JPS5890594A - 不飽和ジカルボン酸錫化合物およびその製法 - Google Patents

不飽和ジカルボン酸錫化合物およびその製法

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JPS5890594A
JPS5890594A JP18797281A JP18797281A JPS5890594A JP S5890594 A JPS5890594 A JP S5890594A JP 18797281 A JP18797281 A JP 18797281A JP 18797281 A JP18797281 A JP 18797281A JP S5890594 A JPS5890594 A JP S5890594A
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JP
Japan
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methylene
triphenyltin
general formula
ester
compound
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JP18797281A
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English (en)
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Masao Kobayashi
雅夫 小林
Hitoshi Takeda
武田 斉
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な不飽和ジカルボン酸錫化合物およびその
製法に関する。更に詳しくはα−メチレンーーーメチル
アジビ/酸の錫エステルおよびその製法に関する。
α−メチレン−δ−メチルアジピン酸の特性に着目し、
本出願人は該不飽和酸のグリシジル−導体およびその製
法について出願した(%願昭53−40913号)。
今回は更に該不飽和酸の金属誘導体につ(−・て鋭意検
討した結果、新規な錫化合物並びに該化合物の新規な製
造法を見い出して本発明に到達した。
すなわち本発明の目的は有用なα−メチレン−6−メチ
ルアジピン酸のトリアルキル錫エステルまたはトリフェ
ニル錫エステルならびKそれらの製法を提供することで
ある。
本発明は一般式 %式% (1) (式中、Xは5nR1なる構造を有し、anは錫。
Rはアルキル基またはフェニル基を示す)で表わされる
α−メチレン−δ−メチルアジピン酸のトリアルキル錫
エステルまたはトリフェニル錫エステル化合物に関する
また本発明は一般式 %式% (式中、2はナトリウム又はカリウムを示す)で示され
るα−メチレン−δ−メチルアジピン酸のアルカリ金属
塩とトリアルキル錫ハロゲン化物またはトリフェニル錫
ハロゲン化物とを反応させることを特徴とする一般式(
1)で示されるα−メチレン−δ−メチルアジピン酸の
トリアルキル錫エステルまたはトリフェニル錫エステル
の製法に関する。
またさらに本発明は一般式 (式中、R′は水素または炭素数1〜4のアルキル基を
示す)で示されるα−メチレン−δ−メチルアジピン酸
(アルキルエステル)とビストリアルキル錫オキサイド
またはビストリフェニル錫オキサイドあるいはトリアル
キル錫ノ\イドロオキサイドまたはトリフェニル錫ノ1
イドロオキサイドとを反応させることを特徴とする一般
式(1)で示されるα−メチレン−δ−メチルアジピン
酸のトリアルキル錫エステルまたはトリフェニル錫エス
テルの製法に関する。
α−メチレン−δ−メチルアジピン酸のアルカリ金属塩
とトリアルキルまたはトリフェニル−錫ハロゲン化物と
の反応モル比は通常0.5〜50間で行なう。
トリアルキル錫ハロゲン化物のアルキル基としては、例
えばメチル、プロピル、ブチル、アミル、ヘキシルまた
はオクチル等が挙げられ、ハロゲン化物としては、例え
ばクロライド、フロライド等があげられる。
反応は無触媒下でも進行するが、通常は第4級アンモニ
ウム塩、第3級アミン等の存在下に行なうのが好・まし
い。第4級アンモニウム塩はブトラメチルアンモニウム
クロリド、トリメチルベンジルアンモニウムクロIJ 
)”、  ) IJ x チルベンジルアンモニウムク
ロリドなどがあり、第3級アミンとしてはトリメチルア
ミン、トリエチルアミンなどがある。
また反応は不活性溶媒、例えばベンゼン、−トルエン等
の使用も可能であり、反応温度は通常30℃〜100℃
で行ない、例えばハイドロキノン、ハイドロキノンモノ
メチルエーテルまたはフェノチアジン等の重合抑制剤を
少量添加して行なうのか好ましい。
反応終了後、不溶解分をf別後、溶媒乞留去して目的物
を得る。
また CH,= C−C0OR’ − CH,−OH,−CH−C0OR’ CH。
(式中、R′は水素または炭素数1〜4のアルキル基を
示す)とピストリアルギル−またはトリフェニル−錫オ
キサイドあるいはトリアルキル−またはトリフェニル−
錫ハイドロオキサイドとの反応モル比は通常0.25〜
50間で変動可能であり、反応には不活性溶媒、例えば
ペンゼ/、トルエン等の使用も可能である。
反応温度は通常100℃以下で生成する水または低級ア
ルコール等を常圧または減圧下、系外へ留出しながら反
応を進める。
また反応系にはハイドロキノン、ハイドロキノンモノメ
チルエーテルまたはフェノチアジン等の重合抑制剤の添
加が好ましい。
反応終了後、未反応原料、溶媒等を通常の精製法を用い
て除き、目的物を得る。
本発明で得られる新規錫化合物は、たとえばα−メチレ
ン−δ−メチルアジピン酸ジ(トリブチル錫)、α−メ
チレン−6−メチルアジピン識ジ(トリプロピル錫)、
α−メチレン−δ−メチルアジビン酸ジ(トリアミル錫
)、α−メチレン−δ−メチルアジピン酸ジ(トリヘキ
シル錫)、α−メチレン−δ−メチルアジピン酸ジ(ト
リオ多チル錫)、α−メチレン−δ−メチルアジピン酸
ジ(トリブチル錫)、α−メチレン−δ−メチルアジピ
ン酸ジ(トリフェニル錫)などがある。
このようにして得られた化合物は、全(新規な不飽和ジ
カルボン酸の錫エステルであり、分子中の二重結合基は
共重合性が高く、単独重合性が低いという特性をもち、
かつ金錫化合物特有の殺菌性を有するため、特に防汚、
防黴を目的とする塗料用の共重合体原料として利用でき
る非常に有用な化合物である。
次に本発明を実施例について説明するが、本発明はこれ
によりなんら限定されるものでない。
実施例中、部は重量部を示す。
実施例−1 攪拌装置、温度針、還流冷却管を備えた反応器にα−メ
チレン−δ−メチルアジピン酸のシナトリ9ム塩250
部、トリブチル錫クロライ)’655i1S、lJエチ
ルベンジルアンモニウムクロライ)’6部、べ7971
200部およびノ1イドロキノンモノメチルエーデル1
部を入れ、50℃に加温し、6時間1拌を続けた。
冷却後、不溶解智’kF別し、減圧下、40℃以下で加
温しながら溶媒を留去せしめた所、淡黄色の粗製品70
0部が得られた。
石油エーテルより再結晶を繰り返して、融点83〜85
℃の白色結晶としてα−メチレン−δ−メチルアジピ/
酸ジ(トリブチル錫)を得た。
この化合物(C工H,、O,Sn、 )  の元素分析
計算値はC= 51.2.  H=8.6.5n=31
.6(vtl)に対し、測定分析値はC=50.9. 
 H=8.7゜5n=30.5であり良(一致した。
また、二重結合値は1.30 mn/p  (理論値1
.33)、赤外スペクトル、  N、M、Rスペクトル
による解析結果も、この化合物の生成を示している◎ 実施例−2 実施例−1と同様の反応器を用い、α−メチレン−δ−
メチルアジピン酸のジナトリウム塩1958、)リフェ
ニル錫クロライド600部。
トリエチルベンジルアンモニウムクロライド4部、ベン
ゼン1200部およびノ\イドロキノンモノメチルエー
テル1部を入れ、70℃で4時間反応を行なった。
冷却後、不溶解物をf別し、減圧下、浴温40℃以下で
加温しながら溶媒な留去せしめ、550部の結晶を得た
石油エーテルより再結晶を行ない、融点103〜104
℃の白色結晶としてα−メチレン−δ−メチルアジピン
酸のジ(トリフェニル錫)ft得た。
この化合物(c44H40o4s”! )  の元素分
析計算値はC= 60.8. H=4.6. Sn= 
27−3 (vtl)に対し、測定分析値IXC=60
.6.  H=4.6゜an = 25.4 (wtl
)であった。
また、二重結合値は1.12 mn/7  (理論値1
、 l 5 mn/7 )であった。
赤外スペクトル、  N、M、Rスペクトルによる解析
結果も、この化合物の生成を示している。
実施例−3 攪拌装置、温度計、デカンタ−何分留塔を備えた反応器
にベンゼン1000部、ビストリブチル錫オキサイド3
07部、ハイドロキノンモノメチルエーテル1部を入れ
、これにα−メチレン−δ−メチルアジピン酸86部を
少しづつ25℃を越さないように添加する。
添加後30℃に加熱攪拌し同時に反応系を減圧し、反応
で生じる水を系外へ留去する。
αへメチレン−δ−メチルアジピン酸添加後8時間経て
から浴温40℃以下の温度で溶媒を留去せしめ、350
部の結晶を得た。
石油エーテルにより再結晶な繰り返して融点−83〜8
5℃0) 白色の結晶としてα−メチレン−δ−メチル
アジピン酸ジ(トリブチル錫)を得た。
この化合物(C,、H□0,8n、)  の元素分析計
算値はC= 51.2.  H=8.6.8n=31.
7(wtl)に対し、測定値はC=51.8.  H=
8.6. sn =30.6であり良く一致した。
また、二重結合値は1.30 mn/7  (理論値1
.33)であり、N−1,Rスペクトル、赤外スペクト
ルによる解析結果も、この化合物の生成を示している。
実施例−4 実施例−3と同様の反応器を用い、ベンゼン1000部
、ビストリフェニル錫オキサイド367部、ハイドロキ
ノンモノメチルエーテル1部を入れ、これにα−メチレ
ン−δ−メチルアジピン!86部を少しづつ25℃を越
さないように添加する。
添加後30℃に加熱攪拌し同時に反応系を減圧にし、反
応で生じる水を系外へ留去する°。
α−メチレン−a−メチルアジピン酸添加後8時間経て
から浴温40℃以下の温度で溶媒を留去せしめ、390
部の結晶′lk:%た。
石油エーテルにより再結晶を繰り返して融点103〜1
05℃の白色結晶としてα−メチレン−δ−メチルアジ
ビ/酸のジ(トリフェニル錫)を得た。
この化合物(C4,H46048th、 )  の元素
分析計算値はC= 60.8. H= 4.6.5o−
= 27.3(wtlりに対し、測定分析値はC=60
.0.  H=4.4゜Sn= 28.1 (wtl)
である。
また、二重結合値は1.11 mn/7  (理論値1
.15mn/P)であった。
赤外スペクトル、  N、M、Rスペクトルによる解析
結果も、この化合物の生成を示している。
実施例−5 実施例41と同様の反応器音用い、ベンゼン1000部
、ビストリブチル錫オキサイド367部、α−メチレン
−δ−メチルアジピン象・メチル100部及びハイドロ
キノンモノメチルエーテル1部を入れ、80℃に加熱し
、10時間攪拌を続け、反応で生じるメチルエーテルを
系外へ留出せしめた。
減圧下、浴温40℃以下の温度で溶媒な留去せしめ、粗
製品32(itsを得た。
石油エーテルにより再結晶を繰り返して融点8番〜85
℃の白色結晶としてα−メチレン−6−メチルアジピン
酸ジ(斗すプチル錫)を得た。
この化合物(C5zHe+O+Snt )  の元素分
析測定値はC= 52.0.  H= 8.7. Sn
 = 29.9であり計算値とよく一致した。
また、二重結合値は1.28 mn/pであり、N、M
、Rスペクトル、赤外スペクトルによる解析結果も、こ
の化合物の生成を示している。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 (式中、Xは5nR1なる構造を有し、amは錫、Rは
    アルキル基またはフェニル基を示す)で表わされるα−
    メチレン−δ−メチルアジピン酸のトリアルキルまたは
    トリフェニル錫エステル化合物
  2. (2)一般式 (式中、2はナトリウム又はカリウムを示す)で示され
    るα−メチレン−δ−メチルアジピン綬のアルカリ金属
    塩とトリアルキル錫ハロゲ/化物またはトリフェニル錫
    ハロゲン化物とを反応させることを特徴とする特許請求
    の範囲#I1項の一般式(1)で示されるα−メチレン
    −δ−メチルアジピン酸のトリアルキル錫エステルまた
    はトリフェニル錫エステルの製法
  3. (3)一般式 (式中、R′は水素または炭素数1〜4のアルキル基を
    示す)とビストリプルキル錫オキサイドまたはトリフェ
    ニル錫ハイドロオキサイドとを反応させることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項の一般式(1)で示されるα
    −メチレン−δ−メチルアジピン酸のトリアルキル46
    −r−ス?ルまたハ) +7 フェニル錫エステルの製
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