JPS5891071A - 焼結体の製造法 - Google Patents
焼結体の製造法Info
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- JPS5891071A JPS5891071A JP56189256A JP18925681A JPS5891071A JP S5891071 A JPS5891071 A JP S5891071A JP 56189256 A JP56189256 A JP 56189256A JP 18925681 A JP18925681 A JP 18925681A JP S5891071 A JPS5891071 A JP S5891071A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度炭化珪素質焼結体の製造法に関するもの
である。
である。
炭化珪素は従来より硬度が高(、耐摩耗性にすぐれ、熱
膨張率が小さく、また分解温度が尚(、耐酸化性が大き
く、化学的に安定でかつ一般にかなりの電気伝導性を有
する有用なセラミックス材料として知られている。この
炭化珪素の高密度焼結体は上記の性質に加え、強度が高
温まで太き(、耐熱衝撃性にすぐれ、高温構造材料とし
て有望とされ、ガスタービン用をはじめとして種々の用
途にその応用が試みられている。
膨張率が小さく、また分解温度が尚(、耐酸化性が大き
く、化学的に安定でかつ一般にかなりの電気伝導性を有
する有用なセラミックス材料として知られている。この
炭化珪素の高密度焼結体は上記の性質に加え、強度が高
温まで太き(、耐熱衝撃性にすぐれ、高温構造材料とし
て有望とされ、ガスタービン用をはじめとして種々の用
途にその応用が試みられている。
炭化珪素焼結体はホットプレス焼結、常圧焼結、反応焼
結、再結晶、化学的蒸着などの方法によって作製される
。これらの方法のなかで工業的に最も有利な方法は常圧
焼結法と考えられる。常圧焼結法によればセラミックス
材料の成形に一般に用いられるプレス法、泥梃鋳込法、
押出成形法、射出成形法などの方法により成形すること
ができ複雑形状品、大寸法品、肉厚品を最も容易に、生
産性良(製造することかできる。しかもこの方法による
製品には反応焼結、再結晶法による製品に比べ高性能が
期待できろ。
結、再結晶、化学的蒸着などの方法によって作製される
。これらの方法のなかで工業的に最も有利な方法は常圧
焼結法と考えられる。常圧焼結法によればセラミックス
材料の成形に一般に用いられるプレス法、泥梃鋳込法、
押出成形法、射出成形法などの方法により成形すること
ができ複雑形状品、大寸法品、肉厚品を最も容易に、生
産性良(製造することかできる。しかもこの方法による
製品には反応焼結、再結晶法による製品に比べ高性能が
期待できろ。
しかし、炭化珪素は共有結合性の強い化合物であるため
常圧焼結法の場合、ホットプレス焼結法の、鴨合も同様
であるが単独では焼結が困難であり、高密度の焼結体を
得るためには側らかの焼結助剤の添加が必要である。ホ
ットプレス焼結法の場合には焼結助剤としてはホウ素あ
るいはホウ素化合物またはアルミニウムあるいはアルミ
ニウム化合物などが知られている。また常圧焼結法の場
合にはこれらにさらに炭素な添加することにより高密度
焼結体が得られることが知られている。
常圧焼結法の場合、ホットプレス焼結法の、鴨合も同様
であるが単独では焼結が困難であり、高密度の焼結体を
得るためには側らかの焼結助剤の添加が必要である。ホ
ットプレス焼結法の場合には焼結助剤としてはホウ素あ
るいはホウ素化合物またはアルミニウムあるいはアルミ
ニウム化合物などが知られている。また常圧焼結法の場
合にはこれらにさらに炭素な添加することにより高密度
焼結体が得られることが知られている。
しかし、常圧焼結法の場合このような焼結助剤を加えて
も通常の方法により良好な高性能高密度焼結体を得るこ
とは離しい。特に焼結時に、焼結助剤を含む炭化珪素成
形体が分解しやすく、このために成形体が充分に緻密化
しないことが問題となる。この問題は、小さな試料成形
体を作る場合もそうであるが、複雑形状品、大寸法品、
肉厚品を均質な高密産品としてしかも生産性良(製造し
ようとする時、特に大きな問題となる。
も通常の方法により良好な高性能高密度焼結体を得るこ
とは離しい。特に焼結時に、焼結助剤を含む炭化珪素成
形体が分解しやすく、このために成形体が充分に緻密化
しないことが問題となる。この問題は、小さな試料成形
体を作る場合もそうであるが、複雑形状品、大寸法品、
肉厚品を均質な高密産品としてしかも生産性良(製造し
ようとする時、特に大きな問題となる。
本発明は酸化アルミニウムを含む炭化珪素質成形体を常
圧焼結する際に成形体が分解し、緻密化が抑制されるの
を防止し、高密度な焼結体を得るための方法を提供する
ものである。
圧焼結する際に成形体が分解し、緻密化が抑制されるの
を防止し、高密度な焼結体を得るための方法を提供する
ものである。
本発明で酸化アルミニウムを含む化合物は焼結助剤とし
て炭化珪素に加えられるが、通常の方法では焼結途中で
この酸化アルミニウム及び炭化珪素が、蒸発、分解し、
成形体から除去さ易く、このため緻密化が充分進まず、
高密度焼結体が得られにくい。
て炭化珪素に加えられるが、通常の方法では焼結途中で
この酸化アルミニウム及び炭化珪素が、蒸発、分解し、
成形体から除去さ易く、このため緻密化が充分進まず、
高密度焼結体が得られにくい。
この問題点を解決するために種々の試みを行ったところ
、酸化アルミニウムを含む炭化珪素質成形体をco(−
e化炭素)を成分として含む雰囲気、即ち、COガス雰
囲気中で焼成することにより、より高密度な焼結体を作
ることができることがわかった。この方法によれば焼結
中に成形体から除去される酸化アルミニウムの量は減。
、酸化アルミニウムを含む炭化珪素質成形体をco(−
e化炭素)を成分として含む雰囲気、即ち、COガス雰
囲気中で焼成することにより、より高密度な焼結体を作
ることができることがわかった。この方法によれば焼結
中に成形体から除去される酸化アルミニウムの量は減。
少し、添加量も少量でよ(、組成、組織の安定した高密
度焼結体を得ることができる。
度焼結体を得ることができる。
本発明におけるCO雰囲気が効果を有する理由について
説明すると、炭化珪素は炭化珪素成形体の焼結温度では
分解を開始する。すなわち炭化珪素は大気圧下では溶融
せず、2000℃以上になると昇華し始め、さらに高温
になると炭素と珪素リッチな蒸気に分解する。炭化珪素
の高密度焼結体を得るのに必要な成形体の焼結温度は一
般に1900〜2600℃であり、この尚温曳域では炭
化珪素は昇華、分解をはじめ、Si、5i2Cなどの気
体を発生する、そこで炭化珪素成形体をsi、 512
c などの気体を含む雰囲気中で焼成すれば成形体の
炭化珪素の昇華、分解を抑えることができる。しかし実
際には炭化珪素の分解は単純ではない、すなわち成形体
中に含まれる焼結助剤としての酸化アルミニウムあるい
は炭化珪素粒表面のシリカ層あるいは他の不純物あるい
は雰囲気中に含まれる微量酸素などとの相互反応が起こ
る。
説明すると、炭化珪素は炭化珪素成形体の焼結温度では
分解を開始する。すなわち炭化珪素は大気圧下では溶融
せず、2000℃以上になると昇華し始め、さらに高温
になると炭素と珪素リッチな蒸気に分解する。炭化珪素
の高密度焼結体を得るのに必要な成形体の焼結温度は一
般に1900〜2600℃であり、この尚温曳域では炭
化珪素は昇華、分解をはじめ、Si、5i2Cなどの気
体を発生する、そこで炭化珪素成形体をsi、 512
c などの気体を含む雰囲気中で焼成すれば成形体の
炭化珪素の昇華、分解を抑えることができる。しかし実
際には炭化珪素の分解は単純ではない、すなわち成形体
中に含まれる焼結助剤としての酸化アルミニウムあるい
は炭化珪素粒表面のシリカ層あるいは他の不純物あるい
は雰囲気中に含まれる微量酸素などとの相互反応が起こ
る。
そこで焼成中における成形体の分解を防止し、より高密
度の焼結体を作るためには成形体の分解により発生する
気体の平衡蒸気圧以上に雰囲気中のそれらの気体の分圧
を保持することが好ましい。
度の焼結体を作るためには成形体の分解により発生する
気体の平衡蒸気圧以上に雰囲気中のそれらの気体の分圧
を保持することが好ましい。
酸化アルミニウムを含む炭化珪素質成形体を焼結すると
き、実際にどのような反応が起こり、どのような気体が
発生するかを調べることは離しいが、種々試験をした結
果酸化アルミニウムを含む炭化珪素質成形体をCO又は
これと珪素および/又はCO以外の炭素を含む雰囲気さ
らにはCOと不活性ガスを含む雰囲気のもとで焼成する
ことが高密度でかつ均一な組成、組織を有する焼結体を
作る上でより好ましいことがわかった。
き、実際にどのような反応が起こり、どのような気体が
発生するかを調べることは離しいが、種々試験をした結
果酸化アルミニウムを含む炭化珪素質成形体をCO又は
これと珪素および/又はCO以外の炭素を含む雰囲気さ
らにはCOと不活性ガスを含む雰囲気のもとで焼成する
ことが高密度でかつ均一な組成、組織を有する焼結体を
作る上でより好ましいことがわかった。
本発明における焼結時の成形体の分解は次のような反応
が主として起こると考えられろ。
が主として起こると考えられろ。
SiC十AI O−) Al2O+5i−0+G。
3
そこでこの場合には焼結時の雰囲気中のAr20゜Si
n、 Goの気体の分圧を、成形体の分解により発生す
るこれらの気体の平衡蒸気圧以上にすれば成形体の分解
が抑制され、より高密度の焼結体が作られることになり
、本発明はこのようなことを有効に利用していることに
なると思われる。
n、 Goの気体の分圧を、成形体の分解により発生す
るこれらの気体の平衡蒸気圧以上にすれば成形体の分解
が抑制され、より高密度の焼結体が作られることになり
、本発明はこのようなことを有効に利用していることに
なると思われる。
次に実施の方法について説明する。
本発明で使用される炭化珪素(SiC)原料としてはα
形、β形いずれの結晶形のものも使用できるがβ形の方
が好ましい。純度は98%以上のものが好ましいが、9
0〜98チのものも有効に使用できる。粒度は極微粒の
場合、平均粒径よりも比表面積で表わすことが適当であ
り、一般には5 m2/ 9以上好ましくは10m27
ノ以上のものを使用することである。焼結助剤の酸化ア
ルミニウムとしてはコランダムが便利に使用できるが、
ガンマ−形など他の結晶形のものでもよい。また加熱し
て酸化アルミニウムとなる水酸化アルミニウム、硫酸ア
ルミニウムなども使用でき、本発明で酸化アルミニウム
とは、これらの酸化アルミニウムをもたらす化合物も含
むものである。粒度は98褒以上で低ソーダのものが好
ましく、粒度は平均粒径が1μm 以下のものがよく好
ましくは0.2μm以下である。
形、β形いずれの結晶形のものも使用できるがβ形の方
が好ましい。純度は98%以上のものが好ましいが、9
0〜98チのものも有効に使用できる。粒度は極微粒の
場合、平均粒径よりも比表面積で表わすことが適当であ
り、一般には5 m2/ 9以上好ましくは10m27
ノ以上のものを使用することである。焼結助剤の酸化ア
ルミニウムとしてはコランダムが便利に使用できるが、
ガンマ−形など他の結晶形のものでもよい。また加熱し
て酸化アルミニウムとなる水酸化アルミニウム、硫酸ア
ルミニウムなども使用でき、本発明で酸化アルミニウム
とは、これらの酸化アルミニウムをもたらす化合物も含
むものである。粒度は98褒以上で低ソーダのものが好
ましく、粒度は平均粒径が1μm 以下のものがよく好
ましくは0.2μm以下である。
本発明でこの酸化アルミニウムの炭化珪素との合量にお
けろ割合はAl2O3としての重量係で0.5〜20%
であり特には1〜10%或は5チ以下でも可能である。
けろ割合はAl2O3としての重量係で0.5〜20%
であり特には1〜10%或は5チ以下でも可能である。
これは0.5%以下だと焼結時に緻密化が十分進まず、
高密度焼結体が得られないなどのためであり、逆に20
%以上になると1900℃以下の低温で焼結しても緻密
化するが強度が低い。又1900〜2600°0で・焼
結すると分解量が増大し、多孔化するなどのためである
。尚、本発明利点の1つは少量のAl2O3でもよいと
いうことである。
高密度焼結体が得られないなどのためであり、逆に20
%以上になると1900℃以下の低温で焼結しても緻密
化するが強度が低い。又1900〜2600°0で・焼
結すると分解量が増大し、多孔化するなどのためである
。尚、本発明利点の1つは少量のAl2O3でもよいと
いうことである。
本発明では、原料的には酸化アルミニウムのほかは残部
が実質的に炭化珪素からなる混合物を調整1″ることか
望ましく、またそれで十分目的のものが得られるのが1
つの特徴でもあるか、勿論例えば炭化珪素原料中に不可
避的に不純物として含まれる又は粉砕過程で混入する少
量の他の成分が含まれていても差し支えな(、後述する
ように酸化シリコンなどの1部の成分では比較的多(含
まれても差支えないのもまた一面では利点である。成形
方法としては普通セラミックスの成形に使用される方法
がすべて使用できる。即ち、プレス成形、泥漿鋳込成形
、射出成形、押出成形などが適当である。焼成は、CO
ガス雰囲気中行には無加圧でもよいが、温度は、190
0〜2300℃で行うことが必要である。
が実質的に炭化珪素からなる混合物を調整1″ることか
望ましく、またそれで十分目的のものが得られるのが1
つの特徴でもあるか、勿論例えば炭化珪素原料中に不可
避的に不純物として含まれる又は粉砕過程で混入する少
量の他の成分が含まれていても差し支えな(、後述する
ように酸化シリコンなどの1部の成分では比較的多(含
まれても差支えないのもまた一面では利点である。成形
方法としては普通セラミックスの成形に使用される方法
がすべて使用できる。即ち、プレス成形、泥漿鋳込成形
、射出成形、押出成形などが適当である。焼成は、CO
ガス雰囲気中行には無加圧でもよいが、温度は、190
0〜2300℃で行うことが必要である。
温度はより好ましくは1950〜2100℃である。温
度が1900℃より低いと緻密化が充分進まず高密度焼
結体が得られず2300℃より高いと成形体が分解し過
ぎ多孔化12好ましくないからである。尚、時間は通詣
1〜24時間必要でより好ましくは2〜10時間である
。これは時間が短か過き′ると緻密化せず、また緻密化
しても充分な強度が生ぜV、長過ぎると分解し過ぎ多孔
化し好ましくないことが多いからである。
度が1900℃より低いと緻密化が充分進まず高密度焼
結体が得られず2300℃より高いと成形体が分解し過
ぎ多孔化12好ましくないからである。尚、時間は通詣
1〜24時間必要でより好ましくは2〜10時間である
。これは時間が短か過き′ると緻密化せず、また緻密化
しても充分な強度が生ぜV、長過ぎると分解し過ぎ多孔
化し好ましくないことが多いからである。
ここでCOガ、ス雰囲気について説明すると、本発明で
効果をもたら″XfCOガス雰囲気は、雰囲気全体がC
OO20み(勿論焼成過程では成形体からの揮発分が発
生する。)からなるものとしておいてもよいが、前述し
た如く一部は他の非酸化性成分を含む雰囲気としておく
ことができろし、またより効果的なこともある。
効果をもたら″XfCOガス雰囲気は、雰囲気全体がC
OO20み(勿論焼成過程では成形体からの揮発分が発
生する。)からなるものとしておいてもよいが、前述し
た如く一部は他の非酸化性成分を含む雰囲気としておく
ことができろし、またより効果的なこともある。
即ち、その−つが珪素(Sl)及び又はCO以外の炭素
(C)を含む雰囲気とすることであり、さらには不活性
ガスを含む雰囲気としておくことなどである。勿論CO
ガス中にこれらの2種以−ヒを同1時に含むものとして
お(こともよい。
(C)を含む雰囲気とすることであり、さらには不活性
ガスを含む雰囲気としておくことなどである。勿論CO
ガス中にこれらの2種以−ヒを同1時に含むものとして
お(こともよい。
例えば、珪素を含むガスはSi 、 5iC1!4.
Si[(4゜SiOなどとして、炭素を含むガスは炭化
水素などとして導入することができるいずれにしても本
発明は、COガスを含む雰囲気中で焼成を行なえばそれ
なりの効果がもたらされるのであるが、一般には雰囲気
中の00分圧としては50%IJ、−ヒとしておくこと
がよいようである。
Si[(4゜SiOなどとして、炭素を含むガスは炭化
水素などとして導入することができるいずれにしても本
発明は、COガスを含む雰囲気中で焼成を行なえばそれ
なりの効果がもたらされるのであるが、一般には雰囲気
中の00分圧としては50%IJ、−ヒとしておくこと
がよいようである。
また、COガスを含む雰囲気即ちガス圧としては加圧下
であってもよくまたより効果的であることも見い出され
た。
であってもよくまたより効果的であることも見い出され
た。
即ち、好ましいガス圧としては2〜20気圧程度である
こともみいだされた。尚、このような雰囲気をもたらす
COガスの焼成炉への導入は、Goガスの圧力ボンベか
らパイプを通して直接性なうことが容易であるが、CO
ガスの爆発限界・\の注意やもれのないような十分な配
慮は必要である。
こともみいだされた。尚、このような雰囲気をもたらす
COガスの焼成炉への導入は、Goガスの圧力ボンベか
らパイプを通して直接性なうことが容易であるが、CO
ガスの爆発限界・\の注意やもれのないような十分な配
慮は必要である。
このようにすることにより本発明ではAl2O3焼結助
剤を使用し常圧焼結(ガス圧をある程度前述の如(20
気程度までかける雰囲気加圧であって、ホットプレスと
は本質的に異なる。)によってでも浸れた高強度の焼結
体が得られる番っけであり、常圧焼結法として大変浸れ
た方法であるが、このような常圧焼結により得られる焼
結体−一本発明方法の適用によって得られる焼結体がそ
うであるがm=の組織について次に説明する。
剤を使用し常圧焼結(ガス圧をある程度前述の如(20
気程度までかける雰囲気加圧であって、ホットプレスと
は本質的に異なる。)によってでも浸れた高強度の焼結
体が得られる番っけであり、常圧焼結法として大変浸れ
た方法であるが、このような常圧焼結により得られる焼
結体−一本発明方法の適用によって得られる焼結体がそ
うであるがm=の組織について次に説明する。
即ち、本発明で得られるこのような焼結体は、焼結体中
の炭化珪素の粒成長は抑制され例えば平均粒径5μ以下
或は3μ以下という極めて微細な柱状又は板状を主体と
したSi0粒の絡み合った強固な組織から本質的になっ
ている。
の炭化珪素の粒成長は抑制され例えば平均粒径5μ以下
或は3μ以下という極めて微細な柱状又は板状を主体と
したSi0粒の絡み合った強固な組織から本質的になっ
ている。
又、電子顕微鏡観察によると、この焼結体には炭化珪素
粒間(トリプルポイントなど)に酸化アルミニウム粒が
みられることがあるものの相接した炭化珪素粒界には酸
化アルミニウムなどの第2相がみられなかったことから
も炭化珪素から本質的になる高強度体となっていること
がうかがえる。
粒間(トリプルポイントなど)に酸化アルミニウム粒が
みられることがあるものの相接した炭化珪素粒界には酸
化アルミニウムなどの第2相がみられなかったことから
も炭化珪素から本質的になる高強度体となっていること
がうかがえる。
これに対し、ホットプレス法の場合には、酸化アルミニ
ウムを主体としだ液相の存在下で圧力の印加を受け、容
易に充分に緻密化するが、焼結体は酸化アルミニウムが
炭化珪素の粒界に介在した等釉粒子からなる微細組織を
有する。
ウムを主体としだ液相の存在下で圧力の印加を受け、容
易に充分に緻密化するが、焼結体は酸化アルミニウムが
炭化珪素の粒界に介在した等釉粒子からなる微細組織を
有する。
そこで高温下では炭化珪素粒界の酸化アルミニウムの軟
化により強度低Fが顕著に起こる。本発明の適した通常
焼結法の場合には焼結機構はまだ充分に解明されていな
いが、焼結中に酸化アルミニウムを主体とした充分な童
の液相の存在下で炭化珪素粒子の好ましい再配列及び粒
成長が起こると同時に、酸化アルミニウムを主体として
成分の分解蒸発が起こり緻密化に寄与した酸化アルミニ
ウムの成形体からの脱離が進み微細に発達した柱状ある
いは板状粒子が絡み合った強固な微細組織が形成される
と考えられる。
化により強度低Fが顕著に起こる。本発明の適した通常
焼結法の場合には焼結機構はまだ充分に解明されていな
いが、焼結中に酸化アルミニウムを主体とした充分な童
の液相の存在下で炭化珪素粒子の好ましい再配列及び粒
成長が起こると同時に、酸化アルミニウムを主体として
成分の分解蒸発が起こり緻密化に寄与した酸化アルミニ
ウムの成形体からの脱離が進み微細に発達した柱状ある
いは板状粒子が絡み合った強固な微細組織が形成される
と考えられる。
このように本発明は、アルミナを焼結助剤として常圧焼
結でも炭化珪素粒子の成長を抑制した浸れた微細組織か
らなる高強度の焼結体を得ることを可能としたものであ
り、その工業的な価値は多大である。
結でも炭化珪素粒子の成長を抑制した浸れた微細組織か
らなる高強度の焼結体を得ることを可能としたものであ
り、その工業的な価値は多大である。
本発明を実施例にて、さらに説明゛する。
(131
実施例
第1六に示すように純度98M量係1比表面積13 m
”717 以上のαあるいはβ型炭化′g素粉末と、純
度98重量%以上、比表■積5m7g以上の酸化アルミ
ニウム粉末を所定割合にて充分混合し、これを2000
iの圧力にて液圧成形し、約40X20X15wnの成
形体とした。
”717 以上のαあるいはβ型炭化′g素粉末と、純
度98重量%以上、比表■積5m7g以上の酸化アルミ
ニウム粉末を所定割合にて充分混合し、これを2000
iの圧力にて液圧成形し、約40X20X15wnの成
形体とした。
この成形体を所定の焼結条件にて焼結し、焼結体の密度
を測定した。この結果を同様に第1表□ に示す。
を測定した。この結果を同様に第1表□ に示す。
比較例
焼結条件の芥囲気以外はすべて実施例と同様にして焼結
体を作製し、同様に密度を測定した。
体を作製し、同様に密度を測定した。
結果を同様に第1表に示す。
(14)
第1表
2)A1203添加量はSi0100車重部に対する割
合(15)
合(15)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 酸化アルミニウムを含む炭化珪素質成形体をCO
ガス雰囲気中で焼成することを特徴とする炭化珪素質焼
結体の製造法。 2、 Go雰囲気を2〜20気圧の加圧雰囲気とする
特許請求の範囲第1項記載の製造法。 3 酸化アルミニウムをAI!203として0.5〜2
0重量%と、残部実質的に炭化珪素よりなる混合物を成
形した炭化珪素質成形体をCOガス雰囲気中で焼成する
特許請求の範囲第1項又は第2項記載の製造法。 4、 酸化アルミニウムなAg2O3として1〜1ON
量チ含む炭化珪素質成形体を使用する特許請求の範囲第
6項記載の製造法。 5 酸化アルミニウムを含む炭化珪素質成形体をCOと
珪素及び/又はGOを除く炭素を成分として含む雰囲気
のもとて焼成する特許請求の範囲第1項乃至第4項いず
れか記載の製造法。 6、 co雰囲気がさらに不活性ガスを含むもので焼
成する特許請求の範囲第1項乃至第5項いずれか記載の
製造法。 7 成形体を機械的圧力下におかずに1900〜230
0℃で焼成する特許請求の範囲第1項乃至第6項いずれ
か記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189256A JPS5891071A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189256A JPS5891071A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891071A true JPS5891071A (ja) | 1983-05-30 |
| JPH0138075B2 JPH0138075B2 (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=16238244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56189256A Granted JPS5891071A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891071A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190758A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-08 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素系セラミツク焼結体 |
| EP1364930A1 (en) | 2001-02-02 | 2003-11-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure and method for preparation thereof |
| WO2019049784A1 (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 被覆SiCナノ粒子を用いたSiCセラミックス及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56189256A patent/JPS5891071A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190758A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-08 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素系セラミツク焼結体 |
| EP1364930A1 (en) | 2001-02-02 | 2003-11-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure and method for preparation thereof |
| WO2019049784A1 (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 被覆SiCナノ粒子を用いたSiCセラミックス及びその製造方法 |
| JPWO2019049784A1 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-10-01 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 被覆SiCナノ粒子を用いたSiCセラミックス及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0138075B2 (ja) | 1989-08-10 |
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