JPS5897887A - 埋め込み構造半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込み構造半導体レ−ザInfo
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- JPS5897887A JPS5897887A JP19649481A JP19649481A JPS5897887A JP S5897887 A JPS5897887 A JP S5897887A JP 19649481 A JP19649481 A JP 19649481A JP 19649481 A JP19649481 A JP 19649481A JP S5897887 A JPS5897887 A JP S5897887A
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- JP
- Japan
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- layer
- striped
- current
- semiconductor laser
- buried structure
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、埋め込み構造半導体レーザ、特にストライプ
状突起を有する基板音用いた埋め込み構造牛導体レーザ
に関する。
状突起を有する基板音用いた埋め込み構造牛導体レーザ
に関する。
従来、ストライプ状突起を有する基板を用いた埋め込み
構造半導体レーザとしてメサ・サブストレート埋込ヘテ
四構造レーザ（Ｍｅｇａ ５ｕｂｓｔｒ−ａｔｅ Ｂｕ
ｒｌｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｖｒｅ、 略し
てＭＳＢ レーザ）が知られている（例えば岸野、末
松、板屋Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔ、ｖｏｌ、
１５．Ｎｎ４゜ｐ１３４）。第１図に層構造を示す。こ
の層構造は、ストライプ状突起１を有するｎ・ＩｎＰか
らなる基板２上にバッファ一層（ｎ−ＩｎＰ）３．活性
層（ＩｎＧａＡｓＰ）４ａ及び４ｂ、 クラッド層（
ｐ−ＩｎＰ）５が形成された構造となっている。活性層
は、誕相成長法を用いて形成すると、ストライプ状突起
１の側面において途切れて成長する。したがって〜スト
ライプ状突起１の上部の活性層４ａがバッファ一層３お
よびクラッド層５とで囲まれた埋め込み構造が実現され
ていた。この様にして出来たクエハーの上面［５ｉ０２
膜６によりてストライプ状突起１の上部のみに電流注入
領域を限定されたｐ電極７を形成し、ウェハー下面にｎ
電極８を形成してレーザウェハーが製造されていた。！
１図のＭＳＢレーザではｐ電極７から流れる電流が横方
向に拡がる几めにストライプ状突起１の両側の活性層４
ｂにも電流が流れてしまいレーザ発振に寄与しない無効
電流成分が多く、低しきい値電流の実現は困難であった
。又、この様な電流波がりを防ぐには８ｉ０２膜６の電
流制限構造を活性層に非常に近接して置くことが考えら
れるが、電極７が活性層に近過ぎると信頼性や寿命の点
で問題となシ、実用上困難であった。
構造半導体レーザとしてメサ・サブストレート埋込ヘテ
四構造レーザ（Ｍｅｇａ ５ｕｂｓｔｒ−ａｔｅ Ｂｕ
ｒｌｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｖｒｅ、 略し
てＭＳＢ レーザ）が知られている（例えば岸野、末
松、板屋Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔ、ｖｏｌ、
１５．Ｎｎ４゜ｐ１３４）。第１図に層構造を示す。こ
の層構造は、ストライプ状突起１を有するｎ・ＩｎＰか
らなる基板２上にバッファ一層（ｎ−ＩｎＰ）３．活性
層（ＩｎＧａＡｓＰ）４ａ及び４ｂ、 クラッド層（
ｐ−ＩｎＰ）５が形成された構造となっている。活性層
は、誕相成長法を用いて形成すると、ストライプ状突起
１の側面において途切れて成長する。したがって〜スト
ライプ状突起１の上部の活性層４ａがバッファ一層３お
よびクラッド層５とで囲まれた埋め込み構造が実現され
ていた。この様にして出来たクエハーの上面［５ｉ０２
膜６によりてストライプ状突起１の上部のみに電流注入
領域を限定されたｐ電極７を形成し、ウェハー下面にｎ
電極８を形成してレーザウェハーが製造されていた。！
１図のＭＳＢレーザではｐ電極７から流れる電流が横方
向に拡がる几めにストライプ状突起１の両側の活性層４
ｂにも電流が流れてしまいレーザ発振に寄与しない無効
電流成分が多く、低しきい値電流の実現は困難であった
。又、この様な電流波がりを防ぐには８ｉ０２膜６の電
流制限構造を活性層に非常に近接して置くことが考えら
れるが、電極７が活性層に近過ぎると信頼性や寿命の点
で問題となシ、実用上困難であった。
本発明の目的は、以上述べた様な電流もれを防ぐ電流制
限構造を結晶内部に具備し、上記電流もれが少なく低閾
値、高効率の埋め込み構造中導体レーザを提供すること
にある。
限構造を結晶内部に具備し、上記電流もれが少なく低閾
値、高効率の埋め込み構造中導体レーザを提供すること
にある。
本発明によれば、ストライプ状突起を有する第１導電型
の半導体基板、この半導体基板上に形成され、ストライ
プ状突起側面において途切れている活性層、この活性層
上に形成された第２導電型のクラッド層、このクラッド
層上に形成され、ストライブ上突起の上方において欠損
部を有する第１導電型の電流阻止層を具備し、欠損部が
電流通路にな）、ストライプ状突起の上方に形成された
活性層が主発光領域となることを特徴とする埋め込み構
造半導体レーザが得られる。
の半導体基板、この半導体基板上に形成され、ストライ
プ状突起側面において途切れている活性層、この活性層
上に形成された第２導電型のクラッド層、このクラッド
層上に形成され、ストライブ上突起の上方において欠損
部を有する第１導電型の電流阻止層を具備し、欠損部が
電流通路にな）、ストライプ状突起の上方に形成された
活性層が主発光領域となることを特徴とする埋め込み構
造半導体レーザが得られる。
従来のＭＳＢレーザにおいては電流もれが多く、電流の
閉じ込めが不完全なため閾値電流が比較的大きい欠点が
あった。本発明の埋め込み構造半導体レーザにおいては
電流もれを防ぐ電流阻止層を活性層に非常に近接して設
置出来るため、電流もれは著るしく減少し、低閾値電流
が実現した。また電流阻止層は成長プロセス中にはぼ自
動的に形成出来るため、選択拡散等のプロセスを省略す
ることが出来て工数削減にも効果があった。
閉じ込めが不完全なため閾値電流が比較的大きい欠点が
あった。本発明の埋め込み構造半導体レーザにおいては
電流もれを防ぐ電流阻止層を活性層に非常に近接して設
置出来るため、電流もれは著るしく減少し、低閾値電流
が実現した。また電流阻止層は成長プロセス中にはぼ自
動的に形成出来るため、選択拡散等のプロセスを省略す
ることが出来て工数削減にも効果があった。
以下図面を参照して、本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例の波長１．３μｍのＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ埋め込み構造半導体レーザの共振軸に垂
直な断面を示す。図中、２０はｎ−ＩｎＰから述る基板
２１は基板２ｏ上に形成され几ストライプ状突起、２２
はｎ−ＩｎＰからなるバッファ一層、２３ａ及び２３ｂ
は、バッファ一層２２に形成されたＩｎ １−ｘＧａｘ
ＡｓｙＰｔ−ｙ（Ｘ 〜０．２４．Ｙ〜０．５５゜λ〜
１．３μｍ）からなる活性層、２４は活性層２３ａ及び
２３ｂ上に形成されたｐ−ＩｎＰからなる第１クラッド
層、２５はｎ−ＩｎＰからなる電流阻止層、２６はｐ−
ＩｎＰからなる第２クラッド層、２７はＰ・ＩｎＧａＡ
ｓＰからなるキャップ層、２８はｐ電極、２９はｎ電極
、３０は基板２０の平担部である。
ＩｎＧａＡｓＰ埋め込み構造半導体レーザの共振軸に垂
直な断面を示す。図中、２０はｎ−ＩｎＰから述る基板
２１は基板２ｏ上に形成され几ストライプ状突起、２２
はｎ−ＩｎＰからなるバッファ一層、２３ａ及び２３ｂ
は、バッファ一層２２に形成されたＩｎ １−ｘＧａｘ
ＡｓｙＰｔ−ｙ（Ｘ 〜０．２４．Ｙ〜０．５５゜λ〜
１．３μｍ）からなる活性層、２４は活性層２３ａ及び
２３ｂ上に形成されたｐ−ＩｎＰからなる第１クラッド
層、２５はｎ−ＩｎＰからなる電流阻止層、２６はｐ−
ＩｎＰからなる第２クラッド層、２７はＰ・ＩｎＧａＡ
ｓＰからなるキャップ層、２８はｐ電極、２９はｎ電極
、３０は基板２０の平担部である。
バッファ一層２２は、基板２０がＩｎＰからなっている
ため必らずしも必要ではないが、プロセス中にｎ・Ｉｎ
Ｐ基板２０の表面に生じたダメージ一層が活性層２３ａ
に悪い影響をおよぼすのを避ける九めのものである。し
たがって必らずしもＩｎＰである必要はなく、活性層よ
シも大きな禁制帯幅を有するＩｎ １−ｘ’ Ｇａｘ’
Ａｓｙ’ Ｐｔ −ｙ’ （Ｘ’ ＜Ｘ。
ため必らずしも必要ではないが、プロセス中にｎ・Ｉｎ
Ｐ基板２０の表面に生じたダメージ一層が活性層２３ａ
に悪い影響をおよぼすのを避ける九めのものである。し
たがって必らずしもＩｎＰである必要はなく、活性層よ
シも大きな禁制帯幅を有するＩｎ １−ｘ’ Ｇａｘ’
Ａｓｙ’ Ｐｔ −ｙ’ （Ｘ’ ＜Ｘ。
Ｙ’＜Ｙ）であっても良い。その場合にはバッファ一層
２２の形状は第２図と異なり、活性層２３ａ及び２３ｂ
と同様にストライプ状突起２１の側面で途切れた形状と
なる。バッファ一層の厚みは０．１〜２μｍ１典型的に
は０．５μｍが適当である。
２２の形状は第２図と異なり、活性層２３ａ及び２３ｂ
と同様にストライプ状突起２１の側面で途切れた形状と
なる。バッファ一層の厚みは０．１〜２μｍ１典型的に
は０．５μｍが適当である。
活性層２３ａの幅及び厚さは、あまシ大きいと一次横モ
ード発振が起こ）やすく、あまシ小さいと光閉じ込め係
数が小さくなシ過ぎて閾値が上昇する。活性層２３ａの
幅は０．５〜５μｍ好ましくは２〜３μｍ又は厚さは０
．０５〜５μｍ好ましくは０．１〜０．２μｍが適当で
ある。
ード発振が起こ）やすく、あまシ小さいと光閉じ込め係
数が小さくなシ過ぎて閾値が上昇する。活性層２３ａの
幅は０．５〜５μｍ好ましくは２〜３μｍ又は厚さは０
．０５〜５μｍ好ましくは０．１〜０．２μｍが適当で
ある。
ストライプ状突起２１の幅は活性層２３ａの幅とほぼ対
応しているため、上述した活性層２３ａの幅にほぼ等し
い値が適当である。又、ストライプ状突起の高さは、１
〜５μｍ１好ましくは２〜３μｍが適当である。
応しているため、上述した活性層２３ａの幅にほぼ等し
い値が適当である。又、ストライプ状突起の高さは、１
〜５μｍ１好ましくは２〜３μｍが適当である。
第１クラッド層２２の厚さは０．２〜２μｍ５好ましく
はＯ１５〜１．５μｍが適当である。又、第２クラッド
層２４は、表面を平担にする几めのもので必らずしも必
要ではなく、この層を省略してキャップ層２７を直接電
流阻止層２５の上に形成しても良い。又、第２クラッド
層２４は必らずしもｐ−ＩｎＰである必要はなく１）−
ＩｎＧａＡｓＰであっても良い。第２クラッド層の平担
部での厚さは１〜１０μｍ５典型的には５μｍである。
はＯ１５〜１．５μｍが適当である。又、第２クラッド
層２４は、表面を平担にする几めのもので必らずしも必
要ではなく、この層を省略してキャップ層２７を直接電
流阻止層２５の上に形成しても良い。又、第２クラッド
層２４は必らずしもｐ−ＩｎＰである必要はなく１）−
ＩｎＧａＡｓＰであっても良い。第２クラッド層の平担
部での厚さは１〜１０μｍ５典型的には５μｍである。
又、キャツブ層２７は良好なオーミック接触を得るため
のもので、必らずしも心安ではない。厚さとしては０．
２〜２μｍ典型的には１μｍである。
のもので、必らずしも心安ではない。厚さとしては０．
２〜２μｍ典型的には１μｍである。
電流阻止層２５は電流もれを防ぐ役目のもので、第１ク
ラッド層２４の上に形成され、５ストライプ状突起２１
の上部では欠損した形状になっている。
ラッド層２４の上に形成され、５ストライプ状突起２１
の上部では欠損した形状になっている。
平担都３０においては、電流阻止層２５を含んだｐｎｐ
ｎＭ造のためこれを貫いて流れる電流もれは無い。従が
って、電流をストライプ状突起２１の領斌に基中させる
ことが出来る。又、第１クラッド層２４を横方向に拡が
る電流もれ成分は、ある程度存在するが、従来のＭＳＢ
レーザに比較すると極めて小さい。それは第１クラッド
層２４の厚さが薄いため拡がシ抵抗が大きいからである
。従がって、電流はほとんどストライプ状突起２１の上
方に形成された活性層２３ａに流れ、これを励起するた
め、無効電流が少なく、低部ｆｉｔ電流が実現出来た。
ｎＭ造のためこれを貫いて流れる電流もれは無い。従が
って、電流をストライプ状突起２１の領斌に基中させる
ことが出来る。又、第１クラッド層２４を横方向に拡が
る電流もれ成分は、ある程度存在するが、従来のＭＳＢ
レーザに比較すると極めて小さい。それは第１クラッド
層２４の厚さが薄いため拡がシ抵抗が大きいからである
。従がって、電流はほとんどストライプ状突起２１の上
方に形成された活性層２３ａに流れ、これを励起するた
め、無効電流が少なく、低部ｆｉｔ電流が実現出来た。
次にこの半導体レーザの製造方法について述べる。
第３図は本発明の埋め込み構造牛導体レーザに用いる基
板の製造工程を示している。ます纂３図（ａ） Ｋ：示
す様に主面が（１００）（Ｄｎ−ＩｎＰ基板３１上にエ
ツチングのマスク３２ａ ｔ−ｆ形成する。マスク３２
＆には通常５ｉ０２ やホトレジストが良く用いられる
が、その他の材料でも良い。次に第３図（ｂ）に示す様
に、通常のホトリソグラフィ技術等を用いて、マスク３
２８ｅストライブ状にパターン化を行なう。このとき、
ストライプの方向全結晶方向〔０１１〕にほぼ平行にす
る。これはこの方向のストライプ状突起の上に誕相成長
がしやすいからである。次に第３図（Ｃ）に示す様にエ
ツチングを行な込ストライプ状突起３３を形成する。第
３図（Ｃ）ではストライプ状突起３３の断面形状がメサ
形となっているが必らずしもメサ形である必要は無く、
他の断面形状、例えば突起の側面が曲線になって騒る様
断面形状であっても良い。最後に第３図（ｄ）に示す様
にマスク３２ｂｔ−除去して、ストライプ状突起３３の
製造工程が終了する。
板の製造工程を示している。ます纂３図（ａ） Ｋ：示
す様に主面が（１００）（Ｄｎ−ＩｎＰ基板３１上にエ
ツチングのマスク３２ａ ｔ−ｆ形成する。マスク３２
＆には通常５ｉ０２ やホトレジストが良く用いられる
が、その他の材料でも良い。次に第３図（ｂ）に示す様
に、通常のホトリソグラフィ技術等を用いて、マスク３
２８ｅストライブ状にパターン化を行なう。このとき、
ストライプの方向全結晶方向〔０１１〕にほぼ平行にす
る。これはこの方向のストライプ状突起の上に誕相成長
がしやすいからである。次に第３図（Ｃ）に示す様にエ
ツチングを行な込ストライプ状突起３３を形成する。第
３図（Ｃ）ではストライプ状突起３３の断面形状がメサ
形となっているが必らずしもメサ形である必要は無く、
他の断面形状、例えば突起の側面が曲線になって騒る様
断面形状であっても良い。最後に第３図（ｄ）に示す様
にマスク３２ｂｔ−除去して、ストライプ状突起３３の
製造工程が終了する。
次に第２図を用いて、本実施例の埋め込み構造半導体レ
ーザの結晶成長工程を説明する。本発明の埋め込み構造
半導体レーザでは、液相成長法とその固有の性質を用い
て結晶成長が行なわれる。
ーザの結晶成長工程を説明する。本発明の埋め込み構造
半導体レーザでは、液相成長法とその固有の性質を用い
て結晶成長が行なわれる。
誕相成長プロセスにおいて、ストライプ状突起２１を有
する基板２０上に、最初にバッファ一層２２を成長し、
次に活性層２３ａ及び２３ｔｌ成長する。このとき、活
性層はストライプ状突起２１の側面で途切れて成長する
。次に第１クラッド層２４゜電流阻止層２５、第２クラ
ッド層２６、キャップ層２７ｔ−順次成長する。これら
の成長層は１回の液相成長プロセスで形成することが可
能である。
する基板２０上に、最初にバッファ一層２２を成長し、
次に活性層２３ａ及び２３ｔｌ成長する。このとき、活
性層はストライプ状突起２１の側面で途切れて成長する
。次に第１クラッド層２４゜電流阻止層２５、第２クラ
ッド層２６、キャップ層２７ｔ−順次成長する。これら
の成長層は１回の液相成長プロセスで形成することが可
能である。
活性層２３ａと２３ｂが、ストライプ状突起２１の側面
で途切れて成長するのはＭ８Ｂレーザの場合と同様であ
Ｉりｓ ＩｎＧａＡｓＰ の液相成長の固有の性質と
考えられる。
で途切れて成長するのはＭ８Ｂレーザの場合と同様であ
Ｉりｓ ＩｎＧａＡｓＰ の液相成長の固有の性質と
考えられる。
電流阻止層２５は比較的小さな過飽和ｉｔ−有する成長
溶液を用いて成長し、ストライプ状突起２１の上方で欠
損し良形状となっている。これは、液相成長において、
成長溶液の過飽和度が小さくなると突起部での成長速度
が小さくなる性質を利用したものである。逆にバッファ
一層２２及び第１クラ、ド層２４はストライプ状突起２
１の上方でも成長を行なわしめるため比較的大きな過飽
和度の成長溶液を用いて成長した。
溶液を用いて成長し、ストライプ状突起２１の上方で欠
損し良形状となっている。これは、液相成長において、
成長溶液の過飽和度が小さくなると突起部での成長速度
が小さくなる性質を利用したものである。逆にバッファ
一層２２及び第１クラ、ド層２４はストライプ状突起２
１の上方でも成長を行なわしめるため比較的大きな過飽
和度の成長溶液を用いて成長した。
以上の様な結晶成長工程を経几後、ｐ電極２８、ｎ電極
２゛９ヲ形成する。次に結晶を共振器長１００−５００
μｍ典型的には２５０μｍ程度の大きさに骨間を用いて
切出す。最後に、この様に切出されたペレットをヒート
シンクに融着し、リード線のポンディングを行なって、
製造工程が終了する。
２゛９ヲ形成する。次に結晶を共振器長１００−５００
μｍ典型的には２５０μｍ程度の大きさに骨間を用いて
切出す。最後に、この様に切出されたペレットをヒート
シンクに融着し、リード線のポンディングを行なって、
製造工程が終了する。
本実施例において、活性層に組成Ｘ〜０．２４ 。
Ｙ 〜’０．５ ’５ （Ｄ Ｉｎ １−ｘＧａｘＡｓ
ｙＰｔ−ｙ ｔ−用イ九が、他の組成のＩｎＧａＡｓＰ
でも良い。又本実施例で用いたＩｎＧａＡｓＰ
系材料に限らず他の材料、例、えばＧａＡＪＡｓ系やＧ
ａＡｌＳｂ系等にも適用することが可能である。又、本
実施例においては活性層は単層構造であったが光ガイド
層等を含んだ多層構造であっても良す。
ｙＰｔ−ｙ ｔ−用イ九が、他の組成のＩｎＧａＡｓＰ
でも良い。又本実施例で用いたＩｎＧａＡｓＰ
系材料に限らず他の材料、例、えばＧａＡＪＡｓ系やＧ
ａＡｌＳｂ系等にも適用することが可能である。又、本
実施例においては活性層は単層構造であったが光ガイド
層等を含んだ多層構造であっても良す。
第１図は従来のＭＳＢレーザの共振軸に垂直な断面図、
誦２図は本発明の一実施例の埋め込み構造半導体レーザ
の共振軸に垂直な断面図、第３図は本発明の一実施例の
埋め込み構造中導体レーザに用いられる基板の製造工程
を説明するための斜視図を示す。 １・・・・・・ストライプ状突起、２・・・・・・基板
１．３・・・・・・バッファ一層ｓ４ａ及び４ｂ・・・
・・・活性層、５・・・・・・クラッド層、６・・・・
・・Ｓｉ０ｇ膜、７・・・・・・ｐ電極、８・・・・・
・ｎ電極、２０・・・・・・基板、２１・・・・・・ス
トライプ状突起、２２・・・・・・バッファ一層、２３
ａ及び２３ｂ・・・・・・活性層、２４・・・・・・第
１クラッド層、２５・・・・・・電流阻止層、２６・・
・・・・第２クラッド層、２７・・・・・・キャップ層
、２８・・・・・・ｐ電極、２９・・・・・・ｎ電極、
３０・・・・・・平担部、３１・・・・・・基板、３２
ａ及び３２ｂ・・・・・・マスク、３３・・・・・・ス
トライプ状突起。 第１図 拾２図 Ｒ 拾３図
誦２図は本発明の一実施例の埋め込み構造半導体レーザ
の共振軸に垂直な断面図、第３図は本発明の一実施例の
埋め込み構造中導体レーザに用いられる基板の製造工程
を説明するための斜視図を示す。 １・・・・・・ストライプ状突起、２・・・・・・基板
１．３・・・・・・バッファ一層ｓ４ａ及び４ｂ・・・
・・・活性層、５・・・・・・クラッド層、６・・・・
・・Ｓｉ０ｇ膜、７・・・・・・ｐ電極、８・・・・・
・ｎ電極、２０・・・・・・基板、２１・・・・・・ス
トライプ状突起、２２・・・・・・バッファ一層、２３
ａ及び２３ｂ・・・・・・活性層、２４・・・・・・第
１クラッド層、２５・・・・・・電流阻止層、２６・・
・・・・第２クラッド層、２７・・・・・・キャップ層
、２８・・・・・・ｐ電極、２９・・・・・・ｎ電極、
３０・・・・・・平担部、３１・・・・・・基板、３２
ａ及び３２ｂ・・・・・・マスク、３３・・・・・・ス
トライプ状突起。 第１図 拾２図 Ｒ 拾３図
Claims (1)
- ストライプ状突起を有する第１導電型の半導体基板、該
半導体基板上に形成され、前記ストライプ状突起側面に
おいて途切れている活性層、該活性層上に形成された４
２導電型のクラッド層、該クラッド層上に形成され前記
スト、ライブ状突起の上方において欠損部を有する第１
導電型の電流阻止層を具備し、前記欠損部が電流通路と
なシ、前記ストライプ状突起の上方に形成された活性層
が、主発光領域となることを特徴とする埋め込み構造半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19649481A JPS5897887A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19649481A JPS5897887A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897887A true JPS5897887A (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=16358700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19649481A Pending JPS5897887A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897887A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0157555A2 (en) * | 1984-03-27 | 1985-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A semiconductor laser and a method of producing the same |
| US5271028A (en) * | 1991-07-22 | 1993-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1981
- 1981-12-07 JP JP19649481A patent/JPS5897887A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0157555A2 (en) * | 1984-03-27 | 1985-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A semiconductor laser and a method of producing the same |
| US5271028A (en) * | 1991-07-22 | 1993-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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