JPS5884467A - 薄膜ダイオ−ドアレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜ダイオードプレイに係”）　、＊　Ｋ　ｐ
−１−ｎ構造を有するアモルファスシリコンダイオード
に関する。

従来のアモルファスシリコンダイオード紘、下部電極上
にシ形、ｉ形＊　ｎ　ｌ／１ｉＯア篭ル７アスシリコン
を順次形成し九のち、微細加工によって隣接するダイオ
ード間のリークを防止し、８１へ膜で覆った徒、ｌ！＊
　８１０ｇ膜に上部電極用；ンタクトホールをあけて上
部電極を形成した。しかし、８％０１膜の膜厚は厚く（
〜２０００Ａ　）、かつｎ形アモルファスシリーン膜の
膜厚が簿いので、＝ンタクトホール形成時Ｋｎ形アモル
ファスシリコンが消失してダイオード特性を劣化させ、
歩留をいちじるしく劣化させていた０ し九がって、本発明は上記欠点の原因となっていた８１
０ｍ膜を不要とするダイオード構造を有する薄膜ダイオ
ードアレイを提供するものであるＯすなわち、本実１ｊ
ＩＩＦｉアモルファスシリ；ン層よシも狭いことを特徴
とする下部電極および上部電極において、これら両電極
と同一形状にｎ形およびｐ形の低抵抗膜を微細加工する
ものである。低抵抗膜であるｎ形およびｐ形層が高抵抗
層である１形層で互いに遮断されているために両電極間
でリークが表く、シたがって、絶縁層として０８１０ｓ
膜の挿入が不要となるものである。以下、本発明の一実
施例を第１図、第２図によｐ説明する０まず、基板１に
下部電極２としてＡＡを蒸着したのちｎ形のアモルファ
スシリコン層３をｓｏｏ　１の厚さに形成する。次いで
、フォトリングラフィによってこの下部電極２およびア
モルファスシリコン層３を第２図Ｋ　２　（３）で示す
ような下部電極形状に微細加工する。次いで、魚形のア
モルファスシリコン層４トｐＨｌのアモルファスシリコ
７層５をマスクを用いて第２図に４で示す形状に形成す
る。次いで、上部電極・としてムｔを蒸着し、第２図に
（６）で示すよう愈影状に微細加工する。

次いでム１０上部電極ｅをマスクとしてｐ形のアモルフ
ァスシリコン層ＳをＣＦ、　　グッズマによって微細加
工し、１１１ｔ２ＷＪＫＳで示すように上部電極６と同
一形状とする。

このように、本実Ｉ！ｊ！によるダイオード構造では、
低抵抗層であるｐ形層とｎ形層を高抵抗層である魚形層
で完全に遮断しているので、従来必要とされていた８１
０１層を不要とするため構造が簡単に麦るとともに、製
造も容易になる優れた効果がある０

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明に係る薄膜ダイオードプレイの要部断面
図、第２図紘平面図である。 ７アスシリコン層、４・・・・１形のアモルファスシリ
；ン層、５・・・・ｐ形のアモルファスシリコン層、６
・・・・上部電極。 代理人　弁理士　薄　１）利　幸

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ｎ形、１形、ｐ形のアモルファスシリ；ｙ層を順次積層
   してなる薄膜ダイオードアレイにおいて、ｎ形のアモル
   ファスシリコン層を下部電極と同一形状にし、かつｐ形
   のアモルファスシリコン層を上部電極と同一形状にした
   ことを特徴とする薄膜ダイオードアレイ。