JPS62249951A - クロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法 - Google Patents
クロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法Info
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- JPS62249951A JPS62249951A JP61091258A JP9125886A JPS62249951A JP S62249951 A JPS62249951 A JP S62249951A JP 61091258 A JP61091258 A JP 61091258A JP 9125886 A JP9125886 A JP 9125886A JP S62249951 A JPS62249951 A JP S62249951A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真用感光材料、光ディスク用記鎌材料
、太陽電池、赤外線カットフィルターなどの分野で有用
なスクエアIJ IJウム化合物の合成原料であるクロ
ロシクロブテンジオン誘導体の製造方法に関する。
、太陽電池、赤外線カットフィルターなどの分野で有用
なスクエアIJ IJウム化合物の合成原料であるクロ
ロシクロブテンジオン誘導体の製造方法に関する。
〔従来の技術]
従来、下記反応式(1)および(11)に示すように3
.4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン(
スクエアリック酸塩化物〕はルイス酸触媒の存在下で芳
香族化合物と反応して、対応する3−アリール−4−ク
ロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオンが生成するこ
とが知られている。
.4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン(
スクエアリック酸塩化物〕はルイス酸触媒の存在下で芳
香族化合物と反応して、対応する3−アリール−4−ク
ロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオンが生成するこ
とが知られている。
t
[L、A、Wendlingら* J、 Org、 C
heyn、、 42(7L1126 (1977)] これらの反応では1選択性に問題があり、特に(1)の
反応では目的化合物(収率34%〕のほかに次式 で示される1、2−付加体(収率3係)が゛生成する。
heyn、、 42(7L1126 (1977)] これらの反応では1選択性に問題があり、特に(1)の
反応では目的化合物(収率34%〕のほかに次式 で示される1、2−付加体(収率3係)が゛生成する。
スクエアリック酸塩化物とN、N−ジメチルアニリンな
どの第三級芳香族アミンとのフリーデルクラフッ反応に
ついては報告例がない。
どの第三級芳香族アミンとのフリーデルクラフッ反応に
ついては報告例がない。
なお、一般のフリーデルクラフッ反応において第3#&
芳香族アミンを用いた例として下記反応式(11りで示
されるものがあるが、収率は38〜42%と低い。
芳香族アミンを用いた例として下記反応式(11りで示
されるものがあるが、収率は38〜42%と低い。
[Org、 Syn、、 41.1 ]また触媒を使用
しないフリーゾルタラフッ反応の例としてはアニソール
等の芳香族化合物とベンゾイルクロライド等の反応が知
られているが(反応式1v )、比較的高い温度が必要
であり、収率も低い。
しないフリーゾルタラフッ反応の例としてはアニソール
等の芳香族化合物とベンゾイルクロライド等の反応が知
られているが(反応式1v )、比較的高い温度が必要
であり、収率も低い。
[D、E、Pearsonら、 5ynthesis
s 1972 、533 ]〔発明が解決しようとする
問題点〕 本発明の目的は電子写真感光体等の光導電材料として有
用なスクェアリリウム化合物の中間体であるクロロシク
ロブテンジオン誘導体を選択性よく、高純度で容易に製
造する方法を提供することにある。
s 1972 、533 ]〔発明が解決しようとする
問題点〕 本発明の目的は電子写真感光体等の光導電材料として有
用なスクェアリリウム化合物の中間体であるクロロシク
ロブテンジオン誘導体を選択性よく、高純度で容易に製
造する方法を提供することにある。
本発明は、式(I)
t
で示される3、4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,
2−ジオンと一般式(1) 〔式中、Xは水素原子、置換されていてもよいアルキル
基やハロゲン原子、水酸基、置換されていてもよいフェ
ニル基、またはアルキル基が結合したカルボンアミド基
もしくはスルホンアミド基を表わし、R1およびR2は
互に独立したものであって、各々置換されていてもよい
アルキル基、置換されていてもよいフェニル基才たは置
換されていてもよいベンジル基を表わす。] で示されるアニリン誘導体とを反応させることを特徴と
する一般式(し t 〔式中、すべての記号は前記と同じ意味を表わす。〕 で示されるクロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法
を提供したものである。
2−ジオンと一般式(1) 〔式中、Xは水素原子、置換されていてもよいアルキル
基やハロゲン原子、水酸基、置換されていてもよいフェ
ニル基、またはアルキル基が結合したカルボンアミド基
もしくはスルホンアミド基を表わし、R1およびR2は
互に独立したものであって、各々置換されていてもよい
アルキル基、置換されていてもよいフェニル基才たは置
換されていてもよいベンジル基を表わす。] で示されるアニリン誘導体とを反応させることを特徴と
する一般式(し t 〔式中、すべての記号は前記と同じ意味を表わす。〕 で示されるクロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法
を提供したものである。
本発明の方法においては、原料の式(1)で示されるア
ニリン誘導体は式(II)のスクエアリック酸塩化物に
対して1当量以上、好ましくは2〜5当量使用する。
ニリン誘導体は式(II)のスクエアリック酸塩化物に
対して1当量以上、好ましくは2〜5当量使用する。
原料のアニリン誘導体が液体の場合には溶媒を兼ねるの
で必ずしも溶媒を用いなくてもよいが、塩化メチレン、
四塩化炭素、クロロホルムなどのハロケン化炭化水i、
ニトロベンゼン、エチルエーテル、二硫化炭素、アセト
ニトリルなど、好ましくは塩化メチレンを溶媒として使
用するのがよい。
で必ずしも溶媒を用いなくてもよいが、塩化メチレン、
四塩化炭素、クロロホルムなどのハロケン化炭化水i、
ニトロベンゼン、エチルエーテル、二硫化炭素、アセト
ニトリルなど、好ましくは塩化メチレンを溶媒として使
用するのがよい。
意外なことではあるが、触媒は使用しな(でも反応は充
分に進行し、かえって触媒を用いる場合よりも高純度の
目的物を得ることができるので好ましい。しかし反応性
の低いアニリン誘導体(Xがハロゲン原子、アルキル基
が結合したカルボンアミド基およびスルホンアミド基を
表わす化合物〕については通常のフリーデルクラフッ反
応触媒、例えば塩化アルミニウム、塩化アンチモン、塩
化鉄、塩化チタン、塩化スズ、塩化ビスマス、塩化亜鉛
、塩化水銀、三フッ化ホウ素などのルイス酸。
分に進行し、かえって触媒を用いる場合よりも高純度の
目的物を得ることができるので好ましい。しかし反応性
の低いアニリン誘導体(Xがハロゲン原子、アルキル基
が結合したカルボンアミド基およびスルホンアミド基を
表わす化合物〕については通常のフリーデルクラフッ反
応触媒、例えば塩化アルミニウム、塩化アンチモン、塩
化鉄、塩化チタン、塩化スズ、塩化ビスマス、塩化亜鉛
、塩化水銀、三フッ化ホウ素などのルイス酸。
好ましくは三フッ化ホウ素を、スクエアリック酸塩化物
に対して0.01当量以上、好ましくは0.1〜1当量
使用する。
に対して0.01当量以上、好ましくは0.1〜1当量
使用する。
反応温度は0〜80℃、好ましくは0〜40℃であり、
反応時間は30分〜2時間である。
反応時間は30分〜2時間である。
反応終了後は、常法により後処理し、カラムクロマトグ
ラフィーにより分離精製して目的物を得ることができる
。
ラフィーにより分離精製して目的物を得ることができる
。
本発明はクロロシクロブテンジオン誘導体を選択性よ(
、高純度で容易に得ることのできる製造方法を提供した
ものである。
、高純度で容易に得ることのできる製造方法を提供した
ものである。
本発明により得られるクロロシクロブテンジオン誘導体
は新規な化合物であり、この化合物を加水分解してヒド
ロキシシクロブテンジオン誘導体とした後、各種アニリ
ン誘導体等と反応させて、電子写真感光体の光導電材料
とし、て有用な、対称型あるいは非対称型のスクエアI
J IJウム化合物を合成することができる。
は新規な化合物であり、この化合物を加水分解してヒド
ロキシシクロブテンジオン誘導体とした後、各種アニリ
ン誘導体等と反応させて、電子写真感光体の光導電材料
とし、て有用な、対称型あるいは非対称型のスクエアI
J IJウム化合物を合成することができる。
以下、実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例1
スクエアリック酸塩化物15.19 (0,1mol
)および三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体13+d(
0,1mol )を塩化メチレン60−に浴解し、N、
N−ジメチルアニリン63 ml (0,5mol )
と混合、室温で5時間攪拌して反応を行なった。反応終
了後混合物を希塩酸、ついで水で洗浄し5カラムクロマ
トグラフイーを用いて分離生成を行ない次式で示される
化合物+9.or(収率81%〕を得た。
)および三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体13+d(
0,1mol )を塩化メチレン60−に浴解し、N、
N−ジメチルアニリン63 ml (0,5mol )
と混合、室温で5時間攪拌して反応を行なった。反応終
了後混合物を希塩酸、ついで水で洗浄し5カラムクロマ
トグラフイーを用いて分離生成を行ない次式で示される
化合物+9.or(収率81%〕を得た。
mp : 194〜195℃(分解);IR(KBr)
: 1802,1772,1754crn−” :U
V(CH2CL2) : 409 nm :元素分析’
CI2 HIOCLNO,として計算値(%) 実測
値(%) C61,1661,32 H4,284,17 N 5.94 5.84 実施例2 スクエアリック酸塩化物15.1 ? (0,1mol
)を塩化メチレン60−に溶解し、N、N−ジメチル
アニリン63 ml (0,5mol )と混合、室温
で10時間攪拌し反応を行なった。反応終了後、混合物
を希塩酸、ついで水で洗浄し、カラムクロマトグラフィ
ーを用いて分離精製を行ない、実施例1と同じ化合物1
7.72(収率75%)を得た。
: 1802,1772,1754crn−” :U
V(CH2CL2) : 409 nm :元素分析’
CI2 HIOCLNO,として計算値(%) 実測
値(%) C61,1661,32 H4,284,17 N 5.94 5.84 実施例2 スクエアリック酸塩化物15.1 ? (0,1mol
)を塩化メチレン60−に溶解し、N、N−ジメチル
アニリン63 ml (0,5mol )と混合、室温
で10時間攪拌し反応を行なった。反応終了後、混合物
を希塩酸、ついで水で洗浄し、カラムクロマトグラフィ
ーを用いて分離精製を行ない、実施例1と同じ化合物1
7.72(収率75%)を得た。
実施例3
スクエアリック酸塩化物3.00 f (0,020m
o1)を塩化メチレン30−に溶かし塩化アルミニウム
2.67 t (0,020mo1)を懸濁させ、水冷
、攪拌下N、N−ジメチルアニリン2.43 f (0
,020mo1)を滴下した。さらに2.5時間水冷下
で攪拌した後混合物を希塩酸、ついで水で洗浄、カラム
クロマトグラフィーを用いて分離生成を行ない、実施例
1と同じ化合物1.17g(収率21%)を得た。この
際副生成物として1.2−付加体が0.13tC収率2
%)得られた。
o1)を塩化メチレン30−に溶かし塩化アルミニウム
2.67 t (0,020mo1)を懸濁させ、水冷
、攪拌下N、N−ジメチルアニリン2.43 f (0
,020mo1)を滴下した。さらに2.5時間水冷下
で攪拌した後混合物を希塩酸、ついで水で洗浄、カラム
クロマトグラフィーを用いて分離生成を行ない、実施例
1と同じ化合物1.17g(収率21%)を得た。この
際副生成物として1.2−付加体が0.13tC収率2
%)得られた。
実施例4
スクエアリック酸塩化物15.1f(0,1mo1)お
よび三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体13−(0,1
mol )を塩化メチレン60−に溶解し、N、N−ジ
メチル−m−トルイジン72 at (0,5mol
)と混合、室温で1時間攪拌し反応を行ない、以下実施
例1と同様に処理して、次式 で示される化合物16.8 t (収率67%〕を得た
。
よび三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体13−(0,1
mol )を塩化メチレン60−に溶解し、N、N−ジ
メチル−m−トルイジン72 at (0,5mol
)と混合、室温で1時間攪拌し反応を行ない、以下実施
例1と同様に処理して、次式 で示される化合物16.8 t (収率67%〕を得た
。
mp : 170.5〜171.5℃(分#):IR(
KBr) : 1790.1770crn。
KBr) : 1790.1770crn。
UV(CH,02) : 421nm :元素分析;c
l、 H12ctNo、として計算値(%)実測値(%
) C62,5362,48 H4,844,79 N 5.61 5.60 実施例5 スクエアリック酸塩化物7.5 t (0,05mol
)を塩化メチレン30 Tntに溶解し、 N、N−
ジメチル−m −トルイジン22 tri (0,15
mol )と混合、室温で5時間攪拌し反応を行ない、
以下実施例1と同様に処理し、実施例4と同じ化合物7
.9S’(収率63%)を得た。
l、 H12ctNo、として計算値(%)実測値(%
) C62,5362,48 H4,844,79 N 5.61 5.60 実施例5 スクエアリック酸塩化物7.5 t (0,05mol
)を塩化メチレン30 Tntに溶解し、 N、N−
ジメチル−m −トルイジン22 tri (0,15
mol )と混合、室温で5時間攪拌し反応を行ない、
以下実施例1と同様に処理し、実施例4と同じ化合物7
.9S’(収率63%)を得た。
実施例6
スクエアリツク酸塩化物7.5 t (0,05mol
)および三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体6.5コ
(0,05mol )を塩化メチレン30−に溶解し、
N、N −:)メチル−m−フルオロアニリン35t(
0,25mol )と混合、室温で16時間攪拌し反応
を行ない、以下実施例1と同様に処理し、次式で示され
る化合物9.14(収率72%)を得た。
)および三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体6.5コ
(0,05mol )を塩化メチレン30−に溶解し、
N、N −:)メチル−m−フルオロアニリン35t(
0,25mol )と混合、室温で16時間攪拌し反応
を行ない、以下実施例1と同様に処理し、次式で示され
る化合物9.14(収率72%)を得た。
mp : 224°C(分解);
IR(KBr) : 1816,1784,1760c
In。
In。
UV(CH,C4) : 402 nm :元零分析:
C12HgCtCl2Hとして計算値(%)実測値(
%) c 56.82 56.85 H3,583,39 N 5.52 5.39 実施例7 スクエアリツク酸塩化物7.5 t (0,05mol
)を、塩化メチレン30−に浴解し、N、N −シメ
チJL/ −m−アミノフェノール13.7 t (0
,1mol )を塩化メチレン100fntに溶解した
溶液を5〜lO℃で余禄に加え、30分間攪拌した。反
応終了後、生じた沈澱を戸別し、カラムクロマトグラフ
ィーを用いて分離生成を行ない、次式 で示される化合物6.3t(収率50%〕を得た。
C12HgCtCl2Hとして計算値(%)実測値(
%) c 56.82 56.85 H3,583,39 N 5.52 5.39 実施例7 スクエアリツク酸塩化物7.5 t (0,05mol
)を、塩化メチレン30−に浴解し、N、N −シメ
チJL/ −m−アミノフェノール13.7 t (0
,1mol )を塩化メチレン100fntに溶解した
溶液を5〜lO℃で余禄に加え、30分間攪拌した。反
応終了後、生じた沈澱を戸別し、カラムクロマトグラフ
ィーを用いて分離生成を行ない、次式 で示される化合物6.3t(収率50%〕を得た。
mp : 207〜209℃(分解):IR(KBr)
: 1816,1766.1730cIn。
: 1816,1766.1730cIn。
UV (CHt C4) : 421 nm :元素分
析: C5zH+。CLNOsとして計算値(%)
実測値(%) C57,2757,41 H4,004,06 N 5.57 5.39 実施例8 スクエアリック酸塩化物7.5 f (0,05mol
)、N−メチル−N−(p−クロロベンジル)アニリ
ン35 t (0,15mo+ )および三フッ化ホウ
素エチルエーテル錯体6.5 ml (0,05mol
)を塩化メチレン100艷に溶解し、室温で24時間
攪拌した。以下実施例1と同様に処理し、次式 で示される化合物10.2F(収率59%〕を得た。
析: C5zH+。CLNOsとして計算値(%)
実測値(%) C57,2757,41 H4,004,06 N 5.57 5.39 実施例8 スクエアリック酸塩化物7.5 f (0,05mol
)、N−メチル−N−(p−クロロベンジル)アニリ
ン35 t (0,15mo+ )および三フッ化ホウ
素エチルエーテル錯体6.5 ml (0,05mol
)を塩化メチレン100艷に溶解し、室温で24時間
攪拌した。以下実施例1と同様に処理し、次式 で示される化合物10.2F(収率59%〕を得た。
mp : 175〜176℃(分解〕;IR(KBr)
: 1800.1758 cm−” :UV(CH2
C4) : 405nm :元素分析’ CuH+5C
4NO2として計算値(係) 実測値(旬 C62,4562,67 H3,783,66 N 4.05 4.02
実施例9 スクエアリック酸塩化物7.59 (0,05mo+
)とN、N−ジベンジルアニリン27.3 t (0,
1mol )を塩化メチレン50tntに溶解し、10
時間加熱還流した。放冷後、混合物を希塩酸、ついで水
で洗浄。
: 1800.1758 cm−” :UV(CH2
C4) : 405nm :元素分析’ CuH+5C
4NO2として計算値(係) 実測値(旬 C62,4562,67 H3,783,66 N 4.05 4.02
実施例9 スクエアリック酸塩化物7.59 (0,05mo+
)とN、N−ジベンジルアニリン27.3 t (0,
1mol )を塩化メチレン50tntに溶解し、10
時間加熱還流した。放冷後、混合物を希塩酸、ついで水
で洗浄。
カラムクロマトグラフィーにより分離生成を行ない次式
で示される化合物14.3P(収率74チ)を得た。
mp : 171〜173℃;
IR(KBr) : 17561M−
UV(CH2C4) : 406 nrn :元素分析
:C□H1,CANO□として計算値(%) 実測値(
%〕 C74,3274,21 H4,684,75 N 3.61 3.69 実施例10 スクエアリック酸塩化物7.5 t (0,05mol
)とトリフェニルアミン14.7 t (0,06m
ol )を塩化メチレン50−にf#解し、24時間、
加熱還流した。
:C□H1,CANO□として計算値(%) 実測値(
%〕 C74,3274,21 H4,684,75 N 3.61 3.69 実施例10 スクエアリック酸塩化物7.5 t (0,05mol
)とトリフェニルアミン14.7 t (0,06m
ol )を塩化メチレン50−にf#解し、24時間、
加熱還流した。
放冷後、混合物を水で洗浄、カラムクロマトグラフィー
により分離生成を行ない、次式 で示される化合物7.Of(収率39チ)を得た。
により分離生成を行ない、次式 で示される化合物7.Of(収率39チ)を得た。
mp:218〜2195℃(分解);
IR(KBr) : 1802,1782tM−UV(
CH2C4) : 423 nm :元素分析: C,
、H,4C1NO,として計算値(%) 実測値(%) C73,4473,48 H3,923,77 N 3.89 3.69 実施例11 スクエアリック酸塩化物7.59 (0,05mol
)、トリフェニルアミン14.79 (0,06mol
) 、および三フッ化ホウ素エーテル錯体6.5
ml (0,05mo+ )を塩化メチレン50−に溶
解し、15時間加熱攪拌した。放冷後混合物を水で洗浄
、カラムクロマトグラフィーにより分離精製を行ない、
実施例10′と同じ化合物8〜5r(収率47チ〕を得
た。
CH2C4) : 423 nm :元素分析: C,
、H,4C1NO,として計算値(%) 実測値(%) C73,4473,48 H3,923,77 N 3.89 3.69 実施例11 スクエアリック酸塩化物7.59 (0,05mol
)、トリフェニルアミン14.79 (0,06mol
) 、および三フッ化ホウ素エーテル錯体6.5
ml (0,05mo+ )を塩化メチレン50−に溶
解し、15時間加熱攪拌した。放冷後混合物を水で洗浄
、カラムクロマトグラフィーにより分離精製を行ない、
実施例10′と同じ化合物8〜5r(収率47チ〕を得
た。
実施例12〜14
実施例1と同様の方法により、対応する原料を用いて表
1に示す化合物を得た。各化合物の物性値等をも表1に
示す。
1に示す化合物を得た。各化合物の物性値等をも表1に
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) で示される3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,
2−ジオンと一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、Xは水素原子、置換されていてもよいアルキル
基、ハロゲン原子、水酸基、置換されていてもよいフェ
ニル基、またはアルキル基が結合したカルボンアミド基
もしくはスルホンアミド基を表わし、R_1およびR_
2は互に独立したものであって、各々置換されていても
よいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基また
は置換されていてもよいベンジル基を表わす。〕 で示されるアニリン誘導体とを反応させることを特徴と
する一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、すべての記号は前記と同じ意味を表わす。〕 で示されるクロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法
。 2)ルイス酸触媒を使用する特許請求の範囲第1項に記
載の製造方法。 3)ルイス酸触媒が三フッ化ホウ素である特許請求の範
囲第2項に記載の製造方法。 4)溶媒を使用する特許請求の範囲第1項、第2項また
は第3項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61091258A JPS62249951A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | クロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61091258A JPS62249951A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | クロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62249951A true JPS62249951A (ja) | 1987-10-30 |
JPH0557259B2 JPH0557259B2 (ja) | 1993-08-23 |
Family
ID=14021395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61091258A Granted JPS62249951A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | クロロシクロブテンジオン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62249951A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4986935A (en) * | 1988-02-10 | 1991-01-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Wavelength converting device |
JPH07309819A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-11-28 | Fuji Xerox Co Ltd | シクロブテンジオン誘導体及びその製造方法並びにこれを用いた非線形光学素子 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS624251A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-10 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 非対称スクエアライン化合物およびそれを使用した光導電性像形成部材 |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP61091258A patent/JPS62249951A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS624251A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-10 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 非対称スクエアライン化合物およびそれを使用した光導電性像形成部材 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4986935A (en) * | 1988-02-10 | 1991-01-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Wavelength converting device |
JPH07309819A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-11-28 | Fuji Xerox Co Ltd | シクロブテンジオン誘導体及びその製造方法並びにこれを用いた非線形光学素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0557259B2 (ja) | 1993-08-23 |
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