断面図である。 図中の記号は、１・・・・・・シリコン基板、２・・・
・・・絶ｉ［，３・・・・・・スペーサー、４．４’・
・・・・・フォトレジストパターン、５・・・・・・チ
タン、６・・・・・・白金、７・・・・・・金、８・・
・・・・パターン端部の突起、である。 第３区 １ ′／ 第１１区 第１３図 １３０
Claims (1)
- 素子が形成された半導体基板上にリフト・オフ法にて金
属配線を形成し、該金属配線上にさらに金属層を４＊増
して成る多重金属膜配硼において、！Ｒ層される金属が
、前記リフトオフ法により形成された金属配線の実質的
に全ての表面を被うことを％−徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11930982A JPS5910227A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11930982A JPS5910227A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910227A true JPS5910227A (ja) | 1984-01-19 |
| JPH0141016B2 JPH0141016B2 (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=14758235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11930982A Granted JPS5910227A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236661A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | 株式会社クラレ | 人工腎臓透析装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713740A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Fujitsu Ltd | Forming method for conductor pattern |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP11930982A patent/JPS5910227A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713740A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Fujitsu Ltd | Forming method for conductor pattern |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236661A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | 株式会社クラレ | 人工腎臓透析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0141016B2 (ja) | 1989-09-01 |
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