JPH0557259B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真用感光材料、光デイスク用
記録材料、太陽電池、赤外線カツトフイルターな
どの分野で有用なスクエアリリウム化合物の合成
原料であるクロロシクロブテンジオン誘導体の製
造方法に関する。 〔従来の技術〕 従来、下記反応式()および()に示すよ
うに3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,
2−ジオン(スクエアリツク酸塩化物)はルイス
酸触媒の存在下で芳香族化合物と反応して、対応
する3−アリール−4−クロロ−3−シクロブテ
ン−1,2−ジオンが生成することが知られてい
る。 〔B.R.Greenら、Synthesis,1974,46〕 〔L.A.Wendlingら、J.Org.Chem.,42(7)、
1126(1977)〕 これらの反応では、選択性に問題があり、特に
()の反応では目的化合物(収率34%)のほか
に次式 で示される1,2−付加体(収率3%)が生成す
る。 スクエアリツク酸塩化物とN,N−ジメチルア
ニリンなどの第三級芳香族アミンとのフリーデル
クラフツ反応については報告例がない。 なお、一般のフリーデルクラフツ反応において
第3級芳香族アミンを用いた例として下記反応式
()で示されるものがあるが、収率は38〜42%
と低い。 〔Org.Syn.,41,1〕 また触媒を使用しないフリーデルクラフツ反応
の例としてはアニソール等の芳香族化合物とベン
ゾイルクロライド等の反応が知られているが(反
応式)、比較的高い温度が必要であり、収率も
低い。 〔D.E.Pearsonら、Synthesis,1972,533〕 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は電子写真感光体等の光導電材料
として有用なスクエアリリウム化合物の中間体で
あるクロロシクロブテンジオン誘導体を選択性よ
く、高純度で容易に製造する方法を提供すること
にある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、式() で示される3,4−ジクロロ−3−シクロブテン
−1,2−ジオンと一般式() 〔式中、Xは水素原子、置換されていてもよい
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、置換されて
いてもよいフエニル基、またはアルキル基が結合
したカルボンアミド基もしくはスルホンアミド基
を表わし、R1およびR2は互に独立したものであ
つて、各々置換されていてもよいアルキル基、置
換されていてもよいフエニル基または置換されて
いてもよいベンジル基を表わす。〕 で示されるアニリン誘導体とを反応させることを
特徴とする一般式() 〔式中、すべての記号は前記と同じ意味を表わ
す。〕 で示されるクロロシクロブテンジオン誘導体の製
造方法を提供したものである。 本発明の方法においては、原料の式()で示
されるアニリン誘導体は式()のスクエアリツ
ク酸塩化物に対して1当量以上、好ましくは2〜
5当量使用する。 原料のアニリン誘導体が液体の場合には溶媒を
兼ねるので必ずしも溶媒を用いなくてもよいが、
塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルムなどの
ハロゲン化炭化水素、ニトロベンゼン、エチルエ
ーテル、二硫化炭素、アセトニトリルなど、好ま
しくは塩化メチレンを溶媒として使用するのがよ
い。 意外なことではあるが、触媒は使用しなくても
反応は充分に進行し、かえつて触媒を用いる場合
よりも高純度の目的物を得ることができるので好
ましい。しかし反応性の低いアニリン誘導体(X
がハロゲン原子、アルキル基が結合したカルボン
アミド基およびスルホンアミド基を表わす化合
物)については通常のフリーデルクラフツ反応触
媒、例えば塩化アルミニウム、塩化アンチモン、
塩化鉄、塩化チタン、塩化スズ、塩化ビスマス、
塩化亜鉛、塩化水銀、三フツ化ホウ素などのルイ
ス酸、好ましくは三フツ化ホウ素を、スクエアリ
ツク酸塩化物に対して0.01当量以上、好ましくは
0.1〜1当量使用する。 反応温度は0〜80℃、好ましくは0〜40℃であ
り、反応時間は30分〜2時間である。 反応終了後は、常法により後処理し、カラムク
ロマトグラフイーにより分離精製して目的物を得
ることができる。 〔発明の効果〕 本発明はクロロシクロブテンジオン誘導体を選
択性よく、高純度で容易に得ることのできる製造
方法を提供したものである。 本発明により得られるクロロシクロブテンジオ
ン誘導体は新規な化合物であり、この化合物を加
水分解してヒドロキシシクロブテンジオン誘導体
とした後、各種アニリン誘導体等と反応させて、
電子写真感光体の光導電材料として有用な、対称
型あるいは非対称型のスクエアリリウム化合物を
合成することができる。 〔実施例〕 以下、実施例を挙げて本発明を説明する。 実施例 1 スクエアリツク酸塩化物15.1g(0.1mol)およ
び三フツ化ホウ素エチルエーテル錯体13ml
(0.1mol)を塩化メチレン60mlに溶解し、N,N
−ジメチルアニリン63ml(0.5mol)と混合、室
温で5時間攪拌して反応を行なつた。反応終了後
混合物を希塩酸、ついで水で洗浄し、カラムクロ
マトグラフイーを用いて分離生成を行ない次式 で示される化合物19.0g(収率81%)を得た。 mp:194〜195℃(分解); IR(KBr):1802,1772,1754cm-1; UV(CH2Cl2):409nm; 元素分析:C12H10ClNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 61.16 61.32 H 4.28 4.17 N 5.94 5.84 実施例 2 スクエアリツク酸塩化物15.1g(0.1mol)を塩
化メチレン60mlに溶解し、N,N−ジメチルアニ
リン63ml(0.5mol)と混合、室温で10時間攪拌
し反応を行なつた。反応終了後、混合物を希塩
酸、ついで水で洗浄し、カラムクロマトグラフイ
ーを用いて分離精製を行ない、実施例1と同じ化
合物17.7g(収率75%)を得た。 実施例 3 スクエアリツク酸塩化物3.00g(0.020mol)を
塩化メチレン30mlに溶かし塩化アルミニウム2.67
g(0.020mol)を懸濁させ、氷冷、攪拌下N,
N−ジメチルアニリン2.43g(0.020mol)を滴下
した。さらに2.5時間氷冷下で攪拌した後混合物
を希塩酸、ついで水で洗浄、カラムクロマトグラ
フイーを用いて分離生成を行ない、実施例1と同
じ化合物1.17g(収率21%)を得た。この際副生
成物として1,2−付加体が0.13g(収率2%)
得られた。 実施例 4 スクエアリツク酸塩化物15.1g(0.1mol)およ
び三フツ化ホウ素エチルエーテル錯体13ml
(0.1mol)を塩化メチレン60mlに溶解し、N,N
−ジメチル−m−トルイジン72ml(0.5mol)と
混合、室温で1時間攪拌し反応を行ない、以下実
施例1と同様に処理して、次式 で示される化合物16.8g(収率67%)を得た。 mp:170.5〜171.5℃(分解); IR(KBr):1790,1770cm-1; UV(CH2O2):421nm; 元素分析:C13H12ClNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 62.53 62.48 H 4.84 4.79 N 5.61 5.60 実施例 5 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)を塩
化メチレン30mlに溶解し、N,N−ジメチル−m
−トルイジン22ml(0.15mol)と混合、室温で5
時間攪拌し反応を行ない、以下実施例1と同様に
処理し、実施例4と同じ化合物7.9g(収率63%)
を得た。 実施例 6 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)およ
び三フツ化ホウ素エチルエーテル錯体6.5ml
(0.05mol)を塩化メチレン30mlに溶解し、N,
N−ジメチル−m−フルオロアニリン35g
(0.25mol)と混合、室温で16時間攪拌し反応を
行ない、以下実施例1と同様に処理し、次式 で示される化合物9.1g(収率72%)を得た。 mp:224℃(分解); IR(KBr):1816,1784,1760cm-1; UV(CH2Cl2):402nm; 元素分析:C12H9ClFNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 56.82 56.85 H 3.58 3.39 N 5.52 5.39 実施例 7 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)を、
塩化メチレン30mlに溶解し、N,N−ジメチル−
m−アミノフエノール13.7g(0.1mol)を塩化メ
チレン100mlに溶解した溶液を5〜10℃で徐徐に
加え、30分間攪拌した。反応終了後、生じた沈殿
を別し、カラムクロマトグラフイーを用いて分
離生成を行ない、次式 で示される化合物6.3g(収率50%)を得た。 mp:207〜209℃(分解); IR(KBr):1816,1766,1730cm-1; UV(CH2Cl2):421nm; 元素分析:C12H10ClNO3として 計算値(%) 実測値(%) C 57.27 57.41 H 4.00 4.06 N 5.57 5.39 実施例 8 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)、N
−メチル−N−(p−クロロベンジル)アニリン
35g(0.15mol)および三フツ化ホウ素エチルエ
ーテル錯体6.5ml(0.05mol)を塩化メチレン100
mlに溶解し、室温で24時間攪拌した。以下実施例
1と同様に処理し、次式 で示される化合物10.2g(収率59%)を得た。 mp:175〜176℃(分解); IR(KBr):1800,1758cm-1; UV(CH2Cl2):405nm; 元素分析:C18H13Cl2NO2として 計算値(%) 実測値(%) C 62.45 62.67 H 3.78 3.66 N 4.05 4.02 実施例 9 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)と、
N,N−ジベンジルアニリン27.3g(0.1mol)を
塩化メチレン50mlに溶解し、10時間加熱還流し
た。放冷後、混合物を希塩酸、ついで水で洗浄、
カラムクロマトグラフイーにより分離生成を行な
い次式 で示される化合物14.3g(収率74%)を得た。 mp:171〜173℃; IR(KBr):1756cm-1; UV(CH2Cl2):406nm; 元素分析:C24H18ClNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 74.32 74.21 H 4.68 4.75 N 3.61 3.69 実施例 10 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)とト
リフエニルアミン14.7g(0.06mol)を塩化メチ
レン50mlに溶解し、24時間、加熱還流した。放冷
後、混合物を水で洗浄、カラムクロマトグラフイ
ーにより分離生成を行ない、次式 で示される化合物7.0g(収率39%)を得た。 mp:218〜2195℃(分解); IR(KBr):1802,1782cm-1; UV(CH2Cl2):423nm; 元素分析:C22H14ClNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 73.44 73.48 H 3.92 3.77 N 3.89 3.69 実施例 11 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)、ト
リフエニルアミン14.7g(0.06mol)、および三フ
ツ化ホウ素エーテル錯体6.5ml(0.05mol)を塩化
メチレン50mlに溶解し、15時間加熱攪拌した。放
冷後混合物を水で洗浄、カラムクロマトグラフイ
ーにより分離精製を行ない、実施例10と同じ化合
物8〜5g(収率47%)を得た。 実施例 12〜14 実施例1と同様の方法により、対応する原料を
用いて表1に示す化合物を得た。各化合物の物性
値等をも表1に示す。 【表】
記録材料、太陽電池、赤外線カツトフイルターな
どの分野で有用なスクエアリリウム化合物の合成
原料であるクロロシクロブテンジオン誘導体の製
造方法に関する。 〔従来の技術〕 従来、下記反応式()および()に示すよ
うに3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,
2−ジオン(スクエアリツク酸塩化物)はルイス
酸触媒の存在下で芳香族化合物と反応して、対応
する3−アリール−4−クロロ−3−シクロブテ
ン−1,2−ジオンが生成することが知られてい
る。 〔B.R.Greenら、Synthesis,1974,46〕 〔L.A.Wendlingら、J.Org.Chem.,42(7)、
1126(1977)〕 これらの反応では、選択性に問題があり、特に
()の反応では目的化合物(収率34%)のほか
に次式 で示される1,2−付加体(収率3%)が生成す
る。 スクエアリツク酸塩化物とN,N−ジメチルア
ニリンなどの第三級芳香族アミンとのフリーデル
クラフツ反応については報告例がない。 なお、一般のフリーデルクラフツ反応において
第3級芳香族アミンを用いた例として下記反応式
()で示されるものがあるが、収率は38〜42%
と低い。 〔Org.Syn.,41,1〕 また触媒を使用しないフリーデルクラフツ反応
の例としてはアニソール等の芳香族化合物とベン
ゾイルクロライド等の反応が知られているが(反
応式)、比較的高い温度が必要であり、収率も
低い。 〔D.E.Pearsonら、Synthesis,1972,533〕 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は電子写真感光体等の光導電材料
として有用なスクエアリリウム化合物の中間体で
あるクロロシクロブテンジオン誘導体を選択性よ
く、高純度で容易に製造する方法を提供すること
にある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、式() で示される3,4−ジクロロ−3−シクロブテン
−1,2−ジオンと一般式() 〔式中、Xは水素原子、置換されていてもよい
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、置換されて
いてもよいフエニル基、またはアルキル基が結合
したカルボンアミド基もしくはスルホンアミド基
を表わし、R1およびR2は互に独立したものであ
つて、各々置換されていてもよいアルキル基、置
換されていてもよいフエニル基または置換されて
いてもよいベンジル基を表わす。〕 で示されるアニリン誘導体とを反応させることを
特徴とする一般式() 〔式中、すべての記号は前記と同じ意味を表わ
す。〕 で示されるクロロシクロブテンジオン誘導体の製
造方法を提供したものである。 本発明の方法においては、原料の式()で示
されるアニリン誘導体は式()のスクエアリツ
ク酸塩化物に対して1当量以上、好ましくは2〜
5当量使用する。 原料のアニリン誘導体が液体の場合には溶媒を
兼ねるので必ずしも溶媒を用いなくてもよいが、
塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルムなどの
ハロゲン化炭化水素、ニトロベンゼン、エチルエ
ーテル、二硫化炭素、アセトニトリルなど、好ま
しくは塩化メチレンを溶媒として使用するのがよ
い。 意外なことではあるが、触媒は使用しなくても
反応は充分に進行し、かえつて触媒を用いる場合
よりも高純度の目的物を得ることができるので好
ましい。しかし反応性の低いアニリン誘導体(X
がハロゲン原子、アルキル基が結合したカルボン
アミド基およびスルホンアミド基を表わす化合
物)については通常のフリーデルクラフツ反応触
媒、例えば塩化アルミニウム、塩化アンチモン、
塩化鉄、塩化チタン、塩化スズ、塩化ビスマス、
塩化亜鉛、塩化水銀、三フツ化ホウ素などのルイ
ス酸、好ましくは三フツ化ホウ素を、スクエアリ
ツク酸塩化物に対して0.01当量以上、好ましくは
0.1〜1当量使用する。 反応温度は0〜80℃、好ましくは0〜40℃であ
り、反応時間は30分〜2時間である。 反応終了後は、常法により後処理し、カラムク
ロマトグラフイーにより分離精製して目的物を得
ることができる。 〔発明の効果〕 本発明はクロロシクロブテンジオン誘導体を選
択性よく、高純度で容易に得ることのできる製造
方法を提供したものである。 本発明により得られるクロロシクロブテンジオ
ン誘導体は新規な化合物であり、この化合物を加
水分解してヒドロキシシクロブテンジオン誘導体
とした後、各種アニリン誘導体等と反応させて、
電子写真感光体の光導電材料として有用な、対称
型あるいは非対称型のスクエアリリウム化合物を
合成することができる。 〔実施例〕 以下、実施例を挙げて本発明を説明する。 実施例 1 スクエアリツク酸塩化物15.1g(0.1mol)およ
び三フツ化ホウ素エチルエーテル錯体13ml
(0.1mol)を塩化メチレン60mlに溶解し、N,N
−ジメチルアニリン63ml(0.5mol)と混合、室
温で5時間攪拌して反応を行なつた。反応終了後
混合物を希塩酸、ついで水で洗浄し、カラムクロ
マトグラフイーを用いて分離生成を行ない次式 で示される化合物19.0g(収率81%)を得た。 mp:194〜195℃(分解); IR(KBr):1802,1772,1754cm-1; UV(CH2Cl2):409nm; 元素分析:C12H10ClNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 61.16 61.32 H 4.28 4.17 N 5.94 5.84 実施例 2 スクエアリツク酸塩化物15.1g(0.1mol)を塩
化メチレン60mlに溶解し、N,N−ジメチルアニ
リン63ml(0.5mol)と混合、室温で10時間攪拌
し反応を行なつた。反応終了後、混合物を希塩
酸、ついで水で洗浄し、カラムクロマトグラフイ
ーを用いて分離精製を行ない、実施例1と同じ化
合物17.7g(収率75%)を得た。 実施例 3 スクエアリツク酸塩化物3.00g(0.020mol)を
塩化メチレン30mlに溶かし塩化アルミニウム2.67
g(0.020mol)を懸濁させ、氷冷、攪拌下N,
N−ジメチルアニリン2.43g(0.020mol)を滴下
した。さらに2.5時間氷冷下で攪拌した後混合物
を希塩酸、ついで水で洗浄、カラムクロマトグラ
フイーを用いて分離生成を行ない、実施例1と同
じ化合物1.17g(収率21%)を得た。この際副生
成物として1,2−付加体が0.13g(収率2%)
得られた。 実施例 4 スクエアリツク酸塩化物15.1g(0.1mol)およ
び三フツ化ホウ素エチルエーテル錯体13ml
(0.1mol)を塩化メチレン60mlに溶解し、N,N
−ジメチル−m−トルイジン72ml(0.5mol)と
混合、室温で1時間攪拌し反応を行ない、以下実
施例1と同様に処理して、次式 で示される化合物16.8g(収率67%)を得た。 mp:170.5〜171.5℃(分解); IR(KBr):1790,1770cm-1; UV(CH2O2):421nm; 元素分析:C13H12ClNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 62.53 62.48 H 4.84 4.79 N 5.61 5.60 実施例 5 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)を塩
化メチレン30mlに溶解し、N,N−ジメチル−m
−トルイジン22ml(0.15mol)と混合、室温で5
時間攪拌し反応を行ない、以下実施例1と同様に
処理し、実施例4と同じ化合物7.9g(収率63%)
を得た。 実施例 6 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)およ
び三フツ化ホウ素エチルエーテル錯体6.5ml
(0.05mol)を塩化メチレン30mlに溶解し、N,
N−ジメチル−m−フルオロアニリン35g
(0.25mol)と混合、室温で16時間攪拌し反応を
行ない、以下実施例1と同様に処理し、次式 で示される化合物9.1g(収率72%)を得た。 mp:224℃(分解); IR(KBr):1816,1784,1760cm-1; UV(CH2Cl2):402nm; 元素分析:C12H9ClFNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 56.82 56.85 H 3.58 3.39 N 5.52 5.39 実施例 7 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)を、
塩化メチレン30mlに溶解し、N,N−ジメチル−
m−アミノフエノール13.7g(0.1mol)を塩化メ
チレン100mlに溶解した溶液を5〜10℃で徐徐に
加え、30分間攪拌した。反応終了後、生じた沈殿
を別し、カラムクロマトグラフイーを用いて分
離生成を行ない、次式 で示される化合物6.3g(収率50%)を得た。 mp:207〜209℃(分解); IR(KBr):1816,1766,1730cm-1; UV(CH2Cl2):421nm; 元素分析:C12H10ClNO3として 計算値(%) 実測値(%) C 57.27 57.41 H 4.00 4.06 N 5.57 5.39 実施例 8 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)、N
−メチル−N−(p−クロロベンジル)アニリン
35g(0.15mol)および三フツ化ホウ素エチルエ
ーテル錯体6.5ml(0.05mol)を塩化メチレン100
mlに溶解し、室温で24時間攪拌した。以下実施例
1と同様に処理し、次式 で示される化合物10.2g(収率59%)を得た。 mp:175〜176℃(分解); IR(KBr):1800,1758cm-1; UV(CH2Cl2):405nm; 元素分析:C18H13Cl2NO2として 計算値(%) 実測値(%) C 62.45 62.67 H 3.78 3.66 N 4.05 4.02 実施例 9 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)と、
N,N−ジベンジルアニリン27.3g(0.1mol)を
塩化メチレン50mlに溶解し、10時間加熱還流し
た。放冷後、混合物を希塩酸、ついで水で洗浄、
カラムクロマトグラフイーにより分離生成を行な
い次式 で示される化合物14.3g(収率74%)を得た。 mp:171〜173℃; IR(KBr):1756cm-1; UV(CH2Cl2):406nm; 元素分析:C24H18ClNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 74.32 74.21 H 4.68 4.75 N 3.61 3.69 実施例 10 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)とト
リフエニルアミン14.7g(0.06mol)を塩化メチ
レン50mlに溶解し、24時間、加熱還流した。放冷
後、混合物を水で洗浄、カラムクロマトグラフイ
ーにより分離生成を行ない、次式 で示される化合物7.0g(収率39%)を得た。 mp:218〜2195℃(分解); IR(KBr):1802,1782cm-1; UV(CH2Cl2):423nm; 元素分析:C22H14ClNO2として 計算値(%) 実測値(%) C 73.44 73.48 H 3.92 3.77 N 3.89 3.69 実施例 11 スクエアリツク酸塩化物7.5g(0.05mol)、ト
リフエニルアミン14.7g(0.06mol)、および三フ
ツ化ホウ素エーテル錯体6.5ml(0.05mol)を塩化
メチレン50mlに溶解し、15時間加熱攪拌した。放
冷後混合物を水で洗浄、カラムクロマトグラフイ
ーにより分離精製を行ない、実施例10と同じ化合
物8〜5g(収率47%)を得た。 実施例 12〜14 実施例1と同様の方法により、対応する原料を
用いて表1に示す化合物を得た。各化合物の物性
値等をも表1に示す。 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式() で示される3,4−ジクロロ−3−シクロブテン
−1,2−ジオンと一般式() 〔式中、Xは水素原子、置換されていてもよい
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、置換されて
いてもよいフエニル基、またはアルキル基が結合
したカルボンアミド基もしくはスルホンアミド基
を表わし、R1およびR2は互に独立したものであ
つて、各々置換されていてもよいアルキル基、置
換されていてもよいフエニル基または置換されて
いてもよいベンジル基を表わす。〕 で示されるアニリン誘導体とを反応させることを
特徴とする一般式() 〔式中、すべての記号は前記と同じ意味を表わ
す。〕 で示されるクロロシクロブテンジオン誘導体の製
造方法。 2 ルイス酸触媒を使用する特許請求の範囲第1
項に記載の製造方法。 3 ルイス酸触媒が三フツ化ホウ素である特許請
求の範囲第2項に記載の製造方法。 4 溶媒を使用する特許請求の範囲第1項、第2
項または第3項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61091258A JPS62249951A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | クロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61091258A JPS62249951A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | クロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62249951A JPS62249951A (ja) | 1987-10-30 |
JPH0557259B2 true JPH0557259B2 (ja) | 1993-08-23 |
Family
ID=14021395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61091258A Granted JPS62249951A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | クロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JPS62249951A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0754390B2 (ja) * | 1988-02-10 | 1995-06-07 | 富士ゼロックス株式会社 | 非線形光学素子用材料 |
JP2887833B2 (ja) * | 1994-05-20 | 1999-05-10 | 富士ゼロックス株式会社 | シクロブテンジオン誘導体及びその製造方法並びにこれを用いた非線形光学素子 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS624251A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-10 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 非対称スクエアライン化合物およびそれを使用した光導電性像形成部材 |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP61091258A patent/JPS62249951A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS624251A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-10 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 非対称スクエアライン化合物およびそれを使用した光導電性像形成部材 |
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JPS62249951A (ja) | 1987-10-30 |
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