JPS5894731A - リレ−の駆動回路 - Google Patents

リレ−の駆動回路

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JPS5894731A
JPS5894731A JP19237781A JP19237781A JPS5894731A JP S5894731 A JPS5894731 A JP S5894731A JP 19237781 A JP19237781 A JP 19237781A JP 19237781 A JP19237781 A JP 19237781A JP S5894731 A JPS5894731 A JP S5894731A
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latching relay
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capacitor
relay coil
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森 哲男
西村 広海
渡里 義衛
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリレーの駆動回路に関し、特にラッチングリレ
ーをコンデンサの充、放**流で態動する回艷に関する
第1図を奈照して、先行技術では、端子1に直流電圧■
が供給されると、ダイオードD4−コンデンサc1−ラ
ッチングリレーコイル2へト’tJL流11が流れ、ラ
ッチングリレーコイル2が励磁されてラッチングリレー
がセットされる。このときトランジスタTR4のベース
、エミッタ間はダイオードD4によって逆バイアスされ
ているので、m’lJ「シたままであり、そのためトラ
ンジスタTR5、TR6も遮断したままである。前自演
流11によってコンデンサolが充電されると、電流1
1は流れなくなるが、ラッチングリレーはセット状態を
維持している。直流電圧Vの供給が遮断されると、コン
デンサ0.1に充電されていた電荷が放電を開始し、ト
ランジスタTR4のエミッタ、ベース間および抵抗R3
へと電流12が流れる。それによってトランジスタTR
4が導通し、トランジスタTR5、TR6が順次尋通ず
る。そのためコンデンサO1の放電電流13がコンデン
サC1−トランジスタTR6→ラツチングリレーフイル
2→コンデンサ01へと流れ、ラッチングリレーコイル
2にはセット動作のときの電流11と逆向きの電流13
が流れることになり、ラッチングリレーがリセットされ
る。このような先行技術では、端子1と接地された端子
3とのいわゆる2M式であって増幅作用がなく、シかも
相補型金J!4@化物半導体(0−MOS)やトランジ
スタートランジスターロジック回路(T T’L )な
どのディジタル集積回路から直接駆動することができな
かった。
本発明は、上述の技術的課題を解決し、ディジタル集積
回路から直接駆動することができる単安定動作リレーの
駆動回路を提供することを目的とする。
以下、図面によって本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明の一実施例の回路図であり、第1図の先
行技揄に対応する部分には同一の参照符を付す。端子l
には直流電圧Vccが与えられており、端子3は接地さ
れる。これらの端子1,3に加えて第3の端子4が設け
られており、この端子4には0−M08JpTTLが接
続される。0−MOSあるいはTTLから端子4に与え
られる信号がローレベルであるときには、ラッチングリ
レーコイル2に矢符5の方向に電流が流れてラッチング
リレーかセットされ、端子4に与えられる信号かハイレ
ベルであ、るときにはラッチングリレーコイル2に矢符
5と逆方向の電流が流れてラッチングリレーかリセット
される。
端子1,4.3はインターフェイス回路6に接続される
。インターフェイス回路6において、端子lに接続され
たライン7は、抵抗R2およびトランジスタTRIから
成る直列回路に接続される。
トランジスタTRIのベースと端子4との間には、ダイ
オードD1、ダイオードDlと逆方向のダイオードD2
、およびダイオードD1と逆方向のダイオードD3が直
列に接続される。ライン7、ならびにダイオードD1お
よびダイオードD2の接続点間には抵抗R1が接続され
る。なお抵抗R2の抵抗値は比較的大に遍ばれる。
ライン7と抵抗R2との接続点8は抵抗R3およびトラ
ンジスタTR3から成る直列回路にmlされる。トラン
ジスタTR3のベースにはトランジスタTR2のエミッ
タが接続され、肉トランジスタTR2、TR3のコレク
タは共通に接続され、トランジスタTR2のベースには
インターフェイス回路6におけるトランジスタTR1の
コレクタか接続される。このようにしてトランジスタT
R2、TR3は相互にダーリントン接続される。
抵抗3と並列に、ダイオードD4.コンデンサ01およ
びラッチングリレーコイル2から成る直列回路がlj?
にされる。ダイオードD4とコンデンサO1との接続点
9には、トランジスタTR4のエミッタ、トランジスタ
TR5のコレクタ、トランジスタTR6のコレクタが並
列に接続される。トランジスタTR4のベースはダイオ
ードDおよび抵抗R3の接続点に接続され、トランジス
タTR4のコレクタはトランジスタTR5のベースに接
続されるとともに、抵抗R4を介してラッチングリレー
コイル2および抵抗3の接続点1oに接続される。トラ
ンジスタTR5のベースにハトランジスタTR5のエミ
ッタが接続され、トランジスタTR6(7)エミッタは
接続点10に接続される。
また、接続点9,10間コンデンサo1とラッチングリ
レーコイル2とから成る直列回路と並列にダイオードD
5が接続される。
端子4にローレベルの信号が与えられると、トランジス
タTRIが遮断し、それに応じてトランジスタTR2、
TR3が4通する。なお、ダイオードD2 、D3およ
びトランジスタTRIのベース、エミッタ間の電圧降下
は約2.1vであり、ダイオードD1の電圧降下は約0
.7 Vである。したがって端子4におけるローレベル
とハイレベルとのしきい値は約1.4’Vであり、約1
.4v以下の信号電圧がローレベルとなるが、電圧のば
らつき等を4屡して1nη記しきい値を(1,4±0.
6 ) vとする。そうすると、胃−レベルが0.8v
となり、ハイレベルが2■−となるが、このような信号
電圧は0−MOSやTTLの出力信号に対応しており、
号を与えて動作させることかできる。
トランジスタTRIが導通すると、それに応じてトラン
ジスタTR2,TR3が4:JI11シ、供給電圧Vc
cによってダイオードD4−コンデンサ01−ラッチン
グリレーコイル2へと矢符5で示す方向に電流が流れ1
ラツチングリレーがセットされる。コンデンサ01か充
電されると、矢符5で示す方向への電流の流れは停止す
るが、ラッチングリレーはそのセット状態を維持する。
ラッチングリレーがセット状態にあるときに、端子4に
ハイレベルの信号を与えると、抵抗R1−ダイオードD
2−ダイオードD3−トランジスタTRIのベース1エ
ミツタ間へと電流が流れ、トランジスタTRIが導通す
る。それに応じてトランジスタTl(2,’I’R3が
遮断する。そのため、コンデンサ01に充電されていた
電荷が放電され始め、トランジスタTR4のエミッタ、
ベース間に電流が流れてトランジスタTR4が導通し、
それに応じてトランジスタTR5、TR6が導通してコ
ンデンサ01の放電電流か、コンデンサ01−トランジ
スタTR6−ラッチソゲリレーコイル2−コンデンサO
1へと流れる。したかつてラッチングリレーコイル2に
は、矢符5と逆方向の1宛が流れることになり、ラッチ
ングリレーがリセットされる。
なお、コンデンサ01が充電されると、リレーの駆動電
流を極端に小さくして省電力化を図っているか、セット
状態とリセット状態とを切換えるためのトランジスタT
R3のベース電流が大であっては無二は味である。その
ため、トランジスタTR2,TR3をダーリントン接続
して増幅率を大とすることによりベース電流を低減して
いる。
この実施例によれば、0−MOSやTTLからの14号
によってリレーを直接駆動することができるので、各種
のコント0−ルシステムに用いることかでき、しかも″
亀力消*瀘か小さい。ところが、この実施例ではコンデ
ンサ01の充電電流が短詩:ハJではあるが比較的大で
あり、しかも大形のラッチングリレーを駆動するために
はコンデンサc1の谷−を大としなければならない。そ
こで、そのような欠点を解lI7シた他の実施例を次に
説明する。
第3図は本発明の他の実に例の回路図であり、882図
の実施例に対応する部分には同一の参照符ヲ付ス。この
実施例では、インターフェイス回路6におけるライン7
と抵抗R2とのmb点8に抵抗R5とトランジスタTR
7との直列回路が接続される。トランジスタTR7のベ
ースはインターフェイス回路6におけるトランジスタT
RIのコレクターに接続され、トランジスタTR7のコ
レクタには抵抗R6とコンデンサC2とから成る並列回
路11が接続され、トランジスタTRIのコレクタには
抵抗R7とコンデンサC3とがら成る並列回路12がw
hされる。これらの並列回Th1l。
12の出力は、ラッチングリレーコイル2を含む半導体
スイッチング回路13にそれぞれ与えられる。
半導体スイッチング回路13において1 トランジスタ
TRl0とトランジスタTRIIとは直列接続され、そ
れらの接続点14はラッチングリレ−コイル2の一方端
子にmMされる。またトランジスタTR12とトランジ
スタTFt13とが直列接αされ、それらの接続点15
はラッチングリレーコイル2の他方端子に接続される。
接続点14゜15Hにはラッチングリレーコイル2の逆
起電力防止用としてツェナダイオードZDI、ZD2が
相互に逆方向に接続される。
並列回路1.1はトランジスタTR8のベースに接続さ
れるとともにトランジスタTR13のベースにwhされ
、並列回路12はトランジスタTR11のベースに接続
されるとともに、トランジスタTR14のベースに接続
される。トランジスタTRl0のベースは抵抗R8およ
びトランジスタTR8の接続点に接続され、トランジス
タ、TR12のベースは抵抗R9およびトランジスタT
R14の接続点に接続される。
端子4にローレベルの信号が与えられると、トランジス
タTRIが遮断し、それに応じてトランジスタTR7が
導通するとともに、トランジスタTR8,TRl0.T
R13が遮断する。そのため、供給電圧Vccによって
、抵抗R2からコンデンサ03をれで、トランジスタT
RIIのベース、エミッタ間およびトランジスタTR1
4のベース、エミッタ間゛に電流が流れる。そのためト
ランジスタTRII、TR14が導通し、トランジスタ
TR12が導通する。したがってラッチングリレーコイ
ル2には矢符16で示す方向に電流が流れ、ラッチング
リレーかセットされる。コンデンサ03か充電されると
、トランジスタTRII、TR14のベース電流が流れ
なくなり、トランジスタTRI 1 、TRI 2 、
TR14はaljlするo こf)状態でラッチングリ
レーコイル2には電流が流れなくなるが、ラッチングリ
レーはセット状態を維持する。
なお、コンデンサ03の充電が終了すると、コンデンサ
03と並列の抵抗R7を経て電流が流れるが、その電流
値を小さくするために抵抗R7の抵抗値を十分に大きく
選んでおく。この抵抗R7はコンデンサo3の放電用で
あり、トランジスタTRIが導通すると、コンデンサ0
3の両端には電圧か供給されないので、コンデンサ03
は抵抗)+7で放電する。なお、抵抗R6も抵抗R7と
同様に、コンデンサ02の放電用であり、抵抗値を十分
に大きく選んでいる。
ラッチングリレーかセット状態にあるときに、端子4に
ハイレベルの信号を与えると、トランジスタTRIが導
通し1それに応じてトランジスタTR7が遮断する。こ
こで、コンデンサ@3は抵抗R7で放電し、次にトラン
ジスタTRIか導通するまで待機する。トランジスタT
RII、TR12は遮断しており、トランジスタTR7
がallTするのに沁じてトランジスタTR8,TR1
3が#賄し、トランジスタTRl0が導通する。そのた
めラッチングリレーコイル2には矢符16と逆り向の′
電流が流れ1それによってラッチングリレーかりセット
される。コンデンサC2が充電されると、トランジスタ
TRl0.TR13が遮断してラッチングリレーコイル
2には電流が流れなくなる力・、ラッチングリレーはリ
セット状態を維持する。
このようにして、端子4にローレベルの信号を与えると
、ラッチングリレーかセットされ、端子4にハイレベル
の信号を与えると、ラッチングリレーかリセットされる
この実施例では、第2図の実施例と同様の効果を奏する
ことができるとともに、コンデンサ02゜03の容−を
小さくすることができる。すなわちコンデンサc2.o
3をトランジスタTR8,TR11,TR13,TR1
4のベースに接続しているので、各トランジスタの電流
増幅率をhfeとしたときに、供和すべき電流は1/h
fe  であればよく、コンデンサa2 、o3の8M
か小さくてすむO なお、コンデンサ02,03の谷敏はラッチングリレー
か動作するまでの間、放1t1Mけるだけの値を有して
いれはよい。またコンデンサ02゜03の充電時間は抵
抗R,6,R7およびコンデンサ02,03の時間数で
定まる。
本発明の実施例として2巻線のラッチングリレーを用い
てもよく、その場合、には、第3図の牛導体スイッチン
グ回路13に代えて第4図で示す半導体スイッチング回
路17を用いればよい。この半導体スイッチング回路1
7においては2巻線ラッチングリレーの一方のラッチン
グリレーコイル18とトランジスタTR15とが直列に
接続され、ラッチングリレーコイル18と並列に逆起電
力防止用のダイオードD6が接続される。他方のラッチ
ングリレーコイル19とトランジスタTR16とが直列
に接続され1ラツチングリレーコイル19と並列に逆起
電力防止用のダイオードD7が接続される。並列回路1
1はトランジスタTR15のベースに接続され1並列回
路12はトランジスタTR16のベースに接続される。
−このような2巻線のラッチングリレーではトランジス
タTR15が導通したときに一方のラッチングリレーコ
イル18が励磁され−でセット状態となり、トランジス
タTR16が2#通したときに他方のラッチングリレー
コイル19が励磁されてリセット状態となる。
第5図は本発明の他の実施例の回路図であり、を付す。
この実施例は第3図の実施例に類似するが、注目すべき
は単一のコンデンサ04で第3図の実施例と同様の動作
を行なうことである。
抵抗R11、トランジスタTR17、抵抗R12から成
る直列回路と、抵抗R13、)ランジスタT Rl 8
 %ダイオードD8、トランジスタTR19、抵抗R1
4から成る直列回路が並列に設けられ、トランジスタT
 R19、抵抗R14から成る直列回路にはコンデンサ
04、抵抗R15から成る直列回路が並列に接続される
。トランジスタTR17のベースにはインターフェイス
回路6におけるトランジスタTRIのコレクタが接続さ
れ、トランジスタTR17のコレクタはトランジスタT
R18のベースに接続され、トランジスタTR17のエ
ミッタはトランジスタTR1917)ベースに接続され
る。
トランジスタTR19および抵抗R14の接続点は半導
体スイッチング回M13のトランジスタTRII、TR
14の各ベースにそれぞれ&Mされ、コンデンサ04お
よび抵抗R15の接続点は半導体スイッチング回路13
のトランジスタTR8、TR13の各ベースにそれぞれ
接続される。
このような駆動回路において、端子4にローレベルの信
号が与えられてトランジスタTRIが遮断すると、トラ
ンジスタTR17が導通する。このトランジスタTR1
7の導通に応じてトランジスタTR18,が遮断すると
ともにトランジスタTR19が導通する。トランジスタ
TRJ8が今まで導通していたことにより、コンデンサ
04は充″喝されていたが、トランジスタTR18が遮
断し、トランジスタTR19が導通することにより、コ
ンデンサC4の充14111荷がトランジスタ19−抵
抗R14−抵抗R15の経路で放電する。それによって
抵抗R14の両端に生じる電圧により、半導体スイッチ
ング回路13におけるトランジスタTRII、TR14
,TR12が導通する。、・なお、抵抗R15の両端電
圧は逆電圧であるので、トランジスタTR〜8.TRl
0.TR13は、遮断している。したがって、ラッチン
グリレーコイル2に矢符16で示す方向に電流が流れ、
ラッチングリレーがセットされる。ここで、コンデンサ
04の容量はリレーが動作し終るまで放電し続けるだけ
の値に選はれている。
次いで端子4にハイレベルの信号か与えられてトランジ
スタYRIが導通すると、トランジスタTR17が遮断
し、トランジスタTR18が導通するとともにトランジ
スタTR19が遮断する。
そのため、抵抗R13−)ランラスタTR18−ダイオ
ードD8−コンデンサ04−抵抗R15へと電流が流れ
、コンデンサ04が充電されるとともに、半導体スイッ
チング回路13におけるトランジスタTR8,TRl0
.TR13が導通する。
したがってラッチングリレーコイル2に矢符16と逆方
向の電流が流れ、ラッチングリレーがリセットされる。
この実、施例によれば、第3図の実施例と同様の効果を
奏することができるのに加えて、単一のコンデンサ04
で第3図の実施例と同様の単安定動作を達成することが
できる。
なお第5図の実施例においても、半導体スイッチング囲
路13に代えて、前述の第4図で示した半4捧スイッチ
ング回路17を用いて、2巻線ラッチングリレーを駆動
するようにしてもよい。
第6図は本発明の他の実施例の回路図であり、前述の各
実施例に対応する部分には同一の参照符を付す。端子4
に与えられた信号はパルス化回路20によって、パルス
化され、このパルス化回路20からの出力信号はフリッ
プフロップ21に44られる。フリップフロップ21の
セット出力Q1り七ット出力互および単安定回路22の
出力に応じてANDゲー)Gl、G2から出力される信
号に沁じて半導体スイッチング回路13が動作して、ラ
ッチングリレーがセットあるいはリセットされる。
パルス化1!lu回路20において、インターフェイス
回M 6 (7) )ランジスタTRIのコレクタは、
NAHDゲー)G3の一方の入力端に接続されるととも
に遅延回路])Llおよび反転回路23を介してNAN
Dゲー)G3の他方の入力端に接続される。
またトランジスタTRIのコレクタは反転回路24を介
してHANDゲー)G4の一方の入力端に接続されると
ともに、遅延回路DL2を介して葺ANDゲー)G4の
他方の入力端にmhされる。
7リツプフロツブ21は一対のNORゲー・′)G5、
G6を有し、パルス化回路20におけるNANDゲー)
G3の出力はフリップフロップ21のセット入力端子S
に接続され、NANDゲートG4の出力はリセット入力
端子Rに接続される。7リツプフロツブ21のセット出
力Q GiA N DゲートG1の一方の入力端に与え
られ、リセット出力QはANDゲー)G2の一方の入力
端に与えられる。またアリツブフロップ21のセット出
力Qは、EXOLUSIVIC−ORゲートG7の一方
の入力端に与えられるとともに、遅延回路DL3を介し
てEXOLUSIVK−ORアゲ−07の他方の入力端
に与えられる。
]10XOLUsIVE−ORケートG7がらは単安定
回路22にトリガパルスが与えられる。単安定回路22
は、トリガパルスが入力されたときに、そのトリガパル
スの立ち上りに応じて、コンデンサ05のhkiによっ
て定まるパルス−のパルスをANDゲートGl、G2の
他方の入力端にそれぞれ与える。なお単安定回路22の
出力パルスの幅はリレーの動作に必要な値に選ばれてい
る。ANDゲー)01の出力は半導体スイッチング回路
13のトランジスタTR8,TR14のベースにそれぞ
れ与えられ、A、NDアゲ−G2の出力は半導体スイッ
チング回路13のトランジスタTRl l 、 TR1
4のベースにそれぞれ与えられる。
第7図を谷間して動作を説明する。端子4に第7図(1
)で示すような波形の信号が与えられると、その信号の
立ち下りに応じてトランジスタTRIが遮断し、したが
ってトランジスタTRIのコレクタ電圧は第7図(2)
で示すようにハイレベルとなる。このトランジスタTR
Iのコレクタからの信号は遅延回路DL1によって時間
τ1だけ遅延゛された陵反転回路23で反転され、第7
図(3)で示す波形の信号となってNANDゲー)G3
に与えられる。そのためNANDゲー)G3の出力は第
7図(4)で示すようになり、アリツブフロップ211
7)セット入力端子Sに与えられる。一方トランジスタ
TRIのコレクタから−の信号は反転回路24によって
第7図(5)で示すように反転されてNANDゲー)G
4に与えられるとともに、遅延回路DL2によって第7
図(6)で示すように時間τ2だけ遅延してNANDゲ
ー)G4に与えられる。そのためNANDゲー)G4の
出力は第7図(7)で示すようになって7リツプフロツ
プ21のリセット入力端子Rに与えられる。
スリップフロップ21はNANDゲー)G3の出力信号
の立ち下りに応じてセットされるとともに、HANDゲ
ー)G4の出力信号の立ち下りに応じてリセットされる
。したがって7リツプフロツプ21のセット出力Qは第
7図(8)で示すようになり、フリップフロップ21の
リセット出力頁は第7図(9)で示すようになる。フリ
ップ70ツブ21のセット出力頁はEXOLUSIVK
−ORアゲ−G7の一方の入力端に与えられるとともに
、遅延回路DL3によって時間τ3だけ遅延してEXO
LUSIVIC−ORゲートG7の他方の入力端に与え
られるので、EXOLUSIVIC−ORゲートG7の
出力は第7図OQで示すようになる。すなわちKXOL
US工VE−ORアゲ−G7からは、7リツプフロツプ
21の出力が変化する毎にトリガパルスを単安定回路2
2に与える。
単安定回路22からはトリガパルスが入力されるたびに
、第、7図Oυで示すようにパルス幅Wを有するパルス
が導出され、ANDゲー)Gl、G2にそれぞれ与えら
れる。したかつてANDゲートGlからは第7図(6)
で示すようなハイレベルのパルスか4出され、それによ
ってラッチングリレーコイル2に矢符16で示す方向の
電流が流れ、ラッチングリレーかセットされる。またA
NDゲー)G2からは第7図01で示すようなハイレベ
ルのパルスが導出され、それによってラッチングリレー
コイル2に矢符16と逆方向の電流が流れ、ラッチング
リレーがリセットされる。
第6図の実施例において、半導体スイッチング回路13
に代えて、第4図で示した半導体スイッチング回路17
を用いて2巻線のラッチングリレーを駆動するようにし
てもよい。
上述のごとく本発明によれば、0−MOSやTTLなど
の集積回路で直接駆動することができるので、各種のコ
ントロールシステムに応用することが可能となる。しか
もラッチングリレーを用いているので、駆動のために消
費する電力蓋が少なく、省電力が達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は先行技術の回路図、第2図は本発明の一実施例
の回路図、第3図は本発明の他の実施例の回路図、第4
図は本発明の他の実施例の半導体スイッチング回路17
を示す回路図、第5図は本発明の他の実施例の回路図、
第6図は本発明の他の実画例の回路図、第7図は第6図
の実施例の動作を説明するためのタイミングチャートで
ある。 1.3.4・・・端子、2,18.19・・・ラッチン
グリレーコイル、6・・・インターフェイス回路、13
.17・・・半導体スイッチング回路、20・・・パル
ス化回路、21・・・フリップ70ツブ、22・・・単
安定1u111)、TRlNTR19・・・トランジス
タ、01〜C5・・・コンデンサ 代理人   弁理士 西教圭一部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)直流電源用の一対の端子および集積回路からの指
    令信号を与えるための単一の端子・を有し前記指令信号
    に応じてスイッチング態様が変化するスイッチング素子
    を備えるインターフェイス回−路、ならびにロ11記ス
    ゛イツチング素子のスイッチング態様の変化に応じてラ
    ッチングリレーコイルを短時間たけ励磁してラッチング
    リレーを単安定動作させる回路を含むことを特徴とする
    リレーの駆動回0
  2. (2)前記スイッチング素′子の一方のスイッチング態
    様にj心して充電されるとともにラッチングリレーコイ
    ルを励磁して一方の動作状態にするための一方のコンデ
    ンサと、前記スイッチング素子の他方のスイッチング態
    様に応じて充電されるとともにラッチングリレーコイル
    を励磁して他方の動作状態にするための他方のコンデン
    サとを備えることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載のリレーの駆動回路。
  3. (3)前記スイッチング素子の一方のスイッチング態様
    に応じて充電されるとともにラッチングリレーコイルを
    励磁して一方の動作状態とし、前記スイッチング素子の
    他方のスイッチング態様に応じて放電されることにより
    ラッチングリレーコイルを励磁して他方の動作状態にす
    るための単一のコンデンサを備えることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のリレーの駆動回路。
  4. (4)前記スイッチング素子の一方のスイッチング態様
    に応じてラッチングリレーコイルをその動作に必要な時
    間だけ励磁するためのパルスを導出してラッチングリレ
    ーを一方の動作状態とし、前記スイッチング素子の他方
    のスイッチング態様に応じてラッチングリレーコイルを
    その動作に必要な時間だけ励磁するためのパルスを導出
    してラッチングリレーを他方の動作状態にする論理回路
    を備えることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    リレーの駆動回路。
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JPS5587405A (en) * 1978-12-25 1980-07-02 Nippon Carbureter Co Ltd Method of switching dc-solenoid current

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