JP3513726B2 - ２置換−１，３−インダンジオン誘導体の製造法 - Google Patents
２置換−１，３−インダンジオン誘導体の製造法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、医薬および農薬の中間
体として有用な２置換−１，３−インダンジオンの製造
法に関する。
体として有用な２置換−１，３−インダンジオンの製造
法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、２置換−１，３インダンジオン誘導体の製造法とし
ては、α位にメチレンを持つケトンとフタル酸エステル
誘導体とを塩基の存在下反応させる製造法（W. A. Mosh
er et. al., J. Org. Chem., 36, 1561 (1971)）、α位
にメチレンを持つエステルとフタル酸エステル誘導体と
を金属ナトリウムの存在下反応させる製造法（Koelsch,
Byers, J. Am. Chem. Soc., 62, 560 (1940) ）などが
知られている。しかしながら、上記製造法では、２置換
−１，３−インダンジオン誘導体の収率がフタル酸エス
テル誘導体に対し３０〜６０％と低く、また工業的に使
用し難い金属ナトリウムを用いるといった点で、工業的
製造法として満足し難いものであった。
来、２置換−１，３インダンジオン誘導体の製造法とし
ては、α位にメチレンを持つケトンとフタル酸エステル
誘導体とを塩基の存在下反応させる製造法（W. A. Mosh
er et. al., J. Org. Chem., 36, 1561 (1971)）、α位
にメチレンを持つエステルとフタル酸エステル誘導体と
を金属ナトリウムの存在下反応させる製造法（Koelsch,
Byers, J. Am. Chem. Soc., 62, 560 (1940) ）などが
知られている。しかしながら、上記製造法では、２置換
−１，３−インダンジオン誘導体の収率がフタル酸エス
テル誘導体に対し３０〜６０％と低く、また工業的に使
用し難い金属ナトリウムを用いるといった点で、工業的
製造法として満足し難いものであった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、α位にメチレン基
を持つエステルとフタル酸エステル誘導体とを塩基の存
在下反応させることにより、２置換−１，３−インダン
ジオン誘導体が高収率で得られることを見いだし、本発
明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討した結果、α位にメチレン基
を持つエステルとフタル酸エステル誘導体とを塩基の存
在下反応させることにより、２置換−１，３−インダン
ジオン誘導体が高収率で得られることを見いだし、本発
明を完成するに至った。
【０００４】すなわち、本発明の要旨は、下記一般式
（１）
（１）
【０００５】
【化７】Ｒ1 ＣＨ2 ＣＯ2 Ｒ2 （１）
【０００６】（上記式中、Ｒ1 は炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基または炭素数２
〜１０のアルキニル基を表し、Ｒ2 は炭素数１〜４のア
ルキル基を表す）で表されるエステル類と、下記一般式
（２）
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基または炭素数２
〜１０のアルキニル基を表し、Ｒ2 は炭素数１〜４のア
ルキル基を表す）で表されるエステル類と、下記一般式
（２）
【０００７】
【化８】
【０００８】（上記式中、Ｒ3 は炭素数１〜４のアルキ
ル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 はそれぞれ独
立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニ
ル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基またはハロゲン
原子を表す）で表されるフタル酸エステル誘導体とを塩
基の存在下、反応させることを特徴とする、下記一般式
（３）
ル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 はそれぞれ独
立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニ
ル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基またはハロゲン
原子を表す）で表されるフタル酸エステル誘導体とを塩
基の存在下、反応させることを特徴とする、下記一般式
（３）
【０００９】
【化９】
【００１０】（上記式中、Ｒ1 は炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１
０のアルキニル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7
はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１
０のアルキニル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基ま
たはハロゲン原子を表す）で表される２置換−１，３−
インダンジオン誘導体の製造法に存する。
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１
０のアルキニル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7
はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１
０のアルキニル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基ま
たはハロゲン原子を表す）で表される２置換−１，３−
インダンジオン誘導体の製造法に存する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
は、下記一般式（１）
は、下記一般式（１）
【００１２】
【化１０】Ｒ1 ＣＨ2 ＣＯ2 Ｒ2 （１）
【００１３】（上記式中、Ｒ1 は炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基またはアルキニ
ル基を表し、Ｒ2 は炭素数１〜４のアルキル基を表す）
で表されるエステル類と、下記一般式（２）
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基またはアルキニ
ル基を表し、Ｒ2 は炭素数１〜４のアルキル基を表す）
で表されるエステル類と、下記一般式（２）
【００１４】
【化１１】
【００１５】（上記式中、Ｒ3 は炭素数１〜４のアルキ
ル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 はそれぞれ独
立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニ
ル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基またはハロゲン
原子を表す）で表されるフタル酸エステル誘導体とを、
無溶媒あるいは溶媒に懸濁、溶解した塩基中に加熱下滴
下し、滴下終了後、さらに加熱、反応させ、反応終了
後、水を加え反応を停止し、有機溶媒で洗浄後、水層を
酸性とし有機溶媒と接触させ有機層を分離、濃縮するこ
とにより、下記一般式（３）
ル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 はそれぞれ独
立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニ
ル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基またはハロゲン
原子を表す）で表されるフタル酸エステル誘導体とを、
無溶媒あるいは溶媒に懸濁、溶解した塩基中に加熱下滴
下し、滴下終了後、さらに加熱、反応させ、反応終了
後、水を加え反応を停止し、有機溶媒で洗浄後、水層を
酸性とし有機溶媒と接触させ有機層を分離、濃縮するこ
とにより、下記一般式（３）
【００１６】
【化１２】
【００１７】（上記式中、Ｒ1 は炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１
０のアルキニル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7
はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１
０のアルキニル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基ま
たはハロゲン原子を表す）で表される２置換−１，３−
インダンジオン誘導体を製造する。
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１
０のアルキニル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7
はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１
０のアルキニル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基ま
たはハロゲン原子を表す）で表される２置換−１，３−
インダンジオン誘導体を製造する。
【００１８】上記式において、炭素数１〜１０のアルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、 プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、２−メチル−ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられ
る。炭素数２〜１０のアルケニル基としては、エテニル
基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１，３−ブタ
ジエニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１
−ヘキセニル基、２−エチル−２−ブテニル基、２−オ
クテニル基、（４−エテニル）−５−ヘキセニル基、２
−デセニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基として
は、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、
１−ペンチニル基、３−ペンチニル基、１−ヘキシニル
基、２−エチル-２−ブチニル基、２−オクチニル基、
（４−エチニル）−５−ヘキシニル基、２−デシニル基
等が挙げられる。炭素数１〜４のアルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、イソブチル基、sec-ブチル基が挙げられる。炭
素数１〜１０のアルコキシル基としては、メトキシ基、
エトキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられ
る。
ル基としては、メチル基、エチル基、 プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、２−メチル−ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられ
る。炭素数２〜１０のアルケニル基としては、エテニル
基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１，３−ブタ
ジエニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１
−ヘキセニル基、２−エチル−２−ブテニル基、２−オ
クテニル基、（４−エテニル）−５−ヘキセニル基、２
−デセニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基として
は、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、
１−ペンチニル基、３−ペンチニル基、１−ヘキシニル
基、２−エチル-２−ブチニル基、２−オクチニル基、
（４−エチニル）−５−ヘキシニル基、２−デシニル基
等が挙げられる。炭素数１〜４のアルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、イソブチル基、sec-ブチル基が挙げられる。炭
素数１〜１０のアルコキシル基としては、メトキシ基、
エトキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられ
る。
【００１９】本発明において、Ｒ1 としては、炭素数１
〜１０のアルキル基が好ましく、さらに好ましくは炭素
数１〜４のアルキル基である。Ｒ2 としては、炭素数１
〜４のアルキル基、さらに好ましくは炭素数１〜２のア
ルキル基である。Ｒ4 〜Ｒ7としては、水素原子、炭素
数１〜１０のアルキル基およびハロゲン原子が好まし
く、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基およびハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原
子である。
〜１０のアルキル基が好ましく、さらに好ましくは炭素
数１〜４のアルキル基である。Ｒ2 としては、炭素数１
〜４のアルキル基、さらに好ましくは炭素数１〜２のア
ルキル基である。Ｒ4 〜Ｒ7としては、水素原子、炭素
数１〜１０のアルキル基およびハロゲン原子が好まし
く、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基およびハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原
子である。
【００２０】本発明で使用される塩基としては、例え
ば、周期律表ＩもしくはII族金属の水素化物または周期
律表ＩもしくはII族金属のアルコキシドが挙げられる。
周期律表ＩおよびII族金属の水素化物としては、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等が挙
げられ、周期律表ＩおよびII族金属のアルコキシドとし
ては、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
ナトリウムtert−ブトキシド、カリウムtert−ブトキシ
ド、マグネシウムメトキシド、マグネシウムエトキシド
等が挙げられる。これらの中でも、特にナトリウムおよ
びカリウムの水素化物並びにアルコキシドが好ましい。
ば、周期律表ＩもしくはII族金属の水素化物または周期
律表ＩもしくはII族金属のアルコキシドが挙げられる。
周期律表ＩおよびII族金属の水素化物としては、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等が挙
げられ、周期律表ＩおよびII族金属のアルコキシドとし
ては、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
ナトリウムtert−ブトキシド、カリウムtert−ブトキシ
ド、マグネシウムメトキシド、マグネシウムエトキシド
等が挙げられる。これらの中でも、特にナトリウムおよ
びカリウムの水素化物並びにアルコキシドが好ましい。
【００２１】塩基として周期律表ＩおよびII族金属のア
ルコキシドを用いた場合には、反応速度および反応収率
の点からアルコールを系外へ除去する操作を行うことが
好ましい。本発明において、上記式（１）で表わされる
エステル類の使用量は、特に制限されるものではない
が、反応収率の点から上記式（２）で表わされるフタル
酸エステルに対し１０〜３００重量％用いるのが好まし
い。また、本発明で使用される塩基の使用量は、上記式
（１）で表わされるエステル類に対し、５０〜５００モ
ル％、好ましくは８０〜３００モル％の範囲とするのが
良い。
ルコキシドを用いた場合には、反応速度および反応収率
の点からアルコールを系外へ除去する操作を行うことが
好ましい。本発明において、上記式（１）で表わされる
エステル類の使用量は、特に制限されるものではない
が、反応収率の点から上記式（２）で表わされるフタル
酸エステルに対し１０〜３００重量％用いるのが好まし
い。また、本発明で使用される塩基の使用量は、上記式
（１）で表わされるエステル類に対し、５０〜５００モ
ル％、好ましくは８０〜３００モル％の範囲とするのが
良い。
【００２２】本発明の反応は、無溶媒あるいは溶媒で希
釈した状態にて実施される。希釈に使用される溶媒とし
ては、反応に不活性な溶媒であれば特に制限されない
が、ヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の炭化水素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジブチルエーテル、ジメトキシエタ
ン、ジエトキシエタン等のエーテル系溶媒等が挙げら
れ、特にエーテル系溶媒が反応速度の点から好ましい。
溶媒の使用量は特に制限されるものではないが、フタル
酸エステル誘導体に対し、好ましくは０〜１００倍量
（重量）、より好ましくは２〜３０倍量の範囲で実施さ
れる。本発明の反応温度は、通常０〜３００℃、好まし
くは５０〜２００℃の温度範囲で実施される。上記した
反応で生成する化合物の反応混合物からの分離、精製
は、それ自体既知の通常用いられる方法、例えば、抽
出、再結晶、クロマトグラフィー等により行うことがで
きる。
釈した状態にて実施される。希釈に使用される溶媒とし
ては、反応に不活性な溶媒であれば特に制限されない
が、ヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の炭化水素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジブチルエーテル、ジメトキシエタ
ン、ジエトキシエタン等のエーテル系溶媒等が挙げら
れ、特にエーテル系溶媒が反応速度の点から好ましい。
溶媒の使用量は特に制限されるものではないが、フタル
酸エステル誘導体に対し、好ましくは０〜１００倍量
（重量）、より好ましくは２〜３０倍量の範囲で実施さ
れる。本発明の反応温度は、通常０〜３００℃、好まし
くは５０〜２００℃の温度範囲で実施される。上記した
反応で生成する化合物の反応混合物からの分離、精製
は、それ自体既知の通常用いられる方法、例えば、抽
出、再結晶、クロマトグラフィー等により行うことがで
きる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例についてさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものでない。 実施例１ 水素化ナトリウム１９．２ｇ（水素化ナトリウムを６０
％の分散体として含有する油性試薬）をｎ−ジブチルエ
ーテル２００ｍｌに懸濁させ、加熱還流下、フタル酸ジ
エチル４４．４ｇと酪酸エチル２７．９ｇの混合物を３
０分間かけて滴下し、滴下終了後６時間加熱還流した。
反応液を冷却後、水２００ｍｌを加え、溶解、分液後、
水層をトルエン１００ｍｌで洗浄し、水層に濃塩酸４５
ｍｌを加えて酸性とした。分離してくる油分をトルエン
２００ｍｌで抽出し、有機層を水１００ｍｌで２回洗浄
後、濃縮することにより２−エチル−１，３−インダン
ジオン３０．４ｇ（ガスクロマトグラフィー分析による
純度９５．６％）を得た。その収率は、フタル酸ジエチ
ルに対し８７．３％であった。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものでない。 実施例１ 水素化ナトリウム１９．２ｇ（水素化ナトリウムを６０
％の分散体として含有する油性試薬）をｎ−ジブチルエ
ーテル２００ｍｌに懸濁させ、加熱還流下、フタル酸ジ
エチル４４．４ｇと酪酸エチル２７．９ｇの混合物を３
０分間かけて滴下し、滴下終了後６時間加熱還流した。
反応液を冷却後、水２００ｍｌを加え、溶解、分液後、
水層をトルエン１００ｍｌで洗浄し、水層に濃塩酸４５
ｍｌを加えて酸性とした。分離してくる油分をトルエン
２００ｍｌで抽出し、有機層を水１００ｍｌで２回洗浄
後、濃縮することにより２−エチル−１，３−インダン
ジオン３０．４ｇ（ガスクロマトグラフィー分析による
純度９５．６％）を得た。その収率は、フタル酸ジエチ
ルに対し８７．３％であった。
【００２４】実施例２
カリウムtert−ブトキシド４．３ｇをトルエン１００ｍ
ｌに懸濁させ、２０℃でフタル酸ジエチル７．０ｇと酪
酸エチル５．５ｇの混合物を３０分間かけて滴下し、滴
下終了後、８０℃で３時間反応させた。反応液を冷却
後、水１００ｍｌを加え、溶解、分液後、水層をトルエ
ン５０ｍｌで洗浄し、水層に濃塩酸２５ｍｌを加え酸性
とした。分離してくる油分をトルエン１００ｍｌで抽出
し、有機層を水５０ｍｌで２回洗浄後、濃縮することに
より２−エチル−１，３−インダンジオン３．７ｇ（ガ
スクロマトグラフィー分析による純度９５．０％）を得
た。その収率は、フタル酸ジエチルに対し６４．０％で
あった。
ｌに懸濁させ、２０℃でフタル酸ジエチル７．０ｇと酪
酸エチル５．５ｇの混合物を３０分間かけて滴下し、滴
下終了後、８０℃で３時間反応させた。反応液を冷却
後、水１００ｍｌを加え、溶解、分液後、水層をトルエ
ン５０ｍｌで洗浄し、水層に濃塩酸２５ｍｌを加え酸性
とした。分離してくる油分をトルエン１００ｍｌで抽出
し、有機層を水５０ｍｌで２回洗浄後、濃縮することに
より２−エチル−１，３−インダンジオン３．７ｇ（ガ
スクロマトグラフィー分析による純度９５．０％）を得
た。その収率は、フタル酸ジエチルに対し６４．０％で
あった。
【００２５】実施例３
水素化ナトリウム８．４ｇ（水素化ナトリウムを６０％
の分散体として含有する油性試薬）を混合キシレン２０
０ｍｌに懸濁させ、加熱還流下、フタル酸ジエチル２
２．２ｇと酪酸エチル１３．９ｇの混合物を３０分間か
けて滴下し、滴下終了後６時間加熱還流した。反応液を
冷却後、水２００ｍｌを加え溶解、分液後、水層をトル
エン１００ｍｌで洗浄し、水層に濃塩酸２０ｍｌを加え
酸性とした。分離してくる油分をトルエン２００ｍｌで
抽出し、有機層を水１００ｍｌで２回洗浄後、濃縮する
ことにより２−エチル-１，３-インダンジオン１２．９
ｇ（ガスクロマトグラフィー分析による純度９６．０
％）を得た。その収率は、フタル酸ジエチルに対し７
４．２％であった。
の分散体として含有する油性試薬）を混合キシレン２０
０ｍｌに懸濁させ、加熱還流下、フタル酸ジエチル２
２．２ｇと酪酸エチル１３．９ｇの混合物を３０分間か
けて滴下し、滴下終了後６時間加熱還流した。反応液を
冷却後、水２００ｍｌを加え溶解、分液後、水層をトル
エン１００ｍｌで洗浄し、水層に濃塩酸２０ｍｌを加え
酸性とした。分離してくる油分をトルエン２００ｍｌで
抽出し、有機層を水１００ｍｌで２回洗浄後、濃縮する
ことにより２−エチル-１，３-インダンジオン１２．９
ｇ（ガスクロマトグラフィー分析による純度９６．０
％）を得た。その収率は、フタル酸ジエチルに対し７
４．２％であった。
【００２６】実施例４
ナトリウムエトキシド１７．０ｇ（ナトリウムエトキシ
ドを６０％の分散体として含有する油性試薬）をジブチ
ルエーテル２００ｍｌに懸濁させ、加熱還流下、フタル
酸ジエチル４４．４ｇと酪酸エチル２５．６ｇの混合物
を３０分間かけて滴下し、滴下終了後６時間加熱還流し
た。この際、副生するエタノールを系外に留出させなが
ら反応を行った。反応液を冷却後、水２００ｍｌを加え
溶解、分液後水層をトルエン１００ｍｌで洗浄し、水層
に濃塩酸４５ｍｌを加え酸性とした。分離してくる油分
をトルエン２００ｍｌで抽出し、有機層を水１００ｍｌ
で２回洗浄後、濃縮することにより２−エチル−１，３
−インダンジオン２９．４ｇ（ガスクロマトグラフィー
分析による純度９５．８％）を得た。その収率は、フタ
ル酸ジエチルに対し８４．３％であった。
ドを６０％の分散体として含有する油性試薬）をジブチ
ルエーテル２００ｍｌに懸濁させ、加熱還流下、フタル
酸ジエチル４４．４ｇと酪酸エチル２５．６ｇの混合物
を３０分間かけて滴下し、滴下終了後６時間加熱還流し
た。この際、副生するエタノールを系外に留出させなが
ら反応を行った。反応液を冷却後、水２００ｍｌを加え
溶解、分液後水層をトルエン１００ｍｌで洗浄し、水層
に濃塩酸４５ｍｌを加え酸性とした。分離してくる油分
をトルエン２００ｍｌで抽出し、有機層を水１００ｍｌ
で２回洗浄後、濃縮することにより２−エチル−１，３
−インダンジオン２９．４ｇ（ガスクロマトグラフィー
分析による純度９５．８％）を得た。その収率は、フタ
ル酸ジエチルに対し８４．３％であった。
【００２７】比較例１
ナトリウム１０．５ｇとフタル酸ジエチル５５．０ｇの
混合物中に、１１５℃で酪酸エチル３０．０ｇを滴下
し、滴下終了後１１５℃で４時間反応させた。反応液を
冷却後、水およびエーテルを加え、分液後、水層に濃硫
酸を加え酸性とした。分離してくる油分をエーテルで抽
出し、濃縮後、蒸留することにより２−エチル−１，３
−インダンジオン１３．７ｇを得た。その収率はフタル
酸ジエチルに対し３２．０％であった。
混合物中に、１１５℃で酪酸エチル３０．０ｇを滴下
し、滴下終了後１１５℃で４時間反応させた。反応液を
冷却後、水およびエーテルを加え、分液後、水層に濃硫
酸を加え酸性とした。分離してくる油分をエーテルで抽
出し、濃縮後、蒸留することにより２−エチル−１，３
−インダンジオン１３．７ｇを得た。その収率はフタル
酸ジエチルに対し３２．０％であった。
【００２８】比較例２
水素化ナトリウム２４．０ｇ（水素化ナトリウムを５０
％の分散体として含有する油性試薬）をベンゼン５００
ｍｌに懸濁させた中に、フタル酸ジメチル１００．０ｇ
と４−ヘプタノン５４．３ｇの混合物を滴下し、滴下終
了後１５時間加熱還流した。反応液を冷却後、水７５０
ｍｌを加え溶解、分液後、水層をトルエン５０ｍｌで洗
浄し、水層に濃塩酸２５ｍｌを加え酸性とした。分離し
てくる油分ををトルエン１００ｍｌで抽出し、濃縮後、
アルミナカラムクロマトグラフィーで精製することによ
り２−エチル−１，３−インダンジオン４８．４ｇを得
た。その収率はフタル酸ジメチルに対し５４．０％であ
った。
％の分散体として含有する油性試薬）をベンゼン５００
ｍｌに懸濁させた中に、フタル酸ジメチル１００．０ｇ
と４−ヘプタノン５４．３ｇの混合物を滴下し、滴下終
了後１５時間加熱還流した。反応液を冷却後、水７５０
ｍｌを加え溶解、分液後、水層をトルエン５０ｍｌで洗
浄し、水層に濃塩酸２５ｍｌを加え酸性とした。分離し
てくる油分ををトルエン１００ｍｌで抽出し、濃縮後、
アルミナカラムクロマトグラフィーで精製することによ
り２−エチル−１，３−インダンジオン４８．４ｇを得
た。その収率はフタル酸ジメチルに対し５４．０％であ
った。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、医薬および農薬の中間
体として有用な２置換−１，３−インダンジオンを高収
率で容易に得ることができ、その工業的価値は高い。
体として有用な２置換−１，３−インダンジオンを高収
率で容易に得ることができ、その工業的価値は高い。
─────────────────────────────────────────────────────
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07C 45/45
C07C 49/67
C07B 61/00 300
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】Ｒ1 ＣＨ2 ＣＯ2 Ｒ2 （１） （上記式中、Ｒ1 は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数２〜１０のアルケニル基または炭素数２〜１０のアル
キニル基を表し、Ｒ2 は炭素数１〜４のアルキル基を表
す）で表されるエステル類と、下記一般式（２） 【化２】 （上記式中、Ｒ3 は炭素数１〜４のアルキル基を表し、
Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 はそれぞれ独立して、水素
原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０の
アルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数
１〜１０のアルコキシル基またはハロゲン原子を表す）
で表されるフタル酸エステル誘導体とを塩基の存在下、
反応させることを特徴とする、下記一般式（３） 【化３】 （上記式中、Ｒ1 は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニ
ル基を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 はそれぞれ独
立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニ
ル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基またはハロゲン
原子を表す）で表される２置換−１，３−インダンジオ
ン誘導体の製造法。 - 【請求項２】 下記一般式（４） 【化４】Ｒ1'ＣＨ2 ＣＯ2 Ｒ2 （４） （上記式中、Ｒ1'は炭素数１〜１０のアルキル基を表
し、Ｒ2 は炭素数１〜４のアルキル基を表す）で表され
るエステル類と、下記一般式（５） 【化５】 （上記式中、Ｒ3 は炭素数１〜４のアルキル基を表す）
で表されるフタル酸エステルとを塩基の存在下、反応さ
せることを特徴とする、下記一般式（６） 【化６】 （上記式中、Ｒ1'は炭素数１〜１０のアルキル基を表
す）で表される２置換−１，３-インダンジオン誘導体
の製造法。 - 【請求項３】 塩基として、周期律表ＩまたはII属金属
の水素化物を用いることを特徴とする請求項１または２
記載の製造法。 - 【請求項４】 塩基として、周期律表ＩまたはII属金属
のアルコキシドを用いることを特徴とする請求項１また
は２記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17490595A JP3513726B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ２置換−１，３−インダンジオン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17490595A JP3513726B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ２置換−１，３−インダンジオン誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0920715A JPH0920715A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3513726B2 true JP3513726B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=15986758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17490595A Expired - Fee Related JP3513726B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ２置換−１，３−インダンジオン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3513726B2 (ja) |
-
1995
- 1995-07-11 JP JP17490595A patent/JP3513726B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0920715A (ja) | 1997-01-21 |
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