JPS5898138A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents

減圧ｃｖｄ装置

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JPS5898138A
JPS5898138A JP19659781A JP19659781A JPS5898138A JP S5898138 A JPS5898138 A JP S5898138A JP 19659781 A JP19659781 A JP 19659781A JP 19659781 A JP19659781 A JP 19659781A JP S5898138 A JPS5898138 A JP S5898138A
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solenoid valve
gas
valve
pressure
reactor
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JP19659781A
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JPS6140304B2 (ja
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Tetsuo Kawai
哲郎 川井
Haruhiko Honda
本田　晴彦
Hirohide Yamada
山田　宏秀
Hisao Hara
久雄 原
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Proterial Ltd
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Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は減圧ＣＶＤ装置に関し反応ガスの供給方式を改
良することにより反応ガスを間歇的に反応炉へ導入する
際、反応ガス流量を一定に保ち再現性の良好な被膜を得
ることを特徴とする。
ここ数年来ＣＶＤ中に原料ガスの供給速度等を意図的に
断続的かつ周期的に変化させる試みがなされており間歇
ＣＶＤと呼ばれている。特に準安定状態の物質を合成す
る際妬はこの間歇ＣＶ１．）が有効であるとされている
。
反応性ガスやキャリヤーガスを間歇導入してＣＶＤを行
なう際にはそれぞれのガス導入期ｊ１」１及び流量又は
排気の期間等のコントロールが皮膜の特性に大きな影響
を及ぼすことが知られている。
従来このガスの間　導入は手動又は簡単なｌイマーでバ
ルブを開閉することによって行なわれ、導入期間及び排
気の期間の秒単位の厳密なコントロールは行なわれてい
なかった。又バルブの開閉によりガスの圧力が変化し間
歇導入の際にガス流量が変化するが流量を一定にするた
めの特別な工夫もなされていなかった。
このたぬに間歇ＣＶＤは特徴ある皮膜を得ろことはでき
るが再現性に乏しく広く実用化されるには至っていない
。
本発明は極ｙ）て再現性の良い皮膜を得る目的でガス導
入期間及び排気の期間の秒単位の厳密なコントロール及
びガス導入門を一定に保つガス導入系を有した減圧ＣＶ
Ｄ装置に関する。
本発明は複数のガスを間歇に反応炉へ導入するガス導入
系を有する減圧ＣＶＤ装置において各ガスの導入系がニ
ードルバルブにて圧力調整を行なった後、反応炉と直接
排気系とへの双方へそれぞれ電磁バルブを経て接続され
ており、かつガスを間歇に反応炉へ導入する際、反応ガ
スの流量が変化しないようにそれぞれの電磁バルブをパ
ルス制御信号により秒単位の精度で開閉することができ
る制御回路を有する減圧ＣＶＤ装置であり、極めて再現
性の良い特徴ある皮膜を得ることができる。
本発明の実施の一例を別紙図面に基づき説明する。
図面で■は反応炉を示し、反応炉内はポンプにより排気
され減圧雰囲気に保たれている。■は排気系である。■
はニードルバルブで反応炉内へ供給する反応性ガスやキ
ャリヤガス量の調整を行なう。■は反応ガス導入経路で
あり図示しない反応ガスボンベやキャリアガスボンベ、
流量計等に接続してありほぼ１気圧に保たれている。■
は電磁バルブであり■の制御回路により反応炉へ間歇に
ガスを導入する。
従来ガスを間歇に流す場合、単に反応炉への電磁バルブ
を閉じしかる後に設定期間が経つと反応炉への電磁バル
ブを開は減圧された反応炉へガスを流すことを繰り返し
ていた。この方法では電磁バルブを閉じるとニードルバ
ルブと電磁バルブ間のガスの圧力が時間が経つにつれて
上昇し、最高圧力として反応ガス導入経路の圧力（はぼ
１気圧）才で昇る。しかる後に電磁バルブを開くと瞬間
的に減圧＝ｍ気の反応炉内へ高い圧力のガスが流れ、再
現性のある皮膜なイｕることが難かしかった。
本発明では反応炉への電磁バルブが閉じると直接排気糸
通じる′電磁バルブが開き、ニードルバルブと電磁バル
ブ間が減圧になる。次に反応炉へガスを流す時には直接
排気系へ通じるバルブが閉じ、ニードルバルブと電磁バ
ルブ間の圧力がある設定圧力になるようあらかじめ決め
た期間の後圧反応炉への電磁バルブが、開くように制御
回路で電磁バルブを動作させている。又この制御回路は
水晶振動子を使用してクロック用として１秒のパルスを
、６　。
発生させ、このパルスによりサムロータリースイッチに
より指定した期間及び繰り返し回数だけ電磁バルブの開
閉が動作するパルス回路で構成されており秒単位の電磁
バルブの開閉が可能である。
以上２つの特徴により本装置は極めて再現性の良い皮膜
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明装置の一例の構成図である。 ■：反応炉、■：排気系、■コニ−ドルバルブ、■：ガ
ス導入経路、■：電磁バルブ、■：制御回路、■：電磁
弁 、　４　。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のガスを間歇的に反応炉へ導入するガス導入系を有
    する減圧ＣＶＤ装置において、各ガスの導入系がニード
    ルバルブにて圧力調整を行なった後反応炉と直接排気系
    との双方へそれぞれ電磁バルブを経て接続される如く構
    成されており、かつガスを間歇的に反応炉へ導入する際
    、反応ガスの流量が変化しないようにそれぞれの電磁バ
    ルブをパルス制御信号により開閉することができる制御
    回路を有することを特徴とする減圧ＣｖＤ装置。
JP19659781A 1981-12-07 1981-12-07 減圧ｃｖｄ装置 Granted JPS5898138A (ja)

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JPS6140304B2 JPS6140304B2 (ja) 1986-09-08

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JPS6140304B2 (ja) 1986-09-08

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