JPS5884467A - 薄膜ダイオ−ドアレイ - Google Patents
薄膜ダイオ−ドアレイInfo
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- JPS5884467A JPS5884467A JP18227781A JP18227781A JPS5884467A JP S5884467 A JPS5884467 A JP S5884467A JP 18227781 A JP18227781 A JP 18227781A JP 18227781 A JP18227781 A JP 18227781A JP S5884467 A JPS5884467 A JP S5884467A
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- JP
- Japan
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- layer
- amorphous silicon
- silicon layer
- lower electrode
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜ダイオードプレイに係”） 、＊ Ｋ ｐ
−１−ｎ構造を有するアモルファスシリコンダイオード
に関する。
−１−ｎ構造を有するアモルファスシリコンダイオード
に関する。
従来のアモルファスシリコンダイオード紘、下部電極上
にシ形、ｉ形＊ ｎ ｌ／１ｉＯア篭ル７アスシリコン
を順次形成し九のち、微細加工によって隣接するダイオ
ード間のリークを防止し、８１へ膜で覆った徒、ｌ！＊
８１０ｇ膜に上部電極用；ンタクトホールをあけて上
部電極を形成した。しかし、８％０１膜の膜厚は厚く（
〜２０００Ａ ）、かつｎ形アモルファスシリーン膜の
膜厚が簿いので、＝ンタクトホール形成時Ｋｎ形アモル
ファスシリコンが消失してダイオード特性を劣化させ、
歩留をいちじるしく劣化させていた０ し九がって、本発明は上記欠点の原因となっていた８１
０ｍ膜を不要とするダイオード構造を有する薄膜ダイオ
ードアレイを提供するものであるＯすなわち、本実１ｊ
ＩＩＦｉアモルファスシリ；ン層よシも狭いことを特徴
とする下部電極および上部電極において、これら両電極
と同一形状にｎ形およびｐ形の低抵抗膜を微細加工する
ものである。低抵抗膜であるｎ形およびｐ形層が高抵抗
層である１形層で互いに遮断されているために両電極間
でリークが表く、シたがって、絶縁層として０８１０ｓ
膜の挿入が不要となるものである。以下、本発明の一実
施例を第１図、第２図によｐ説明する０まず、基板１に
下部電極２としてＡＡを蒸着したのちｎ形のアモルファ
スシリコン層３をｓｏｏ １の厚さに形成する。次いで
、フォトリングラフィによってこの下部電極２およびア
モルファスシリコン層３を第２図Ｋ ２ （３）で示す
ような下部電極形状に微細加工する。次いで、魚形のア
モルファスシリコン層４トｐＨｌのアモルファスシリコ
７層５をマスクを用いて第２図に４で示す形状に形成す
る。次いで、上部電極・としてムｔを蒸着し、第２図に
（６）で示すよう愈影状に微細加工する。
にシ形、ｉ形＊ ｎ ｌ／１ｉＯア篭ル７アスシリコン
を順次形成し九のち、微細加工によって隣接するダイオ
ード間のリークを防止し、８１へ膜で覆った徒、ｌ！＊
８１０ｇ膜に上部電極用；ンタクトホールをあけて上
部電極を形成した。しかし、８％０１膜の膜厚は厚く（
〜２０００Ａ ）、かつｎ形アモルファスシリーン膜の
膜厚が簿いので、＝ンタクトホール形成時Ｋｎ形アモル
ファスシリコンが消失してダイオード特性を劣化させ、
歩留をいちじるしく劣化させていた０ し九がって、本発明は上記欠点の原因となっていた８１
０ｍ膜を不要とするダイオード構造を有する薄膜ダイオ
ードアレイを提供するものであるＯすなわち、本実１ｊ
ＩＩＦｉアモルファスシリ；ン層よシも狭いことを特徴
とする下部電極および上部電極において、これら両電極
と同一形状にｎ形およびｐ形の低抵抗膜を微細加工する
ものである。低抵抗膜であるｎ形およびｐ形層が高抵抗
層である１形層で互いに遮断されているために両電極間
でリークが表く、シたがって、絶縁層として０８１０ｓ
膜の挿入が不要となるものである。以下、本発明の一実
施例を第１図、第２図によｐ説明する０まず、基板１に
下部電極２としてＡＡを蒸着したのちｎ形のアモルファ
スシリコン層３をｓｏｏ １の厚さに形成する。次いで
、フォトリングラフィによってこの下部電極２およびア
モルファスシリコン層３を第２図Ｋ ２ （３）で示す
ような下部電極形状に微細加工する。次いで、魚形のア
モルファスシリコン層４トｐＨｌのアモルファスシリコ
７層５をマスクを用いて第２図に４で示す形状に形成す
る。次いで、上部電極・としてムｔを蒸着し、第２図に
（６）で示すよう愈影状に微細加工する。
次いでム１０上部電極ｅをマスクとしてｐ形のアモルフ
ァスシリコン層ＳをＣＦ、 グッズマによって微細加
工し、１１１ｔ２ＷＪＫＳで示すように上部電極６と同
一形状とする。
ァスシリコン層ＳをＣＦ、 グッズマによって微細加
工し、１１１ｔ２ＷＪＫＳで示すように上部電極６と同
一形状とする。
このように、本実Ｉ！ｊ！によるダイオード構造では、
低抵抗層であるｐ形層とｎ形層を高抵抗層である魚形層
で完全に遮断しているので、従来必要とされていた８１
０１層を不要とするため構造が簡単に麦るとともに、製
造も容易になる優れた効果がある０
低抵抗層であるｐ形層とｎ形層を高抵抗層である魚形層
で完全に遮断しているので、従来必要とされていた８１
０１層を不要とするため構造が簡単に麦るとともに、製
造も容易になる優れた効果がある０
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る薄膜ダイオードプレイの要部断面
図、第２図紘平面図である。 ７アスシリコン層、４・・・・１形のアモルファスシリ
；ン層、５・・・・ｐ形のアモルファスシリコン層、６
・・・・上部電極。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
図、第２図紘平面図である。 ７アスシリコン層、４・・・・１形のアモルファスシリ
；ン層、５・・・・ｐ形のアモルファスシリコン層、６
・・・・上部電極。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- ｎ形、１形、ｐ形のアモルファスシリ；ｙ層を順次積層
してなる薄膜ダイオードアレイにおいて、ｎ形のアモル
ファスシリコン層を下部電極と同一形状にし、かつｐ形
のアモルファスシリコン層を上部電極と同一形状にした
ことを特徴とする薄膜ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18227781A JPS5884467A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 薄膜ダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18227781A JPS5884467A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 薄膜ダイオ−ドアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884467A true JPS5884467A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16115448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18227781A Pending JPS5884467A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 薄膜ダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884467A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256375A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | シチズン時計株式会社 | 液晶駆動用薄膜ダイオード |
| JPH0774372A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-03-17 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオードおよびその製造方法 |
| JPH0774373A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-03-17 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオードおよびその製造方法 |
| JPH0774374A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-03-17 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオードおよびその製造方法 |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP18227781A patent/JPS5884467A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256375A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | シチズン時計株式会社 | 液晶駆動用薄膜ダイオード |
| JPH0774372A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-03-17 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオードおよびその製造方法 |
| JPH0774373A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-03-17 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオードおよびその製造方法 |
| JPH0774374A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-03-17 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオードおよびその製造方法 |
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