JPS5887837A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS5887837A JPS5887837A JP56185354A JP18535481A JPS5887837A JP S5887837 A JPS5887837 A JP S5887837A JP 56185354 A JP56185354 A JP 56185354A JP 18535481 A JP18535481 A JP 18535481A JP S5887837 A JPS5887837 A JP S5887837A
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- H01L2924/301—Electrical effects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置におけるリードフレーム構造に関す
る。
る。
樹脂封止型半導体IC(又はLSI)等においては、そ
の組立時に金属よりなるタブと金属よりなる複数のリー
ドとを一体に形成したリードフレームを使用し、タブ上
に半導体ペレット(チップ)を接続するとともに、半導
体ベレットの上S電極と各リードとを金ワイヤで接続(
ボンティング)シ、半導体ペレット、タブ、リードの一
部を包含するように樹脂体で封止する構造が採用されて
いる。
の組立時に金属よりなるタブと金属よりなる複数のリー
ドとを一体に形成したリードフレームを使用し、タブ上
に半導体ペレット(チップ)を接続するとともに、半導
体ベレットの上S電極と各リードとを金ワイヤで接続(
ボンティング)シ、半導体ペレット、タブ、リードの一
部を包含するように樹脂体で封止する構造が採用されて
いる。
かかる半導体装置において、一部の端子、例えばパワー
ICの場合出力段で大電流が流れるために、在来の金ワ
イヤでは細くてかつ距離が長いことからインピーダンス
が高くなって無視できなくなることが問題となっている
。
ICの場合出力段で大電流が流れるために、在来の金ワ
イヤでは細くてかつ距離が長いことからインピーダンス
が高くなって無視できなくなることが問題となっている
。
この8馳の対策として、金ワイヤの径を太くすること、
あるいは2本のワイヤを使うことが考えられるが前者で
は金を多く使用するため材料費が高くなり、後者ではチ
ッソのポンディングパッド面積が大きくなる等の欠点が
あったっ 本発明は上記した問題す解決するためになされたもので
あり、その目的とするところは、リード71/−ム構造
を変えることでワイヤのインピーダンスを低減して特性
を向上できる半導体装置を提供することにある。
あるいは2本のワイヤを使うことが考えられるが前者で
は金を多く使用するため材料費が高くなり、後者ではチ
ッソのポンディングパッド面積が大きくなる等の欠点が
あったっ 本発明は上記した問題す解決するためになされたもので
あり、その目的とするところは、リード71/−ム構造
を変えることでワイヤのインピーダンスを低減して特性
を向上できる半導体装置を提供することにある。
以下実施例にそって本発明を詳述する。
第1図は従来のリードフレーム構造の場合のワイヤボン
ディングの態様を示し、1はタブ、2はリード、3は半
導体ペレット、4は金ワイヤであって、ワイヤの長さは
ベレッ)4111のポンディングパッドとリード側のボ
ンディングポストとの間の距離!、とペレット上面とり
一ド伯Iとの高さの差h1 との関係(>r)で決まる
・ 本発明では第2図に示すように、リード2の内端をベレ
ット3に接近させるとともに、その上面の高さがペレッ
ト上面と一致するようにリードを曲げて、このリード内
端部をポストとしてベレットのボンディングバンドとの
間でワイヤボンディングを行なう。この場合、リードの
ワイヤポストとベレットのワイヤボンディングパノドと
の距離!、は極く接近しく−L<<−e、)、ボンディ
ング面の高さの差り、=0であるから、ワイヤの長さは
殆んど沼、に等しく、従来の場合に比して大幅に低減で
きる。この場合のリードは第3図に斜線パッチングで示
すように特lのジー12人、例えば出力段のり−ド2人
のみに適用される。なお、特定のリードは必しもタブの
上に重なるとは限らず、同図2A’のようにその内端を
できるだけタブ1に接近させるようk Lでもよい。こ
のようにワイヤの長さを低減することし−より、インピ
ーダンスを低減するとともにワイヤ材である金の節減が
でき、前記発明の目的が達成できる。
ディングの態様を示し、1はタブ、2はリード、3は半
導体ペレット、4は金ワイヤであって、ワイヤの長さは
ベレッ)4111のポンディングパッドとリード側のボ
ンディングポストとの間の距離!、とペレット上面とり
一ド伯Iとの高さの差h1 との関係(>r)で決まる
・ 本発明では第2図に示すように、リード2の内端をベレ
ット3に接近させるとともに、その上面の高さがペレッ
ト上面と一致するようにリードを曲げて、このリード内
端部をポストとしてベレットのボンディングバンドとの
間でワイヤボンディングを行なう。この場合、リードの
ワイヤポストとベレットのワイヤボンディングパノドと
の距離!、は極く接近しく−L<<−e、)、ボンディ
ング面の高さの差り、=0であるから、ワイヤの長さは
殆んど沼、に等しく、従来の場合に比して大幅に低減で
きる。この場合のリードは第3図に斜線パッチングで示
すように特lのジー12人、例えば出力段のり−ド2人
のみに適用される。なお、特定のリードは必しもタブの
上に重なるとは限らず、同図2A’のようにその内端を
できるだけタブ1に接近させるようk Lでもよい。こ
のようにワイヤの長さを低減することし−より、インピ
ーダンスを低減するとともにワイヤ材である金の節減が
でき、前記発明の目的が達成できる。
上記実施例ではリードの一部を折り曲げることによって
リードの内端上面の高さをベレy)面に一致させたが、
第4図に示すようにタブlを支えるタブリード1aを折
り曲げることによってタブ面をリード2より低い位置に
保持することができる。この場合特定のり一ド2人のみ
でなく他の全てのリード2Bの位置がタブ1より高く(
ペレット上面と一致)なることになる。
リードの内端上面の高さをベレy)面に一致させたが、
第4図に示すようにタブlを支えるタブリード1aを折
り曲げることによってタブ面をリード2より低い位置に
保持することができる。この場合特定のり一ド2人のみ
でなく他の全てのリード2Bの位置がタブ1より高く(
ペレット上面と一致)なることになる。
リードとタブは一つの金属板から打ち抜かれて一体のリ
ードフレームとして形成されるが、第5図はリードの内
端がタブの上方に重なるようにするためにタブの一部に
切り込み部5を形成し、その部分だけ特定のり一ド2人
を長くしたものである。
ードフレームとして形成されるが、第5図はリードの内
端がタブの上方に重なるようにするためにタブの一部に
切り込み部5を形成し、その部分だけ特定のり一ド2人
を長くしたものである。
第6図はタブ1を支持するり一部2Cを下向きに曲げて
タブ面を低くするとともに他のり−ド2A、2Bを下向
きに曲げることによって左右のリードとタブリードとの
距離を調整した例である。
タブ面を低くするとともに他のり−ド2A、2Bを下向
きに曲げることによって左右のリードとタブリードとの
距離を調整した例である。
本発明はリードフレームを有する半導体装置の全ての場
合に応用しうるものである。
合に応用しうるものである。
第1図は従来のリードフレームを使用した半導体装置の
ボンディング時の形態を>i\す正面断(2)図である
。第2図は本発明による半導体装置のボンディング時の
一形態を示す正面断面図、第3図は第2図に対応する平
面図、第4図、第5図は本発明による半導体装置のボン
デインク時の他の形態を示す斜面図、第6図は同じく他
の形態を示す正面図である。 1・・・タブ、2・・・リード、3・・・半導体ペレッ
ト、4・・・金ワイヤ、5・・・タブの切り込み部。
ボンディング時の形態を>i\す正面断(2)図である
。第2図は本発明による半導体装置のボンディング時の
一形態を示す正面断面図、第3図は第2図に対応する平
面図、第4図、第5図は本発明による半導体装置のボン
デインク時の他の形態を示す斜面図、第6図は同じく他
の形態を示す正面図である。 1・・・タブ、2・・・リード、3・・・半導体ペレッ
ト、4・・・金ワイヤ、5・・・タブの切り込み部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属よりなるタブと金属よりなる複数のリードとを
一体に形成したリードフレームと、タブ上に接続した半
導体ペレットとを有する半導体装置において、特定のリ
ードの内端をペレツトに接近させかつその高さかタブ上
に接続した半導体ペレット上面の高さと一致するように
構成したことを特徴とする半導体装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の半導ノ装置において、
タブを支持するリードの一部を曲げてタブをリードより
低く形成する。 3、特許請求の範囲第1項記載の半導体装置において、
特定のリードをタブ側へ延長しその部分だけタブに切り
込みを設ける。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56185354A JPS5887837A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56185354A JPS5887837A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5887837A true JPS5887837A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16169315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56185354A Pending JPS5887837A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5887837A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0298636U (ja) * | 1989-05-10 | 1990-08-06 | ||
JP2016134592A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | Shマテリアル株式会社 | リードフレーム |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56185354A patent/JPS5887837A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0298636U (ja) * | 1989-05-10 | 1990-08-06 | ||
JP2016134592A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | Shマテリアル株式会社 | リードフレーム |
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