JPS59172B2 - 電界効果トランジスタの駆動回路 - Google Patents

電界効果トランジスタの駆動回路

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JPS59172B2
JPS59172B2 JP53074626A JP7462678A JPS59172B2 JP S59172 B2 JPS59172 B2 JP S59172B2 JP 53074626 A JP53074626 A JP 53074626A JP 7462678 A JP7462678 A JP 7462678A JP S59172 B2 JPS59172 B2 JP S59172B2
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JP
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effect transistor
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transformer
voltage
transistor
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JP53074626A
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佳彦 福原
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は変成器を介して電界効果トランジスタをパル
ス駆動する回路、特に高速度駆動を可能にした電界効果
トランジスタの駆動回路に関するものである。
電界効果トランジスタは電圧制御素子であるため小さい
電力で駆動できると同時に原理的には蓄積時間が存在し
ないため、バイポーラトランジスタと比較してより高速
なスイッチ動作が可能である。
しかし、電界効果トランジスタはそのゲートソース間に
静電容量が存在するため、これを高速に導通または遮断
させるためにはこの静電容量を高速に充電または放電さ
せる駆動回路が必要である。
特に変成器を介して電界効果トランジスタを駆動する場
合には、上記駆動条件を満足させると同時に、その変成
器の励磁電流のリセット期間にその巻線に生ずる逆極性
電圧により使用される電界効果トランジスタが破壊する
ことを保護し、かつそのリセット期間を短縮して駆動周
期を短縮するだめに、リセット期間に上記巻線に接続さ
れる回路インピーダンスを高くする必要がある。
この発明は上述の従来の要求に基づき変成器を介しトさ
い、駆動電力で電界効果トランジスタの高速度駆動を可
能にすると同時に変成器のリセット期間に電界効果トラ
ンジスタに逆極性電圧が印加されることなくリセット時
間の短縮を可能とし、プζものである。
以下、この発明をその実施例に基づき、図面を使用して
詳細に説明する。
第1図はこの発明の実施例の構成を示す回路図である。
変成器4の1次巻線n1 と駆動電圧源1とスイッチ素
子2とが直列に接続されて閉回路を構成している。
変成器4の3次巻線n3 と第2のダイオード3を直列
に接続し、3次巻線n3のダイオード3と接続され々い
一端は駆動電圧源1と1次巻線n1 との接続点に接
続され、ダイオード3の3次巻線n3 と接続されない
他端は電圧源1とスイッチ素子2との接続点に接続され
ている。
変成器402次巻線n2の一方の端子は電界効果トラン
ジスタ80ソースSと出力端子10とに接続され、その
2次巻線n2の他方の端子は第1のダイオード5を通し
て電界効果トランジスタ8のゲートGに接続される。
このダイオード5の極性は1次巻線n1 に電流が流さ
れて2次巻線n2に誘起された電圧により電界効果トラ
ンジスタ8を導通させる電圧をゲート電極Gに与えるよ
う選定される。
電界効果トランジスタ8のドレイン電極りは出力端子9
に接続される。
この発明では電界効果トランジスタ8のゲートG及びソ
ースSに各々バイポーラトランジスタ7のエミッタ及び
コレクタが接続され、トランジスタ70ベースは抵抗器
6を通して2次巻線n2 とダイオード5との接続点に
接続されている。
トランジスタ7のコレクタエミッタ間の極性はダイオー
ド5と同極性とされる。
この実施例では電界効果トランジスタ8にNチャンネル
エンハンスメント形のものを用いた場合であって、トラ
ンジスタ7はPNP型が用いられる。
電界効果トランジスタ8のゲート・ソース間に正極性の
所定の電圧VG8を印加することにより電界効果トラン
ジスタを導通状態として出力端子9から出力端子10へ
出力電流を供給することができる。
また、電界効果トランジスタ8のゲート・ソース間にほ
ぼ零の電°圧を印加することにより電界効果トランジス
タ8を遮断状態として出力端子9から出力端子10に流
れる出力電流を遮断させることができる。
第1図に示す実施例の動作を第2図に示す信号波形図を
用いて説明する。
第2図において波形Aはスイッチ素子2の端子間電圧、
波形Bは変成器4の2次巻線n2の端子間電圧、波形C
は電界効果トランジスタ8のゲート ソース間電圧であ
る。
1=0でスイッチ素子2が導通する。
この場合駆動電圧源1の電圧をVとし、スイッチ素子2
の端子間電圧が十分に小さいものとすれば、変成器4の
1次巻線n1 には波形Aに示すように電圧Vが印加
され、同時に変成器4の2次巻線n2に波形Bに示すよ
うにV・(n2/n1)なる電圧が誘起する。
巻線n1 + n2及びn3の各巻線をそれぞれn、t
n2及びn3 としている。
ダイオード5の順方向電圧降下が十分に小さければ電界
効果トランジスタ8のゲート・ソース間にも波形Cに示
すようにV・(n2/n1 )なる電圧が印加されるこ
とになる。
この電圧が前記所定の電圧VGSと等しくまたはそれよ
り大きくなれば電界効果トランジスタ8は導通状態とな
る。
この時電界効果トランジスタ8のゲート・ソース間にV
8なる電圧を供給する駆動回路には電流を制限する回路
素子が含まれてい々いので、その駆動インピーダンスが
極めて小さい。
従って電界効果トランジスタ8のゲート・ソース間に存
在する静電容量は極めて短時間に充電されると同時に、
この静電容量がV。
8なる電圧まで充電された後において、この駆動回路に
は電力が消費される回路素子が含まれていないので、駆
動回路での電力消費がないことになる。
1=11でスイッチ素子2が遮断すると、を−〇から1
=1.の期間に変成器4の1次巻線n1に蓄積された励
磁電流は変成器403次巻線n3からダイオード3を通
し駆動電圧源1に放出さね、励磁電流のリセットがおこ
なわれる。
この時ダイオード3の順方向電圧降下が十分に小さいも
のとすれば、変成器402次巻線n2には一■・(n2
/n3 )なる波形Bに示すような逆極性電圧が誘起
する。
この逆極性電圧により抵抗器6を通しトランジスタ7に
ベース電流が流れトランジスタ7は導通状態となり、電
界効果トランジスタ8のゲート・ソース間に存在する静
電容量に蓄積されていた電荷は急速にトランジスタ7を
通しで放電する。
すなわち、電界効果トランジスタ8のゲート・ソース間
電圧は急速に零になり電界効果トランジスタ8は遮断状
態となる。
この場合トランジスタ7のエミッタからベースに電流が
流れる時のベース・エミッタ間電圧降下をVB8、トラ
ンジスタ7のベース電位カコレクタ電位より負方向とな
りトランジスタ7のコレクタからベースに電流が流れる
時のベース・コレクタ間電圧降下をVBOとすると、t
=t1で電界効果トランジスタ8のゲート・ソース間電
圧が零になった後t−t2に変成器4の励磁電流が完全
に放出されるまでの期間、変成器4の2次巻線n2には
負極性電圧が生じているため、トランジスタ7のエミッ
タからベースに電流が流れると同時に、トランジスタ7
のコレクタからベースにも電流が流れており、電界効果
トランジスタ8のゲート・ソース間電圧は(−VBo+
VB8)なる電圧に保持されることになる。
しかし1、一般にトランジスタ7のVBoとVB鯖はほ
ぼ等しい値となるため電界効果トランジスタ8のゲート
・ソース181電圧はほぼ零に保持される。
このように変成器402次巻線n2に誘起された負極性
電圧が電界効果トランジスタ8のゲート・ソース間に直
接印加されることがないだめ電界効果トランジスタ8が
破壊されるおそれはない。
また1=1.からt−t2の期間において変成器4の励
磁電流をリセットする電流の一部が抵抗器6に流れるこ
とになるが、この場合抵抗器6の抵抗値が小さいと変成
器4の励磁電流が放出される時間が増加することになる
しかし、この実施例ではトランジスタ7の電流増幅率が
高ければ抵抗器6の抵抗値を十分に高くすることが可能
となり、変成器4の励磁電流のリセット時間に影響を与
えないため、変成器4の3次巻線n3の巻数を所定値に
選定して変成器4の励磁電流のリセット時間を短縮する
ことが可能である。
t−t2以降、1=0以前の状態に復旧するためt−t
3で再度スイッチ素子2を導通させて電界効果トランジ
スタ8を導通状態にすることが可能となる。
第3図はこの発明の他の実施例の構成を示す回路図であ
る。
第3図において第1図と対応する部分に同一符号を付け
であるが、この例では電界効果トランジスタ8としてP
チャンネルエンハンスメント形のものを用い、これに伴
い、変成器4の2次巻線n2の極性が第1図に示した実
施例の回路と逆とされ、またダイオード5のアノード側
が電界効果トランジスタ8のゲート側とされ、トランジ
スタ7はNPN形が用いられる。
動作上の相違点は第2図に示した信号波形の極性が逆極
性となるだけであり、この第3図に示す実施例の回路で
も、第1図に示しだ実施例の回路とまったく同一の効果
を実現することが可能であることは、明らかである。
以上詳細に説明したようにこの発明によれば電界効果ト
ランジスタを高速に導通または遮断することが可能であ
り、かつ駆動回路の消費電力を極めて小さくすることが
できる。
さらにこの発明によれば変成器の励磁電流のリセットに
より生ずる逆極性電圧が電界効果トランジスタのゲート
・ソース間に印加されないため電界効果l・ランジスタ
の破壊を保護することが可能である。
同時にリセットの動作に対する影響カシ」\さいため変
成器のリセット期間を短縮まだは1駆動周期を短縮でき
る利点も有する。
従ってこの発明は特にゲート・ソース間に存在する静電
容量が大きい電力用電界効果トランジスタに対して高速
な導通・遮断動作をおこなうことが可能である。
さらにこの場合複数個の電界効果トランジスタのそれぞ
れに上述の変成器の2次巻線以降のダイオード、抵抗器
、トランジスタを接続し、同一変成器に複数の2次巻線
を設けることにより、1個のスイッチ素子により互に直
流的に絶縁された複数個の電界効果トランジスタを同時
に導通または遮断させることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図(iこの発明の実施例の構成を示す回路図、第2
図は第1図に示す回路各部の信号波形図、第3図はこの
発明の他の実施例の構成を示す回路図である。 1・・・駆動電圧源、2・・・スイッチ素子、3,5・
・・ダイオード、4・・・変成器、6・・・抵抗器、7
・・・トランジスタ、8・・・電界効果トランジスタ、
9,10・・・出力端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 変成器の1次巻線とスイッチ素子と駆動電圧源を直
    列に接続し、前記スイッチ素子の開閉により、前記変成
    器の2次巻線に生ずるパルス電圧で電圧効果トランジス
    タを1駆動する回路において、前記2次巻線の一端と前
    記電界効果トランジスタのゲートとの間に接続され、前
    記2次巻線両端に誘起され前記電界効果トランジスタを
    導通状態にする極性の電圧を通過させる第1のダイオー
    ドと、エミッタ及びコレクタがそれぞれ前記電界効果ト
    ランジスタのゲート及びソースに接続されたバイポーラ
    トランジスタと、そのバイポーラトランジスタのベース
    と前記2次巻線及び前記第1のダイオードの接続点との
    間に接続された抵抗器と、前記1次巻線と前記駆動電圧
    源との接続点に一端が接続され、他端が第2のダイオー
    ドを介して前記駆動電圧源と前記スイッチ素子との接続
    点に接続され、前記2次巻線と結合して配設される3次
    巻線とを有し、前記スイッチ素子の遮断時に前記1次巻
    線に蓄積された励磁電流を前記3次巻線から前記駆動電
    圧源に放出するように前記第2のダイオード及び前記駆
    動電圧源の極性が選定されてなることを特徴とする電界
    効果トランジスタの駆動回路。
JP53074626A 1978-06-19 1978-06-19 電界効果トランジスタの駆動回路 Expired JPS59172B2 (ja)

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