JP2003238500A - 含フッ素３級アミン化合物及び含フッ素４級アンモニウム塩の製造方法 - Google Patents
含フッ素３級アミン化合物及び含フッ素４級アンモニウム塩の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高収率かつ、精製が容易な含フッ素３級
アミン化合物及び含フッ素４級アンモニウム塩の製造方
法の提供。 【解決手段】 含フッ素アルコール化合物（１）をアミ
ン化合物の存在下で２−ニトロベンゼンスルホニルクロ
リドを反応させてフルオロアルキル ２−ニトロベンゼ
ンスルホナート化合物（３）を合成し、これにベンジル
アミン化合物（４）を反応させて含フッ素３級アミン化
合物（５）を合成し、これを塩基性の差を利用して未反
応のベンジルアミン化合物から分離精製することを特徴
とする含フッ素３級アミン化合物の製造方法及び該含フ
ッ素３級アミン化合物から式（７）で表される含フッ素
４級アンモニウム塩の製造方法。 （式中、Ｒfは炭素数１〜１５のフルオロアルキル基を
表し、ｎは１または２を表し、Ｒ1は炭素数１〜１０の
アルキル基または２つのＲ1が結合した−(ＣＨ2)4−、
−(ＣＨ2)5−を表し、Ｒ2は炭素数１〜１０を表し、Ｘ
はハロゲン原子を表す。）
アミン化合物及び含フッ素４級アンモニウム塩の製造方
法の提供。 【解決手段】 含フッ素アルコール化合物（１）をアミ
ン化合物の存在下で２−ニトロベンゼンスルホニルクロ
リドを反応させてフルオロアルキル ２−ニトロベンゼ
ンスルホナート化合物（３）を合成し、これにベンジル
アミン化合物（４）を反応させて含フッ素３級アミン化
合物（５）を合成し、これを塩基性の差を利用して未反
応のベンジルアミン化合物から分離精製することを特徴
とする含フッ素３級アミン化合物の製造方法及び該含フ
ッ素３級アミン化合物から式（７）で表される含フッ素
４級アンモニウム塩の製造方法。 （式中、Ｒfは炭素数１〜１５のフルオロアルキル基を
表し、ｎは１または２を表し、Ｒ1は炭素数１〜１０の
アルキル基または２つのＲ1が結合した−(ＣＨ2)4−、
−(ＣＨ2)5−を表し、Ｒ2は炭素数１〜１０を表し、Ｘ
はハロゲン原子を表す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、含フッ素３級アミ
ン化合物の製造方法に関し、また該含フッ素３級アミン
化合物より得られ含フッ素４級アンモニウム塩の製造方
法に関するものである。
ン化合物の製造方法に関し、また該含フッ素３級アミン
化合物より得られ含フッ素４級アンモニウム塩の製造方
法に関するものである。
【０００２】含フッ素４級アンモニウム塩は、界面活性
剤、消火剤、抗菌剤や相間移動触媒などの用途で使用さ
れる有用なものである。
剤、消火剤、抗菌剤や相間移動触媒などの用途で使用さ
れる有用なものである。
【０００３】
【従来の技術】これまで、アレーンスルホン酸クロリド
とフッ素化アルコールを水酸化ナトリウム存在下で反応
させてスルホン酸エステルを合成し、これにベンジルジ
メチルアミンを反応させて含フッ素３級アミン化合物を
合成する方法が日本化学会誌１９８３年版 １号 １１
２〜１１７頁、および同誌 １９８８年版 ７号 １０
３６〜１０４３頁に報告されているが、工業的製造法と
して必ずしも満足いくものではない。
とフッ素化アルコールを水酸化ナトリウム存在下で反応
させてスルホン酸エステルを合成し、これにベンジルジ
メチルアミンを反応させて含フッ素３級アミン化合物を
合成する方法が日本化学会誌１９８３年版 １号 １１
２〜１１７頁、および同誌 １９８８年版 ７号 １０
３６〜１０４３頁に報告されているが、工業的製造法と
して必ずしも満足いくものではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高収
率かつ、精製が容易な含フッ素３級アミン化合物及び含
フッ素４級アンモニウム塩の製造方法の提供にある。
率かつ、精製が容易な含フッ素３級アミン化合物及び含
フッ素４級アンモニウム塩の製造方法の提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため、鋭意研究を行なった結果、含フッ素ア
ルコール化合物（１）をアミン化合物の存在下で２−ニ
トロベンゼンスルホニルクロリド（２）と反応させてフ
ルオロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホナート化合
物（３）を合成し、これにベンジルアミン化合物（４）
を反応させ、生成した含フッ素３級アミン化合物を塩基
性の差を利用して未反応のベンジルアミン化合物（４）
等と分離精製することを見い出し、本発明を完成した。
を解決するため、鋭意研究を行なった結果、含フッ素ア
ルコール化合物（１）をアミン化合物の存在下で２−ニ
トロベンゼンスルホニルクロリド（２）と反応させてフ
ルオロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホナート化合
物（３）を合成し、これにベンジルアミン化合物（４）
を反応させ、生成した含フッ素３級アミン化合物を塩基
性の差を利用して未反応のベンジルアミン化合物（４）
等と分離精製することを見い出し、本発明を完成した。
【０００６】即ち、本発明は、式（１）
【０００７】
【化１３】
【０００８】（式中、Ｒfは炭素数１〜１５のフルオロ
アルキル基を表し、ｎは１または２を表す。）で表され
る含フッ素アルコール化合物をアミン化合物の存在下で
式（２）
アルキル基を表し、ｎは１または２を表す。）で表され
る含フッ素アルコール化合物をアミン化合物の存在下で
式（２）
【０００９】
【化１４】
【００１０】で表される２−ニトロベンゼンスルホニル
クロリドを反応させて式（３）
クロリドを反応させて式（３）
【００１１】
【化１５】
【００１２】（式中、Ｒf及びｎは上記と同じ。）で表
されるフルオロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホナ
ート化合物を合成し、これに式（４）
されるフルオロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホナ
ート化合物を合成し、これに式（４）
【００１３】
【化１６】
【００１４】（式中、Ｒ1は炭素数１〜１０のアルキル
基または２つのＲ1が結合した−(ＣＨ2)4−、−(ＣＨ2)
5−を表す。）で表されるベンジルアミン化合物を反応
させ式（５）
基または２つのＲ1が結合した−(ＣＨ2)4−、−(ＣＨ2)
5−を表す。）で表されるベンジルアミン化合物を反応
させ式（５）
【００１５】
【化１７】
【００１６】（式中、Ｒf、Ｒ1及びｎは上記と同じ。）
で表される含フッ素３級アミン化合物を合成し、これを
塩基性の差を利用して未反応のベンジルアミン化合物か
ら分離精製することを特徴とする含フッ素３級アミン化
合物の製造方法に関する。
で表される含フッ素３級アミン化合物を合成し、これを
塩基性の差を利用して未反応のベンジルアミン化合物か
ら分離精製することを特徴とする含フッ素３級アミン化
合物の製造方法に関する。
【００１７】また、本発明は、上記方法で得られた含フ
ッ素３級アミン化合物と式（６）
ッ素３級アミン化合物と式（６）
【００１８】
【化１８】
【００１９】（Ｒ2は炭素数１〜１０のアルキル基、Ｘ
はハロゲン原子を表す。）で表されるハロゲン化アルキ
ルとを反応させることを特徴とする式（７）
はハロゲン原子を表す。）で表されるハロゲン化アルキ
ルとを反応させることを特徴とする式（７）
【００２０】
【化１９】
【００２１】（式中、Ｒf、Ｒ1 、Ｒ2及びｎは前記と同
じ。）で表される含フッ素４級アンモニウム塩の製造方
法に関する。
じ。）で表される含フッ素４級アンモニウム塩の製造方
法に関する。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の含フッ素３級アミンの製
造方法は下記の反応スキームで表される。
造方法は下記の反応スキームで表される。
【００２３】
【化２０】
【００２４】（式中、Ｒf、Ｒ1 、ｎは前記と同じ意味
を表す。） 即ち、含フッ素アルコール化合物（１）をアミン化合物
の存在下で２−ニトロベンゼンスルホニルクロリドを反
応させてフルオロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホ
ナート化合物（３）を合成し、これにベンジルアミン化
合物（４）を反応させて含フッ素３級アミン化合物
（５）を合成し、これを塩基性の差を利用して未反応の
ベンジルアミン化合物から分離精製することのより含フ
ッ素３級アミン化合物が得られる。次に、具体的に説明
する。
を表す。） 即ち、含フッ素アルコール化合物（１）をアミン化合物
の存在下で２−ニトロベンゼンスルホニルクロリドを反
応させてフルオロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホ
ナート化合物（３）を合成し、これにベンジルアミン化
合物（４）を反応させて含フッ素３級アミン化合物
（５）を合成し、これを塩基性の差を利用して未反応の
ベンジルアミン化合物から分離精製することのより含フ
ッ素３級アミン化合物が得られる。次に、具体的に説明
する。
【００２５】Ｒfは炭素数１〜１５のフルオロアルキル
基を表すが、具体的には、ＣＦ3−、Ｆ(ＣＦ2)2−、Ｆ
(ＣＦ2)3−、Ｆ(ＣＦ2)4−、Ｆ(ＣＦ2)5−、Ｆ(ＣＦ2)6
−、Ｆ(ＣＦ2)7−、Ｆ(ＣＦ2)8−、Ｆ(ＣＦ2)9−、Ｆ
(ＣＦ2)10−、(ＣＦ3)2ＣＦ−、(ＣＦ3)2ＣＦ(ＣＦ2)2
−、(ＣＦ3)2ＣＦ(ＣＦ2)4−、(ＣＦ3)2ＣＦ(ＣＦ2)
6−、Ｈ(ＣＦ2)2−、Ｈ(ＣＦ2)4−、Ｈ(ＣＦ2)6−、Ｈ
(ＣＦ2)8−、ＣＦ3ＣＨＦＣＦ2−及び(ＣＦ3)2Ｃ(Ｃ
Ｈ3)−等が挙げられる。
基を表すが、具体的には、ＣＦ3−、Ｆ(ＣＦ2)2−、Ｆ
(ＣＦ2)3−、Ｆ(ＣＦ2)4−、Ｆ(ＣＦ2)5−、Ｆ(ＣＦ2)6
−、Ｆ(ＣＦ2)7−、Ｆ(ＣＦ2)8−、Ｆ(ＣＦ2)9−、Ｆ
(ＣＦ2)10−、(ＣＦ3)2ＣＦ−、(ＣＦ3)2ＣＦ(ＣＦ2)2
−、(ＣＦ3)2ＣＦ(ＣＦ2)4−、(ＣＦ3)2ＣＦ(ＣＦ2)
6−、Ｈ(ＣＦ2)2−、Ｈ(ＣＦ2)4−、Ｈ(ＣＦ2)6−、Ｈ
(ＣＦ2)8−、ＣＦ3ＣＨＦＣＦ2−及び(ＣＦ3)2Ｃ(Ｃ
Ｈ3)−等が挙げられる。
【００２６】ｎとしては１または２が挙げられる。置換
基Ｒ2としてはメチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル
基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノ
ルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプ
チル基、ノルマルオクチル基、ノルマルノニル基及びノ
ルマルデシル基等が挙げられる。また２つのＲ2が結合
した−(ＣＨ2)4−、−(ＣＨ2)5−等が挙げられる。
基Ｒ2としてはメチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル
基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノ
ルマルペンチル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルヘプ
チル基、ノルマルオクチル基、ノルマルノニル基及びノ
ルマルデシル基等が挙げられる。また２つのＲ2が結合
した−(ＣＨ2)4−、−(ＣＨ2)5−等が挙げられる。
【００２７】先ず、式（３）で表されるフルオロアルキ
ル ２−ニトロベンゼンスルホナート化合物の製法につ
いて述べる。使用する含フッ素アルコール化合物（１）
の量としては２−ニトロベンゼンスルホニルクロリドに
対して０.５〜２.０倍モルが挙げられる。使用するアミ
ン化合物の量としては２−ニトロベンゼンスルホニルク
ロリドに対して０.５〜２.０倍モルが挙げられる。
ル ２−ニトロベンゼンスルホナート化合物の製法につ
いて述べる。使用する含フッ素アルコール化合物（１）
の量としては２−ニトロベンゼンスルホニルクロリドに
対して０.５〜２.０倍モルが挙げられる。使用するアミ
ン化合物の量としては２−ニトロベンゼンスルホニルク
ロリドに対して０.５〜２.０倍モルが挙げられる。
【００２８】この際に用いられるアミン化合物の具体例
としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミ
ン及びトリオクチルアミン等が挙げられ、これらのアミ
ン化合物の中でトリエチルアミンが好ましい。
としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミ
ン及びトリオクチルアミン等が挙げられ、これらのアミ
ン化合物の中でトリエチルアミンが好ましい。
【００２９】反応は無溶媒でも行うことができるが、好
ましくは溶媒を用いて行うことができる。使用する溶媒
としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベン
ゼン等の芳香族化合物化合物、ヘキサン、ヘプタン、シ
クロヘキサン等の炭化水素化合物、クロロホルム、塩化
メチレン等のハロゲン化炭化水素化合物、ジエチルエー
テル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエ
タン等のエーテル化合物、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン化合物、アセト
ニトリル、イソブチロニトリル等のニトリル化合物、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリノン等のアミド化合
物、およびこれらの混合物があげられる。
ましくは溶媒を用いて行うことができる。使用する溶媒
としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベン
ゼン等の芳香族化合物化合物、ヘキサン、ヘプタン、シ
クロヘキサン等の炭化水素化合物、クロロホルム、塩化
メチレン等のハロゲン化炭化水素化合物、ジエチルエー
テル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエ
タン等のエーテル化合物、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン化合物、アセト
ニトリル、イソブチロニトリル等のニトリル化合物、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリノン等のアミド化合
物、およびこれらの混合物があげられる。
【００３０】反応は大気下でも行うことができるが、好
ましくは窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行う
ことができる。反応温度としては−１００℃から使用す
る溶媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは−２０
〜６０℃が挙げられる。
ましくは窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行う
ことができる。反応温度としては−１００℃から使用す
る溶媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは−２０
〜６０℃が挙げられる。
【００３１】反応終了後、有機層を分離、水洗浄し、必
要に応じ蒸留にて精製し、目的物を得る事ができる。
要に応じ蒸留にて精製し、目的物を得る事ができる。
【００３２】次に、得られたフルオロアルキル ２−ニ
トロベンゼンスルホナート化合物（３）を合成し、これ
にベンジルアミン化合物（４）を反応させて含フッ素３
級アミン化合物（５）を得る製法について述べる。
トロベンゼンスルホナート化合物（３）を合成し、これ
にベンジルアミン化合物（４）を反応させて含フッ素３
級アミン化合物（５）を得る製法について述べる。
【００３３】ベンジルアミン化合物（４）の使用量とし
ては、フルオロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホナ
ート化合物（３）に対して０.５〜１０倍モルが挙げら
れる。反応は通常無溶媒で行うが、溶媒を用いてもよ
く、使用する溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン及びクロロベンゼン等の芳香族化合物化合物、ヘキ
サン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素化合物、
クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素化
合物、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン及びジメトキシエタン等のエーテル化合物、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の
ケトン化合物、アセトニトリル、イソブチロニトリル等
のニトリル化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチルピロリドン及びＮ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリ
ノン等のアミド化合物、およびこれらの混合物があげら
れる。
ては、フルオロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホナ
ート化合物（３）に対して０.５〜１０倍モルが挙げら
れる。反応は通常無溶媒で行うが、溶媒を用いてもよ
く、使用する溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン及びクロロベンゼン等の芳香族化合物化合物、ヘキ
サン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素化合物、
クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素化
合物、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン及びジメトキシエタン等のエーテル化合物、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の
ケトン化合物、アセトニトリル、イソブチロニトリル等
のニトリル化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチルピロリドン及びＮ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリ
ノン等のアミド化合物、およびこれらの混合物があげら
れる。
【００３４】反応は大気下でも行うことができるが、好
ましくは窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行う
ことができる。反応温度としては０℃から反応に使用す
るベンジルアミン化合物（４）の沸点あるいは０℃から
反応に使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
ましくは窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行う
ことができる。反応温度としては０℃から反応に使用す
るベンジルアミン化合物（４）の沸点あるいは０℃から
反応に使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
【００３５】反応終了後、反応混合物を放冷却して析出
した固体を濾別し、母液を蒸留して得られる含フッ素３
級アミン化合物（５）を含む留分に溶媒と２〜５％の塩
酸を加えて抽出、水洗を行うことで残存するベンジルア
ミン化合物（４）を塩酸塩として除去する。
した固体を濾別し、母液を蒸留して得られる含フッ素３
級アミン化合物（５）を含む留分に溶媒と２〜５％の塩
酸を加えて抽出、水洗を行うことで残存するベンジルア
ミン化合物（４）を塩酸塩として除去する。
【００３６】得られた有機層に１０〜３８％の塩酸を加
えて含フッ素３級アミン化合物（５）を塩酸塩として水
層に移して、反応副生成物を含んだ有機層と分離する。
ここで得られた水層を水酸化ナトリウム等の塩基でアル
カリ性にして、溶媒で抽出した後、有機層を無水硫酸マ
グネシウム等で乾燥、濾過後、溶媒を留去することで含
フッ素３級アミン化合物（５）が得られる。
えて含フッ素３級アミン化合物（５）を塩酸塩として水
層に移して、反応副生成物を含んだ有機層と分離する。
ここで得られた水層を水酸化ナトリウム等の塩基でアル
カリ性にして、溶媒で抽出した後、有機層を無水硫酸マ
グネシウム等で乾燥、濾過後、溶媒を留去することで含
フッ素３級アミン化合物（５）が得られる。
【００３７】次に本発明の４級アンモニウム塩の製造方
法について述べる。上記のようにして得られた含フッ素
３級アミン化合物（５）と式（６）
法について述べる。上記のようにして得られた含フッ素
３級アミン化合物（５）と式（６）
【００３８】
【化２１】
【００３９】（Ｒ2は炭素数１〜１０のアルキル基、Ｘ
はハロゲン原子を表す。）で表されるハロゲン化アルキ
ルとを反応させることにより式（７）
はハロゲン原子を表す。）で表されるハロゲン化アルキ
ルとを反応させることにより式（７）
【００４０】
【化２２】
【００４１】（式中、Ｒf、Ｒ1 、Ｒ2及びｎは前記と同
じ。）で表される含フッ素４級アンモニウム塩が合成で
きる。
じ。）で表される含フッ素４級アンモニウム塩が合成で
きる。
【００４２】ハロゲン化アルキルとしては、アルキル基
の炭素数は１〜１０で、ハロゲン原子としてはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
具体的には、塩化メチル、塩化エチル、塩化プロピル、
塩化イソプロピル、塩化ブチル、塩化イソブチル、塩化
ペンチル、塩化ネオペンチル、塩化ヘキシル、塩化シク
ロヘキシル、塩化ベンジル、塩化置換ベンジル、臭化メ
チル、臭化エチル、臭化プロピル、臭化イソプロピル、
臭化ブチル、臭化イソブチル、臭化ペンチル、臭化ネオ
ペンチル、臭化ヘキシル、臭化シクロヘキシル、臭化ベ
ンジル、臭化置換ベンジル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチ
ル、ヨウ化プロピル、ヨウ化イソプロピル、ヨウ化ブチ
ル、ヨウ化イソブチル、ヨウ化ペンチル、ヨウ化ネオペ
ンチル、ヨウ化ヘキシル、ヨウ化シクロヘキシル、ヨウ
化ベンジル及びヨウ化置換ベンジル等が挙げられる。好
ましくは前記のヨウ化アルキル化合物である。
の炭素数は１〜１０で、ハロゲン原子としてはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
具体的には、塩化メチル、塩化エチル、塩化プロピル、
塩化イソプロピル、塩化ブチル、塩化イソブチル、塩化
ペンチル、塩化ネオペンチル、塩化ヘキシル、塩化シク
ロヘキシル、塩化ベンジル、塩化置換ベンジル、臭化メ
チル、臭化エチル、臭化プロピル、臭化イソプロピル、
臭化ブチル、臭化イソブチル、臭化ペンチル、臭化ネオ
ペンチル、臭化ヘキシル、臭化シクロヘキシル、臭化ベ
ンジル、臭化置換ベンジル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチ
ル、ヨウ化プロピル、ヨウ化イソプロピル、ヨウ化ブチ
ル、ヨウ化イソブチル、ヨウ化ペンチル、ヨウ化ネオペ
ンチル、ヨウ化ヘキシル、ヨウ化シクロヘキシル、ヨウ
化ベンジル及びヨウ化置換ベンジル等が挙げられる。好
ましくは前記のヨウ化アルキル化合物である。
【００４３】ハロゲン化アルキルの使用量は含フッ素３
級アミン化合物（５）１モルに対して、０．８〜1５モ
ル、好ましくは０．９〜１０モルの範囲である。
級アミン化合物（５）１モルに対して、０．８〜1５モ
ル、好ましくは０．９〜１０モルの範囲である。
【００４４】反応温度としては０℃から反応に使用する
ハロゲン化アルキル（６）の沸点あるいは０℃から反応
に使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
ハロゲン化アルキル（６）の沸点あるいは０℃から反応
に使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
【００４５】反応終了後、反応混合物を放冷却して析出
した固体を濾別し、洗浄後、乾燥しすることで、目的の
含フッ素４級アンモニウム塩を得る。
した固体を濾別し、洗浄後、乾燥しすることで、目的の
含フッ素４級アンモニウム塩を得る。
【００４６】尚、得られた、含フッ素４級アンモニウム
塩（６）はイオン交換により、陰イオンを変えた含フッ
素４級アンモニウム塩が合成できる（参考例参照）。こ
の場合、例えばヨウ化メチルを用いて上記方法で得た含
フッ素４級アンモニウム塩をイオン交換により塩素イオ
ンに変えることが出来るが、直接、沸点の低い塩化メチ
ル（−２４．１℃）を用いて合成するより、容易に反応
が行える。
塩（６）はイオン交換により、陰イオンを変えた含フッ
素４級アンモニウム塩が合成できる（参考例参照）。こ
の場合、例えばヨウ化メチルを用いて上記方法で得た含
フッ素４級アンモニウム塩をイオン交換により塩素イオ
ンに変えることが出来るが、直接、沸点の低い塩化メチ
ル（−２４．１℃）を用いて合成するより、容易に反応
が行える。
【００４７】以下に実施例を挙げ、本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
【００４８】
【実施例】〔フルオロアルキル ２−ニトロベンゼンス
ルホナート化合物の合成〕 実施例１ １Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル ２−ニト
ロベンゼンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)4−、
ｎ＝１） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド１９．９５ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１３２ｇ（１．５５４ｍｏｌ）を仕
込み、次いで、滴下ロートにトリエチルアミン１０．１
２ｇ（０．１ｍｏｌ）、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフル
オロペンタノール２３．２１ｇ（０．１ｍｏｌ）をそれ
ぞれ仕込んだ。
ルホナート化合物の合成〕 実施例１ １Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル ２−ニト
ロベンゼンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)4−、
ｎ＝１） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド１９．９５ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１３２ｇ（１．５５４ｍｏｌ）を仕
込み、次いで、滴下ロートにトリエチルアミン１０．１
２ｇ（０．１ｍｏｌ）、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフル
オロペンタノール２３．２１ｇ（０．１ｍｏｌ）をそれ
ぞれ仕込んだ。
【００４９】撹拌しながら反応液温度が０℃になるよう
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
０分かけてトリエチルアミンを滴下した。次いで、温度
を０℃に保持したまま、約２０分かけて１Ｈ，１Ｈ，５
Ｈ−オクタフルオロペンタノールを滴下し、３時間撹拌
した。
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
０分かけてトリエチルアミンを滴下した。次いで、温度
を０℃に保持したまま、約２０分かけて１Ｈ，１Ｈ，５
Ｈ−オクタフルオロペンタノールを滴下し、３時間撹拌
した。
【００５０】反応終了後、フラスコ温度を室温に戻し、
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として３９．０７ｇ（収率
９３．６％）得た。
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として３９．０７ｇ（収率
９３．６％）得た。
【００５１】液体クロマトグラフィーの測定の結果、ニ
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９９．３％であった。
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９９．３％であった。
【００５２】実施例２
１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチル ２−ニト
ロベンゼンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)6−、
ｎ＝１） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した１Ｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼンスル
ホニルクロライド４２．１１ｇ（０．１９ｍｏｌ）、塩
化メチレン２７８ｇ（３．２７３ｍｏｌ）を仕込み、次
いで、滴下ロートにトリエチルアミン２０．２４ｇ
（０．２０ｍｏｌ）、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオ
ロヘプタノール６６．４２ｇ（０．２０ｍｏｌ）をそれ
ぞれ仕込んだ。
ロベンゼンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)6−、
ｎ＝１） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した１Ｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼンスル
ホニルクロライド４２．１１ｇ（０．１９ｍｏｌ）、塩
化メチレン２７８ｇ（３．２７３ｍｏｌ）を仕込み、次
いで、滴下ロートにトリエチルアミン２０．２４ｇ
（０．２０ｍｏｌ）、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオ
ロヘプタノール６６．４２ｇ（０．２０ｍｏｌ）をそれ
ぞれ仕込んだ。
【００５３】撹拌しながら反応液温度が０℃になるよう
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
０分かけてトリエチルアミンを滴下した。次いで、温度
を０℃に保持したまま、約４０分かけて１Ｈ，１Ｈ，７
Ｈ−ドデカフルオロヘプタノールを滴下し、４時間撹拌
した。
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
０分かけてトリエチルアミンを滴下した。次いで、温度
を０℃に保持したまま、約４０分かけて１Ｈ，１Ｈ，７
Ｈ−ドデカフルオロヘプタノールを滴下し、４時間撹拌
した。
【００５４】反応終了後、フラスコ温度を室温に戻し、
水３００ｍｌを添加し、加水分解した。１Ｌの分液ロー
トへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン４０ｍ
ｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得られた塩
化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去
し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除去
し、表題化合物を淡黄色固体として１０１．０ｇ（収率
９７．７％）得た。
水３００ｍｌを添加し、加水分解した。１Ｌの分液ロー
トへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン４０ｍ
ｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得られた塩
化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去
し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除去
し、表題化合物を淡黄色固体として１０１．０ｇ（収率
９７．７％）得た。
【００５５】液体クロマトグラフィーの測定の結果、ニ
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９４．２％であった。
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９４．２％であった。
【００５６】実施例３
１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニル ２−ニ
トロベンゼンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)
8−、ｎ＝１）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下
ロート二つを付した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２
−ニトロベンゼンスルホニルクロライド２２．９４ｇ
（０．１０４ｍｏｌ）、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカ
フルオロノナノール４９．６９ｇ（０．１１５ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１４６ｇ（１．７１９ｍｏｌ）を仕
込み、次いで、滴下ロートにトリエチルアミン１１．６
４ｇ（０．１１５ｍｏｌ）を仕込んだ。
トロベンゼンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)
8−、ｎ＝１）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下
ロート二つを付した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２
−ニトロベンゼンスルホニルクロライド２２．９４ｇ
（０．１０４ｍｏｌ）、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカ
フルオロノナノール４９．６９ｇ（０．１１５ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１４６ｇ（１．７１９ｍｏｌ）を仕
込み、次いで、滴下ロートにトリエチルアミン１１．６
４ｇ（０．１１５ｍｏｌ）を仕込んだ。
【００５７】撹拌しながら反応液温度が０℃になるよう
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
５分かけてトリエチルアミンを滴下し、６時間撹拌し
た。
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
５分かけてトリエチルアミンを滴下し、６時間撹拌し
た。
【００５８】反応終了後、フラスコ温度を室温に戻し、
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として６９．２４ｇ（収率
９７．６％）得た。
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として６９．２４ｇ（収率
９７．６％）得た。
【００５９】液体クロマトグラフィーの測定の結果、ニ
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９６．９％であった。
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９６．９％であった。
【００６０】実施例４
２−(パーフルオロブチル)エチル ２−ニトロベンゼン
スルホナートの合成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)4−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド２２．１６ｇ（０．１０ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１３２ｇ（１．５５４ｍｏｌ）、ト
リエチルアミン１０．１２ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込
み、次いで、滴下ロートに２−(パーフルオロブチル)エ
タノール２６．４１ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込んだ。
スルホナートの合成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)4−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド２２．１６ｇ（０．１０ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１３２ｇ（１．５５４ｍｏｌ）、ト
リエチルアミン１０．１２ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込
み、次いで、滴下ロートに２−(パーフルオロブチル)エ
タノール２６．４１ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込んだ。
【００６１】撹拌しながら反応液温度が０℃になるよう
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約２
０分かけて２−(パーフルオロブチル)エタノールを滴下
し、９時間撹拌した。
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約２
０分かけて２−(パーフルオロブチル)エタノールを滴下
し、９時間撹拌した。
【００６２】反応終了後、フラスコ温度を室温に戻し、
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として３７．２７ｇ（収率
８２．９％）得た。
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として３７．２７ｇ（収率
８２．９％）得た。
【００６３】液体クロマトグラフィーの測定の結果、検
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は９２．２％であった。また、ニトロベンゼンスル
ホニルクロライドのピーク面積比は５．２％であった。
実施例５
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は９２．２％であった。また、ニトロベンゼンスル
ホニルクロライドのピーク面積比は５．２％であった。
実施例５
【００６４】２−(パーフルオロヘキシル)エチル ２−
ニトロベンゼンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)6
−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド１９．９５ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１３２ｇ（１．５５４ｍｏｌ）、ト
リエチルアミン１０．１２ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込
み、次いで、滴下ロートに２−(パーフルオロヘキシル)
エタノール３６．４１ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込ん
だ。
ニトロベンゼンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)6
−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド１９．９５ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１３２ｇ（１．５５４ｍｏｌ）、ト
リエチルアミン１０．１２ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込
み、次いで、滴下ロートに２−(パーフルオロヘキシル)
エタノール３６．４１ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込ん
だ。
【００６５】撹拌しながら反応液温度が０℃になるよう
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
０分かけて２−(パーフルオロヘキシル)エタノールを滴
下し、４時間撹拌した。
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
０分かけて２−(パーフルオロヘキシル)エタノールを滴
下し、４時間撹拌した。
【００６６】反応終了後、フラスコ温度を室温に戻し、
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として４８．９５ｇ（収率
９９．０％）得た。
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として４８．９５ｇ（収率
９９．０％）得た。
【００６７】液体クロマトグラフィーの測定の結果、ニ
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９７．８％であった。
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９７．８％であった。
【００６８】実施例６
２−(パーフルオロオクチル)エチル ２−ニトロベンゼ
ンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)8−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド１９．９５ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１３２ｇ（１．５５４ｍｏｌ）、２
−(パーフルオロオクチル)エタノール４６．４１ｇ
（０．１０ｍｏｌ）を仕込み、次いで、滴下ロートにト
リエチルアミン１０．１２ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込
んだ。
ンスルホナートの合成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)8−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート二つを付
した５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド１９．９５ｇ（０．０９ｍｏ
ｌ）、塩化メチレン１３２ｇ（１．５５４ｍｏｌ）、２
−(パーフルオロオクチル)エタノール４６．４１ｇ
（０．１０ｍｏｌ）を仕込み、次いで、滴下ロートにト
リエチルアミン１０．１２ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込
んだ。
【００６９】撹拌しながら反応液温度が０℃になるよう
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
５分かけて２−(パーフルオロオクチル)エタノールを滴
下し、４時間撹拌した。
にフラスコを冷却し、温度を０℃に保持したまま、約１
５分かけて２−(パーフルオロオクチル)エタノールを滴
下し、４時間撹拌した。
【００７０】反応終了後、フラスコ温度を室温に戻し、
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として５７．１６ｇ（収率
９７．８％）得た。
水１５０ｍｌを添加し、加水分解した。５００ｍｌの分
液ロートへ移し、反応液を分液後、水層に塩化メチレン
２０ｍｌ加え、水層を洗浄する操作を３回行った。得ら
れた塩化メチレン層と有機層とを合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過により無水硫酸マグネシウムを
除去し、エバポレートすることにより塩化メチレンを除
去し、表題化合物を白色固体として５７．１６ｇ（収率
９７．８％）得た。
【００７１】液体クロマトグラフィーの測定の結果、ニ
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９９．５％であった。 〔含フッ素３級アミン化合物の合成〕
トロベンゼンスルホニルクロライドは全く観測されなか
った。さらに、検出されたピーク全体の面積に対する主
生成物ピークの面積比は９９．５％であった。 〔含フッ素３級アミン化合物の合成〕
【００７２】実施例７
ジメチル１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルア
ミンの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)4−、ｎ＝１） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した３００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例１で合
成した１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル ２
−ニトロベンゼンスルホナート３８．８３ｇ（０．０９
３ｍｏｌ）、ジメチルベンジルアミン４０．５６ｇ
（０．３０ｍｏｌ）を仕込んだ。
ミンの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)4−、ｎ＝１） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した３００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例１で合
成した１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル ２
−ニトロベンゼンスルホナート３８．８３ｇ（０．０９
３ｍｏｌ）、ジメチルベンジルアミン４０．５６ｇ
（０．３０ｍｏｌ）を仕込んだ。
【００７３】撹拌しながら反応液温度が還流温度（１５
０〜１６０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１５０〜１６０℃に保持したまま、９時間撹拌した。
０〜１６０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１５０〜１６０℃に保持したまま、９時間撹拌した。
【００７４】反応終了後、反応混合物を放冷すると固体
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しずつ
加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてきた。
これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エバポ
レートすることによりエーテルを除去し、表題化合物を
無色液体として１．３１ｇ（収率５．４％）得た。
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しずつ
加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてきた。
これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エバポ
レートすることによりエーテルを除去し、表題化合物を
無色液体として１．３１ｇ（収率５．４％）得た。
【００７５】ガスクロマトグラフィーの測定の結果、検
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は９５．０％であった。
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は９５．０％であった。
【００７６】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CDCl3,δppm):2.40(6H,s),2.89(2H,t,J=15.4H
z),6.07 (1H,tt,J1=52.9Hz,J2=6.1Hz).
た。1 H-NMR(CDCl3,δppm):2.40(6H,s),2.89(2H,t,J=15.4H
z),6.07 (1H,tt,J1=52.9Hz,J2=6.1Hz).
【００７７】実施例８
ジメチル１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルア
ミンの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)6−、ｎ＝１） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した３００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例２で合
成した１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチル ２
−ニトロベンゼンスルホナート９９．９６ｇ（０．１９
３３ｍｏｌ）、ジメチルベンジルアミン８１．１３ｇ
（０．５７９９ｍｏｌ）を仕込んだ。
ミンの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)6−、ｎ＝１） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した３００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例２で合
成した１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチル ２
−ニトロベンゼンスルホナート９９．９６ｇ（０．１９
３３ｍｏｌ）、ジメチルベンジルアミン８１．１３ｇ
（０．５７９９ｍｏｌ）を仕込んだ。
【００７８】撹拌しながら反応液温度が還流温度（１５
０〜１６０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１５０〜１６０℃に保持したまま、４５時間撹拌した。
０〜１６０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１５０〜１６０℃に保持したまま、４５時間撹拌した。
【００７９】反応終了後、反応混合物を放冷すると固体
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しずつ
加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてきた。
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しずつ
加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてきた。
【００８０】これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除
去し、エバポレートすることによりエーテルを除去し、
表題化合物を無色液体として２２．５７ｇ（収率３２．
５％）得た。
シウムで乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除
去し、エバポレートすることによりエーテルを除去し、
表題化合物を無色液体として２２．５７ｇ（収率３２．
５％）得た。
【００８１】ガスクロマトグラフィーの測定の結果、検
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は９３．７％であった。
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は９３．７％であった。
【００８２】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CDCl3,δppm):2.43(6H,s),3.00(2H,t,J=15.5H
z),6.04(1H,tt,J1=51.2Hz,J2=6.0Hz).
た。1 H-NMR(CDCl3,δppm):2.43(6H,s),3.00(2H,t,J=15.5H
z),6.04(1H,tt,J1=51.2Hz,J2=6.0Hz).
【００８３】実施例９
ジメチル１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニル
アミンの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)8−、ｎ＝１） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した３００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例３で合
成した１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニル
２−ニトロベンゼンスルホナート２４．６９ｇ（０．０
４ｍｏｌ）、ジメチルベンジルアミン１６．２３ｇ
（０．１２ｍｏｌ）を仕込んだ。
アミンの合成（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)8−、ｎ＝１） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した３００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例３で合
成した１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニル
２−ニトロベンゼンスルホナート２４．６９ｇ（０．０
４ｍｏｌ）、ジメチルベンジルアミン１６．２３ｇ
（０．１２ｍｏｌ）を仕込んだ。
【００８４】撹拌しながら反応液温度が還流温度（１５
０〜１６０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１５０〜１６０℃に保持したまま、６時間撹拌した。
０〜１６０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１５０〜１６０℃に保持したまま、６時間撹拌した。
【００８５】反応終了後、反応混合物を放冷すると固体
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
【００８６】この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しず
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として０．８１ｇ（収率４．４％）得た。
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として０．８１ｇ（収率４．４％）得た。
【００８７】ガスクロマトグラフィーの測定の結果、検
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は６９．０％であった。
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は６９．０％であった。
【００８８】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CDCl3,δppm):2.45(6H,s),2.99(2H,t,J=15.7H
z),6.07(1H,J1=51.8Hz,J2=5.5Hz)．
た。1 H-NMR(CDCl3,δppm):2.45(6H,s),2.99(2H,t,J=15.7H
z),6.07(1H,J1=51.8Hz,J2=5.5Hz)．
【００８９】実施例１０
ジメチル２−(パーフルオロブチル)エチルアミンの合成
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)4−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した１００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例４で合
成した２−(パーフルオロブチル)エチル ２−ニトロベ
ンゼンスルホナート１７．９７ｇ（０．０４ｍｏｌ）、
ジメチルベンジルアミン２１．６３ｇ（０．１６ｍｏ
ｌ）を仕込んだ。
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)4−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した１００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例４で合
成した２−(パーフルオロブチル)エチル ２−ニトロベ
ンゼンスルホナート１７．９７ｇ（０．０４ｍｏｌ）、
ジメチルベンジルアミン２１．６３ｇ（０．１６ｍｏ
ｌ）を仕込んだ。
【００９０】撹拌しながら反応液温度が還流温度（１３
０〜１４０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１３０〜１４０℃に保持したまま、５時間撹拌した。
０〜１４０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１３０〜１４０℃に保持したまま、５時間撹拌した。
【００９１】反応終了後、反応混合物を放冷すると固体
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
【００９２】この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しず
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として０．８４ｇ（収率７．２％）得た。
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として０．８４ｇ（収率７．２％）得た。
【００９３】ガスクロマトグラフィーの測定の結果、目
的物以外のピークは全く検出されなかった。1Ｈ−ＮＭ
Ｒの測定値は以下の通りであった。1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.72(2H,m),2.88(6H,s),2.59(2H,
t,J=8.4Hz)
的物以外のピークは全く検出されなかった。1Ｈ−ＮＭ
Ｒの測定値は以下の通りであった。1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.72(2H,m),2.88(6H,s),2.59(2H,
t,J=8.4Hz)
【００９４】実施例１１
ジメチル２−(パーフルオロヘキシル)エチルアミンの合
成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)6−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した２００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例５で合
成した２−(パーフルオロヘキシル)エチル ２−ニトロ
ベンゼンスルホナート４３．９４ｇ（０．０８ｍｏ
ｌ）、ジメチルベンジルアミン４３．２７ｇ（０．３２
ｍｏｌ）を仕込んだ。
成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)6−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した２００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例５で合
成した２−(パーフルオロヘキシル)エチル ２−ニトロ
ベンゼンスルホナート４３．９４ｇ（０．０８ｍｏ
ｌ）、ジメチルベンジルアミン４３．２７ｇ（０．３２
ｍｏｌ）を仕込んだ。
【００９５】撹拌しながら反応液温度が還流温度（１４
０〜１５０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１４０〜１５０℃に保持したまま、６時間撹拌した。
０〜１５０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１４０〜１５０℃に保持したまま、６時間撹拌した。
【００９６】反応終了後、反応混合物を放冷すると固体
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１０％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
【００９７】この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しず
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として９．４８ｇ（収率３０．３％）得
た。
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として９．４８ｇ（収率３０．３％）得
た。
【００９８】ガスクロマトグラフィーの測定の結果、検
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は９１．８％であった。
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は９１．８％であった。
【００９９】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.81(2H,m),2.24(6H,s),2.59(2H,
t,J=7.5Hs）
た。1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.81(2H,m),2.24(6H,s),2.59(2H,
t,J=7.5Hs）
【０１００】実施例１２
ジメチル２−(パーフルオロオクチル)エチルアミンの合
成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)8−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した２００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例６で合
成した２−(パーフルオロオクチル)エチル ２−ニトロ
ベンゼンスルホナート１９．４８ｇ（０．０３ｍｏ
ｌ）、ジメチルベンジルアミン２４．３４ｇ（０．１８
ｍｏｌ）を仕込んだ。
成（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)8−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した２００ｍｌの４つ口フラスコに、実施例６で合
成した２−(パーフルオロオクチル)エチル ２−ニトロ
ベンゼンスルホナート１９．４８ｇ（０．０３ｍｏ
ｌ）、ジメチルベンジルアミン２４．３４ｇ（０．１８
ｍｏｌ）を仕込んだ。
【０１０１】撹拌しながら反応液温度が還流温度（１１
０〜１２０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１１０〜１２０℃に保持したまま、１２時間撹拌した。
０〜１２０℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を
１１０〜１２０℃に保持したまま、１２時間撹拌した。
【０１０２】反応終了後、反応混合物を放冷すると固体
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に３５％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に３５％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
【０１０３】この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しず
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として２．６９ｇ（収率１８．２％）得
た。
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として２．６９ｇ（収率１８．２％）得
た。
【０１０４】ガスクロマトグラフィーの測定の結果、検
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は５９．５％であった。
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は５９．５％であった。
【０１０５】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.79(2H,m),3.18(6H,s),3.68(2
H,t,J=1.2Hz）
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.79(2H,m),3.18(6H,s),3.68(2
H,t,J=1.2Hz）
【０１０６】実施例１３
ジメチル２−(パーフルオロデシル)エチルアミンの合成
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)10−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した２００ｍｌの４つ口フラスコに、２−(パーフ
ルオロデシル)エチル ２−ニトロベンゼンスルホナー
ト４９．９５ｇ（０．０６ｍｏｌ）、ジメチルベンジル
アミン８１．１３ｇ（０．６０ｍｏｌ）撹拌しながら反
応液温度が還流温度（９０〜１００℃）になるようにフ
ラスコを加熱し、温度を９０〜１００℃に保持したま
ま、１７時間撹拌した。
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)10−、ｎ＝２） 窒素雰囲気下、磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器
を付した２００ｍｌの４つ口フラスコに、２−(パーフ
ルオロデシル)エチル ２−ニトロベンゼンスルホナー
ト４９．９５ｇ（０．０６ｍｏｌ）、ジメチルベンジル
アミン８１．１３ｇ（０．６０ｍｏｌ）撹拌しながら反
応液温度が還流温度（９０〜１００℃）になるようにフ
ラスコを加熱し、温度を９０〜１００℃に保持したま
ま、１７時間撹拌した。
【０１０７】反応終了後、反応混合物を放冷すると固体
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１５％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
が析出した。これを瀘別した後、母液の蒸留により、目
的物である含フッ素３級アミンを含む低沸点化合物群と
ジメチルベンジルアミン（沸点１８３℃）とを分留し
た。得られた留去液にエーテルを加え、３％塩酸水で洗
うことにより微量に含まれるジメチルベンジルアミンを
塩酸塩化して水相を除去した。塩酸水層をエーテル２０
ｍｌで３回洗浄し、エーテル層に加えた。次いで、エー
テル層に１５％塩酸水を加えふりまぜ、今度は含フッ素
３級アミンを塩酸塩化して、反応副生物を含む有機層を
除去した。
【０１０８】この塩酸水層に水酸化ナトリウムを少しず
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として１．５８ｇ（収率１８．２％）得
た。
つ加えてアルカリ性にしていくと油状物質が現れてき
た。これをエーテルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去し、エ
バポレートすることによりエーテルを除去し、表題化合
物を無色液体として１．５８ｇ（収率１８．２％）得
た。
【０１０９】ガスクロマトグラフィーの測定の結果、検
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は５９．５％であった。1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以
下の通りであった。
出されたピーク全体の面積に対する主生成物ピークの面
積比は５９．５％であった。1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以
下の通りであった。
【０１１０】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.85 (2H,m),3.41 (6H,s),3.86
(2H,t,J=7.9Hz)． 〔含フッ素４級アンモニウム塩合成〕
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.85 (2H,m),3.41 (6H,s),3.86
(2H,t,J=7.9Hz)． 〔含フッ素４級アンモニウム塩合成〕
【０１１１】実施例１４
（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)4−、ｎ＝１、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した３０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例７で合成した含フッ素３級
アミン０．５２ｇ（０．００２ｍｏｌ）、ヨウ化メチル
２．８５ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕込んだ。
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した３０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例７で合成した含フッ素３級
アミン０．５２ｇ（０．００２ｍｏｌ）、ヨウ化メチル
２．８５ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕込んだ。
【０１１２】撹拌しながら反応液温度が還流温度（４５
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、８時間撹拌した。反応終了後、フラスコ温
度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチル
エーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として０．６８ｇ（収率８
５．０％）得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りで
あった。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.62 (9H,s),4.39 (2H,t,J=15.
8Hz),6.08 (1H,tt,J1=51.8Hz,J2=4.8Hz).
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、８時間撹拌した。反応終了後、フラスコ温
度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチル
エーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として０．６８ｇ（収率８
５．０％）得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りで
あった。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.62 (9H,s),4.39 (2H,t,J=15.
8Hz),6.08 (1H,tt,J1=51.8Hz,J2=4.8Hz).
【０１１３】実施例１５
（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)6−、ｎ＝１、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した２００
ｍｌの二口フラスコに、実施例８で合成した含フッ素３
級アミン２２．５７ｇ（０．０６３ｍｏｌ）、ヨウ化メ
チル８９．２０ｇ（０．６２８ｍｏｌ）を仕込んだ。
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した２００
ｍｌの二口フラスコに、実施例８で合成した含フッ素３
級アミン２２．５７ｇ（０．０６３ｍｏｌ）、ヨウ化メ
チル８９．２０ｇ（０．６２８ｍｏｌ）を仕込んだ。
【０１１４】撹拌しながら反応液温度が還流温度（４５
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、１０時間撹拌した。
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、１０時間撹拌した。
【０１１５】反応終了後、フラスコ温度を室温に戻し、
析出した固体を瀘別した後、ジエチルエーテル５ｍｌで
５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥し、表題化合物を白
色固体として２９．７２ｇ（収率９４．４％）得た。
析出した固体を瀘別した後、ジエチルエーテル５ｍｌで
５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥し、表題化合物を白
色固体として２９．７２ｇ（収率９４．４％）得た。
【０１１６】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.63 (9H,s),4.37 (2H,t,J=16.
8Hz),6.05 (1H,tt,J1=52.2Hz,J2=4.7Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.63 (9H,s),4.37 (2H,t,J=16.
8Hz),6.05 (1H,tt,J1=52.2Hz,J2=4.7Hz).
【０１１７】実施例１６
（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)8−、ｎ＝１、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した１０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例９で合成した含フッ素３級
アミン０．５６ｇ（０．００１２ｍｏｌ）、ヨウ化メチ
ル１．７４ｇ（０．０１２ｍｏｌ）を仕込んだ。
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した１０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例９で合成した含フッ素３級
アミン０．５６ｇ（０．００１２ｍｏｌ）、ヨウ化メチ
ル１．７４ｇ（０．０１２ｍｏｌ）を仕込んだ。
【０１１８】撹拌しながら反応液温度が還流温度（４５
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、７時間撹拌した。反応終了後、フラスコ温
度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチル
エーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として０．９０ｇ（収率１２
３．０％）得た。
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、７時間撹拌した。反応終了後、フラスコ温
度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチル
エーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として０．９０ｇ（収率１２
３．０％）得た。
【０１１９】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.60 (9H,s),4.38 (2H,t,J=16.
2Hz),6.04 (1H,tt,J1=51.6Hz,J2=3.8Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.60 (9H,s),4.38 (2H,t,J=16.
2Hz),6.04 (1H,tt,J1=51.6Hz,J2=3.8Hz).
【０１２０】実施例１７
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)4−、ｎ＝２、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した３０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例１０で合成した含フッ素３
級アミン０．８４ｇ（０．００２９ｍｏｌ）、ヨウ化メ
チル３．５９ｇ（０．０２８９ｍｏｌ）を仕込んだ。
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した３０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例１０で合成した含フッ素３
級アミン０．８４ｇ（０．００２９ｍｏｌ）、ヨウ化メ
チル３．５９ｇ（０．０２８９ｍｏｌ）を仕込んだ。
【０１２１】撹拌しながら反応液温度が還流温度（４５
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、１６時間撹拌した。反応終了後、フラスコ
温度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチ
ルエーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として１．１６ｇ（収率９
２．８％）得た。
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、１６時間撹拌した。反応終了後、フラスコ
温度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチ
ルエーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として１．１６ｇ（収率９
２．８％）得た。
【０１２２】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.80 (2H,m),3.36 (9H,s),3.81
(2H,t,J=8.4Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.80 (2H,m),3.36 (9H,s),3.81
(2H,t,J=8.4Hz).
【０１２３】実施例１８
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)6−、ｎ＝２、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した３０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例１１で合成した含フッ素３
級アミン８．５６ｇ（０．０２１９ｍｏｌ）、ヨウ化メ
チル３１．２１ｇ（０．２１９ｍｏｌ）を仕込んだ。
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した３０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例１１で合成した含フッ素３
級アミン８．５６ｇ（０．０２１９ｍｏｌ）、ヨウ化メ
チル３１．２１ｇ（０．２１９ｍｏｌ）を仕込んだ。
【０１２４】撹拌しながら反応液温度が還流温度（４５
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、１６時間撹拌した。反応終了後、フラスコ
温度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチ
ルエーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として４．３５ｇ得た。
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、１６時間撹拌した。反応終了後、フラスコ
温度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチ
ルエーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として４．３５ｇ得た。
【０１２５】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.85 (2H,m),3.42 (9H,s),3.87
(2H,t,J=7.9Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.85 (2H,m),3.42 (9H,s),3.87
(2H,t,J=7.9Hz).
【０１２６】実施例１９
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)8−、ｎ＝２、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した３０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例１２で合成した含フッ素３
級アミン４．４８ｇ（０．００９１ｍｏｌ）、ヨウ化メ
チル７．８０ｇ（０．０５４７ｍｏｌ）を仕込んだ。
Ｉ） 磁気撹拌子、温度計、ジムロート冷却器を付した３０ｍ
ｌの二口フラスコに、実施例１２で合成した含フッ素３
級アミン４．４８ｇ（０．００９１ｍｏｌ）、ヨウ化メ
チル７．８０ｇ（０．０５４７ｍｏｌ）を仕込んだ。
【０１２７】撹拌しながら反応液温度が還流温度（４５
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、７時間撹拌した。反応終了後、フラスコ温
度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチル
エーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として４．３５ｇ得た。
℃）になるようにフラスコを加熱し、温度を４５℃に保
持したまま、７時間撹拌した。反応終了後、フラスコ温
度を室温に戻し、析出した固体を瀘別した後、ジエチル
エーテル５ｍｌで５回洗浄した。洗浄した固体を乾燥
し、表題化合物を白色固体として４．３５ｇ得た。
【０１２８】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.86 (2H,m),3.42 (9H,s),3.87
(2H,t,J=8.1Hz). 〔イオン交換 参考例〕
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.86 (2H,m),3.42 (9H,s),3.87
(2H,t,J=8.1Hz). 〔イオン交換 参考例〕
【０１２９】参考例１
（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)4−、ｎ＝１、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝Ｃ
ｌ） 磁気撹拌子を備えた２００ｍｌのナスフラスコに、実施
例１４で得たヨウ化アンモニウム塩１．１６ｇ（０．０
０２９ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amber
lite)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）１４．５ｍｌ、蒸留水７２．５ｍｌを仕込んだ。
ｌ） 磁気撹拌子を備えた２００ｍｌのナスフラスコに、実施
例１４で得たヨウ化アンモニウム塩１．１６ｇ（０．０
０２９ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amber
lite)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）１４．５ｍｌ、蒸留水７２．５ｍｌを仕込んだ。
【０１３０】反応液温度を室温（２０〜２５℃）に保持
したまま、１４時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水１０
ｍｌで５回洗浄した。エバポレートすることにより水を
除去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体として
０．９９ｇ得た。
したまま、１４時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水１０
ｍｌで５回洗浄した。エバポレートすることにより水を
除去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体として
０．９９ｇ得た。
【０１３１】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.59 (9H,s),4.32 (2H,t,J=15.
6Hz),6.07 (1H,tt,J1=51.9Hz,J2=4.8Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.59 (9H,s),4.32 (2H,t,J=15.
6Hz),6.07 (1H,tt,J1=51.9Hz,J2=4.8Hz).
【０１３２】参考例２
（Ｒf＝Ｈ(ＣＦ2)6−、ｎ＝１、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝Ｃ
ｌ） 磁気撹拌子を備えた５００ｍｌのナスフラスコに、実施
例１５で得たヨウ化アンモニウム塩５．０１ｇ（０．０
１０ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amberli
te)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）５０ｍｌ、蒸留水２５０ｍｌを仕込んだ。
ｌ） 磁気撹拌子を備えた５００ｍｌのナスフラスコに、実施
例１５で得たヨウ化アンモニウム塩５．０１ｇ（０．０
１０ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amberli
te)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）５０ｍｌ、蒸留水２５０ｍｌを仕込んだ。
【０１３３】反応液温度を室温（２０〜２５℃）に保持
したまま、１６時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水２５
ｍｌで５回洗浄した。エバポレートすることにより水を
除去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体として
４．０１ｇ得た。
したまま、１６時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水２５
ｍｌで５回洗浄した。エバポレートすることにより水を
除去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体として
４．０１ｇ得た。
【０１３４】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.59 (9H,s),4.34 (2H,t,J=15.
7Hz),6.06 (1H,tt,J1=51.7Hz,J2=5.2Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):3.59 (9H,s),4.34 (2H,t,J=15.
7Hz),6.06 (1H,tt,J1=51.7Hz,J2=5.2Hz).
【０１３５】参考例３
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)4−、ｎ＝２、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝Ｃ
ｌ） 磁気撹拌子を備えた５０ｍｌのナスフラスコに、実施例
１７で得たヨウ化アンモニウム塩０．４３ｇ（０．００
０９９ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amber
lite)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）５ｍｌ、蒸留水２５ｍｌを仕込んだ。
ｌ） 磁気撹拌子を備えた５０ｍｌのナスフラスコに、実施例
１７で得たヨウ化アンモニウム塩０．４３ｇ（０．００
０９９ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amber
lite)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）５ｍｌ、蒸留水２５ｍｌを仕込んだ。
【０１３６】反応液温度を室温（２０〜２５℃）に保持
したまま、１６時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水５ｍ
ｌで５回洗浄した。エバポレートすることにより水を除
去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体として
０．３５ｇ得た。
したまま、１６時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水５ｍ
ｌで５回洗浄した。エバポレートすることにより水を除
去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体として
０．３５ｇ得た。
【０１３７】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.83 (2H,m),3.37 (9H,s),3.83
(2H,t,J=8.1Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.83 (2H,m),3.37 (9H,s),3.83
(2H,t,J=8.1Hz).
【０１３８】参考例４
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)6−、ｎ＝２、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝Ｃ
ｌ） 磁気撹拌子を備えた３００ｍｌのナスフラスコに、、実
施例１８で得たヨウ化アンモニウム塩２．６７ｇ（０．
００５ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amber
lite)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）２５ｍｌ、蒸留水１２５ｍｌを仕込んだ。
ｌ） 磁気撹拌子を備えた３００ｍｌのナスフラスコに、、実
施例１８で得たヨウ化アンモニウム塩２．６７ｇ（０．
００５ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amber
lite)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）２５ｍｌ、蒸留水１２５ｍｌを仕込んだ。
【０１３９】反応液温度を室温（２０〜２５℃）に保持
したまま、１５時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水１
２．５ｍｌで５回洗浄した。エバポレートすることによ
り水を除去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体
として２．０９ｇ得た。
したまま、１５時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水１
２．５ｍｌで５回洗浄した。エバポレートすることによ
り水を除去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体
として２．０９ｇ得た。
【０１４０】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.80 (2H,m),3.37 (9H,s),3.82
(2H,t,J=7.5Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.80 (2H,m),3.37 (9H,s),3.82
(2H,t,J=7.5Hz).
【０１４１】参考例５
（Ｒf＝Ｆ(ＣＦ2)8−、ｎ＝２、Ｒ3＝ＣＨ3−、Ｘ＝Ｃ
ｌ） 磁気撹拌子を備えた３００ｍｌのナスフラスコに、実施
例１９で得たヨウ化アンモニウム塩４．３１ｇ（０．０
０６８ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amber
lite)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）３４ｍｌ、蒸留水１７０ｍｌを仕込んだ。
ｌ） 磁気撹拌子を備えた３００ｍｌのナスフラスコに、実施
例１９で得たヨウ化アンモニウム塩４．３１ｇ（０．０
０６８ｍｏｌ）、イオン交換樹脂アンバーライト(Amber
lite)ＩＲＡ−４００（米国ローム・アンド・ハース社
製）３４ｍｌ、蒸留水１７０ｍｌを仕込んだ。
【０１４２】反応液温度を室温（２０〜２５℃）に保持
したまま、２４時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水１５
ｍｌで５回洗浄した。エバポレートすることにより水を
除去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体として
３．８１ｇ得た。
したまま、２４時間撹拌した。反応終了後、濾過により
イオン交換樹脂を除去し、イオン交換樹脂は蒸留水１５
ｍｌで５回洗浄した。エバポレートすることにより水を
除去した後、真空乾燥し、表題化合物を白色固体として
３．８１ｇ得た。
【０１４３】1Ｈ−ＮＭＲの測定値は以下の通りであっ
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.84 (2H,m),3.38 (9H,s),3.84
(2H,t,J=8.4Hz).
た。1 H-NMR(CF3CO2D,δppm):2.84 (2H,m),3.38 (9H,s),3.84
(2H,t,J=8.4Hz).
【０１４４】
【発明の効果】本発明方法によれば、抗菌剤や相間移動
触媒などの用途で使用される含フッ素４級アンモニウム
塩等の合成原料として有用な含フッ素３級アミン化合物
を容易に製造することができる。
触媒などの用途で使用される含フッ素４級アンモニウム
塩等の合成原料として有用な含フッ素３級アミン化合物
を容易に製造することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC52 AD16 AD30 BB11
BB12 BB15 BB16 BB20 BB21
BC10 BC31
Claims (8)
- 【請求項１】 式（１） 【化１】 （式中、Ｒfは炭素数１〜１５のフルオロアルキル基を
表し、ｎは１または２を表す。）で表される含フッ素ア
ルコール化合物をアミン化合物の存在下で、式（２） 【化２】 で表される２−ニトロベンゼンスルホニルクロリドを反
応させて式（３） 【化３】 （式中、Ｒf及びｎは上記と同じ。）で表されるフルオ
ロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホナート化合物を
合成し、これに式（４） 【化４】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜１０のアルキル基または２つ
のＲ1が結合した−(ＣＨ2)4−、−(ＣＨ2)5−を表
す。）で表されるベンジルアミン化合物を反応させるこ
とを特徴とする式（５） 【化５】 （式中、Ｒf、Ｒ1及びｎは上記と同じ。）で表される含
フッ素３級アミン化合物の製造方法。 - 【請求項２】 含フッ素３級アミン化合物を塩基性の差
を利用して未反応のベンジルアミン化合物から分離精製
することを特徴とする請求項１記載の含フッ素３級アミ
ン化合物の製造方法。 - 【請求項３】 ｎが２である請求項１または請求項２記
載の含フッ素３級アミン化合物の製造方法。 - 【請求項４】 アミン化合物がトリエチルアミンである
請求項１ないし請求項３の何れかに記載の含フッ素３級
アミン化合物の製造方法。 - 【請求項５】 式（１） 【化６】 （式中、Ｒfは炭素数１〜１５のフルオロアルキル基を
表し、ｎは１または２を表す。）で表される含フッ素ア
ルコール化合物をアミン化合物の存在下で、式（２） 【化７】 で表される２−ニトロベンゼンスルホニルクロリドを反
応させて式（３） 【化８】 （式中、Ｒf及びｎは上記と同じ。）で表されるフルオ
ロアルキル ２−ニトロベンゼンスルホナート化合物を
合成し、これに式（４） 【化９】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜１０のアルキル基または２つ
のＲ1が結合した−(ＣＨ2)4−、−(ＣＨ2)5−を表
す。）で表されるベンジルアミン化合物を反応させ式
（５） 【化１０】 （式中、Ｒf、Ｒ1及びｎは上記と同じ。）で表される含
フッ素３級アミン化合物を得、次いで得られた含フッ素
３級アミンと式（６） 【化１１】 （Ｒ2は炭素数１〜１０のアルキル基、Ｘはハロゲン原
子を表す。）で表されるハロゲン化アルキルと反応させ
ることを特徴とする式（７） 【化１２】 （式中、Ｒf、Ｒ1 、Ｒ2及びｎは前記と同じ。）で表さ
れる含フッ素４級アンモニウム塩の製造方法。 - 【請求項６】 含フッ素３級アミン化合物を塩基性の差
を利用して未反応のベンジルアミン化合物から分離精製
することを特徴とする請求項５記載の含フッ素４級アン
モニウム塩の製造方法。 - 【請求項７】 ｎが２である請求項５または請求項６記
載の含フッ素４級アンモニウム塩の製造方法。 - 【請求項８】 アミン化合物がトリエチルアミンである
請求項５ないし請求項７の何れかに記載の含フッ素４級
アンモニウム塩の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002033395A JP2003238500A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 含フッ素３級アミン化合物及び含フッ素４級アンモニウム塩の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002033395A JP2003238500A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 含フッ素３級アミン化合物及び含フッ素４級アンモニウム塩の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003238500A true JP2003238500A (ja) | 2003-08-27 |
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ID=27776206
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|---|---|---|---|
| JP2002033395A Pending JP2003238500A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 含フッ素３級アミン化合物及び含フッ素４級アンモニウム塩の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010095463A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tosoh Corp | 第四級アンモニウム塩の回収方法 |
| JP2018070608A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 三洋化成工業株式会社 | 含フッ素脂肪族アミン塩酸塩の製造方法 |
| JP2018070611A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 三洋化成工業株式会社 | 含フッ素脂肪族アミン塩酸塩の製造方法 |
-
2002
- 2002-02-12 JP JP2002033395A patent/JP2003238500A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010095463A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tosoh Corp | 第四級アンモニウム塩の回収方法 |
| JP2018070608A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 三洋化成工業株式会社 | 含フッ素脂肪族アミン塩酸塩の製造方法 |
| JP2018070611A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 三洋化成工業株式会社 | 含フッ素脂肪族アミン塩酸塩の製造方法 |
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