JPS5885864A - マゼンタカプラ−の製造方法 - Google Patents

マゼンタカプラ−の製造方法

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JPS5885864A
JPS5885864A JP18599081A JP18599081A JPS5885864A JP S5885864 A JPS5885864 A JP S5885864A JP 18599081 A JP18599081 A JP 18599081A JP 18599081 A JP18599081 A JP 18599081A JP S5885864 A JPS5885864 A JP S5885864A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカラー写真に用いられるマゼンタ色素形成カプ
ラー(以下、壜にマゼンタカプラーとする。)の製造方
法に関する。詳しくはマゼンタカプラーの活性点にチオ
エーテル基を導入する為の一般式合成法に関する。減色
法カラー写真は、周知の如く、露光されたハロゲン化銀
粒子を還元することにより生成する芳香族第1級アミン
系発色現像剤の酸化生成物と色素形成カプラーをハロゲ
ン化銀乳剤中で酸化カップリングすることにより色画像
が形成される。従来のカプラーの多くは目当量カプラー
、すなわち1モルの色素を形成するのにハロゲン化銀4
モルの還元を必要とするものであった。一方力プラーの
活性点がカップリングに際して離脱可能な基で置換され
た二当量カブチーも知られており、1モルの色素の形成
に対して2モルのハロゲン化銀の還元を必要とする。二
当蓋°カプラー゛は四当量力少う−に比ベカップリング
反応性が向上するので・、現像に長時間を要することな
く、迅速なカラー現像処理に適したカラー写真感光材料
を提供することができる。
また二当量カプラーをハロゲン化銀写真乳剤中に含むカ
ラー写真感光材料は目当量カプラーのそれに比べ、一定
量の色素を得るのにハロゲン(I[は半量でよいのでコ
ストが低域でき、同時に乳剤層の薄膜化ができ、色画像
の解像力、鮮鋭度が向上する。このように二当量カプラ
ーは四当鰍カプラーより有利な面を多く有している。
二当童カプラーのうち、発色現像剤の酸化生成物とカッ
プリングしてメルカプタンを放出するカプラーが知られ
ている。上述のある種のチオエーテル誘導体はD工RC
現像抑制剤放出)カプラー、BIR(漂白抑制剤放出)
カプラーまたはBAR(滲出促進剤放出)カプラーとし
て知られている。
こむまでにメルカプタンを放出する二当量マゼンタカプ
ラーの製造法としては、米国特許第3,227゜554
号、同3,701.783号に記載されているように、
スルフェニルクロライドと目当量マゼンタカプラーを反
応させる方法、特開昭49−62,464号に記載され
ているように、マゼンタカプラーの4位をジブレム化し
ておき約3倍モルのメルカプタンと反応させる方法、リ
サーチディスクロージャー (Re5saroh Di
aolo*ur@) 13806  (1975)に記
載されているように、目当量マゼンタカプラーとメルカ
プタンの存在下、臭素を滴下してゆ〈方法、特開@55
−25,056号に記載されているように、目当量マゼ
ンタカプラーとS−アルキルチオイソチオウレアとを反
応させる方法、特開昭55−29,805号に記載され
ているように、活性点にメルカプト基を有するマゼンタ
カプラーとハロゲン化合物を反応させる方法が知られて
いる。
本発明は上記公知文献に記載されていない新規な二当量
マゼンタカプラーの製造方法に関するものである。米国
特許第3.227.554号、同3.〒01゜783号
、特開昭49−62,464号及びリサーチディスクロ
ージャー 13806  (1975)に記載の方法は
マゼンタカプラーの活性点に導入できるメルカプタンの
種類に制限があり、ヘテp環メルカプタン、アリールメ
ルカプタンに対し有効であるが、アルキルメルカプタン
に対しては副生成物が多く、一般的方法とはいいかたい
またこれらの方法ではスルフェニルクロライド及びピラ
ゾロンの4位ジブリム体か化学的に不安定であり、収率
低下の原因になっている。特開昭55−2″’5,05
6号に記載の方法はマゼンタカプラーの活性点に導入で
きるメルカプタンが、アルキルチオ基、アシルチオ基及
びチオアシルチオ基に限定されており、アリールチオ基
及びヘテロ環チオ基の導入はこの方法では不可能であり
、やはり一般的方法とはいいがたい。
またこの方法で使用される8−アシルチオ基、ソチオウ
レアの塩が精製困難なものが多く、収率低下の原因にな
っている。特開昭55二z9.go5号に記載の方法は
あらかじめカプラーの活性点にメルカプト基を導入して
おき、次にハロゲン化物と反応させ活性点にチオエーテ
ル基を導入する方法であるが、やはり導入できるメルカ
プタンがアルキルチオ基その他に限られており、アリー
ルチオ基及びヘテロ環チオ基の導入はこの方法では不可
能であり、かつカプラーにあらかじめメルカプト基を導
入する合成ステップが加わる為、合成経路が長くなり全
体での収率が低下する欠点を有しており、やはり一般的
方法とはいいがたい。
そこで本発明の鯛造方法は目当量マゼンタカプラーの活
性点に一段階でチオエーテル基を導入できるという−利
点を有しており、導入できるメルカプタンがアルキルチ
オ基に限らずアリールチオ基及びペテロ環千オ基も可能
であり、その汎用性に特徴がある。
本発明の第1の目的はマゼンタカプラーのカップリング
活性点にチオエーテル基を導入する新規な合成法を提供
する゛ことである。第2の目的は簡単な操作でかつ高収
率のチオエーテル基を導入する一段式合成法を提供する
ことである。
第3の目的は、これらの製造方法によって得られるチオ
エーテル基を脱離基とする二当量マゼンタカプラーを提
供することである。第4の目的はチオエーテル基を脱離
基とする二当量!ゼンタカプラーを使用したハロゲン化
銀カラー写真感光材料、を提供することである。
上記発明の諸目的は、カップリング活性点が未置換の四
当量マゼンタカプラーとチオスルホン酸エステル化合物
を反応させチオエーテル基を有する二当量!ゼンタカプ
ラーを得ることにより達成することができる。
すなわちカップリング活性位未置換のマゼンタカプラー
をA−Hとし、チオスルホン酸エステル化合物をR−8
−80,−R,とすると以下の反応により二当量マゼン
タカプラーA−8−Rが生成する。
A−H十″’ R−8−8o、−R,−一→ムー8−R
一般式(I)    ム−8−R 一般式([)    R−8−So□−R1式中、人は
マゼンタカプラーのカップリング活性点の水素原子を1
個除去した残基を表わす。Rはアルキル基、アリール基
、複素環基、アシル基、W            W (式中Wはアルキル基、アリール基、゛複素環基を表わ
し、2は水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基
を表わす。)を表わし、丘、はアルキル基、アリール基
、複素環基を表わす。
Rで表わされるアルキル基は飽和のもの、不飽和のもの
、直鎖のもの、分肢のもの、環状のもののいずれでもよ
く、例えばメチル、エチル、1−プロピル、1−ブチル
、1+−ブチル、n−ドデシル、n−オクタデシル、シ
クロヘキシル、シクロヘキシルメチル、チリル、オレイ
ル、シクロヘキセニル等である。これらの基はハロゲン
原子、ニトロ、シアノ、ヒドロキシ、アルコキシ、アリ
ールオキシ、アシルオキシ、スルホニルオキシ、カルボ
キシ、カルボン酸エステル、カルバモイル、スルホ、ス
ルホン酸エステル、スルファモイル、アルキルチオ、ア
リールチオ、スルホニル、アシル、アミノ、アジルアし
ノ、スルホンアミド、ウレイド、ウレタン、スルフィニ
ル、メルカプト、アリール、複素環などの置換基で置換
されてもよい。
Rで表わされるアリール基の代表的、な具体例はフェニ
ル基及びす7チル基であり、これらの基はハロゲン原子
、ニトロ、シアノ、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ
、アリールオキシ、アシルオキシ、スルホニルオキシ、
カルボキシ、カルボン酸エステル、カルバモイル、スル
ホ、スルホン酸エステル、スルファモイル、アルキルチ
オ、アリールチオ、スルホニル、アシル、アミノ、アシ
ルアミノ、スルホンアミド、ウレイド、ウレタン、スル
フィニル、メルカプト、アリール、複素環などの置換基
で置換されてもよい。
Rで表わされる複素環基の具体例はテトラゾリル、・ベ
ンゾオキサシリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾ
リル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリ
ル、7ラニル、ベンゾフラニル、オキサシリル、ピラニ
ル、オキサジニル、ピリジル、ビリ之ジニル、チェニル
、テトラヒドロチェニル、テトラヒドロ7ラニル、テト
ラヒドロピラニル、ピリジル、イミダゾリル、ピラゾリ
ル、モルホリニル等であり、これらの基はハロゲン原子
、ニトロ、シアノ、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ
、アリールオキシ、アシルオキシ、スルホニルオキシ、
カルボキシ、カルボン酸エステル、カルバモイル、スル
ホ、スルホン酸エステル、スルファモイル、アリールチ
オ、アリールチオ、スルホニル、アシル、アミノ、了シ
ルアミノ、スルホンアミド、ウレイド、ウレタン、スル
フィニル、メルカプト、アリール、複素環などの置換基
で置換されてもよい。
Rで表わされるアシル基の具体例はア七チル、n−プロ
ピオニル、n−テトラデカノイル、ベンゾイル、ニジキ
シカルボエル、ジメチルアミノカルボニル、エトキザリ
ル、ビルビル等である。
Rで表わされるチオ了シル基の具体Nはジエチルアミノ
チオカルボニル、メチルチオカルボニル、フェニルチオ
カルボニル、シクロヘキシルチオカルボニル、1−ピペ
リジンチオカルボニル等である。
W及び2で表わされるアルキル基、アリール基、複素環
基は前述したRのアルキル基%71J−ル基、複素環基
と同様の基を挙げることができる。
R,で表わされるアルキル基、アリール基、複素環基は
前述した只のアルキル□基、アリール基、複素環基と同
様の基を挙げることができる。
人で表わされるマゼンタ色素形成カプラー残基としては
5−オキソ−2−ピラゾリン核、ビラゾvx−[1,5
−&]ベンズイミダゾール核、IHピラゾロ[5*  
l−0][19214] )リアゾール核、インダシロ
ン核、ベンジルシアナイド核、ピラゾリジン−3,5−
ジオン核等があるが、5−オキソ−2−ピラゾリン核、
ピラゾロ−[1゜57− @ ] ベンズイミダゾール
核及びIHビ門ゾロ[5,1−0コ[1,2,4])リ
アゾール核が好ましい。
本発明に有用なム−で表わされる残基は下記一般式(I
IIJ 、(IV)及び(V)によって表わされるもの
である。
一般式([1)において−はアルキル基、アリール基、
複素環基を表わす。
R1で表わされるアルキル基は飽和のもの、不飽和のも
の、直鎖のもの、分岐のもの、環状のもののいずれでも
よく、例えばメチル、エチル、1−プロピル、n−ブチ
ル、t−ブチル、n−ドデシル、n−オタタデシル、シ
フ−ヘキシル、シクロヘキシルメチル、アリル、オレイ
ル、シクロヘキセニル等である。これらの基はハロゲン
原子、ニジp1シアノ、ヒドロキシ、アルコキシ、アリ
ールオキシ、アシルオキシ、スルホニルオキシ、カルボ
キシ、カルボン酸エステル、カルバモイル、゛スルホ、
スルホン酸エステル、スルファモイル、アルキルチオ、
アリールチオ、スルホニル、アシル、アミノ、アシルア
ミノ、スルホンアミド、ウレイド、ウレタン、スルフェ
ニル、メルカプト、アリール、複葉環などの置換基で置
換されてもよい。
−で表わされるアリール基はフェニル基及びナフチル基
であり、これらの基は1個以上の置換基を有してもよく
、置換基としては例えば、アルキル、ハロゲン原子、ニ
トロ、シアノ、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキ
シ、アシルオキシ、スルホニルオキシ、カルボキ′シ、
カルボン酸エステル、カルバモイル、スルホ、スルホン
酸エステル、スルファモイル、アルキルチオ、γM−ル
チオ、スルホニル、アシ・ル、アミノ、アシルアミノ、
スルホンアミド、ウレイド、ウレタン、フルフィニル、
メルカプト、アリール、複素環などを有してよい。
R8で表わされる複素環基はピリジル、キノリル、フリ
ル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサシリル、ペンシイ
之ダゾリル、ピペリジニルなどであり、これらの基は前
記のアリール基について列挙した置換基によって置換さ
れてもよい。
式中R,は水素原子、アルキル基(前記R8のアルキル
基と同一の意味を有する。)、アリール基(前記R1の
アリール基と同一の意味を有する。)、複素環基(前記
−の複素環基と同一の意味を有する。)、カルボン酸エ
ステル基(例えばエトキシカルボニル、フェノキシカル
ボニルIII)、アルコキシ基(例えばメトキシ、n−
ドデシルオキシ等)、アリールオキシ基(例えばフェノ
キシ)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ベンジル
チオ等)、アリールチオ基(例えばフェニルチオ)、カ
ルメキシ基、カルバモイル基(例えばエチルカルバモイ
ル、N−フェニルカルバモイル等)、アシルアミノ基(
例えばアセチルアミノ、n−テトラデカノイルアミノ、
α−(2,4−ジーt−ア之ルフェノキシ]ブチルアミ
ド、3−[α−(2,4−ジーt−アミルフェノキシ)
アセトアミトコベンズアミド等〕、アミノ基(例えばメ
チルアミノ、アニリハ8−クロル−5−n−テトラデカ
ンアミドアニリノ、2−クロル−5−(3−オクタデセ
ニルサクシンイミド)アニリノ等)、ウレイド基(例え
ばn−テトラデシルウレイド、フェニルウレイド、N−
ドデシル−M−フェニルウレイド等)、スルホンアミド
基(例えばn−ブタンスルホン了ミド、p 11−ドデ
シルオキシベンゼンスルポンγ考ド等)、スルファモイ
ル基(例えば鳳−トチシルスルファモイル、フェニルス
ルファモイル等)、カルバモイル基(例えばエチルカル
バモイル、7エエルカルバモイル等)、アシル基(例え
ばアセチル、ベンゾイル等)、ウレタン基、シアノ基、
ヒドロキシ基、メルカプト基、スルホ基及びハロゲン原
子のいずれかを表わす。
一般式CI%’)においてR4は水素原子、アルキル基
(前記R1のアルキル基と同一の意味を有する。)、ア
リール基(前記R1のアリール基と同一の意味を有する
。)、複素環基(前記九の複素環基と同一の意味を有す
る。)、ハロゲン原子、ニドp1シアハヒドロキシ、ア
ルコキシ、アリールオキシ、アシルオキシ、スルホニル
オキシ、カルボキシ、カルボン酸エステル、カルバモイ
ル、スルホ、スルホン酸エステル、スルファモイル、ア
ルキルチオ、アリールチオ、スルホニル、アシル、アミ
ノ、アシルγ之ハスルホンアミド、ウレイド、ウレタン
、スルフィニル及びメルカプトから選ばれる基を表わす
一般式(V)においてはR1はR1と同一の意味を有し
”I R1ともとは同じでも異っていてもよい。
本発明の実施に際しては、Aか一般式(HDで示される
ものであるとき、発明の効果が大きい点で特に好ましい
以下は一般式(n)で示される化合物の具体例である。
(30)    OH,−s−80,−OH。
(3リ   n  04H18Bog  04H@  
n00、H。
これら一般式(If)の化合物は従来公知の方法で合成
できる。例えば、スルフィン際又はその金属塩とスルフ
ェニルクロライドを反応させる方法、チオスルホン酸塩
とハロゲン化合物を反応させる方法、メヘカブタンとス
ルホニルクロライドを反応させる方法、スルホニルクロ
ライドの二分子還元、ジスルフィドの酪化などであり、
これらの合成方法はケミカルアプスFラク7 (Oha
mia*IAbstraots ) ’ 49巻 23
46 、同54巻 1641g、同63巻 14739
 、同64巻 14119などに記載されている。
次にこれら一般式(II)のチオスルホン−エステルと
四当量マゼンタカプラーの反応について述べ四装置カプ
ラーに対し使用するチオスルホン鎌エステルのモル比は
1〜10で使用することができるが1〜8倍量が好まし
い。反応溶媒としてはアルコールi[−(メタノール、
エタノール、イソプリパノール等)、エーテル系溶媒(
テトラヒドロ7ラン、ジオキサン等)、エステル系溶媒
(酢酸エチル、酢酸ブチル等)、ケトン系溶媒(アセ)
ン、メチルエチルケトン等】、ハ四ゲン化水素系溶媒(
クロロホルム、ジクpルエタン等)、芳香族炭化水素系
溶媒(ベンゼン、トルエン、キシレン等)、非プロトン
性極性溶媒(ジメチルホルムア之ド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホトリアミド等ン、有機酸溶媒
(酢酸等)、石油系溶媒、アセトニトリル、水等が使用
されるが、特にアルコール系溶媒が好ましい。
反応に用いる塩基触媒としては炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素ナトリウム、酢酸ナトリウム、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、)リエチルアミン、ピリ
ジン、DBTl、ナトリウムエチラート、ナトリウムメ
チラート、金属ナトリウム等使用することができるが、
ナトリウムエチラ。
−)及びナトリウムメチラートが特に好ましい・触媒量
は四当櫃カプラーに対し1〜20倍モル量で使用するこ
とができるが、1〜4倍モル量か特に好ましい。反応温
度は一10〜150℃で実施できるが10〜tO℃の範
囲が好ましい。
反応終了後、反応混合液を水あけすると生成物の一般式
(I)で表わされるカプラーが得られる〇このとき副生
成物のスルフィン酸塩は水洗により除去することができ
る。必要に応じて生成物を酢酸エチル等の有機溶媒で抽
出し、水洗後硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム等の乾
燥剤で乾燥し濃縮してカプラーを得ることができる。更
に適当な溶媒から再結晶して精製することができる。
本発明の製造法によれば、これまで文献既知の方法では
容易に合成できなかったアルキルチオ基、アリールチオ
基、ヘテロ環チオ基を脱離基とする二装置マゼンタカプ
ラーを合成することができる。
本発明の製造方法は、反応温度は室温の温和な条件で、
活性点未置換の四当量カプラーから一段階で高収率で種
々のチオエーテル基をカプラーの活性点に導入できると
いう利点を有している。
本発明により得ることができる二当量マゼンタカプラー
の具体例は以下のとおりである。
例示カプラー OH。
(4) OH。
(8) 1 (10) So、H (11) (13) 1 (14)  、 (16) l (17) (18) Oj (19λ 0*Ha (21) C! (22) り (26) I 山 (27) (33)              0(3す 0、雪Ht藝−n 本発明の製造法による代表的カプラーの合成例−を以下
に記すが、これによって何尋限定されるものではない。
実施例1 (例示カプラー(1)の合成ン/ 1−(g、  4.6−)リクロルフェニル)−3−(
2−クロル−5−ys−テトラデカンアミドアニリノ)
−1−ベンジルチオ−5−オキソ−2−ピラゾリンの合
成 無水エタノール50WLlに金属−ナトリウム0.3 
flを溶かした溶液に、1−(2,4,6−)リクロル
フェニル)−3−(2−クロル−5−n−テトラデカン
アミドアニリノ)−5−オキソ−2−ピラゾリン6.1
9を加え更にベンジルベンゼン千オスルホネー) 3.
49を加えて室温で4時間反応させた。反応混合物を希
塩酸中に注ぐと白色の固体が析出した。この固体をろ取
した後、エタノールより再結晶して目的物の白色結晶6
.15.9を得た。
融点は181〜182℃で収率は89%であった。
実施例2 (例示カプラー(6)の合成)1−($、 
4.6−)リタロル7エエルンー3−(2−クロル−5
−n−テトラデカンアミドアニリノ)−4−フェニルチ
オ−6−オキソ−2−ピラゾリンの合成 無水エタノール50mに金属ナトリウム0.3 IIを
溶かした溶液に、1−(2,4,6−)リフpy’ フ
ェニル)−3−(2−り四ルー5−n−テトラデカン了
ミドアニリノ〕−5−オキソ−2−ピラゾリン6.1g
を加え、更にフェニルベンゼンチオスルホネー) 3.
39を加えて室温で5時間反応させた。反応混合物を希
塩酸中に注ぐと白色の固体が析出した。この固体をろ取
した後、エタノールより再結晶して目的物の白色結晶5
.9 Iiを得た、融点は21’4.5〜216℃で収
率は82%であった。
実施例3 (例示カプラー(1)の合成)1−(2,4
,6・−トリク田ルフェニル)−3−[2−クロル−5
−(’3−オクタデセニルサクシンイミドノアニリノ]
−4−エチルチオー5−オキソー2−ピラゾリンの合成 無水エタノール50m1に金属ナトリウム0.3 !を
溶かした溶液に、l−(2,4,a−)リクロルフェニ
ル)−3−[2−り田ルー5−(3−オフタデ七ニルサ
クシンイ瑠ド)アニリノ]−a−オキソー8−ビラ゛ゾ
リンフr477を加え更にエチルベンゼンチオスルホネ
ー) 2.617を加えy室温で6時間反応させた。反
応混合物を希塩酸中に注ぎ、酢酸エチルで抽出後乾燥濃
縮した。
淡黄色カラメル状の目的物7.6gを得た。
収率は96噂であった。
実施例4 (例示カプラー(16)’の合成)1−(2
,4,6−)リクpルフェニル)−3−[Q−り四ルー
5−(3−オクタデセニルサクシンイミド〕アニリノ]
−4−(2−テトラヒドロ7リルチオ)−5−オキソ−
2−ピラゾリンの合成 無水エタノール50dに金属ナトリウム0.31を溶か
した溶液に、1−(2,4,6−)リクロルフェニル)
−3−[2−クロル−5−(3−オクタデセエルサクシ
ンイミド)アジリノ] −a −オキソ−2−ビラゾリ
ンフ、411を加え更に2−テトラヒドロフリルベンゼ
ンチオスルホネート3.2gを加えて室温で5時間反応
させた。反応混合物を希塩酸中に注ぎ、酢酸エチルで抽
出後乾燥濃縮した。
淡黄色カラメル状の目的゛物フ、5gを得た。
収率は93%であった。
比較実施例1 実施例1の化合物(4)を合成するのに従来知られてい
る特開昭55−25056号に記載の合成法に従った場
合。
1−(2,4,6−)リクロル7エエル)−3−(2−
クロル−5n−テトラデカンアミドアニリノ)−5−オ
キソ−2−ピラゾリン6.1gを80%エタノール12
5dに溶がし、炭酸カリウム09gを添加し、加熱還流
攪拌下、S−ベンジルチオイソチオ尿素・塩酸#13.
19を90%エタノールsodに溶かしたものを1時間
かかって滴下し、さらに2時間加熱攪拌した。薄層クロ
マトで反応が終了した事を確iした後反応容器を氷冷し
た。生成した固体をと取し、エタノールより再結晶して
目的物の白色結晶3.5 fiを得た。
融点は181〜182℃で収率は17弧であった。
比較実施例2 米国特許第3,221.554号に記載の方法で次のカ
プラーを合成した。
1−(2,4,6−)リクロルフェニル)−3(5[r
  (2e4−ジ−t−アミルフェノキシ)ブタンアミ
トコ−8−クロルアニリノ)−一番−フェニルチオー5
−オキソ−2−ピラゾリンの合成 チオフェノール1.2gを四塩化炭素30ILlに溶か
し室温で塩素ガスを15分間導入し得た橙色溶液を濃縮
して橙色オイルのベンゼンスルフェニルクロライドを得
た。
1−(2,4,6−トリフルルフェニル)−3−(5−
[y −(2、4−ジ−t−アミルフェノキシ)ブタン
アミp]−t−クロルアニリノ)−5−オキソ−2−ビ
ラゾリンフ、09をトルエン100 tdに溶かした溶
液を約80℃に加温して攪拌する中へ、先のベンゼンス
ルフェニルクロライドのトルエン溶液somを滴下した
。3時間加熱攪拌した後、反応液を濃縮して残漬をカラ
ムクロマトグラフィー(シリカゲルを充填剤としてベン
ゼンと酢酸エチルで展開した。)にかけ目的物をとり出
し更にベンゼンから再−品して白色結晶3.09を得た
融点は127〜130℃で収率は37%であった。
比較実施例1及び比較実施例2はチルキルチオ基及びア
リールチオ基をマゼンタカプラーの活性点に導入する従
来公知の方法であり、本発明の製造方法と比較して収率
がいずれも低く副生成物が多く出現していることがわか
る。
本発明のチオエーテル基を有するマゼンタカプラーの製
造方法はこれら従来公知の方法に比べ、反応温度が室温
で行えるという利点を有しており、しかもアルキルチオ
、アリールチオ−、ヘテロ環チオ基いずれの導入も可能
であるという汎用性に特徴がある。
代理人  桑原義美 第1頁の続き 0発 明 者 二宮英隆 日野型゛さくら町1番地小西六写 真工業株式会社内 0発 明 者 益田功策 日野型さくら町1番地小西六写 真工業株式会社内 手続補正書 昭和57年10月 5 Ll 昭和” ”i 特許願第’ Ll ’ @ ’  4J
、2、発明の名称 マゼンタカブツーの調造方法 :l 補11らをする者 事f[との関係 特許出願人 住 所  東京都新宿区西新宿1丁目26番24ノー名
 称 (+271小西六写真工業株式会+1代ノシ取締
役 !11  本 信 彦 4、代理人 〒191 居 所  東1;〔都L1野市さくら町1品地自  発 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 7、 補正の内容 (1)  発明の詳細な説明を次の如く補正する。
手続補正書 昭和67年11月27「1 特許庁長官基 杉 和 夫 殿 】、事f1の表示 昭和ss年特許願第 18!!980  号2 発明の
名称 マゼンタカブツーの製造万障 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所  東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 i
’  (+27)小西六写真工業株式会拐代表取締役用
 本〜 信  廖 4、代理人 〒191  − 居 所  東X:を都11町市さくら町1i1j地5、
補正命令の日付 自  発 6、補正の対象 嘴−書の「発明の詳細な説明」の欄 γ、捕正あ内客

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)チオ基を脱離基とする二当量マゼンタカプラーの
    製造方法において、カップリング活性点が未置換の目当
    量マゼンタカプラーとチオスルホン帆、エステル化合物
    を反応させることを特徴とするマゼンタカプラーの製造
    方法。
  2. (2)一般式(I)で表わされる二当量マゼンタカプラ
    ーの製造方法において、A−Hで示される目当量マゼン
    タカプラーと一般式(U)で表わされるチオスルホン酸
    エステル化合物を反応させることを特徴とするマゼンタ
    カプラーの製造方法。 一般式(I)A−8−λ゛− 一般式(II)    R−S −so、 −RS上記
    一般式中、人はマゼンタカプラーのカップリング活性点
    の水素原子を1清除*シた基、Rはアルキル基、了リー
    ル域、複素環基、アシル基、(式中、Wはアルキル基、
    アリール基、複葉環基を表わし、2は水素原子、アルキ
    ル基、アリール基、複素H!4基を表わす。)を表わし
    、R1はアルキル基、アリール基、複素環基を表わす。
  3. (3)A−Hで示される四当社マゼンタカプラーが5−
    オキソ−2−ピラゾリン誘導体、ピラゾロ−[1,5−
    a]ベンズイミダゾール誘導体又はIHビラゾ9−[5
    ,1−0][1゜2.4])リアゾール誘導体であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2m記載の二当蓋マゼ
    ンタカプラーの製造方法。
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